JPS636443A - マスク上の異物検査装置およびその方法 - Google Patents
マスク上の異物検査装置およびその方法Info
- Publication number
- JPS636443A JPS636443A JP61149517A JP14951786A JPS636443A JP S636443 A JPS636443 A JP S636443A JP 61149517 A JP61149517 A JP 61149517A JP 14951786 A JP14951786 A JP 14951786A JP S636443 A JPS636443 A JP S636443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- foreign matter
- light
- lens
- laser
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 20
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000002135 phase contrast microscopy Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N2021/4792—Polarisation of scatter light
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、LSI製造でのレチクルおよびマスクを用い
た露光工程で、レチクルおよびマスク上のパタンをウェ
ハ上に転写する前に、レチクルおよびマスク上の異物を
検出する異物検査装置に関する。
た露光工程で、レチクルおよびマスク上のパタンをウェ
ハ上に転写する前に、レチクルおよびマスク上の異物を
検出する異物検査装置に関する。
従来のレチクルおよびマスク上の異物を検出する装置は
、特開昭59−65428号および特開昭54−101
390号に開示されている。特開昭59−65428号
には、直線偏光レーザ、特定の入射角度で該レーザ光を
入射する手段、偏光板およびレンズを用いた結像光学系
を特徴とする異物検査装置が開示されている。この装置
では、直線偏光を照射した際、レチクル基板およびバタ
ンと異物ではその反射光の偏光方向が異なることを利用
して異物だけを輝かせ検出している。
、特開昭59−65428号および特開昭54−101
390号に開示されている。特開昭59−65428号
には、直線偏光レーザ、特定の入射角度で該レーザ光を
入射する手段、偏光板およびレンズを用いた結像光学系
を特徴とする異物検査装置が開示されている。この装置
では、直線偏光を照射した際、レチクル基板およびバタ
ンと異物ではその反射光の偏光方向が異なることを利用
して異物だけを輝かせ検出している。
また、特開昭54−101390号には、レーザ光源、
該レーザ光を斜めから照射する手段、レンズによるフー
リエ変換光学系、フーリエ変換面に設置した空間フィル
タおよび結像光学系を特徴とする異物検査装置が開示さ
れている。この装置は、バタンは一般的に視野内で同一
方向かあるいは2〜3の方向の組み合わせで構成されて
いることに着目し、この方向のバタンによる回折光をフ
ーリエ変換面に設置した空間フィルタで除去することに
より、異物からの反射光だけを強調して検出するもので
ある。
該レーザ光を斜めから照射する手段、レンズによるフー
リエ変換光学系、フーリエ変換面に設置した空間フィル
タおよび結像光学系を特徴とする異物検査装置が開示さ
れている。この装置は、バタンは一般的に視野内で同一
方向かあるいは2〜3の方向の組み合わせで構成されて
いることに着目し、この方向のバタンによる回折光をフ
ーリエ変換面に設置した空間フィルタで除去することに
より、異物からの反射光だけを強調して検出するもので
ある。
なお、異物検査として関連するものには1例えば、久保
田広著、応用光学(岩波全書)第129頁から第136
頁がある。
田広著、応用光学(岩波全書)第129頁から第136
頁がある。
LSIが高集積化され、配線パタンか微細になるに従い
、より小さな異物が問題になってきた。
、より小さな異物が問題になってきた。
また、レチクル製作時のレジスト残り、パタン形成用の
クロムあるいは酸化クロムのエツチング残り、さらには
レチクル洗浄液に溶けていた不純物が洗浄乾燥時に凝集
したもの等、平坦状薄膜の異物も問題になっている。
クロムあるいは酸化クロムのエツチング残り、さらには
レチクル洗浄液に溶けていた不純物が洗浄乾燥時に凝集
したもの等、平坦状薄膜の異物も問題になっている。
上記特開昭54−101390号に開示されている技術
では、微小塊状異物および薄膜状異物からの反射光が微
弱となりこれらの微小異物および薄膜状異物をバタンと
区別して検出することはできなかった。また、微小異物
については、特開昭59−65428号の技術で強調す
ることは可能であるが、消去可能なバタンか限られ、同
一の空間フィルタで全てのバタンを消去することは不可
能であった。
では、微小塊状異物および薄膜状異物からの反射光が微
弱となりこれらの微小異物および薄膜状異物をバタンと
区別して検出することはできなかった。また、微小異物
については、特開昭59−65428号の技術で強調す
ることは可能であるが、消去可能なバタンか限られ、同
