JPS636829A - 共晶系半導体規則構造の製造方法 - Google Patents
共晶系半導体規則構造の製造方法Info
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- JPS636829A JPS636829A JP14950886A JP14950886A JPS636829A JP S636829 A JPS636829 A JP S636829A JP 14950886 A JP14950886 A JP 14950886A JP 14950886 A JP14950886 A JP 14950886A JP S636829 A JPS636829 A JP S636829A
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- 230000005496 eutectics Effects 0.000 title claims abstract description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 77
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 5
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 3
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000003708 ampul Substances 0.000 abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 6
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 4
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- QLNWXBAGRTUKKI-UHFFFAOYSA-N metacetamol Chemical compound CC(=O)NC1=CC=CC(O)=C1 QLNWXBAGRTUKKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はへテロ接合を有する層状または柱状の規則構造
の半導体の製造方法に関する。
の半導体の製造方法に関する。
Ａｇ Ｇｅ、Ａｔ−Ｃｕなどの金属共晶合金テはＡｔ
’Ｆｃｕを層状あるいは柱状に析出させ材料の強化に利
用しているが半導体ではかかる規則形状を構成する試み
は行なわｎでいない（ジエー・クリスタル・グロース第
５０巻第７２０〜７２８頁、１９８０年（Ｊ、 （：：
ｒｙｓｔａｌ （）ｒｏｗｔｈ 、 Ｖｏｗ、 ５０（
１９８０）７２０〜７２８）参照）。本発明では明記し
なかったが超薄膜半導体の層状構造は超格子として半導
体デバイスにおける非線形伝導や共鳴現象など種々の量
子効果が期待され、ＭＢＥやＭＯＣＶＤの薄膜形成技術
を利用して実験が進められている（ジェー・クリスタル
・グロース、第４６巻、第１７２〜１７８頁、 １９７
９年（Ｊ、ＣｒｙｓｔａｌＧｒｏｗｔｈ 、Ｖｏｔ、４
６ （１９７９）１７２〜１７８）およびジエー・クリ
スタル・グロース、骨中←←第６５巻、第４３９〜４４
３頁、 １９８３年（Ｊ 、Ｃｒｙｓ ｔａｌ（）ｒｏ
ｗｔｈ、 Ｖｏｌ、 ６５ （１９８３） ４３９〜４
４３ ）参照）。
’Ｆｃｕを層状あるいは柱状に析出させ材料の強化に利
用しているが半導体ではかかる規則形状を構成する試み
は行なわｎでいない（ジエー・クリスタル・グロース第
５０巻第７２０〜７２８頁、１９８０年（Ｊ、 （：：
ｒｙｓｔａｌ （）ｒｏｗｔｈ 、 Ｖｏｗ、 ５０（
１９８０）７２０〜７２８）参照）。本発明では明記し
なかったが超薄膜半導体の層状構造は超格子として半導
体デバイスにおける非線形伝導や共鳴現象など種々の量
子効果が期待され、ＭＢＥやＭＯＣＶＤの薄膜形成技術
を利用して実験が進められている（ジェー・クリスタル
・グロース、第４６巻、第１７２〜１７８頁、 １９７
