JPS6364940B2 - - Google Patents

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JPS6364940B2
JPS6364940B2 JP54148842A JP14884279A JPS6364940B2 JP S6364940 B2 JPS6364940 B2 JP S6364940B2 JP 54148842 A JP54148842 A JP 54148842A JP 14884279 A JP14884279 A JP 14884279A JP S6364940 B2 JPS6364940 B2 JP S6364940B2
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  • Signal Processing (AREA)
  • Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、少ない画素数の画像入力センサを用
いて多画素の画像入力装置を実現しようとするも
のである。
CCDが発表されて以来、急速な進歩をとげた
固体センサは、１次元及び２次元センサを問わず
多画素化が推し進められている。しかしながら、
こうしたセンサの多画素化は、LSIの高密度化と
同様に、多画素になる程、指数関数的に難しくな
り、現在の技術水準においてすら、ようやく標準
テレビカメラの仕様を満足するに至つた状況であ
る。
しかしながら画像入力装置に対する多画素化、
すなわち高解像度化への要求は走査型コビア，フ
アクシミリ等の文書入力あるいは、リモートセン
シングに見られるような超高精細画像入力等にお
いて強く、これまではセンサを多数個並べたり、
あるいは歩留りの低下を覚悟にセンサ自体の多画
素化が試みられてきた。こうした試みは、装置の
複雑化、信頼性の低下、ひいては装置の高価格化
を招き、一般への普及のさまたげの一因となつて
いた。
こうした要求に応えるものとして近年、第１図
及び第２図に示すような、２次元センサを用いて
高解像度の１次元センサを実現しようとする試み
がなされた。すなわち、文書等の画像１は、レン
ズ３，４を介してマスク５及び２次元センサ６上
に結像され、電気信号に変換される。第２図に示
すように、マスク５には列方向に要求分解能に対
応した間隔でずれたアパチヤ７が、２次元センサ
６の各画素毎に開けられている。このため画像１
の矢印２に示す方向の移動と同期をとりつつ、２
次元センサ５の出力を読み出し、メモリ上で画像
を合成すれば、実質的に、２次元センサの画素数
分の画素をを備えた１次元センサ、すなわち、例
えば２次元センサが100×10個の画素を持つてい
れば最大1000画素の１次元センサが実現できるこ
とになる。しかしながら、この方法では要求され
る分解能以上の精度で画像１の移動と同期をとら
ねばならず、高価な精密機構を用いなければなら
ない。さらに、この方法は、２次元センサを用い
ているものの、動作はあくまでも１次元センサで
あるため、機構部分のない高信頼度なかつ高速入
力をめざす２次元センサへの適用は不可能であ
る。
本発明は、上記状況に鑑みなされたもので、少
ない画素数のセンサを用いて、多画素の画像入力
装置を実現しようとするもので、１次元センサ及
び２次元センサ両方式に適用可能なものである。
以下、図面を参照しながら本発明の詳細を説明す
る。なお、以下、特にことわらないかぎり２次元
センサとして説明する。
第３図、第４図は、本発明の一実施例を示すも
のである。画像１はレンズ８を通つた後、シヤツ
タ９上に結像され複数の画像に分割される。分割
された画像は複眼レンズ１０を通り、センサ１１
上に再び結像し、電気信号に変換される。画像全
体を入力するためには、第５図に示すように複数
に分割されたシヤツタ９のセル１２を適当な時間
間隔で、順番に開放（透明）し、センサ１１の出
力信号をメモリ上に蓄積していくことによつてな
される。換言すれば時分割的に画像が読み込ま
れ、メモリ上で画像全体が合成される。複眼レン
ズ１０はシヤツタ９のいかなるセルを通過した画
像をもセンサ１１上に結像させるためのもので、
プラスチツクレンズ等により極めて高精度にかつ
安価に作ることができる。一方シヤツタ９は、機
械的な機構を用いても実現できるが、高信頼性、
低コスト化が期待できる例えば液晶、あるいは、
PLZTさらにKDP形結晶等のような電気光学的
な機構によつても実現可能である。すなわち、第
５図に示すような液晶を用いたシヤツタにおい
て、左下り針線部分は、常に光を散乱（不透明）
し、右下り斜線及び斜線のないセル１２はセル毎
に設けられた電極に印加される制御信号によつて
不透明及び透明な状態に制御される。
以上のような方法によれば、シヤツタによる画
像の分割数をｎとすると、センサ自体の画素数
は、要求分解能で決まる画像全体の画素数の１／
ｎでよいことになる。従つて画素数の少ない安価
なセンサを用いて多画素、すなわち高分解能のセ
ンサを実質的に実現できることになる。
第５図に示すような液晶によるシヤツタでは、
セル毎に設ける電極間の距離を零にすることは物
理的に不可能である。従つて、電極のない部分に
は、電界が印加されないため、液晶の結晶方向を
制御することができず、不透明もしくは透明のま
となる。もし、この制御できない部分の幅が要求
