JPS636506A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
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- JPS636506A JPS636506A JP14971686A JP14971686A JPS636506A JP S636506 A JPS636506 A JP S636506A JP 14971686 A JP14971686 A JP 14971686A JP 14971686 A JP14971686 A JP 14971686A JP S636506 A JPS636506 A JP S636506A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
光導波路の製造方法であって、基板上に多孔質ガラス酸
化物を堆積させ、これを加熱して透明ガラス化した後、
ホトリソグラフィ技術によりパターン化する光導波路の
製造方法において、多孔質ガラス酸化物を堆積させる前
にＣＶＤ法又はスパッタ法等により透明石英系ガラス薄
膜を形成することにより、その後の工程で均一なガラス
膜を得ることを可能とする。
化物を堆積させ、これを加熱して透明ガラス化した後、
ホトリソグラフィ技術によりパターン化する光導波路の
製造方法において、多孔質ガラス酸化物を堆積させる前
にＣＶＤ法又はスパッタ法等により透明石英系ガラス薄
膜を形成することにより、その後の工程で均一なガラス
膜を得ることを可能とする。
本発明は光導波路の製造方法に関するものである。
光通信用の光信号を分岐又は合成するには第２図に示す
ようなカプラーが用いられている。同図において、１，
２．３は伝送用光ファイバ、４゜５は光フアイバ位置決
め用ガイド、６は光導波路、７は基板であり、光ファイ
バ１から入射された光は７字形の光導波路６により光フ
ァイバ２．３に分岐される。また逆に光ファイバ２，３
から入射された光は光ファイバｌに合成される。この様
な光カプラーはセラミンク基板７上にフォトリソグラフ
ィ技術を用いて複数個形成して、これをカットして光導
波路とする。この様な基板上に光導波路を形成するため
にＣＶＤ、スパッタ等によリー１７層、クラッド層を順
次堆積させて製造する時、これらの層を短時間で形成す
ることがのぞまれている。
ようなカプラーが用いられている。同図において、１，
２．３は伝送用光ファイバ、４゜５は光フアイバ位置決
め用ガイド、６は光導波路、７は基板であり、光ファイ
バ１から入射された光は７字形の光導波路６により光フ
ァイバ２．３に分岐される。また逆に光ファイバ２，３
から入射された光は光ファイバｌに合成される。この様
な光カプラーはセラミンク基板７上にフォトリソグラフ
ィ技術を用いて複数個形成して、これをカットして光導
波路とする。この様な基板上に光導波路を形成するため
にＣＶＤ、スパッタ等によリー１７層、クラッド層を順
次堆積させて製造する時、これらの層を短時間で形成す
ることがのぞまれている。
第３図ａは光導波路の断面を示す図であり、７は基板、
８はコアガラス（例えば５ｉＯ２−ＴｉＯ２−ＰｚＯｓ
） 、９及びＩＯはコアガラスより屈折率の低いタララ
ドガラス（例えばＳｉＯ□−Ｐ２Ｏ，又は５ｉ０２）で
ある。
８はコアガラス（例えば５ｉＯ２−ＴｉＯ２−ＰｚＯｓ
） 、９及びＩＯはコアガラスより屈折率の低いタララ
ドガラス（例えばＳｉＯ□−Ｐ２Ｏ，又は５ｉ０２）で
ある。
従来の光導波路用の基板には石英、シリコン単結晶など
が用いられていた。しかし同一基板上に厚膜のハイブリ
ッドＩＣを搭載するときはセラミック基板を使用するの
が望ましい、ところがセラミック基板にＣＶＤ、 スパ
ッタ等の方法でマルチモード用に石英ガラスを厚く堆積
させるには時間がかかり実際的ではない。これに対し多
孔質ガラス酸化物を堆積させた後これを透明化する方法
は短時間で厚いガラス膜を形成することができる。
が用いられていた。しかし同一基板上に厚膜のハイブリ
ッドＩＣを搭載するときはセラミック基板を使用するの
が望ましい、ところがセラミック基板にＣＶＤ、 スパ
ッタ等の方法でマルチモード用に石英ガラスを厚く堆積
させるには時間がかかり実際的ではない。これに対し多
孔質ガラス酸化物を堆積させた後これを透明化する方法
は短時間で厚いガラス膜を形成することができる。
この方法には火炎堆積法と熱酸化法とがあり、共に基板
上に多孔質ガラス酸化物を堆積させ、これを１３５０℃
程度に加熱して透明化するのである。
上に多孔質ガラス酸化物を堆積させ、これを１３５０℃
程度に加熱して透明化するのである。
上記従来の多孔質ガラスを堆積させた後透明化する光導