９年（Ｊ、ＣｒｙｓｔａｌＧｒｏｗｔｈ 、Ｖｏｔ、４
６ （１９７９）１７２〜１７８）およびジエー・クリ
スタル・グロース、骨中←←第６５巻、第４３９〜４４
３頁、 １９８３年（Ｊ 、Ｃｒｙｓ ｔａｌ（）ｒｏ
ｗｔｈ、 Ｖｏｌ、 ６５ （１９８３） ４３９〜４
４３ ）参照）。
第５図はＱａＡｓ−Ｑｅ共晶系の相図を表わす。
第６図に示ルたように共晶体（ＧａＡｓ１５モルＬｓ）
とＱｅ種結晶を接合し共晶体の溶融温度（８６０Ｃ）以
上に保った後、Ｇｅ種結晶側から矢印６０の方向に冷却
してゆくとＧｅ種結晶上にＧｅ結晶が析出する。さらに
冷却を続けると約８６００のＧｅ結晶析出界面（固液界
面）での液相組成は共晶点（ＧａＡＳ約１５モル％）よ
シＧａＡ３が多量に含まれＧａＡ３ｔｍ晶の創成により
ＧａＡｓ６るいはＧａＡＳにＱｅが混ざった共晶体が析
出し始める。
とＱｅ種結晶を接合し共晶体の溶融温度（８６０Ｃ）以
上に保った後、Ｇｅ種結晶側から矢印６０の方向に冷却
してゆくとＧｅ種結晶上にＧｅ結晶が析出する。さらに
冷却を続けると約８６００のＧｅ結晶析出界面（固液界
面）での液相組成は共晶点（ＧａＡＳ約１５モル％）よ
シＧａＡ３が多量に含まれＧａＡ３ｔｍ晶の創成により
ＧａＡｓ６るいはＧａＡＳにＱｅが混ざった共晶体が析
出し始める。
このＱ ａ Ａ ＳあるいはＱａＡｓ−（）ｅの一共晶
組成の析出は析出のための核となる微結晶が系の玉めて
小さなゆらぎによってランダムに創成されることにより
場所的にも不規則な結晶析出となる。すなわちＧｅｉ種
結晶とじ共晶体を一方向凝固させると第１層に（）ｅ結
晶が析出しその後はＧａＡ３１種種のＱａ人３−Ｑｅ共
晶組成、Ｇｅ結晶が場所的にランダムに析出する。また
、冷却の方向によっては柱状の規則構造を析出すること
ができる。
組成の析出は析出のための核となる微結晶が系の玉めて
小さなゆらぎによってランダムに創成されることにより
場所的にも不規則な結晶析出となる。すなわちＧｅｉ種
結晶とじ共晶体を一方向凝固させると第１層に（）ｅ結
晶が析出しその後はＧａＡ３１種種のＱａ人３−Ｑｅ共
晶組成、Ｇｅ結晶が場所的にランダムに析出する。また
、冷却の方向によっては柱状の規則構造を析出すること
ができる。
本発明は結晶析出のための核形成を外的に制御し規則形
状をした結晶析出を実現するものである。
状をした結晶析出を実現するものである。
上記目的は、原料溶融物（融液）に種結晶を接触させ、
その少なくとも界面を冷却して結晶を析出させる際に、
結晶析出面（またはその垂直面）に沿って熱的１弾性的
変動を外的に加えることにより達成される。これは自然
発生的２部分的に生ずる結晶核形成を防止するとともに
、結晶析出面に沿って同時に結晶核の形成さらに結晶析
出を促進することによって達成される。この熱的２弾性
的な変動を必要時にパルスとして加えてもその効果は得
られるが、通常結晶核創成の時期は観測し得ないため規
則的な変動として周期的に邸加しておくのが実用的であ
る。
その少なくとも界面を冷却して結晶を析出させる際に、
結晶析出面（またはその垂直面）に沿って熱的１弾性的
変動を外的に加えることにより達成される。これは自然
発生的２部分的に生ずる結晶核形成を防止するとともに
、結晶析出面に沿って同時に結晶核の形成さらに結晶析
出を促進することによって達成される。この熱的２弾性
的な変動を必要時にパルスとして加えてもその効果は得
られるが、通常結晶核創成の時期は観測し得ないため規
則的な変動として周期的に邸加しておくのが実用的であ
る。
本発明に用いられる変動としては超音波による弾性振動
や、また熱的にはフラッシュランプの点滅による熱振動
などが有効である。
や、また熱的にはフラッシュランプの点滅による熱振動
などが有効である。
また１種結晶を、析出結晶の規則形状に対応し友凹凸を
有するものによって、上記目的は達成され、その際、上
述の熱的２弾性的変動を加えてその効果を増大すること
もできる。
有するものによって、上記目的は達成され、その際、上
述の熱的２弾性的変動を加えてその効果を増大すること
もできる。
上記熱的振動と弾性的振動では結晶核形成に及ぼす物理
作用は異なるが基本概念と得られる効果は同様なので以
