JPS637386A - ドライエツチングプロセスの評価方法 - Google Patents
ドライエツチングプロセスの評価方法Info
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- JPS637386A JPS637386A JP15239386A JP15239386A JPS637386A JP S637386 A JPS637386 A JP S637386A JP 15239386 A JP15239386 A JP 15239386A JP 15239386 A JP15239386 A JP 15239386A JP S637386 A JPS637386 A JP S637386A
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- etching
- wafer
- etching rate
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- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims 1
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明に半導体装置の製造評価方法に関したものであり
、特にドライエツチングプロセスにおいて、エツチング
中のエツチングレートのウェハ面内分布の評価方法に関
する。
、特にドライエツチングプロセスにおいて、エツチング
中のエツチングレートのウェハ面内分布の評価方法に関
する。
（ロ）従来の技術
プラズマによるドライエツチングの場合、終点上知る方
法として破エツチング物質特有の発光が減少することを
利用するものがあるワまた、使用ガス中のある成分原子
あるいは分子の発光が増加するＯとを利用するものがあ
る（例えば Ｓｅｍ１ｃ−ｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌ
ｃｌ １９８５．１２Ｐ１１７．１１８参照）つ 上述の従来技術でにエツチング装置が枚葉処理ならば、
ウェハ面内のエフチングレートの不拘−性？考慮せず、
ウヱノ・全面が同じエツチングレートでエツチングされ
ていると仮定してい次。そしてエツチングの停止ａクエ
へ面のどこか一部分の発光量の時間変化のデータを用い
て行っていたＯＣｌ 発明が解決しＬうとする問題点
近年のウェハの大口径化に伴い、プラズマ？用イタドラ
イエヮチングによるウェハ面内のエツチングレートの不
均一性が問題になってきているが、従来技術でにエツチ
ング中のエツチングレートのウェハ面内での不均一性を
確認することができない０ 不発明は上→己の問題点に鑑みなされたものであり、エ
ツチングレートのウェハ直円での不拘−住金実際のエツ
チング中にモニタリングすることができれば、この情報
全エツチング条件（例えばガス流電、高周汲電力、ウェ
ハ載置ステージの温度等）にフィードバック？かげてエ
ツチングレートのウェハ面内での均一性？上げることが
できる。
法として破エツチング物質特有の発光が減少することを
利用するものがあるワまた、使用ガス中のある成分原子
あるいは分子の発光が増加するＯとを利用するものがあ
る（例えば Ｓｅｍ１ｃ−ｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌ
ｃｌ １９８５．１２Ｐ１１７．１１８参照）つ 上述の従来技術でにエツチング装置が枚葉処理ならば、
ウェハ面内のエフチングレートの不拘−性？考慮せず、
ウヱノ・全面が同じエツチングレートでエツチングされ
ていると仮定してい次。そしてエツチングの停止ａクエ
へ面のどこか一部分の発光量の時間変化のデータを用い
て行っていたＯＣｌ 発明が解決しＬうとする問題点
近年のウェハの大口径化に伴い、プラズマ？用イタドラ
イエヮチングによるウェハ面内のエツチングレートの不
均一性が問題になってきているが、従来技術でにエツチ
ング中のエツチングレートのウェハ面内での不均一性を
確認することができない０ 不発明は上→己の問題点に鑑みなされたものであり、エ
ツチングレートのウェハ直円での不拘−住金実際のエツ
チング中にモニタリングすることができれば、この情報
全エツチング条件（例えばガス流電、高周汲電力、ウェ
ハ載置ステージの温度等）にフィードバック？かげてエ
ツチングレートのウェハ面内での均一性？上げることが
できる。
に）問題点全解決する九めの手段
本発明にプラズマを用い之ドライエツチングプロセス時
のエツチングレート量を示す発光ヲ多チャンネル光検出
器で検出し、この検出出力′ｆ：演算＠首で処理してエ
ツチング中のエツチング速度のウェハ面内分布全測足す
ることを特徴とする。
のエツチングレート量を示す発光ヲ多チャンネル光検出