波路の作製法では、多孔質ガラスを加熱し透明化すると
きガラス基板の膨張率の違いにより第３図すに示すよう
に基板７とガラス９．１０との間に気泡１５が発生し均
一なガラス膜を形成することが困難であった。
波路の作製法では、多孔質ガラスを加熱し透明化すると
きガラス基板の膨張率の違いにより第３図すに示すよう
に基板７とガラス９．１０との間に気泡１５が発生し均
一なガラス膜を形成することが困難であった。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、節易
な方法で均一なガラス膜の光導波路を提供することを目
的としている。
な方法で均一なガラス膜の光導波路を提供することを目
的としている。
このため本発明においては、第１図Ｃに例示するように
基板７上に多孔質ガラス酸化物を堆積させ、これを加熱
して透明ガラス化した後、ホトリソグラフィ法を用いて
パターン化してコア８及びクラッド９を形成し、さらに
その上にタララドガラス１０を被覆形成する光導波路の
製造方法において、上記ガラス酸化物を堆積する前に上
記基板７上にＣＶＤ法又はスパッタ法等で透明石英系ガ
ラス薄膜１２を形成することを特徴としている。
基板７上に多孔質ガラス酸化物を堆積させ、これを加熱
して透明ガラス化した後、ホトリソグラフィ法を用いて
パターン化してコア８及びクラッド９を形成し、さらに
その上にタララドガラス１０を被覆形成する光導波路の
製造方法において、上記ガラス酸化物を堆積する前に上
記基板７上にＣＶＤ法又はスパッタ法等で透明石英系ガ
ラス薄膜１２を形成することを特徴としている。
第１図Ｃのように基板７上にガラス酸化物を堆積する前
に、該基板上にＣＶＤ法又はスパッタ法等で透明石英系
ガラス薄膜１２を形成し、その後ガラス酸化物の堆積及
び透明化を行なうことにより、該透明石英系ガラス薄膜
１２が基板とのなじみが良く、且つその上に形成される
ガラス９．１０ともなじみが良いため均一なガラス膜の
形成が可能となる。
に、該基板上にＣＶＤ法又はスパッタ法等で透明石英系
ガラス薄膜１２を形成し、その後ガラス酸化物の堆積及
び透明化を行なうことにより、該透明石英系ガラス薄膜
１２が基板とのなじみが良く、且つその上に形成される
ガラス９．１０ともなじみが良いため均一なガラス膜の
形成が可能となる。
第１図は本発明の詳細な説明するための図である。
本実施例は先ずアルミナ等の基板上にスパッタにより厚
さ約１１１ｍのＳｉＯ□膜（即ち透明石英系ガラス薄膜
１２）を形成する。このあと第１図ａに示すように前記
透明石英系ガラス薄膜１２が形成された基板７を反応管
１３の中に装入し、これを反応管の外部より加熱炉１４
により第１図すに示す温度分布となるように加熱しなが
ら反応管内に５ｉＣ１，を原料ガスとして流し、熱酸化
により基板７の透明石英系ガラス薄膜１２上にクラッド
用ガラスとなるＳｉＯ□の多孔質ガラス層を堆積させ、
引続き原料ガスを５ｉＣｊ！、とＴｉＣｊ！４の混合ガ
スに切換え、コア用ガラスとなる５ｉ０１・ＴｉＯ２多
孔質ガラス層を堆積させた後、基板を１３００℃に加熱
して多孔質ガラスを透明化し、続いてこのガラス膜をエ
ツチングなどでパターン化して光導波路を形成するので
ある。
さ約１１１ｍのＳｉＯ□膜（即ち透明石英系ガラス薄膜
１２）を形成する。このあと第１図ａに示すように前記
透明石英系ガラス薄膜１２が形成された基板７を反応管
１３の中に装入し、これを反応管の外部より加熱炉１４
により第１図すに示す温度分布となるように加熱しなが
ら反応管内に５ｉＣ１，を原料ガスとして流し、熱酸化
により基板７の透明石英系ガラス薄膜１２上にクラッド
用ガラスとなるＳｉＯ□の多孔質ガラス層を堆積させ、
引続き原料ガスを５ｉＣｊ！、とＴｉＣｊ！４の混合ガ
スに切換え、コア用ガラスとなる５ｉ０１・ＴｉＯ２多
孔質ガラス層を堆積させた後、基板を１３００℃に加熱
して多孔質ガラスを透明化し、続いてこのガラス膜をエ
ツチングなどでパターン化して光導波路を形成するので
ある。
このように本実施例の光導波路の製造方法は、基板７上
にＣＶＤ法、スパッタ法等で基板７とガラス膜との双方
になじみの良い透明石英系ガラス薄膜１２を形成するた
め、均一なガラス膜を得ることができる。従って同一の
セラミック基板上にハイブリッドＩＣと光導波路とを形
成することが可能となる。また表面張力の関係で均一な
ガラス膜の形成が困難なガリウム砒素等の基板に対して
も本発明法は有効である。
にＣＶＤ法、スパッタ法等で基板７とガラス膜との双方
になじみの良い透明石英系ガラス薄膜１２を形成するた
め、均一なガラス膜を得ることができる。従って同一の
セラミック基板上にハイブリッドＩＣと光導波路とを形