下熱的振動について本発明が提示する技術の作用内容を
明らかＫする。
作用は異なるが基本概念と得られる効果は同様なので以
下熱的振動について本発明が提示する技術の作用内容を
明らかＫする。
第６図において通常のとと〈Ｇｅ種結晶側から冷却した
ときのようすはすでに述べた通りである。
ときのようすはすでに述べた通りである。
このとき熱的周期パルスを種結晶側から加えると結晶析
出部分では温度の高低の変動に応じて、微視的には結晶
の溶融・析出が周期的にくり返される。これは−定温度
の場合でめる。いく分速く方向性凝固を行ないながら温
度の高低変動を与えると、結晶析出面は凝固方向に速く
なったシ遅くなったシしながら移動する。ここで結晶析
出部分と液相の境界にある液相の共晶組成はＧｅ結晶が
析出したため（） ａ Ａ Ｓ濃度が高くなる。Ｑ ａ
Ａ Ｓ濃度が臨界点に達し、かつ温度の高低振動によ
り急速に低温になったとき、直ちに結晶析出面全体ＫＧ
ａＡＳ結晶あるいはＱａＡｓｌＣＱｅが混在した共晶体
の析出が始まる。同様に次いでＧｅ結晶あるいはＱｅ−
Ｇ ａＡ ｇ共晶体が析出し層状構造が形成される。
出部分では温度の高低の変動に応じて、微視的には結晶
の溶融・析出が周期的にくり返される。これは−定温度
の場合でめる。いく分速く方向性凝固を行ないながら温
度の高低変動を与えると、結晶析出面は凝固方向に速く
なったシ遅くなったシしながら移動する。ここで結晶析
出部分と液相の境界にある液相の共晶組成はＧｅ結晶が
析出したため（） ａ Ａ Ｓ濃度が高くなる。Ｑ ａ
Ａ Ｓ濃度が臨界点に達し、かつ温度の高低振動によ
り急速に低温になったとき、直ちに結晶析出面全体ＫＧ
ａＡＳ結晶あるいはＱａＡｓｌＣＱｅが混在した共晶体
の析出が始まる。同様に次いでＧｅ結晶あるいはＱｅ−
Ｇ ａＡ ｇ共晶体が析出し層状構造が形成される。
以上のように温度の高低振動は結晶析出のための臨界状
態を強制的に作）出し、ランダムな結晶析出を抑止する
作用をする。
態を強制的に作）出し、ランダムな結晶析出を抑止する
作用をする。
以上の原理かられかるように熱的２弾性的振動の印加方
向は得られる規則構造と無関係ではなく、層状の場合は
層に垂直な方向にまた柱状の場合は柱状方向に垂直な方
向から印加するのを基本とする。
向は得られる規則構造と無関係ではなく、層状の場合は
層に垂直な方向にまた柱状の場合は柱状方向に垂直な方
向から印加するのを基本とする。
以下本発明の実施例を図面により詳細に説明する。
実施例１
第１図は石英製真空アンプル３７内に封入したＱａＡｓ
種結晶３２とＧａＡｓ−Ｇｅ共晶体３３（ＧａＡｓ１５
モルチ）の接合試料を温度勾配を有する電気炉３１（種
結晶から共晶合金の方へ温度が高くなる）で接合部分が
８６０Ｃ以上になるように加熱し、共晶体３３を溶融す
る。溶融１０分後に１３０Ｃ／ｃｒｎの温度勾配を保ち
なから３７０Ｃ／分の速度で種結晶３２側から冷却する
と同時に５００Ｗのアークランプ３４からの光を６００
回転／分で回転する光チョッパ３５でパルス化し集光レ
ンズ３６を通して種結晶側から投入した。得られた析出
結晶は接合面に平行なきれいな層状構造をしておりＧｅ
結結晶層約１０工 でめった。
種結晶３２とＧａＡｓ−Ｇｅ共晶体３３（ＧａＡｓ１５
モルチ）の接合試料を温度勾配を有する電気炉３１（種
結晶から共晶合金の方へ温度が高くなる）で接合部分が
８６０Ｃ以上になるように加熱し、共晶体３３を溶融す
る。溶融１０分後に１３０Ｃ／ｃｒｎの温度勾配を保ち
なから３７０Ｃ／分の速度で種結晶３２側から冷却する
と同時に５００Ｗのアークランプ３４からの光を６００
回転／分で回転する光チョッパ３５でパルス化し集光レ
ンズ３６を通して種結晶側から投入した。得られた析出
結晶は接合面に平行なきれいな層状構造をしておりＧｅ
結結晶層約１０工 でめった。
つぎにさらに薄い層状構造を得るため温度勾配とチョッ
パの回転数をそのままにして冷却速度を小さくしたとこ
ろ冷却速度に比例して厚さの薄い周期性の曳い層状構造
がＱｅｅ晶層２０００人、Ｑ ａ Ａ ｓ結晶層４００
人まで得られた。この条件でチョッパからの熱的周期振
