JPH0765198B2 - ドライエツチングプロセスの評価方法 - Google Patents
ドライエツチングプロセスの評価方法Info
- Publication number
- JPH0765198B2 JPH0765198B2 JP61152393A JP15239386A JPH0765198B2 JP H0765198 B2 JPH0765198 B2 JP H0765198B2 JP 61152393 A JP61152393 A JP 61152393A JP 15239386 A JP15239386 A JP 15239386A JP H0765198 B2 JPH0765198 B2 JP H0765198B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- etched
- wafer
- dry etching
- etching process
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （イ） 産業上の利用分野 本発明は半導体装置の製造評価方法に関したものであ
り、特にドライエッチングプロセスにおいて、エッチン
グ中のエッチングレートのウェハ面内分布の評価方法に
関する。
り、特にドライエッチングプロセスにおいて、エッチン
グ中のエッチングレートのウェハ面内分布の評価方法に
関する。
（ロ） 従来の技術 プラズマによるドライエッチングの場合、終点を知る方
法として被エッチング物質特有の発光強度が減少するこ
とを利用するものがある。また、使用ガス中のある成分
原子あるいは分子の発光が増加することを利用するもの
がある（例えばSemiconductor World 1985、12P117、11
8参照）。
法として被エッチング物質特有の発光強度が減少するこ
とを利用するものがある。また、使用ガス中のある成分
原子あるいは分子の発光が増加することを利用するもの
がある（例えばSemiconductor World 1985、12P117、11
8参照）。
上述の従来技術ではエッチング装置が枚葉処理ならば、
ウェハ面内のエッチングレートの不均一性を考慮せず、
ウェハ全面が同じエッチングレートでエッチングされて
いると仮定していた。そしてエッチングの停止はウェハ
面上のどこか一部分の発光量の時間変化のデータを用い
て行っていた。
ウェハ面内のエッチングレートの不均一性を考慮せず、
ウェハ全面が同じエッチングレートでエッチングされて
いると仮定していた。そしてエッチングの停止はウェハ
面上のどこか一部分の発光量の時間変化のデータを用い
て行っていた。
（ハ） 発明が解決しようとする問題点 近年のウェハの大口径化に伴い、プラズマを用いたドラ
イエッチングによるウェハ面内のエッチングレートの不
均一性が問題になってきているが、従来技術ではエッチ
ング中のエッチングレートのウェハ面内での不均一性を
確認することができない。
イエッチングによるウェハ面内のエッチングレートの不
均一性が問題になってきているが、従来技術ではエッチ
ング中のエッチングレートのウェハ面内での不均一性を
確認することができない。
本発明は上記の問題点に鑑みなされたものであり、エッ
チングレートのウェハ面内での不均一性を実際のエッチ
ング中にモニタリングすることができれば、この情報を
エッチング条件（例えばガス圧力、ガス流量、高周波電
力、ウェハ載置ステージの温度等）にフィードバックを
かけてエッチングレートのウェハ面内での均一性を上げ
ることができる。
チングレートのウェハ面内での不均一性を実際のエッチ
ング中にモニタリングすることができれば、この情報を
エッチング条件（例えばガス圧力、ガス流量、高周波電
力、ウェハ載置ステージの温度等）にフィードバックを
かけてエッチングレートのウェハ面内での均一性を上げ
ることができる。
（ニ） 問題点を解決するための手段 本発明はプラズマを用いたドライエッチングプロセス時
のエッチングレート量を示す発光強度を多チャンネル光
検出器で検出し、この検出出力を演算装置で処理してエ
ッチング中のエッチング速度のウェハ面内分布を測定す
ることを特徴とする。
のエッチングレート量を示す発光強度を多チャンネル光
検出器で検出し、この検出出力を演算装置で処理してエ
ッチング中のエッチング速度のウェハ面内分布を測定す
ることを特徴とする。
（ホ） 作用 プラズマを用いたドライエッチングプロセス時のエッチ
ングレート量を示す発光を多チャンネル光検出器で検出
して、この検出出力を演算装置で処理することによりウ
ェハ面内のエッチングレートの分布をモニタリングする
ことができる。
ングレート量を示す発光を多チャンネル光検出器で検出
して、この検出出力を演算装置で処理することによりウ
ェハ面内のエッチングレートの分布をモニタリングする
ことができる。
（ヘ） 実施例 第１図は本発明方法の実施例を説明するためのエッチン
グ装置の斜視図、第２図はその断面図、第３図はその上
面図であり、同一部分には同一符号を付す。
グ装置の斜視図、第２図はその断面図、第３図はその上
面図であり、同一部分には同一符号を付す。
図において（１）はエッチングチャンバ（３）内に載置
される被エッチング物であるウェハ、（２）はウェハ
（１）の下面に位置するカソード電極、（９）はウェハ
（１）の上方に位置するアノード電極である。また
（４）はエッチングチャンバ（３）から光を導出するた
めの石英窓であり、石英窓（４）を通過した光は光路板
（５）、シリンドリカルレンズ（６）、光学フィルタ
（７）を順次通過して多チャンネル光検出器（８）に導
入される。
される被エッチング物であるウェハ、（２）はウェハ
（１）の下面に位置するカソード電極、（９）はウェハ
（１）の上方に位置するアノード電極である。また
（４）はエッチングチャンバ（３）から光を導出するた
めの石英窓であり、石英窓（４）を通過した光は光路板
（５）、シリンドリカルレンズ（６）、光学フィルタ
（７）を順次通過して多チャンネル光検出器（８）に導
入される。
ここで、窒化けい素膜のプラズマエッチングにおけるエ
ッチングレートのウェハ面内分布の測定について説明す
る。
