JPS6370673A - Mos型イメ−ジセンサ−の信号読取り回路 - Google Patents

Mos型イメ−ジセンサ−の信号読取り回路

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Publication number
JPS6370673A
JPS6370673A JP61215550A JP21555086A JPS6370673A JP S6370673 A JPS6370673 A JP S6370673A JP 61215550 A JP61215550 A JP 61215550A JP 21555086 A JP21555086 A JP 21555086A JP S6370673 A JPS6370673 A JP S6370673A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
operational amplifier
voltage
signal
amplifier
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61215550A
Other languages
English (en)
Inventor
Rokusaburo Kaneko
金子 六三郎
Kenji Suzuki
賢治 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP61215550A priority Critical patent/JPS6370673A/ja
Publication of JPS6370673A publication Critical patent/JPS6370673A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、MOS型イメージセンサ−の信号読取り回路
に関するものである。
〔従来の技術〕
テレビカメラ、スキャナー等の撮像部に、MO8型イメ
ージセンサ−が使用されている。このMO8型イメージ
センサ−は、フォトダイオードをマトリックスに配置し
、各フォトダイオードを水平MOSスイッチと垂直MO
Sスイッチとにより走査して、選択されたフォトダイオ
ードの信号を出力線から読み出すようにしたものである
従来の信号読取り回路は、出力線に電源電圧を接続し、
この接続点にコンデンサを介して演算増幅器を接続した
構造になっている。各フォトダイオードの信号電荷は、
出力線を介してコンデンサに送られ、ここで交流成分だ
けが取り出される。
この交流成分は、演算増幅器で電圧変換されてから、ク
ランプ回路に送られ、ここで直流成分が再生される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の信号読取り回路は、コンデンサを使用した交流結
合回路を使用しているため、コンデンサにより帯域制限
され、特に低周波成分が劣化するという欠点があった。
また、コンデンサを使用しているため、演算増幅器の後
に、クランプ回路等の直流再生回路が必要になるという
問題もあった。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するために、本発明は、出力線に一方
の入力端子を接続し、他方の入力端子に所定の電圧VB
を印加して、入力された信号電荷を電圧に変換する第1
の演算増幅器と、この第1の演算増幅器の出力端子に一
方の入力端子を接続し、他方の入力端子に前記電圧VB
を印加して、第1の演算増幅器の出力電圧から電圧VB
を減算する第2の演算増幅器とを設けたものである。
以下、図面を参照して本発明の一実施例について詳細に
説明する。
〔実施例〕
第1図において、垂直走査シフトレジスタ10の出力端
子D1〜D3に、水平線11〜13がそれぞれ接続され
ている。第1行目の水平線11には、水平MOSスイッ
チ14.15のゲートが接続され、第2行目の水平線1
2には水平MOSスイッチ15.16のゲートがそれぞ
れ接続されている。これらの水平MOSスイッチ14〜
17には、フォトダイオード19〜22がそれぞれ接続
されている。
前記水平MOSスイッチ14.16のドレインば、第1
列目の垂直線24に接続されており、また水平MOSス
イッチ15.17のドレインは、第2列目の垂直線25
に接続されている。これらの垂直線24.25には、垂
直MOSスイッチ26.27が直列にそれぞれ接続され
ている。この垂直MOSスイッチ26.27のゲートは
、水平走査シフトレジスタ28の出力端子Fl、F2に
それぞれ接続されており、またドレインには出力線29
が接続されている。
前記フォトダイオードは、LSI技術により多数形成さ
れ、これらが規則正しくマトリックスに配置されるもの
であるが、図面を簡単にするために、4個のフォトダイ
オードだけが例示しである。
また、色信号を取り出す場合には、各フォトダイオード
の前に色フィルタを取り付ける。
前記出力線29は、演算増幅器32の反転入力端子に接
続されている。この演算増幅器32の帰還回路には、抵
抗33が接続されており、また非反転入力端子には一定
電圧V、が印加されている。
前記演算増幅器32の出力端子は、抵抗34を介して演
算増幅器35の反転入力端子に接続されている。この演
算増幅器35の帰還回路には、抵抗36が接続され、ま
た非反転入力端子には抵抗34と同じ抵抗値を持った抵
抗37を介して一定電圧Vnが印加されている。
前記演算増幅器35の出力端子は、抵抗を介して演算増
幅器39の反転入力端子に接続されている。この演算増
幅器39の帰還回路には、積分用のコンデンサ40と、
所定のタイミングでスイ・ノチングするりセントスイッ
チ41との並列回路が接続されており、これらの回路に
より積分器が構成される。この積分された信号は、サン
プリングスイッチ42でサンプリングされる。
コントローラ43は、垂直走査シフトレジスタ10、水
平走査シフトレジスタ28とにシフトパルスを送り、各
フォトダイオードからの信号電荷の読出しを制御すると
ともに、この読出しに同期したタイミングでリセットス
イッチ41及びサンプリングスイッチ42をONにする
次に、第2図を参照して上記実施例の作用について説明
する。コントローラ43は、垂直走査シフトレジスタ1
0にパルスを送って、第1番目の出力端子DIをrHJ
にする。これとともに、コントローラ43は、水平走査
シフトレジスタ28にパルスを送り、第1番目の出力端
子F1を「H」にする。これにより、水平MOSスイッ
チ14と、垂直MOSスイッチ26とがONするから、
第1行第1列目のフォトダイオード19が選択される。
・演算増幅器32の非反転入力端子には、一定電圧VB
が印加されているため、出力線29が電圧VBでバイア
スされる。この電圧VBは、垂直MOSスイッチ26と
水平MOSスイッチ14とを介して、充電電圧としてフ
ォトダイオード19に印加されるから、フォトダイオー
ド19の浮遊容量に蓄積された信号電荷に応じた電流が
出力線29に流れ、演算増幅器32で電流−電圧変換さ
れる。
前記演算増幅器32から出力された信号は、演算増幅器
35に送られ、ここで演算増幅器32のバイアス電圧V
Bが減算され、かつ電圧増幅される。第2図に示すよう
に、演算増幅器35の出力信号は、垂直MOSスイッチ
26の0N−OFFによる大きなノイズが乗っている。
前記垂直MOSスインチ26のスイッチング時に発生す
るノイズを除去するために、演算増幅器35の出力信号
は、積分コンデンサ40で積分される。この積分により
、ノイズが相殺されたタイミングでサンプリングスイッ
チ42をONにして、フォトダイオード19に入射した
光量に応じた信号を取り出す。なお、リセットスイッチ
41は、有効な信号を取り出した後にONして、積分コ
ンデンサ40を放電させる。
第1行第1列目のフォトダイオード19の信号読取りが
終了すると、コントローラ43は、水平走査シフトレジ
スフ28にシフトパルスを送って第2番目の出力端子F
2をrHJにするから、第2列目の垂直MOSスイッチ
27がONする。これにより、第1行第2列目のフォト
ダイオード20の信号読取りが開始される。こうして、
第1行目のフォトダイオードの走査が終了すると、コン
トローラ43は、垂直走査シフトレジスタ1oの第2番
目の出力端子D2をrHJに、その間で水平走査シフト
レジスフ28を1回走査して、第2行目に属しているフ
ォトダイオードの信号読取りを行う。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように、本発明によれば、信号読取
り回路を直結形としたから、信号の直流成分も精度よく
読み取ることができる。すなわち、本発明は、出力線に
コンデンサを使用していないから、フォトダイオードの
信号のうち直流成分をカントすることなく、そのまま読
み取ることができる。また、直流成分がカットされない
から、これを再生するためのクランプ回路が不要となる
更に、コンデンサを使用すると、帯域が制限されるが、
本発明は直結形であるから、このような問題が発生しな
い。
また、第1演算増幅器と第2演算増幅器に共通電圧を印
加しているから、電圧変動による影響をなくすことがで
きる。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例を示す回路図である。 第2図は信号波形図である。 14〜17・・水平MOSスイッチ 19〜22・・フォトダイオード 26.27・・垂直MOSスイッチ 32.35.39・・演算増幅器 40・・積分コンデンサ 41・・リセットスイッチ 42・・サンプリングスイッチ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)入射光を光電変換するフォトダイオードをマトリ
    ックスに配置し、走査手段で各フォトダイオードを順次
    走査して、フォトダイオードの信号電荷を出力線から取
    り出すMOS型イメージセンサーにおいて、 前記出力線に一方の入力端子を接続し、他方の入力端子
    に所定の電圧V_Bを印加して、入力された信号を電圧
    に変換する第1の演算増幅器と、この第1の演算増幅器
    の出力端子に一方の入力端子を接続し、他方の入力端子
    に前記電圧V_Bを印加して、第1の演算増幅器の出力
    電圧から電圧V_Bを減算する第2の演算増幅器とを設
    けたことを特徴とする信号読取り回路。
JP61215550A 1986-09-12 1986-09-12 Mos型イメ−ジセンサ−の信号読取り回路 Pending JPS6370673A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61215550A JPS6370673A (ja) 1986-09-12 1986-09-12 Mos型イメ−ジセンサ−の信号読取り回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61215550A JPS6370673A (ja) 1986-09-12 1986-09-12 Mos型イメ−ジセンサ−の信号読取り回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6370673A true JPS6370673A (ja) 1988-03-30

Family

ID=16674286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61215550A Pending JPS6370673A (ja) 1986-09-12 1986-09-12 Mos型イメ−ジセンサ−の信号読取り回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6370673A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5502488A (en) * 1991-05-07 1996-03-26 Olympus Optical Co., Ltd. Solid-state imaging device having a low impedance structure

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5502488A (en) * 1991-05-07 1996-03-26 Olympus Optical Co., Ltd. Solid-state imaging device having a low impedance structure

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