動のない試料を作製したところ，数十〜数百μｍの不規
則な構造となった。これは以下のように説明される。冷
却速度を小さくすると（その極限では平衡状態が出現す
ることから分るように）結晶析出界面での現象が平衡状
態に近づくため１例えばＱ ａ Ａ ３結晶が析出して
いる場合においても液相におる共晶合金の組成はＱｅの
拡散散いつによって極端なＱｅｌＪツチ領域を形成せず
．明確なＧｅ析出の臨界状態が出現しない。そのため外
的じよう乱の影響に結晶析出現象が支配され易くなるた
めと考えられる。−方熱的周期振動を加えるとこの臨界
状態が強制的に実現されるため規則構造ができ易くなる
。すなわち本発明は通常の手法では実現困難な超格子状
の層状構造を安定に製造することを可能にしていること
がわかる。
パの回転数をそのままにして冷却速度を小さくしたとこ
ろ冷却速度に比例して厚さの薄い周期性の曳い層状構造
がＱｅｅ晶層２０００人、Ｑ ａ Ａ ｓ結晶層４００
人まで得られた。この条件でチョッパからの熱的周期振
動のない試料を作製したところ，数十〜数百μｍの不規
則な構造となった。これは以下のように説明される。冷
却速度を小さくすると（その極限では平衡状態が出現す
ることから分るように）結晶析出界面での現象が平衡状
態に近づくため１例えばＱ ａ Ａ ３結晶が析出して
いる場合においても液相におる共晶合金の組成はＱｅの
拡散散いつによって極端なＱｅｌＪツチ領域を形成せず
．明確なＧｅ析出の臨界状態が出現しない。そのため外
的じよう乱の影響に結晶析出現象が支配され易くなるた
めと考えられる。−方熱的周期振動を加えるとこの臨界
状態が強制的に実現されるため規則構造ができ易くなる
。すなわち本発明は通常の手法では実現困難な超格子状
の層状構造を安定に製造することを可能にしていること
がわかる。
なお１本実施例は、温度勾配が１０〜４５０ｔ：’／ｃ
ｍ、冷却速度が１０〜ａｏｏｏＣ／分においても適用で
きた。
ｍ、冷却速度が１０〜ａｏｏｏＣ／分においても適用で
きた。
実施例２
第２図は種結晶と共晶体を実施例１とは異なシ凝固方向
に平行に配置し之場合の例でるる。
に平行に配置し之場合の例でるる。
石英製真空アンプル４７内に封入したＱｅｅ結晶４２と
ＧａＡＳ −Ｇ ｅ共晶体４３（ＧａＡｓ１５モルチ）
の接合試料を温度勾配を有する電気炉４１で加熱溶融し
，−端から冷却する。このとき側面から光チョッパ４５
を通して光パルスを照射し共晶体４３に周期的な温度変
動を加えると種結晶４３に平行な層状結晶が得られる。
ＧａＡＳ −Ｇ ｅ共晶体４３（ＧａＡｓ１５モルチ）
の接合試料を温度勾配を有する電気炉４１で加熱溶融し
，−端から冷却する。このとき側面から光チョッパ４５
を通して光パルスを照射し共晶体４３に周期的な温度変
動を加えると種結晶４３に平行な層状結晶が得られる。
このようにして層状構造が形成された後は冷却とともに
層状の端部を種として第３図のように結晶層が成長する
。
層状の端部を種として第３図のように結晶層が成長する
。
実施例１の場合と異なりこの場合の結晶成長ではＧｅと
ＧａＡｓの結晶成長方位や成長速度の違いにもよるが急
温度勾配、小さな冷却速度で（言い換えると平衡に近い
状態で）形成するのが規則構造形成には望ましい。また
温度周期振動は初期に形成された層周期に温度高低の周
期が合うように印加するのが良い。このように本実施例
の場合には初期に形成された層構造が重要であるため、
これを規定する方法の１つとして第４図に示したような
，規則構造に対応した凹凸パターンを形成した種結晶を
第３図のＱｅｅ結晶とは垂直配置し並用したものでは大
きな効果が得られた。
ＧａＡｓの結晶成長方位や成長速度の違いにもよるが急
温度勾配、小さな冷却速度で（言い換えると平衡に近い
状態で）形成するのが規則構造形成には望ましい。また
温度周期振動は初期に形成された層周期に温度高低の周
期が合うように印加するのが良い。このように本実施例
の場合には初期に形成された層構造が重要であるため、
これを規定する方法の１つとして第４図に示したような
，規則構造に対応した凹凸パターンを形成した種結晶を
第３図のＱｅｅ結晶とは垂直配置し並用したものでは大
きな効果が得られた。
