JPS636707A - 架橋ポリオレフイン絶縁ケ−ブル - Google Patents
架橋ポリオレフイン絶縁ケ−ブルInfo
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- JPS636707A JPS636707A JP15096086A JP15096086A JPS636707A JP S636707 A JPS636707 A JP S636707A JP 15096086 A JP15096086 A JP 15096086A JP 15096086 A JP15096086 A JP 15096086A JP S636707 A JPS636707 A JP S636707A
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、ヒートサイクルによる電力JM失増加を防止
し、かつ安定した耐電圧特性を付与した架(1ポリオレ
フイン絶縁ケーブルに関する。
し、かつ安定した耐電圧特性を付与した架(1ポリオレ
フイン絶縁ケーブルに関する。
(従来の技術)
従来から、大サイズCVケーブル等の架橋ポリオレフィ
ン絶縁ケーブルを製造するにあたり、導体上に半導電性
テープを巻回し、その上に三層同時押出により内部半導
電層、架橋ポリエチレン絶縁層、外部半導電層を形成し
架橋させることが行なわれている。
ン絶縁ケーブルを製造するにあたり、導体上に半導電性
テープを巻回し、その上に三層同時押出により内部半導
電層、架橋ポリエチレン絶縁層、外部半導電層を形成し
架橋させることが行なわれている。
しかしてこの方法では、内部半導電層および外部半導電
層を、絶縁層との密着性を高め、またダイス内面との滑
りを良くするために導電性カーボンの母を減らし、また
滑剤を添加する等して、結果的に無機分の少ない材料で
形成している。
層を、絶縁層との密着性を高め、またダイス内面との滑
りを良くするために導電性カーボンの母を減らし、また
滑剤を添加する等して、結果的に無機分の少ない材料で
形成している。
(発明が解決しようとする問題点)
このため半導電層自体の体積固有抵抗か大きく、そのた
め誘電正接が大きくなり、また使用時のヒートサイクル
により電力損失が増加するという問題を生じる。
め誘電正接が大きくなり、また使用時のヒートサイクル
により電力損失が増加するという問題を生じる。
この主な原因は、第2図および第3図に示すように、ヒ
ートサイクルにともない導体1と内部半導電層2間ある
いは外部半導電層3とその外側の金属シース4間に、熱
膨張率の差による隙間を生じ、この隙間に同図矢印に示
すような充電電流が流れることによるものと考えられて
いる。なお第2図および第3図は、それぞれ温1宴上昇
時および温度下降時における上記充電電流の流れを示し
たものであり、5は架橋ポリオレフィン絶縁層を示して
いる。
ートサイクルにともない導体1と内部半導電層2間ある
いは外部半導電層3とその外側の金属シース4間に、熱
膨張率の差による隙間を生じ、この隙間に同図矢印に示
すような充電電流が流れることによるものと考えられて
いる。なお第2図および第3図は、それぞれ温1宴上昇
時および温度下降時における上記充電電流の流れを示し
たものであり、5は架橋ポリオレフィン絶縁層を示して
いる。
このような問題を解決するためには、内部半導電層2お
よび外部半導電層3を形成する月利の導電性カーボン配
合但を増加させて電気抵抗を下げればよいのであるが、
その場合には、材料の押出抵抗が大きくなり、また表面
の平滑性が失われるなど、ケーブルの耐電圧特性を低下
さける結果になり好ましくない。
よび外部半導電層3を形成する月利の導電性カーボン配
合但を増加させて電気抵抗を下げればよいのであるが、
その場合には、材料の押出抵抗が大きくなり、また表面
の平滑性が失われるなど、ケーブルの耐電圧特性を低下
さける結果になり好ましくない。
本発明はこのような従来の問題に対処してなされた:し
ので、ヒートサイクルにともなう電力損失増加を防止し
、かつ安定した良好な耐電圧特性を得られるようにした
架橋ポリオレフィン絶縁ケーブルを提供することを目的
とする。
ので、ヒートサイクルにともなう電力損失増加を防止し
、かつ安定した良好な耐電圧特性を得られるようにした
架橋ポリオレフィン絶縁ケーブルを提供することを目的
とする。
[発明の構成1
(問題点を解決するための手段)
本発明の架橋ポリオレフィン絶縁ケーブルは、導体上に