器で検出し、この検出出力′ｆ：演算＠首で処理してエ
ツチング中のエツチング速度のウェハ面内分布全測足す
ることを特徴とする。
（ホ）作 用
プラズマ？用い几ドライエツチングプロセス時のエツチ
ングレートｔｉ示す発光を多チャンネル光検出器で検出
して、この検出出力を演算装置で処理することによりウ
ェハ面内のエツチングレートの分布？モニタリングする
ことができる。
ングレートｔｉ示す発光を多チャンネル光検出器で検出
して、この検出出力を演算装置で処理することによりウ
ェハ面内のエツチングレートの分布？モニタリングする
ことができる。
（へ）実施例
第１図に不発明方法の実施例を説明する定めのエツチン
グ装置の斜現南、第２図にその断面崗、第３スにその上
面図であり、同一部分には同一符号？付す。
グ装置の斜現南、第２図にその断面崗、第３スにその上
面図であり、同一部分には同一符号？付す。
図においてＩｌｌぼエツチングチャンバ１３１内に載置
式れる被エツチング物であるウェハ、ＩＺ＋ζウェハ巾
の下面に位置するカソード電極、＋９１Ｆ！ウエハ＋１
１の上方に位置するアノードを極である。また（４１框
エツチングチヤンバ１３＋から元を導出する定めの石英
窓であり、石英窓１３１を通過し次元に元請ｇｉｉ５＋
、シリンドリカルレンズ１６１、光学フィルタ＋７１
’ｉ ＋−次通過して多チャンネル光検出器（８１に導
入される。
式れる被エツチング物であるウェハ、ＩＺ＋ζウェハ巾
の下面に位置するカソード電極、＋９１Ｆ！ウエハ＋１
１の上方に位置するアノードを極である。また（４１框
エツチングチヤンバ１３＋から元を導出する定めの石英
窓であり、石英窓１３１を通過し次元に元請ｇｉｉ５＋
、シリンドリカルレンズ１６１、光学フィルタ＋７１
’ｉ ＋−次通過して多チャンネル光検出器（８１に導
入される。
ここで、９化けい素嗅のプラズマエツチングにおけるエ
ツチングレートのウェハ面内分布の測定について説明す
るｉ エツチングチャンバ１３１内でウェハ山上の窒化けい素
摸がエツチングされるとエツチングされ之窒化けい累日
の窒素が高周波エネルギーにより励起され３３７ｎｍの
成長の元？発する。この元ぼ元請ａ １５＋、シリンド
リカルレンズ１６）お工び３３７ｎｍの仮長の元だけ？
ｄ過させる元学フィルタ（７＋ｉ通って多チャンネル光
検出器ｉｉ’ｌｌ Ｋ達する○多チャンネル光検出器ｉ
Ｒ＋のチャンネル番号に、第３図に示す如ぐウェハ山の
ｙ方向と直交するＸ方向の位置に対応している。また元
請板＋５１によりウェハ山上で発光した尤のうちｙ方向
に発光した元のみが多チャンネル光検出器１８」に達す
る。
ツチングレートのウェハ面内分布の測定について説明す
るｉ エツチングチャンバ１３１内でウェハ山上の窒化けい素
摸がエツチングされるとエツチングされ之窒化けい累日
の窒素が高周波エネルギーにより励起され３３７ｎｍの
成長の元？発する。この元ぼ元請ａ １５＋、シリンド
リカルレンズ１６）お工び３３７ｎｍの仮長の元だけ？
ｄ過させる元学フィルタ（７＋ｉ通って多チャンネル光
検出器ｉｉ’ｌｌ Ｋ達する○多チャンネル光検出器ｉ
Ｒ＋のチャンネル番号に、第３図に示す如ぐウェハ山の
ｙ方向と直交するＸ方向の位置に対応している。また元
請板＋５１によりウェハ山上で発光した尤のうちｙ方向
に発光した元のみが多チャンネル光検出器１８」に達す
る。
従って、多チャンネル尤検出６１８１により、位置Ｘで
のｙ方向の発光の積分値１（Ｘ）ｋ測定でさる０ ところで、エツチングレートのウェハ面内分布に電極形
状、ウェハ形状から同心円状の分布をしている。
のｙ方向の発光の積分値１（Ｘ）ｋ測定でさる０ ところで、エツチングレートのウェハ面内分布に電極形
状、ウェハ形状から同心円状の分布をしている。
１って、発光強度ＩＤＣｍウェハｔｉｔの半径方向ｒの
関数で表ねされる。また発光強度ζ窒素原子ｚ度に比例
しているので、発光強度は工、フチングレートに比例す
ることになる。
関数で表ねされる。また発光強度ζ窒素原子ｚ度に比例
しているので、発光強度は工、フチングレートに比例す
ることになる。
ここで、■（ｒ）ぼ位々ｒでの発光強度である。厳密に
いうとＩｏＣ＋ｑｙ方向に積分した値でめり、その次元
ぼＩ （ｒ＋に長さの次元？掛けたものとなる。
いうとＩｏＣ＋ｑｙ方向に積分した値でめり、その次元
ぼＩ （ｒ＋に長さの次元？掛けたものとなる。
従って、
となり、これに
と変換できる。
而してＩ （ＸＩの測定値から数値計算４行うことで工
（ｒ）ｋ求めることができる。
（ｒ）ｋ求めることができる。
多チャンネル光検出器＋８＋２１０チャンネル丁なわち
、ウェハ山のＸ方向に１０分割した場合の計算例全以下
に示す。
、ウェハ山のＸ方向に１０分割した場合の計算例全以下
に示す。
ここで、Ｒｉウェハｌｌ＋の半径で、ｅｌｎ、にの値に
以下の通りであるワ 係数 ｂｎ、ｋ （Ｎ＝ １０ トじ７（場合）ｎ／ｋ
ｏ １ ２
ａ ４０ α５１４８５６７５
α４６４１７４５９ 旧１２４２８１０−＋１０２２
８７２６９１ ｔ４６０Ｂ５７６０ ｔ５２６Ｂ１
０９９ α９２４７５１１５ ０Ａ８９３５０５５−
α０１９９５１２１２ １１７９５１７８２５ （１
７６７３６９４０αＡ３５９４２８７ １Ｍ６４２４５
９７ ＣＬ５５９０７７３７３−１７２１７１２７５
−α４５８７４９４２−ｏＡ６９８５９４５ Ｕ４０
５４０７７ １：Ｌ５２０４０８９０４−α５３５９
９５２０−α５２２８０？２９ −ｆ１４８５２５７５
５ −Ｑ３２０８４２！ＩＴ α２５４２３８７５
５ α０５２９９１Ｓ４ α００２７１３３１−０１
４８１２０７９−邸４０１９７５５−α１７８７９２６
＋６−α０８３６５４８６−α０８９２２４０９−α１
０５９３１７５ −α１５６１９８２２−［Ｌ２７９＋
５４１６７−α０６１５６５８１−α０６４６５２５７
−ｎ０７３９１８０４−α０８９８７２４？−α＋５０
５２５＋０８−１０４６８８６３９−１０４８４１３５
４９−ｎｏ５５２８２７９−凹６１６７１４９−α０７
７１９５８９９−α０４４１８１４６−ｎ０４５２５８
５１−α０４８４０９６７−α０５３８８０２０−１１
０６５６４５８５ｎ／ｋ ５ ６
７ ８ ９２−４０１
７５＋４５１ ３ ＣＬ５２２５７８２６−１１０１５６７００５４
α４４９４１０１６ ｎ２９１９２２２９−叩＋４２
４３８４ α００２０８４９５５ ［Ｌ２１８５９
２５５ ＩＩＬ８５６９０２８５ ［１２６７１７
４９５−（ＬＯ４９４９４２１α００２２８１１４６−
ｆ１１０９００４４９ ０１９８７０６３４ Ｌ＋４
９６４０７０ α１３４２５２０２−α０５５２９０
７１７−ｎ２４３８０７８５−α０６９８６４５２
［１１Ｂ５３５８７７ ＣＬ４１９４２１６２ α
１２９５２４９９Ｂ−ＣＬ１５９６１２４６−ｃＬ２１
６３６０２４−ＧＪ］３８２０８’７２ α４７６２
８７７６ １５８８１３５２９１９−［１０８０７６９
７４−Ｏｊ４７０８３９５−（Ｌ２２８３５４７０−ｃ
Ｌ５０４７２１３１ ［Ｌ４５９９６９１６エツチ
ング中のウェハ面内のエツチングレートの分布をモニタ
リングして、この情報をエツチング条件−制御用の制御
装置に入力しエツチングレートのウェハ面内分布の均一
性あるいに正確なエツチング終点全知ることに利用でき
るっ （ト） 発明の効果 本発明に以上の説明から明らかな如く、エツチング中の
ウェハ面内のエツチングレートの分布を測定することが
できるので、大口径のクエハであっても、そのエツチン
グレートの分布情報？エツチング条件にフィードバック
することによりエツチングレートのウェハ面内分布の均
一性？高めることができる。まｔ、正確なエツチング終
点？確認することができる０
以下の通りであるワ 係数 ｂｎ、ｋ （Ｎ＝ １０ トじ７（場合）ｎ／ｋ
ｏ １ ２
ａ ４０ α５１４８５６７５
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ング中のウェハ面内のエツチングレートの分布をモニタ
リングして、この情報をエツチング条件−制御用の制御
装置に入力しエツチングレートのウェハ面内分布の均一
性あるいに正確なエツチング終点全知ることに利用でき
るっ （ト） 発明の効果 本発明に以上の説明から明らかな如く、エツチング中の
ウェハ面内のエツチングレートの分布を測定することが
できるので、大口径のクエハであっても、そのエツチン
グレートの分布情報？エツチング条件にフィードバック
することによりエツチングレートのウェハ面内分布の均
一性？高めることができる。まｔ、正確なエツチング終
点？確認することができる０
図面ぽいずれも本発明方法を説明するためのエツチング
装置であり、第１図は斜視図、第２囚に断面図、第３図
に上面図である。 １１＋・−・ウェハ、ｔ５＋・・・ｆｔ、路板、＋８１
・・・多チャンネル光検出器。
装置であり、第１図は斜視図、第２囚に断面図、第３図
に上面図である。 １１＋・−・ウェハ、ｔ５＋・・・ｆｔ、路板、＋８１
・・・多チャンネル光検出器。
Claims (1)
- １、プラズマを用いたドライエッチングプロセス時のエ
ッチングレート量を示す発光を多チャンネル光検出器で
検出し、この検出出力を演算装置で処理してエッチング
中のエッチング速度のウェハ面内分布を測定することを
特徴とするドライエッチングプロセスの評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61152393A JPH0765198B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | ドライエツチングプロセスの評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61152393A JPH0765198B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | ドライエツチングプロセスの評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS637386A true JPS637386A (ja) | 1988-01-13 |
