JPH02114927U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02114927U JPH02114927U JP2201589U JP2201589U JPH02114927U JP H02114927 U JPH02114927 U JP H02114927U JP 2201589 U JP2201589 U JP 2201589U JP 2201589 U JP2201589 U JP 2201589U JP H02114927 U JPH02114927 U JP H02114927U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- processing chamber
- processed
- plasma
- gas
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は、本考案の一実施例のプラズマ処理装
置の要部縦断面図、第２図ないし第４図は、本考
案の第２ないし第４の実施例のプラズマ処理装置
の要部縦断面図である。 １……処理室、２，２′，２″……電極、３…
…ウエハ、４，４′……ウエハ押え、５……カバ
ー、６……薄膜抵抗体、７……絶縁膜。
置の要部縦断面図、第２図ないし第４図は、本考
案の第２ないし第４の実施例のプラズマ処理装置
の要部縦断面図である。 １……処理室、２，２′，２″……電極、３…
…ウエハ、４，４′……ウエハ押え、５……カバ
ー、６……薄膜抵抗体、７……絶縁膜。
Claims (1)
- 減圧可能な処理室と該処理室内に処理ガスを供
給するガス供給手段と前記処理室内を所定の圧力
に減圧排気する排気手段と被処理材を処理台に設
置する手段とプラズマ発生手段とから成るプラズ
マ処理装置において、前記被処理材の外周部に加
熱可能なカバー手段を設けたことを特徴とするプ
ラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2201589U JPH02114927U (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2201589U JPH02114927U (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02114927U true JPH02114927U (ja) | 1990-09-14 |
Family
ID=31239754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2201589U Pending JPH02114927U (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02114927U (ja) |
-
1989
- 1989-03-01 JP JP2201589U patent/JPH02114927U/ja active Pending