ッチングレートのウェハ面内分布の測定について説明す
る。
エッチングチャンバ（３）内でウエハ（１）上の窒化け
い素膜がエッチングされるとエッチングされた窒化けい
素内の窒素が高周波エネルギーにより励起され337nmの
波長の光を発する。この光は光路板（５）、シリンドリ
カルレンズ（６）および337nmの波長の光だけを透過さ
せる光学フィルタ（７）を通って多チャンネル光検出器
（８）に達する。
い素膜がエッチングされるとエッチングされた窒化けい
素内の窒素が高周波エネルギーにより励起され337nmの
波長の光を発する。この光は光路板（５）、シリンドリ
カルレンズ（６）および337nmの波長の光だけを透過さ
せる光学フィルタ（７）を通って多チャンネル光検出器
（８）に達する。
多チャンネル光検出器（８）のチャンネル番号は、第３
図に示す如くウェハ（１）のｙ方向と直交するｘ方向の
位置に対応している。また光路板（５）によりウェハ
（１）上で発光した光のうちｙ方向に発光した光のみが
多チャンネル光検出器（８）に達する。
図に示す如くウェハ（１）のｙ方向と直交するｘ方向の
位置に対応している。また光路板（５）によりウェハ
（１）上で発光した光のうちｙ方向に発光した光のみが
多チャンネル光検出器（８）に達する。
従って、多チャンネル光検出器（８）により、位置ｘで
のｙ方向の発光の積分値Ｉ（ｘ）を測定できる。
のｙ方向の発光の積分値Ｉ（ｘ）を測定できる。
ところで、エッチングレートのウェハ面内分布は電極形
状、ウェハ形状から同心円状の分布をしている。
状、ウェハ形状から同心円状の分布をしている。
よって、発光強度Ｉ（ｘ）はウェハ（１）の半径方向ｒ
の関数で表わされる。また発光強度は窒素原子密度に比
例しているので、発光強度はエッチングレートに比例す
ることになる。
の関数で表わされる。また発光強度は窒素原子密度に比
例しているので、発光強度はエッチングレートに比例す
ることになる。
ここで、Ｉ（ｒ）は位置ｒでの発光強度である。厳密に
いうとＩ（ｘ）はｙ方向に積分した値であり、その次元
はＩ（ｒ）に長さの次元を掛けたものとなる。従って、 となり、これは と変換できる。
いうとＩ（ｘ）はｙ方向に積分した値であり、その次元
はＩ（ｒ）に長さの次元を掛けたものとなる。従って、 となり、これは と変換できる。
而してＩ（ｘ）の測定値から数値計算を行うことでＩ
（ｒ）を求めることができる。
（ｒ）を求めることができる。
多チャンネル光検出器（８）を10チャンネルすなわち、
ウェハ（１）のｘ方向に10分割した場合の計算例を以下
に示す。
ウェハ（１）のｘ方向に10分割した場合の計算例を以下
に示す。
ここで、Ｒはウェハ（１）の半径で、bn.kの値は以下の
通りである。
通りである。
エッチング中のウェハ面内のエッチングレートの分布を
モニタリングして、この情報をエッチング条件制御用の
制御装置に入力しエッチングレートのウェハ面内分布の
均一性の向上あるいは正確なエッチング終点を知ること
に利用できる。
モニタリングして、この情報をエッチング条件制御用の
制御装置に入力しエッチングレートのウェハ面内分布の
均一性の向上あるいは正確なエッチング終点を知ること
に利用できる。
（ト） 発明の効果 本発明は以上の説明から明らかな如く、エッチング中の
ウェハ面内のエッチングレートの分布を測定することが
できるので、大口径のウェハであっても、そのエッチン
グレートの分布情報をエッチング条件にフィードバック
することによりエッチングレートのウェハ面内分布の均
一性を高めることができる。また、正確なエッチング終
点を確認することができる。
ウェハ面内のエッチングレートの分布を測定することが
できるので、大口径のウェハであっても、そのエッチン
グレートの分布情報をエッチング条件にフィードバック
することによりエッチングレートのウェハ面内分布の均
一性を高めることができる。また、正確なエッチング終
点を確認することができる。
図面はいずれも本発明方法を説明するためのエッチング
装置であり、第１図は斜視図、第２図は断面図、第３図
は上面図である。 （１）……ウェハ、（５）……光路板、（８）……多チ
ャンネル光検出器。
装置であり、第１図は斜視図、第２図は断面図、第３図
は上面図である。 （１）……ウェハ、（５）……光路板、（８）……多チ
ャンネル光検出器。
Claims (1)
- 【請求項１】プラズマが励起されたエッチングチャンバ
内に被エッチング物を載置し、この被エッチング物の表
面を所望の厚さだけエッチングするドライエッチングプ
ロセスの評価方法において、上記エッチングチャンバか
ら放出される光を上記被エッチング物の表面に対して垂
直で一定の間隔おいて互いに平行に配置される複数の光
路板の間を通して導き出し、各光路板の間に導き出され
る光の発光強度を多チャンネル光検出器でそれぞれ検出
すると共に、検出した光の発光強度の各積分値の変化に
基づいて上記被エッチング物の表面のエッチング速度の
面内分布を測定することを特徴するドライエッチングプ
ロセスの評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61152393A JPH0765198B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | ドライエツチングプロセスの評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61152393A JPH0765198B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | ドライエツチングプロセスの評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS637386A JPS637386A (ja) | 1988-01-13 |