この場合１周期的変動を加えなくても層状結晶が得られ
た。
た。
なお、本実施例は、温度勾配が５〜４５０Ｃ／ｄ、冷却
速度が５〜３ ０００ Ｃ／分においても適用でき念。
速度が５〜３ ０００ Ｃ／分においても適用でき念。
以上ＧａＡｓ−Ｇｅ系を例に本発明を開示したが。
本発明の効果はこの系に限定されず＋ Ｓ ｉ −Ｇａ
Ａｓ 。
Ａｓ 。
８ｉ−ＧａＰ，ＧａＡｓ−Ｚｎ５ｅ，Ｇｅ−ＡｌＡｓ等
格子定数の近’／）ＩＶ、 ＩＩＩ−Ｖ、 ｎ−Ｍ半
導体相互の共晶系材料に適用できることを確認した。
格子定数の近’／）ＩＶ、 ＩＩＩ−Ｖ、 ｎ−Ｍ半
導体相互の共晶系材料に適用できることを確認した。
本発明に含まれる半導体規則形状構造は従来のエピタキ
シャル成長層を一層ずつ多層に重畳した層状構造と比べ （１）多層を一度の操作で積層できるため生産性が高い
。
シャル成長層を一層ずつ多層に重畳した層状構造と比べ （１）多層を一度の操作で積層できるため生産性が高い
。
（２）液相からの結晶成長であるため結晶性が良い。
などの特徴を有し、本発明は上記効果を有する規則構造
を制御性良く高精度に作製するための主要技術である。
を制御性良く高精度に作製するための主要技術である。
第１図、！２図は本発明による規則構造半導体の作製方
法の説明図、第３図は第２図の方法で形成される規則構
造の模式図、第４図（ａ）は第２図に示した規則構造半
導体の製造方法に適用したＧｅ種結晶の構造図、同図（
ｂ）は同様にＧａＡＳｆＩＩ結晶の場合の構造図、第５
図はＧａＡｓ−Ｇｅ系の平衡状態図、ｉ６図は規則構造
半導体の従来の作製方法の１例を示した図である。 ２１・・・Ｇｅ種結晶、２２・・・析出Ｇｅ結晶、２３
・・・Ｇｅ賭晶、２４−ＧａＡｓ −Ｇ ｅ共晶体、３
１゜４１・・・温度勾配炉、３２，４２・・・ＱａＡｓ
櫨結晶。 ３３ 、４３−ＧａＡ５−Ｇ ｅ共晶体、３４，４４−
・・アークランプ、３５，４５・・・光ｆヨツバ、３６
・・・集光レンズ、３７．４７・・・アンプル、４６・
・・ミラー、５１−Ｇ ｅ結晶層、５２ ・ ＧａＡＳ
結晶層、６０・・・冷却方向。 代理人 弁理士 小川勝男と１〉 別。 署／ 記 ◇：二Ｆ−３Ｏ 票 Ｚ 口 ぐ１ゝｑＱ 第３図 第４凹 第夕図 Ｑｅ ｎｅｏ／ ”／ａ Ｃｒａ−Ａｓ
（ｒｔＡｓ′８６ 図
法の説明図、第３図は第２図の方法で形成される規則構
造の模式図、第４図（ａ）は第２図に示した規則構造半
導体の製造方法に適用したＧｅ種結晶の構造図、同図（
ｂ）は同様にＧａＡＳｆＩＩ結晶の場合の構造図、第５
図はＧａＡｓ−Ｇｅ系の平衡状態図、ｉ６図は規則構造
半導体の従来の作製方法の１例を示した図である。 ２１・・・Ｇｅ種結晶、２２・・・析出Ｇｅ結晶、２３
・・・Ｇｅ賭晶、２４−ＧａＡｓ −Ｇ ｅ共晶体、３
１゜４１・・・温度勾配炉、３２，４２・・・ＱａＡｓ
櫨結晶。 ３３ 、４３−ＧａＡ５−Ｇ ｅ共晶体、３４，４４−
・・アークランプ、３５，４５・・・光ｆヨツバ、３６
・・・集光レンズ、３７．４７・・・アンプル、４６・
・・ミラー、５１−Ｇ ｅ結晶層、５２ ・ ＧａＡＳ
結晶層、６０・・・冷却方向。 代理人 弁理士 小川勝男と１〉 別。 署／ 記 ◇：二Ｆ−３Ｏ 票 Ｚ 口 ぐ１ゝｑＱ 第３図 第４凹 第夕図 Ｑｅ ｎｅｏ／ ”／ａ Ｃｒａ−Ａｓ
（ｒｔＡｓ′８６ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、種結晶と原料溶融物との接触工程および冷却工程を
少なくとも含む、互いに全率固溶し合わない少なくとも
２種以上の半導体物質が該各半導体物質１種または２種
以上の共晶組成で層状または柱状に規則配列した共晶系
半導体規則構造の製造方法において該共晶系半導体の均
一溶融物の温度を徐々に下げて方向性凝固をさせるとと
もに、機械的周期振動および熱的周期変動の両者もしく
はいずれかを加えることを特徴とする共晶系半導体規則
構造の製造方法。 ２、前記機械的周期振動を超音波弾性振動で、また前記
熱的周期変動をフラッシュランプの光エネルギーで加え
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の共晶系