内部半導電層、架橋ポリオレフィン絶縁層、外部半導電
層を順に形成してなる架橋ポリオレフィン絶縁ケーブル
において、前記内部半導電層および外部半導電層のうち
の少なくとも一つの半導電層を、導電率の高い第1の半
導電層とこの第1の半導電層より導電率の低い第2の半
導電層の二層構造としかつ導電率の低い前記第2の半導
電層を前記架橋ポリオレフィン絶縁層に密着させて形成
したことを特徴としている。
内部半導電層、架橋ポリオレフィン絶縁層、外部半導電
層を順に形成してなる架橋ポリオレフィン絶縁ケーブル
において、前記内部半導電層および外部半導電層のうち
の少なくとも一つの半導電層を、導電率の高い第1の半
導電層とこの第1の半導電層より導電率の低い第2の半
導電層の二層構造としかつ導電率の低い前記第2の半導
電層を前記架橋ポリオレフィン絶縁層に密着させて形成
したことを特徴としている。
上記第1の内部半導電層および第1の外部半導電層の体
積固有抵抗は105Ω・CUt以下とすることが好まし
い。
積固有抵抗は105Ω・CUt以下とすることが好まし
い。
また、第2の半導電層に使用される半導電性材料として
は、たとえばポリオレフィンのような絶縁性ポリマー1
00重量部に対し、導電性カーボンとしてアセチーンカ
ーボン60重帛部以下を分散させ、さらに滑材として、
金属92計または脂肪酸アミド0.01〜1重量部を添
加したものが適している。
は、たとえばポリオレフィンのような絶縁性ポリマー1
00重量部に対し、導電性カーボンとしてアセチーンカ
ーボン60重帛部以下を分散させ、さらに滑材として、
金属92計または脂肪酸アミド0.01〜1重量部を添
加したものが適している。
(作用)
本発明の架橋ポリオレフィン絶縁ケーブルでは、使用時
のヒートサイクルにともなう電力損失の増加が防止され
、hつ安定した良好な耐電圧特性が得られる。
のヒートサイクルにともなう電力損失の増加が防止され
、hつ安定した良好な耐電圧特性が得られる。
(実施例)
以下本発明を図面に示す一実施例について説明する。
第1図は、本発明の一実施例の架(nポリオレフィン絶
縁ケーブルを示す横断面図である。
縁ケーブルを示す横断面図である。
第1図において、1は断面積3.000mイ以上の導体
を示し、この導体1上には、半導電性テープ6を介して
、内部半導電層2、栗i・Aポリオレフィン絶縁層5、
外部半導電層3が順に形成され、さらにその外周に金属
シース4が施されている。
を示し、この導体1上には、半導電性テープ6を介して
、内部半導電層2、栗i・Aポリオレフィン絶縁層5、
外部半導電層3が順に形成され、さらにその外周に金属
シース4が施されている。
しかしてこの架(nポリオレフィン絶縁ケーブルの内部
半導電層2および外部半導電層3はそれぞれ次のような
二層構造とされている。
半導電層2および外部半導電層3はそれぞれ次のような
二層構造とされている。
すなわち、内部半導電層2は、導体1側の導電率の高い
半導電性材料からなる第1の内部半導電層2aと、架、
矯ポリオレフィン絶縁層5側の導電率の低い半導電性材
料からなる第2の内部半導電層2bから構成され、他方
、外部半導電層3は、金属シース4側の導電率の高い半
導電性材料からなる第1の外部半導電層3aと、架橋ポ
リオレフィン絶縁層5側の導電率の低い半導電性材料か
らなる第2の外部半導電層3bから構成されている。
半導電性材料からなる第1の内部半導電層2aと、架、
矯ポリオレフィン絶縁層5側の導電率の低い半導電性材
料からなる第2の内部半導電層2bから構成され、他方
、外部半導電層3は、金属シース4側の導電率の高い半
導電性材料からなる第1の外部半導電層3aと、架橋ポ
リオレフィン絶縁層5側の導電率の低い半導電性材料か
らなる第2の外部半導電層3bから構成されている。
このような内部半導電層2および外部半導電層3はそれ
ぞれ二層同時押出しにより形成することができる。
ぞれ二層同時押出しにより形成することができる。
なお、第1の半導電層2a、3aの形成には、体積固有
抵抗105Ω・cm以下となる通常の半導電性材料が使
用される。
抵抗105Ω・cm以下となる通常の半導電性材料が使
用される。
また、第2の半導電層2b、3bの形成に使用される半
導電性材料としては、たとえばポリオレフィンのような
絶縁性ポリマー100重足部に対し、導電性カーボンと
してアセチレンカーボン60手量部以下を分散させ、さ
らに滑材として、金属石鹸または脂肪酸アミド0.01
〜1重母部を添加したものが使用される。このような材
料から形成された第2の半導電層は、絶縁層との密着性
が良好で、またカーボン粒子により生ずる表面の微小突
起も少なく平滑な表面を有している。
導電性材料としては、たとえばポリオレフィンのような
絶縁性ポリマー100重足部に対し、導電性カーボンと
してアセチレンカーボン60手量部以下を分散させ、さ
らに滑材として、金属石鹸または脂肪酸アミド0.01
〜1重母部を添加したものが使用される。このような材
料から形成された第2の半導電層は、絶縁層との密着性
が良好で、またカーボン粒子により生ずる表面の微小突
起も少なく平滑な表面を有している。
しかして、このように構成された架橋ポリオレフィン絶
縁ケーブルでは、導体1および金属シース4にぞれぞれ
接する導電率の高い第1の内部半導電層2aおよび第1
の外部半導電層3aは、使用時のヒートサイクルにより
電力損失が増加するのを防止し、また架橋ポリオレフィ
ン絶縁層5に接する導電率の低い第2の内部半導電層2
bおよび第2の外部半導電層3bは、平滑な表面を有し
、ケーブルの耐電圧特性を保持、向上させる効果を有す
る。
縁ケーブルでは、導体1および金属シース4にぞれぞれ
接する導電率の高い第1の内部半導電層2aおよび第1
の外部半導電層3aは、使用時のヒートサイクルにより
電力損失が増加するのを防止し、また架橋ポリオレフィ
ン絶縁層5に接する導電率の低い第2の内部半導電層2
bおよび第2の外部半導電層3bは、平滑な表面を有し
、ケーブルの耐電圧特性を保持、向上させる効果を有す
る。
なお上記実施例において、図示は省略したが、外部半導
電層3の第1の外部半導電層3aの外側に銅線編込布テ
ープを巻回するようにすれば、さらに良好な結果が得ら
れる。
電層3の第1の外部半導電層3aの外側に銅線編込布テ
ープを巻回するようにすれば、さらに良好な結果が得ら
れる。
また上記実施例は、内部半導電層2および外部半導電層
3のいずれをも二層@造とした例であるが、本発明は必
ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、ど
ちらか−方の半導電層を二層構造にするようにしてもよ
い。
3のいずれをも二層@造とした例であるが、本発明は必
ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、ど
ちらか−方の半導電層を二層構造にするようにしてもよ
い。
[発明の効果]
以上説明したように本発明の架橋ポリオレフィン絶縁ケ
ーブルによれば、内部半導電層および外部半導電層のう
ちの少なくとも一つの半導電層を導電率の高い第1の半
導電層と導電率の低い第2の半導電層の二層構造としカ
つ導電率の低い第2の半導電層を絶縁層に密着させて形
成したので、ヒートサイクルにともなう電力損失の増加
が防止され、かつ安定した良好な耐電圧特性が得られる
。
ーブルによれば、内部半導電層および外部半導電層のう
ちの少なくとも一つの半導電層を導電率の高い第1の半
導電層と導電率の低い第2の半導電層の二層構造としカ
つ導電率の低い第2の半導電層を絶縁層に密着させて形
成したので、ヒートサイクルにともなう電力損失の増加
が防止され、かつ安定した良好な耐電圧特性が得られる
。
第1図は本発明の一実施例の架橋ポリオレフィン絶縁ケ
ーブルを示す横断面図、第2図および第3図は従来の架
橋ポリオレフィン絶縁ケーブルにおけるヒートサイクル
にともなう充電電流の流れを示す図である。 1・・・・・・・・・導体 2・・・・・・・・・内部半導電層 2a・・・・・・第1の内部半導電層 2b・・・・・・第2の内部半導電層 3・・・・・・・・・外部半導電層 3a・・・・・・第1の外部半導電層 3b・・・・・・第2の外部半導電層 5・・・・・・・・・架橋ポリオレフィン絶縁層出願人
昭和電線電纜株式会社代理人 弁理士
須 山 佐 − (ほか1名) 第1図 第2図 第3図
ーブルを示す横断面図、第2図および第3図は従来の架
橋ポリオレフィン絶縁ケーブルにおけるヒートサイクル
にともなう充電電流の流れを示す図である。 1・・・・・・・・・導体 2・・・・・・・・・内部半導電層 2a・・・・・・第1の内部半導電層 2b・・・・・・第2の内部半導電層 3・・・・・・・・・外部半導電層 3a・・・・・・第1の外部半導電層 3b・・・・・・第2の外部半導電層 5・・・・・・・・・架橋ポリオレフィン絶縁層出願人
昭和電線電纜株式会社代理人 弁理士
須 山 佐 − (ほか1名) 第1図 第2図 第3図
Claims (6)
- (1)導体上に内部半導電層、架橋ポリオレフィン絶縁
層、外部半導電層を順に形成してなる架橋ポリオレフィ
ン絶縁ケーブルにおいて、前記内部半導電層および外部
半導電層のうちの少なくとも一つの半導電層を、導電率
の高い第1の半導電層とこの第1の半導電層より導電率
の低い第2の半導電層の二層構造とし、かつ導電率の低
い前記第2の半導電層を前記架橋ポリオレフィン絶縁層
に密着させて形成したことを特徴とする架橋ポリオレフ
ィン絶縁ケーブル。 - (2)第1の半導電層の体積固有抵抗が10^5Ω・c
m以下である特許請求の範囲第1項記載の架橋ポリオレ
フィン絶縁ケーブル。 - (3)第1の半導電層と第2の半導電層が二層同時押出
により形成されている特許請求の範囲第1項または第2
項記載の架橋ポリオレフィン絶縁ケーブル。 - (4)内部半導電層と外部半導電層のいずれも二層構造
とされている特許請求の範囲第1項〜第3項のいずれか
1項記載の架橋ポリオレフィン絶縁ケーブル。 - (5)外部半導電層の外周に銅線編込布テープが巻回さ
れている特許請求の範囲第1項〜第4項のいずれか1項
記載の架橋ポリオレフィン絶縁ケーブル。 - (6)導体上に半導電性テープが巻回され、その外周に
内部半導電層、架橋ポリオレフィン絶縁層、外部半導電
層が順に形成されている特許請求の範囲第1項〜第5項
のいずれか1項記載の架橋ポリオレフィン絶縁ケーブル
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15096086A JPS636707A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 架橋ポリオレフイン絶縁ケ−ブル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15096086A JPS636707A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 架橋ポリオレフイン絶縁ケ−ブル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS636707A true JPS636707A (ja) | 1988-01-12 |
Family
ID=15508195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15096086A Pending JPS636707A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 架橋ポリオレフイン絶縁ケ−ブル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS636707A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003051218A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-21 | Nexans | エネルギーケーブル用半導体遮蔽 |
JP2008300093A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Viscas Corp | 電力用直流同軸ケーブル |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP15096086A patent/JPS636707A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003051218A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-21 | Nexans | エネルギーケーブル用半導体遮蔽 |
JP4630519B2 (ja) * | 2001-07-25 | 2011-02-09 | ネクサン | 半導体遮蔽を備えた直流用のエネルギーケーブル |
JP2008300093A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Viscas Corp | 電力用直流同軸ケーブル |
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