| JPH0765198B2 JPH0765198B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=15539534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61152393A Expired - Fee Related JPH0765198B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | ドライエツチングプロセスの評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0765198B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01319484A (ja) * | 1988-05-05 | 1989-12-25 | Sandoz Ag | ５―アリール―置換―２，３―ジヒドロ―イミダゾ［１，２―ａ］フロ及びチエノピリジン |
| US6320246B1 (en) | 1998-03-27 | 2001-11-20 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor wafer assemblies |
| JP2010157556A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処置装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57194054U (ja) * | 1981-06-05 | 1982-12-09 | ||
| JPS61110433A (ja) * | 1984-11-02 | 1986-05-28 | Hitachi Ltd | エツチング処理均一性測定方法 |
| JPS62196830A (ja) * | 1986-02-24 | 1987-08-31 | Canon Inc | エツチング装置 |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP61152393A patent/JPH0765198B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57194054U (ja) * | 1981-06-05 | 1982-12-09 | ||
| JPS61110433A (ja) * | 1984-11-02 | 1986-05-28 | Hitachi Ltd | エツチング処理均一性測定方法 |
| JPS62196830A (ja) * | 1986-02-24 | 1987-08-31 | Canon Inc | エツチング装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH01319484A (ja) * | 1988-05-05 | 1989-12-25 | Sandoz Ag | ５―アリール―置換―２，３―ジヒドロ―イミダゾ［１，２―ａ］フロ及びチエノピリジン |
| US6320246B1 (en) | 1998-03-27 | 2001-11-20 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor wafer assemblies |
| US6344364B1 (en) * | 1998-03-27 | 2002-02-05 | Micron Technology, Inc. | Etching methods |
| US6379981B2 (en) | 1998-03-27 | 2002-04-30 | Micron Technology, Inc. | Methods incorporating detectable atoms into etching processes |
| JP2010157556A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処置装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0765198B2 (ja) | 1995-07-12 |
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