| JPH0765198B2 true JPH0765198B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=15539534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61152393A Expired - Fee Related JPH0765198B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | ドライエツチングプロセスの評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0765198B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2069606T3 (es) * | 1988-05-05 | 1995-05-16 | Sandoz Ag | 5-aril-sustituido-2,3-dihidro-imidazo(1,2-a)furo(3,2-c)- o tieno(2,3-c)piridinas. |
| US6379981B2 (en) | 1998-03-27 | 2002-04-30 | Micron Technology, Inc. | Methods incorporating detectable atoms into etching processes |
| JP5166231B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2013-03-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処置装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57194054U (ja) * | 1981-06-05 | 1982-12-09 | ||
| JPS61110433A (ja) * | 1984-11-02 | 1986-05-28 | Hitachi Ltd | エツチング処理均一性測定方法 |
| JPS62196830A (ja) * | 1986-02-24 | 1987-08-31 | Canon Inc | エツチング装置 |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP61152393A patent/JPH0765198B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS637386A (ja) | 1988-01-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0735565A1 (en) | Method and apparatus for monitoring the dry etching of a dielectric film to a given thickness | |
| JP4601439B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS61256637A (ja) | プラズマ・エツチング・プロセスをモニタする方法 | |
| WO2002029884A2 (en) | Detection of process endpoint through monitoring fluctuation of output data | |
| KR20020020979A (ko) | 플라즈마환경의 동적 감지를 사용하는 플라즈마처리방법및 장치 | |
| US4569592A (en) | Plasma monitor | |
| US7738976B2 (en) | Monitoring method of processing state and processing unit | |
| US6447691B1 (en) | Method for detecting end point of plasma etching, and plasma etching apparatus | |
| CN103299404A (zh) | 闭环硅蚀刻控制方法和系统 | |
| KR101134326B1 (ko) | 인 시츄 기판 온도 모니터링을 위한 방법 및 장치 | |
| US5284547A (en) | Plasma-process system with batch scheme | |
| JPH0765198B2 (ja) | ドライエツチングプロセスの評価方法 | |
| US20020198682A1 (en) | Method and apparatus for determining end-point in a chamber cleaning process | |
| KR20180082185A (ko) | 종료점 검출 방법 및 그 장치 | |
| JP2002005635A (ja) | エッチング深さ測定方法および測定装置並びにエッチング装置 | |
| JP3609890B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| KR20070018404A (ko) | 플라즈마 식각 장치 | |
| JPS6250610A (ja) | プラズマモニタ方法 | |
| US6450683B1 (en) | Optical temperature measurement as an in situ monitor of etch rate | |
| JP2553556B2 (ja) | 不純物ド−ピング方法及びその装置 | |
| KR100374549B1 (ko) | 식각상태 감시장치 | |
| JPH11238723A (ja) | プラズマ処理のモニタリング方法及び装置 | |
| KR0137822B1 (ko) | 반도체 플라즈마 식각 공정의 식각 속도 및 균일도 측정 방법 | |
| US20230258500A1 (en) | Spatial optical emission spectroscopy for etch uniformity | |
| JP2007047007A (ja) | ビーム位置モニタ及びビーム位置測定方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |