JPH095436A

JPH095436A - 受光センサ

Info

Publication number: JPH095436A
Application number: JP15457495A
Authority: JP
Inventors: Toronnamuchiyai Kuraison; トロンナムチャイクライソン
Original assignee: Nissan Motor Co Ltd
Current assignee: Nissan Motor Co Ltd
Priority date: 1995-06-21
Filing date: 1995-06-21
Publication date: 1997-01-10

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、ショット雑音を減少してＳ／Ｎ比
を向上させ、またコストを低減することを目的とする。【構成】入力光を光電流に変換する光電変換部１と、
第１の期間中に光電変換部１で変換された光電流を記憶
する電流記憶部Ｃと、記憶された光電流を第１の期間と
異なる第２の期間に再生する電流再生部４とを有するこ
とを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば光レーダ等に用
いられる受光センサに関する。

【０００２】

【従来の技術】図９は、受光センサの第１の従来例を示
している。光電変換部１１に負荷抵抗１２が直列接続さ
れ、その接続点がさらに交流増幅器１３に接続されてい
る。この場合、例えばフォトダイオード、ＰＩＮフォト
ダイオード、アバランチェフォトダイオード等のような
単純な素子からなる光電変換部１１のみが受光センサと
なる。そして光電変換部１１で変換された光電流が負荷
抵抗１２を流れることによって電圧に変換され、この電
圧が交流増幅器１３で増幅されて出力となる。

【０００３】上記の受光センサを用いて光レーダを構成
することができる。この場合発光部からの発光が物体で
反射し、受光センサまで戻ってくる時間を測定すればそ
の物体までの距離を測定することができる。その具体的
な構成は例えば特願平６−２４３３８１号に詳しく記載
されている。しかし特願平６−２５８２８７号にも詳し
く述べられているように、受光センサには、発光部から
戻ってきた光以外に太陽光などの外来光（以下、背景光
と言う）も同時に受光される。一般に背景光は信号光よ
りも強い。このため光電変換部１１から得られる光電流
は図１０に示すような時間特性となる。ただしｔは発光
から受光までの時間差で距離に比例する。増幅器として
交流増幅器１３を用いることによって直流分である背景
光成分を除去することができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の受光センサにあっては次に述べるような３つ
の問題点があった。まず第１の問題点は、交流増幅器１
３に大きな背景光電流が入力される。一方、増幅器のシ
ョット雑音は次式に示すように平均電流に比例する。

【０００５】ｉ_N ²＝２ｑ・Ｉ_D・Δｆ …（１）但し、ｉ_N ²はショット雑音電力、ｑは単位電荷（１．
６×１０^-19クーロン）、Ｉ_Dは平均電流、Δｆは増幅
器の周波数帯域幅である。

【０００６】背景光電流が大きければＩ_Dも大きくな
り、その結果、ショット雑音が大きくなる。

【０００７】第２の問題点は、背景光電流は完全な直流
ではなく、ゆっくりした変化をする。この背景光電流の
変化によって交流増幅器１３の周波数帯域を変える必要
がある。即ち、システムごとに交流増幅器１３の周波数
帯域を再設計する必要があって、システムの開発コスト
が高くなる。

【０００８】第３の問題点として交流増幅器１３を光電
変換部１１と同一チップ上に集積する場合に起きる。交
流増幅器１３を同一チップ上に集積し、増幅度を大きく
できればノイズの影響を抑えることができて結果的にＳ
／Ｎ比が改善される。しかし、図９に示すように、交流
増幅器１３には結合用の大きなコンデンサを必要として
いるので集積回路には向かない。集積しやすい直流増幅
器を使うと背景光成分も増幅されるので増幅度を大きく
すれば増幅器が飽和してしまい、信号成分を取り出すこ
とができなくなる。したがって増幅度を大きくすること
ができず、Ｓ／Ｎ比が悪いという問題点がある。

【０００９】一方、図１１に第２の従来例を示す。この
従来例は特願平６−２５８２８７号に開示されている。
図においてＰＤＨは光電変換部としてのＰＩＮフォトダ
イオードであり、その出力側がスイッチＳＨ１，ＳＨ３
を介して電荷を一時的に蓄積するための蓄積用静電容量
ＣＨの正電極と負電極にそれぞれ接続されている。蓄積
用静電容量ＣＨの正電極はスイッチＳＨ４を介して接地
され、負電極はスイッチＳＨ２を介して接地されてい
る。また蓄積用静電容量ＣＨの正電極はスイッチＳＨ５
を介して信号電荷成分を加算蓄積するための保持用静電
容量ＣＩの正電極に接続されている。ＴＧは出力部とな
るソースフォロワ型のＭＯＳトランジスタであり、保持
用静電容量ＣＩの正電極が、そのゲートに接続され、蓄
積用静電容量ＣＨの負電極がスイッチＳＨ６を介してそ
のソースに接続されている。そして発光部を発光させ、
スイッチＳＨ１，ＳＨ２をオン、スイッチＳＨ３，ＳＨ
４をオフするように制御すると蓄積用静電容量ＣＨには
背景光と信号光の両方の和に相当する電荷が蓄積され
る。次に発光部をオフし、スイッチＳＨ１，ＳＨ２をオ
フ、スイッチＳＨ３，ＳＨ４をオンするように制御する
と、蓄積用静電容量ＣＨに蓄積された電荷から背景光に
対応した背景光電荷成分が減算される。これを繰り返す
ことにより蓄積用静電容量ＣＨに信号電荷成分のみが加
算蓄積される。信号を読み出すには、一定の周期でスイ
ッチＳＨ５，ＳＨ６をオンし、蓄積用静電容量ＣＨから
信号電荷成分を保持用静電容量ＣＩへ転送する。このよ
うな従来例において、特に点線で囲まれている光電変換
部ＰＤＨ、蓄積用静電容量ＣＨ、スイッチＳＨ１，ＳＨ
２，ＳＨ３，ＳＨ４で構成された部分を受光部１４とし
て考えると次のことが言える。即ち、受光部１は発光部
の発光周期と同期して背景光成分の除去を行いながら信
号成分のみを取り出している。このような同期微分の技
術を使えば背景光の影響を抑制できるので上記の３つの
問題点とも解決される。

【００１０】しかし図１１の従来例では信号成分が蓄積
用静電容量ＣＨに蓄積されて電荷としてしか出力できな
い。その結果、出力から時間ｔを得ることが難しいとい
う問題点がある。

【００１１】本発明は、このような従来の問題点に着目
してなされたもので、ショット雑音を減少させてＳ／Ｎ
比を向上させ、また設計容易性・集積容易性によりコス
トを低減させることのできる受光センサを提供すること
を目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、入力光を光電流に変換する
光電変換部と、第１の期間中に前記光電変換部で変換さ
れた光電流の値を記憶する電流記憶部と、該電流記憶部
に記憶された光電流を前記第１の期間と異なる第２の期
間に再生する電流再生部とを有することを要旨とする。

【００１３】請求項２記載の発明は、上記請求項１記載
の受光センサにおいて、前記電流再生部はＭＯＳＦＥＴ
で構成され、前記電流記憶部は該ＭＯＳＦＥＴのゲート
容量で構成してなることを要旨とする。

【００１４】請求項３記載の発明は、上記請求項１記載
の受光センサにおいて、前記再生した光電流と該再生期
間中に前記光電変換部で変換された光電流とを加算また
は減算して出力するように構成してなることを要旨とす
る。

【００１５】

【作用】請求項１記載の発明では、例えば光レーダ等へ
の応用において、第１の期間に、一般には信号光よりも
強い背景光のみを受光して電流記憶部に背景光直流成分
を記憶させ、第２の期間にその背景光直流成分を再生し
ながら、背景光と信号光を受光し、その変換された光電
流から背景光直流成分を減算することにより、背景光の
影響が除去された信号成分のみを出力させることが可能
となる。この信号成分を増幅器で増幅する場合、大きな
値の背景光直流成分が除去されているので増幅器のショ
ット雑音が減少し、Ｓ／Ｎ比を向上させることが可能と
なる。また増幅器には直流増幅器を用いることができて
システムの開発コストを下げることができ、これととも
に結合用のコンデンサが不要となることから集積化が容
易となる。

【００１６】請求項２記載の発明では、電流再生部をＭ
ＯＳＦＥＴで構成し、電流記憶部はそのＭＯＳＦＥＴの
ゲート容量で構成することにより、構成が簡易化されて
集積化容易性が得られる。

【００１７】請求項３記載の発明では、電流再生部から
再生した光電流と、その再生期間中に光電変換した光電
流とを加算または減算して出力させることにより、一般
的な時間・空間フィルタ機能を実現することができて背
景光の中から信号光のみを効率よく取り出すこと等が可
能となる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１及び図２は、本発明の第１実施例を示す図で
ある。図１を用いてまず構成を説明する。例えばフォト
ダイオード、ＰＩＮフォトダイオード、アバランチェフ
ォトダイオードまたはフォトトランジスタ等からなる光
電変換部１の出力端が例えばＭＯＳＦＥＴやアナログス
イッチ等からなるスイッチＳ１を介して電流記憶部とな
るコンデンサＣに接続されている。コンデンサＣの他端
は接地されている。コンデンサＣの非接地端は例えばボ
ルテージフォロワやソースフォロワ等からなる単位利得
バッファ２及び抵抗Ｒを介してカレントミラー３の入力
側に接続されている。カレントミラー３は、ＭＯＳＦＥ
Ｔまたはバイポーラトランジスタ等からなる同じ構造
（その大きさの比はＡ）の第１、第２のトランジスタＭ
１，Ｍ２で構成されている。第１のトランジスタＭ１は
ダイオード接続され、その制御端子が第２のトランジス
タＭ２の制御端子に接続されている。カレントミラー３
の出力側はスイッチＳ２を介して光電変換部１の出力端
に接続されている。単位利得バッファ２、抵抗Ｒ及びカ
レントミラー３によりコンデンサＣに記憶された光電流
を再生する電流再生部４が構成されている。また光電変
換部１、スイッチＳ１、コンデンサＣ及び電流再生部４
により受光部（受光センサ）５ａが構成されている。受
光部５ａの出力端子には直流増幅器７が接続されてい
る。６は負荷抵抗である。

【００１９】次に、図２を用いて上述のように構成され
た受光センサの作用を説明する。まずスイッチＳ１をオ
ン、スイッチＳ２，Ｓ３をオフにする。光電変換部１で
光電変換された光電流がコンデンサＣに蓄積され、電圧
に変換されるとともに記憶される。このときコンデンサ
Ｃに記憶されるのは平均光電流に比例した電圧である。
コンデンサＣの電圧は単位利得バッファ２を介して抵抗
Ｒと第１のトランジスタＭ１に印加され、第１のトラン
ジスタＭ１に電流が流れるが、第１のトランジスタＭ１
はダイオード接続されているために電圧ドロップは殆ど
ない。したがって抵抗Ｒ、第１のトランジスタＭ１を流
れる電流はコンデンサＣの電圧に比例する。言い換えれ
ば第１のトランジスタＭ１を流れる電流は光電流の平均
値に比例する。次に、スイッチＳ１をオフにする。コン
デンサＣには光電流が記憶されたままなので第１のトラ
ンジスタＭ１を流れる電流はそのまま保持される。この
状態でスイッチＳ２とＳ３をオンにする。カレントミラ
ー３を構成している第２のトランジスタＭ２には第１の
トランジスタＭ１を流れる電流、即ち記憶されている平
均光電流に比例する電流が流れる。このときカレントミ
ラー３における前記Ａの値を１に設定しておけば第２の
トランジスタＭ２に流れる電流はコンデンサＣに記憶さ
れた平均光電流に等しくなる。言い換えれば第２のトラ
ンジスタＭ２が平均光電流を再生している。したがって
受光部５ａの出力には現在光電変換部１で変換された光
電流とコンデンサＣに記憶された平均光電流の差の電流
が生じる。

【００２０】スイッチＳ１のオン、スイッチＳ２，Ｓ３
のオフ時に発光部をオフしておけばコンデンサＣに背景
光による直流成分を記憶することができる。次いでスイ
ッチＳ１のオフ、スイッチＳ２，Ｓ３のオン時に発光部
をオンすれば、受光部５ａから出力されるのは背景光の
影響が除去された信号成分のみの電流となる。このよう
に光電流を記憶する電流記憶部とそれを再生する電流再
生部とを光電変換部１に付加することで電流型の同期微
分機能を実現することができる。背景光による直流成分
が除去されているので直流増幅器７のショット雑音が減
少し、Ｓ／Ｎ比が向上する。増幅器として図１に示した
ように直流増幅器７を用いることができてシステムの設
計コストを下げることができ、またこれとともに結合用
の大きなコンデンサが不要となることから集積化が容易
となる。

【００２１】図２は、上記の同期微分機能を実現したと
きのタイミングチャートを示している。第１の期間に
光電変換部１で背景光のみを受光してコンデンサＣに背
景光による平均光電流を記憶する。そして第１の期間
と異なる第２の期間で背景光による平均光電流を再生
しながら、背景光と信号光を受光し、その変換された光
電流から背景光による平均光電流を減算することによ
り、同図に示すように、信号成分のみが出力電流とな
る。期間の始まりに図に示していないコンデンサＣの
リセット手段を用いてコンデンサＣをリセットする。期
間で背景光による平均光電流がコンデンサＣに再び読
み込まれて記憶される。その動作周期が十分に速ければ
背景光の速い変化に対しても背景光成分を除去できる。
もし背景光が速く変化することはないと期待できる場合
には期間を省略し、第１の期間で記憶した背景光に
よる平均光電流をそのまま用いることができる。このよ
うにすれば全体の処理時間を短縮することが可能とな
る。

【００２２】図３には、本発明の第２実施例を示す。本
実施例は、前記図１（第１実施例）におけるスイッチＳ
２を省略したものである。スイッチＳ２を省略し、カレ
ントミラー３における第２のトランジスタＭ２を光電変
換部１に接続したままにすると図１の場合とは多少異な
った動作をする。即ち、スイッチＳ１をオンにして背景
光電流成分を読み込む場合、コンデンサＣが充電される
にしたがって電流が第２のトランジスタＭ２を流れるよ
うになる。この間電流が減少すればコンデンサＣに蓄積
された電荷が第２のトランジスタＭ２を介して放電し、
コンデンサＣには光電流が全て第２のトランジスタＭ２
を流れることができるだけの電荷しか蓄積されない。し
たがってスイッチＳ１をターンオフする瞬間の光電流の
みがコンデンサＣに記憶され、第２のトランジスタＭ２
によって再生される。これに対して図１の場合にはスイ
ッチＳ１がオンしている間の光電流の平均値がコンデン
サＣに記憶される。以上の違いを除けば第１実施例と第
２実施例の両受光センサは同じように動作し、同等の効
果が得られる。そして本実施例ではさらに次のような効
果が得られる。

【００２３】即ち、本実施例ではコンデンサＣに蓄積さ
れる電荷が少ないのでコンデンサＣの容量値を小さくす
ることができる。特にコンデンサＣを別に設けなくても
単位利得バッファ２の入力寄生容量がコンデンサとして
働くのでコンデンサＣを省略することができる。また図
１の場合では記憶から再生までに増幅作用があるために
その増幅率を例えば１に設定する必要がある。これに対
し図３では記憶と再生が同時に行われるので構成要素に
関係なく増幅率が必ず１になる。即ち、図３の方が設定
が容易と言える。さらに図３の場合では記憶を殆ど瞬時
に行うことができるので前記図２のタイミングチャート
中に示す期間やの背景光電流成分の記憶期間を極端
に短くすることができる。即ち図３の場合は高速化しや
すいと言える。これに対して図１の場合は期間やの
間に光電流の蓄積が行われ、その平均値が記憶されるの
で一定の積分時間を必要とする。即ち、図１の場合は図
３の場合に比べて速度が遅い。但し、図１の場合は積分
によって背景光に含まれているランダムノイズが除去さ
れるので図３の場合よりもランダムノイズに強い。

【００２４】図４には、本発明の第３実施例を示す。同
図において第３のトランジスタＭ３と第４のトランジス
タＭ４は同じ構造でその大きさも同じとする。このうち
第３のトランジスタＭ３はダイオード接続されている。
またコンデンサＣは第３、第４のトランジスタＭ３，Ｍ
４のゲート・ソース間の寄生容量よりも大きく設計して
あるとする。まずスイッチＳ１，Ｓ４をオンにし、スイ
ッチＳ２，Ｓ３，Ｓ５をオフする。するとそのときの光
電流がコンデンサＣを充電するとともにダイオード接続
された第３のトランジスタＭ３を流れる。先の図３で説
明したのと同じようにコンデンサＣに蓄積される電荷は
丁度光電流が全て第３のトランジスタＭ３を流れる分だ
けとなる。このようにしてコンデンサＣ、スイッチＳ４
及び第３のトランジスタＭ３により電流記憶部が構成さ
れている。次にスイッチＳ１，Ｓ４をオフにし、スイッ
チＳ２，Ｓ３，Ｓ５をオンにする。第３のトランジスタ
Ｍ３と第４のトランジスタＭ４は同じ大きさに設計され
ているので第４のトランジスタＭ４を流れる電流は、第
３のトランジスタＭ３を流れていた電流、即ちコンデン
サＣに記憶された電流となる。このようにして第４のト
ランジスタＭ４だけで電流再生部を構成することができ
る。

【００２５】図５には、本発明の第４実施例を示す。本
実施例では前記図４における記憶用の第３のトランジス
タＭ３と再生用の第４のトランジスタＭ４の機能が１個
のトランジスタＭだけで実現されている。したがって構
成要素が最も少なく、集積回路に適していると言える。
この構成では、記憶時にスイッチＳ１をオン、スイッチ
Ｓ３をオフにし、再生時にはスイッチＳ１をオフ、スイ
ッチＳ３をオンにする。また、本実施例でもトランジス
タＭのゲート・ソース間の寄生容量をコンデンサＣの代
わりに用いることができ、コンデンサＣを省略すること
ができる。

【００２６】ここまでは光レーダの受光センサとしての
実施例を説明してきたが、本発明の受光センサを１ない
し２次元のイメージセンサの受光部に用いることができ
る。その場合には前記の特願平６−２５８２８７号に述
べられている効果と同様の効果が得られる。即ち、第１
に高速のフレーム転送機能及び画像メモリなしで背景光
を除去することができる。第２に信号成分のみを蓄積で
きるので蓄積用等のコンデンサの容量値が小さくても背
景光成分の大きな変化に対応することができる。図６に
本発明の受光センサを応用したイメージセンサを第５実
施例として示す。同図においてＳ６は画素選択用のスイ
ッチ、８は特願平６−２５８２８７号における保持用静
電容量に対応する。特願平６−２５８２８７号の場合と
同様に、保持用静電容量８とスイッチＳ６の間に単位利
得バッファやソースフォロワを設けてもよい。

【００２７】また特願平６−２５８２８７号の場合と同
様に、本発明の受光センサを用いて任意の時間ないし空
間フィルタを実現することができる。例えば図７に上記
図６の構成例を適用した空間微分フィルタの２画素分の
構成を第６実施例として示す。まずスイッチＳ１１，Ｓ
Ｘ２をオフ、スイッチＳＸ１，Ｓ１２をオンにすると左
側の画素の光電流をコンデンサＣ２に記憶できる。次に
スイッチＳＸ１，Ｓ１１，Ｓ１２をオフし、スイッチＳ
Ｘ２をオンにすると記憶された光電流が再生され、右側
の画素の光電流から再生光電流を減算した光電流が右側
の画素の出力電流となる。即ち、出力電流が右側の画素
と左側の画素の差分となり、空間微分フィルタを実現す
ることができる。

【００２８】ここまで説明してきた電流再生部は全てそ
の一端が接地されている。しかし一般の時間・空間フィ
ルタを実現するには電流を自由に加算・減算する必要が
あり、その端が接地されていない電流再生回路がないと
電流の加算が困難である。図８に接地されていない電流
再生部を有する受光センサを第７実施例として示す。ま
ずスイッチＳＹ１，ＳＹ２をオン、スイッチＳＹ３，Ｓ
Ｙ４をオフにする。するとコンデンサＣＹ１、第１のト
ランジスタＭＹ１によって光電流が記憶・再生される。
次にスイッチＳＹ１，ＳＹ２をオフにし、スイッチＳＹ
３，ＳＹ４をオンにすると第１のトランジスタＭＹ１に
よって再生された光電流がコンデンサＣＹ２を充電する
とともにダイオード接続された第２のトランジスタＭＹ
２を流れる。次にスイッチＳＹ１，ＳＹ２，ＳＹ３，Ｓ
Ｙ４を全てオフにするとコンデンサＣＹ２が光電流を記
憶し、第２のトランジスタＭＹ２が電流を再生する。こ
のようにコンデンサＣＹ１、第１のトランジスタＭＹ１
に記憶された光電流をコンデンサＣＹ２、第２のトラン
ジスタＭＹ２に移すことができる。例えば現在変換中の
光電流と再生光電流を加算するにはスイッチＳＹ１，Ｓ
Ｙ３をオンにし、スイッチＳＹ２，ＳＹ４をオフのまま
にすれば容易にできる。したがって任意の時間・空間フ
ィルタを実現することができる。

【００２９】このように特願平６−２５８２８７号の場
合は電荷型であり、光レーダに使うのは難しいが本発明
の受光センサはイメージセンサ、光レーダの両方に共通
して使うことができる。また本発明の場合は背景光成分
の読み込み・記憶の期間が短いのに対して特願平６−２
５８２８７号の場合は信号の蓄積と同等の背景光成分読
み込み期間を必要とする。したがって本発明の受光セン
サの方が感度がよく高速に適している。また本発明の場
合の方が構成要素が少ない。

【００３０】またここまではパルス式の光レーダについ
て説明してきたが、例えば特開昭６２−５４１８９号公
報に開示されているランダムパルスを用いた光レーダに
対しても本発明の受光センサを適用することができる。
特にランダムパルス式の場合にはパルスの基本周波数よ
り数桁周波数の低い信号を扱う必要がある。その結果、
従来例のような交流増幅器を使おうとすると低い周波数
成分の信号も通す必要があって直流カット用のコンデン
サの大きさをどうしても小さくできない。したがって本
発明の受光センサは特にそのような場合に有効である。

【００３１】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、入力光を光電流に変換する光電変換部と、
第１の期間中に前記光電変換部で変換された光電流の値
を記憶する電流記憶部と、該電流記憶部に記憶された光
電流を前記第１の期間と異なる第２の期間に再生する電
流再生部とを具備させたため、例えば光レーダ等への応
用において、第１の期間に、一般には信号光よりも強い
背景光のみを受光して電流記憶部に背景光直流成分を記
憶させ、第２の期間にその背景光直流成分を再生しなが
ら、背景光と信号光を受光し、その変換された光電流か
ら背景光直流成分を減算する処理を加えることにより、
背景光の影響を除去して信号成分のみを出力させること
ができる。したがってこの信号成分を増幅器で増幅する
場合、大きな値の背景光直流成分が除去されているので
増幅器のショット雑音が減少し、Ｓ／Ｎ比を向上させる
ことができる。また増幅器には直流増幅器を用いること
ができてシステムの開発コストを下げることができ、こ
れとともに結合用のコンデンサが不要となることから集
積化容易性が得られる。

【００３２】請求項２及び３記載の発明によれば、それ
ぞれ上記請求項１記載の発明の効果に加えて、さらに以
下のような効果がある。

【００３３】請求項２記載の発明によれば、前記電流再
生部はＭＯＳＦＥＴで構成され、前記電流記憶部は該Ｍ
ＯＳＦＥＴのゲート容量で構成したため、構成が簡易化
されて一層の集積化容易性が得られる。

【００３４】請求項３記載の発明によれば、前記再生し
た光電流と該再生期間中に前記光電変換部で変換された
光電流とを加算または減算して出力するように構成した
ため、一般的な時間・空間フィルタ機能を実現すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る受光センサの第１実施例を示す回
路図である。

【図２】上記第１実施例の作用を説明するためのタイミ
ングチャートである。

【図３】本発明の第２実施例を示す回路図である。

【図４】本発明の第３実施例を示す回路図である。

【図５】本発明の第４実施例を示す回路図である。

【図６】本発明の第５実施例を示す回路図である。

【図７】本発明の第６実施例を示す回路図である。

【図８】本発明の第７実施例を示す回路図である。

【図９】受光センサの第１の従来例を示す回路図であ
る。

【図１０】上記従来例の動作を説明するための光電流の
時間特性である。

【図１１】第２の従来例を示す回路図である。

【符号の説明】

１光電変換部４電流再生部７直流増幅器Ｃ電流記憶部となるコンデンサＭ記憶兼再生用のＭＯＳＦＥＴ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】入力光を光電流に変換する光電変換部
と、第１の期間中に前記光電変換部で変換された光電流
の値を記憶する電流記憶部と、該電流記憶部に記憶され
た光電流を前記第１の期間と異なる第２の期間に再生す
る電流再生部とを有することを特徴とする受光センサ。
【請求項２】前記電流再生部はＭＯＳＦＥＴで構成さ
れ、前記電流記憶部は該ＭＯＳＦＥＴのゲート容量で構
成してなることを特徴とする請求項１記載の受光セン
サ。
【請求項３】前記再生した光電流と該再生期間中に前
記光電変換部で変換された光電流とを加算または減算し
て出力するように構成してなることを特徴とする請求項
１記載の受光センサ。