分解能に比して無視できない場合には、メモリ上
に合成された画像に線状の雑音が入ることにな
る。第６図は、上記欠点を補うための一実施例で
ある。同図において、レンズ８とシヤツタ１４と
の間に複眼レンズ１３が挿入されているため、シ
ヤツタ１４の前で光軸が分離される。従つて第７
図に示すようにシヤツタ１４の各セル１５を分離
された画像に応じて作ればよく、前述した電極間
の隔りによる問題は起きない。分割された画像が
複眼レンズ１０を介してセンサ１１上に結像され
るのは前記実施例と同じである。
第８図は本発明の他の一実施例を示すもので、
シヤツタ１６は画像１に密着されている。この方
法では、シヤツタ１６のセルの電極間の距離を要
求される分解能の実寸長程度まで許容できるた
め、電極間の隔りによる線状ノイズの発生が少な
くなり第６図に示した複眼レンズ１３が不要とな
るばかりか、液晶製作における微細加工技術への
要求も前述した実施例程度厳しいものとならな
い。
以上の説明では、画像レベルで分割していた
が、画素レベルでの分割によつても同様の効果が
得られる。第９図にその実施例を示す。同図にお
いて、画像１にシヤツタ１７が密着されている。
第１０図はシヤツタ１７の全体を、第１１図はそ
の部分拡大を示している。第１１図において、セ
ル１８が画像の分割能に、太線で囲まれた４ケの
セルからなる部分がセンサ上の１画素に対応して
いる。セル１８を通過した画像はレンズ８により
センサ１１上に結像される。適当な時間間隔でセ
ルの透過制御が行われるのは、前述の実施例と同
じである。従つて、この例では、画素レベルで画
像が分割され、前述の実施例と同様にメモリ上で
画像が合成される。本実施例では、センサ１１に
照射される光量が減るものの、複眼レンズが不要
なため、光学系が極めて簡単になる特徴をもつ。
なお以上の説明では、２次元センサを対象とし
ていたが、１次元のシヤツタ、複眼レンズ等を用
い、１次元センサへ適用しても、ほぼ同様の効果
が期待できることは明らかである。従つて本発明
は２次元センサに限つたものでなく、１次元セン
サへの適用も本発明の特許請求の範囲内であるこ
とは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来の実施例を説明する概略構成斜
視図、第２図は第１図におけるマスク構成を示す
図、第３図は本発明の実施例を示す斜視図、第４
図は第３図の構成における結像状態を説明する
図、第５図は本発明におけるシヤツタの具体例を
示す図、第６図は本発明の他の実施例、第７図は
第６図におけるシヤツタの具体例、第８図は本発
明の他の実施例を示す図、第９図は第８図におけ
る他の実施例、第１０図は第９図におけるシヤツ
タの１実施例、第１１図は第１０図の部分拡大図
である。 １…文書等の被入力画像、３，４，８…レン
ズ、５…マスク、６，１１…２次元センサ、７…
アパツチヤ、９，１４，１６，１７…シヤツタ、
１０…複眼レンズ、１２，１５，１８…シヤツタ
のセル。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 読み取るべき二次元画像を電気信号に変換す
    るための画素を二次元配列されたセンサ手段と、 このセンサ手段上に前記二次元画像を結像する
    ための光学手段と、 この光学手段により結像される前記二次元画像
    の前記センサ手段上での読み取り位置を可変する
    ための開口を有し、この開口を前記センサ手段の
    画素に対応して設けられた分割手段と、 この分割手段の開口を介して読み取られる前記
    二次元画像の読み取り位置を可変する手段とを具
    備し、 この手段により読み取り位置を可変された回数
    分、解像度を向上させて前記二次元画像を読み取
    ることを特徴とする画像入力装置。
JP14884279A 1979-11-19 1979-11-19 Picture input unit Granted JPS5672575A (en)

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JP14884279A JPS5672575A (en) 1979-11-19 1979-11-19 Picture input unit
US06/207,474 US4383170A (en) 1979-11-19 1980-11-17 Image input device
EP80107125A EP0029568B1 (en) 1979-11-19 1980-11-17 Image sensor device
DE8080107125T DE3068903D1 (en) 1979-11-19 1980-11-17 Image sensor device
CA000364900A CA1166343A (en) 1979-11-19 1980-11-18 Image input device

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JPS5672575A JPS5672575A (en) 1981-06-16
JPS6364940B2 true JPS6364940B2 (ja) 1988-12-14

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