半導体規則構造の製造方法。 ３、種結晶と原料溶融物との接触工程および冷却工程を
少なくとも含む、互いに全率固溶し合わない少なくとも
２種以上の半導体物質１種または２種以上の共晶組成で
層状または柱状に規則配列した共晶系半導体規則構造の
製造方法において、前記種結晶が前記規則構造に対応す
る凹凸を有するものか、もしくは当該凹凸を有する種結
晶を含むものであることを特徴とする共晶系半導体規則
構造の製造方法。 ４、前記冷却工程において、前記原料溶融物の温度を徐
々に下げて方向性凝固をさせるとともに、機械的振動お
よび熱的振動の両者もしくはいずれかを加えることを特
徴とする特許請求の範囲第３項記載の共晶系半導体規則
構造の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14950886A JP2507329B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 共晶系半導体規則構造の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14950886A JP2507329B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 共晶系半導体規則構造の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636829A true JPS636829A (ja) | 1988-01-12 |
| JP2507329B2 JP2507329B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=15476673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14950886A Expired - Lifetime JP2507329B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 共晶系半導体規則構造の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2507329B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04355347A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-09 | Shimadzu Corp | 原子吸光分光光度計 |
| US10318032B2 (en) | 2015-02-04 | 2019-06-11 | Quickstep Technologies Llc | Multilayer capacitive detection device, and apparatus comprising the device |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP14950886A patent/JP2507329B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04355347A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-09 | Shimadzu Corp | 原子吸光分光光度計 |
| US10318032B2 (en) | 2015-02-04 | 2019-06-11 | Quickstep Technologies Llc | Multilayer capacitive detection device, and apparatus comprising the device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2507329B2 (ja) | 1996-06-12 |
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