KR200145300Y1 - 종말점 검출이 용이한 플라스마식각장비 - Google Patents

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Abstract

스테이지에 안치된 웨이퍼를 건식식각 중 식각 종말점을 감지하는 플라스마 광 검출기(13)가 반응실의 퀄츠(11) 외부에 설치되어서 플라스마광을 감지하여 광 케이블(14)을 통해 특정 파장을 선택적으로 통과시키도록 세팅된 모노크로메타(15)를 통과시켜 증폭기(16)를 거쳐 차트(17)에 기록되도록 구성된 플라스마식각장비에 있어서, 반응 챔버 퀄츠(11) 내에 열선(19)을 설치하고 온도센서(20)을 부착하여, 챔버 퀄츠(11)의 온도를 소정 온도 이상 (약 섭시 40도 이상)으로 유지하게 한 것이 특징인 종말점 검출이 용이한 플라스마식각장비.

Description

종말점 검출이 용이한 플라스마식각장비
제1도는 종래의 플라스마식각장비의 개략도.
제2도는 본 발명의 플라스마식각장비의 개략도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1,11 : 챔버 퀄츠 2,12 : 스테이지
3,13 : 프라스마 광 검출기 4,14 : 광 케이블
5,15 : MONOCROMERTER (OR FILTER)
6,16 : 증폭기 17,7 : 차트기록기
9,19 : 전원 20 : 온도 센서
본 고안은 종말점 검출이 용이한 플라스마식각장비에 관한 것으로, 특히 건식식각 중 발생하는 폴리머(POLYMER)의 부착을 감소시키기 위하여 반응챔버주위에 히터를 설치하여 식각 종말점 검출을 용이하게 한 종말점 검출이 용이한 플라스마식각장비에 관한 것이다.
종래의 종말점 검출(END POINT DETECT)이 가능한 플라스마식각장비는 제1도에서 보인 바와 같이, 스테이지(2)에 안치된 웨이퍼를 건식식각 중 식각 종말점을 감지하는 플라스마 광 검출기(PLASMA LIGHT DECTOR)(3)가 반응실의 퀄츠(1) 또는 윈도우 외부에 설치되어서 플라스마광을 감지하여 광 케이블(4)을 통해 식각하고자 하는 웨이퍼의 층(FILM) 종류에 따라 특정 파장을 선택적으로 통과시키도록하는 세팅된 모노크로메타(MONOCROMERTER 또는 FILTER)(5)를 통과 증폭기(6)를 거쳐 차트(CHART RECORDER)(7)에 기록되도록 구성되어 있다. 조작자는 이 기록되는 파형을 분석하여 외부에서 식각 종말점을 찾아낼수 있다.
최근 반도체소자의 집적도가 증가함에 따라 공정도 복잡하여져서 높은 정밀도가 요구되게 되었다.
높은 선택비와 단면 형상을 개선하기 위해서는 폴리머 생성이 많은 개스의 사용량이 증가하므로, 반응실의 퀄츠 또는 윈도우에 많은 양의 폴리머 부착이 필연적이다.
그래서 식각공정을 실시한 웨이퍼의 진행장수 증가에 다라 종말점 감도가 떨어지게 되므로, 필요한 정밀도를 유지하기 위하여는 세정횟수가 증가되고, 생산성 감소 및 종말점의 재현성이 감소되었다.
본 고안은 플라스마식각장비는 제2도에 도시된 바와 같이 스테이지에 안치된 웨이퍼를 건식식각 중 식각 종말점을 감지하는 플라스마 광 검출기(13)가 반응실의 팖츠(11) 외부에 설치되어서 플라스마광을 감지하여 광 케이블(14)을 통해 특정 파장을 선택적으로 통과시키도록 세팅된 모노크로메타(15)를 통과시켜 증폭기(16)를 거쳐 차트(17)에 기록되도록 구성된 플라스마식각장비에 있어서, 반응 챔버 퀄츠(11) 내에 열선(19)에 전원을 인가하는 가열용 전원(18)을 제어하여 챔버퀄츠(11)의 온도를 소정 온도 이상으로 유지하게 한 것이다.
스테이지(12)에 안치된 웨이퍼를 건식식각 중 식각 종말점을 감지하는 플라스마 광 검출기(PLASMA LIGHT DECTOR)(13)가 반응실의 퀄츠(11) 또는 윈도우 외부에 설치되어서 플라스마광을 감지하여 광 케이블(14)을 통해 식각하고자 하는 웨이퍼의 층(FILM)종류에 따라 특정 파장을 선택적으로 통과시키도록하는 세팅된 모노크로메타(MONOCROMERTER 또는 FILTER)(15)를 통과 증폭기(16)를 거쳐 차트(CHART RECORDER)(17)에 기록되도록 구성된 것은 종래의 플라스마식각장비와 같으나, 반응 챔버 퀄츠(11) 또는 윈도우 내에 열선(19)을 형성하고, 이 열선(19)에 전원을 인가하여 가열하여 챔버 퀄츠(11) 또는 윈도우의 온도를 섭시 40도 이상으로 유지하므로써, 폴리머의 부착을 줄일 수 있고, 챔버벽면(CHAMBER WALL)을 일정한 온도로 유지 할 수 있게하여 플라스마의 안정화 및 반응 이온(ION), 래디칼(RADICAL)등의 활성에너지를 증가시키도록 한 것이다. 챔버 퀄츠 내부에 형성한 열선에 전원 공급 장치를 연결하고 또 온도 센서와 콘트로러(20)를 연결하여 일정한 온도를 유지할 수 있게 한 점에서 개선된 것이다.
이때 챔버 퀄츠 온도는 40도 이상을 유지하므로서 POLYMER 부착효과를 감소시킬수 있다.
상기 온도(40도 이상)를 유지할시 웨이퍼 표면 온도에 미치는 영향은 거의 없는데, 이는 반응실(CHAMBER) 용적의 커짐과 웨이퍼와 챔버벽면과의 이격 거리가 크기 때문이다.
조작자는 종래와 같이 기록되는 파형을 분석하여 외부에서 식각 종말점을 찾아낼수 있다.
본 고안은 챔버 퀄츠에 일정한 온도 유지 및 조절이 가능하므로 건식각 중 발생하는 반응 생성물 즉 폴리머 부착을 감소 시키므로 종말점 감도의 향상을 가져오며, 재현성의 유지를 가져오므로 생산성 향상을 가져온다.
또한 챔버 퀄츠의 일정한 온도 유지는 플라스마의 안정성을 통해 균일성이 향상 되며, 전자, 이온, 래디칼, 등의 활성에너지 증가로 식각량의 증가를 가져오는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 플라즈마 광검출기가 반응실의 퀄츠 외부에 설치되어 웨이퍼 건식식각 중 산기 플라즈마 광을 감지하여 식각종말점을 감지할 수 있도록 구성된 플라즈마 식각장비에 있어서, 상기 반응실 내부와 격리되도록 퀄츠내부에 설치된 히터와; 상기 히터의 온도를 감지하는 온도센서를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 종말점 검출이 용이한 플라스마식각장비.
  2. 제1항에 있어서, 상기 챔버 퀄츠 온도는 40도 이상을 유지하게 하는 것이 특징인 종말점 검출이 용이한 플라스마식각장비.
KR2019940017171U 1994-07-12 1994-07-12 종말점 검출이 용이한 플라스마식각장비 KR200145300Y1 (ko)

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