成することが可能となる。また表面張力の関係で均一な
ガラス膜の形成が困難なガリウム砒素等の基板に対して
も本発明法は有効である。
以上述べてきたように、本発明によれば、極めて簡易な
方法で、なじみの悪い基板上にも光導波路を形成するこ
とができ、実用的には極めて有用である。
方法で、なじみの悪い基板上にも光導波路を形成するこ
とができ、実用的には極めて有用である。
第１図は本発明の詳細な説明するための図、第２図は産
業上の利用分野を説明するための図、第３図は光導波路
の断面を示す図である。 第１図において、 ７は基板、 ８はコア、 ９．１０はクラッド １２は透明石英系ガラス薄膜、 １３は反応管、 １４は加熱炉である。 （ａ） （ｂ） ８・−・コア １３・０１反応管
９．１０−・−クラッド １４・・・加
熱炉産業上の利用分野を説明するだめの間 第２図 １２３−一一光ファイバ ４．５−−一光ファイバ位置決め用ガイド６− 光導波
路 ７−・・基板 （ａ） （ｂ） 従来の光導波路の断面を示す図 第３図 ７−基板 ８− クラッド ９．１０−ｍ−コア １５−・−気泡
業上の利用分野を説明するための図、第３図は光導波路
の断面を示す図である。 第１図において、 ７は基板、 ８はコア、 ９．１０はクラッド １２は透明石英系ガラス薄膜、 １３は反応管、 １４は加熱炉である。 （ａ） （ｂ） ８・−・コア １３・０１反応管
９．１０−・−クラッド １４・・・加
熱炉産業上の利用分野を説明するだめの間 第２図 １２３−一一光ファイバ ４．５−−一光ファイバ位置決め用ガイド６− 光導波
路 ７−・・基板 （ａ） （ｂ） 従来の光導波路の断面を示す図 第３図 ７−基板 ８− クラッド ９．１０−ｍ−コア １５−・−気泡
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に多孔質ガラス酸化物を堆積させ、これを加
熱して透明ガラス化した後、ホトリソグラフィ法を用い
てパターン化し、さらにその上にクラッドガラスを被覆
形成する光導波路の製造方法において、 上記ガラス酸化物を堆積する前に、上記基板（７）上に
ＣＶＤ法又はスパッタリング法等で透明石英系ガラス薄
膜（１２）を形成することを特徴とする光導波路の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14971686A JPS636506A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14971686A JPS636506A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636506A true JPS636506A (ja) | 1988-01-12 |
Family
ID=15481260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14971686A Pending JPS636506A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS636506A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642203A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-20 | Fujitsu Ltd | Production of photocoupling line |
| JPS5685710A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Glass waveguide path for fiber optics |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP14971686A patent/JPS636506A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642203A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-20 | Fujitsu Ltd | Production of photocoupling line |
| JPS5685710A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Glass waveguide path for fiber optics |
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