一の空間フィルタで全てのバタンを消去することは不可
能であった。
本発明の目的は、これらの問題点を解決し、任意のバタ
ンか形成されたレチクルおよびマスク上の微小異物およ
び薄膜状異物を強調し、バタンと区別して検出できるよ
うにした異物検査方法及びその装置を提供することにあ
る。
ンか形成されたレチクルおよびマスク上の微小異物およ
び薄膜状異物を強調し、バタンと区別して検出できるよ
うにした異物検査方法及びその装置を提供することにあ
る。
上記目的は、直線偏光レーザを使用し、この領域に偏光
フィルタを配置し、この領域以外の部分には100%遮
光する空間フィルタを配置し、さらに直線偏光レーザと
、結像光学系とにより、バタンからの回折光を遮光して
微小異物を強調して検出し、透過照明と位相差顕微鏡を
用いた構成より薄膜状異物をバタンも含めた背景に対し
て明るく強調して検出することにより達成できる。
フィルタを配置し、この領域以外の部分には100%遮
光する空間フィルタを配置し、さらに直線偏光レーザと
、結像光学系とにより、バタンからの回折光を遮光して
微小異物を強調して検出し、透過照明と位相差顕微鏡を
用いた構成より薄膜状異物をバタンも含めた背景に対し
て明るく強調して検出することにより達成できる。
フーリエ変換面上でパタンエツジからの回折光の偏光方
向が1つの方向にそろっている領域があることに着目し
、この領域に偏光を通さない向きの偏光フィルタを設置
し、パターンエツジからの回折光は通過させず、これに
対し、異物からの反射散乱光が種々の偏光方向を持つ光
束であるためこの偏光フィルタを通過し、さらに、この
領域以外の領域は100%遮光の空間フィルタにより光
が遮光され、これら2つのフィルタの後側に微小異物か
らの散乱光だけが到達し、結像光学系により微小異物だ
けを強調して検出することができ、更に薄膜状異物は、
レチクル基板(材質;5iO2)上に屈折率の異なる物
質が付着したもの、即ち金属あるいは誘電体が薄膜状に
付着したものであるため、ここを透過した光の位相が異
物のない部分を透過した光の位相より微かに遅れる。即
ち位相差顕微鏡により、フーリエ変換面で異物のない部
分を通過した光の振幅を小さくし、位相をπ/4遅らせ
ると、薄膜状異物だけを強調して検出することができる
。
向が1つの方向にそろっている領域があることに着目し
、この領域に偏光を通さない向きの偏光フィルタを設置
し、パターンエツジからの回折光は通過させず、これに
対し、異物からの反射散乱光が種々の偏光方向を持つ光
束であるためこの偏光フィルタを通過し、さらに、この
領域以外の領域は100%遮光の空間フィルタにより光
が遮光され、これら2つのフィルタの後側に微小異物か
らの散乱光だけが到達し、結像光学系により微小異物だ
けを強調して検出することができ、更に薄膜状異物は、
レチクル基板(材質;5iO2)上に屈折率の異なる物
質が付着したもの、即ち金属あるいは誘電体が薄膜状に
付着したものであるため、ここを透過した光の位相が異
物のない部分を透過した光の位相より微かに遅れる。即
ち位相差顕微鏡により、フーリエ変換面で異物のない部
分を通過した光の振幅を小さくし、位相をπ/4遅らせ
ると、薄膜状異物だけを強調して検出することができる
。
以下、本発明の具体的実施例を第1図ないし第18図を
用いて説明する。
用いて説明する。
(1)構成
本発明は、第1図に示すようにXYステージ1とステー
ジ駆動系2.クランプ3とより構成される試料台部4.
He−Neレーザ8と、ビームエキスパンダ9と集光レ
ンズ10と入射光角度設定手段11とより構成される微
小異物照明部12.対物レンズ13とハーフミラ−15
とリレーレンズ14と空間フィルタ16と偏光板17と
干渉フィルタ18と一次元固体撮像素子19より構成さ
れる微小異物検出部20.He −Cdレーザ31とレ
ンズ32.輪帯板33と結合レンズ、コンデンサレンズ
34とより構成される薄膜状異物照明部35.対物レン
ズ13とリレーレンズ14.空間フィルタ21と色フィ
ルタ22と一次元固体撮像素子23とより構成される薄
膜状異物検出部24,2値化回路114.115と論理
和作成回路25とステージ制御系26とCRTデイスプ
レィ28とプリンタ29とマイクロコンピュータ27と
より構成される制御部3oより構成される。レチクル5
はXYステージ1上に載置される。
ジ駆動系2.クランプ3とより構成される試料台部4.
He−Neレーザ8と、ビームエキスパンダ9と集光レ
ンズ10と入射光角度設定手段11とより構成される微
小異物照明部12.対物レンズ13とハーフミラ−15
とリレーレンズ14と空間フィルタ16と偏光板17と
干渉フィルタ18と一次元固体撮像素子19より構成さ
れる微小異物検出部20.He −Cdレーザ31とレ
ンズ32.輪帯板33と結合レンズ、コンデンサレンズ
34とより構成される薄膜状異物照明部35.対物レン
ズ13とリレーレンズ14.空間フィルタ21と色フィ
ルタ22と一次元固体撮像素子23とより構成される薄
膜状異物検出部24,2値化回路114.115と論理
和作成回路25とステージ制御系26とCRTデイスプ
レィ28とプリンタ29とマイクロコンピュータ27と
より構成される制御部3oより構成される。レチクル5
はXYステージ1上に載置される。
(2)構成要素間の関係
以下、各構成部内の構成要素の関係を説明する。
試料台部−では、XYステージ1上にレチクル5が機械
的なりランプ3により固定される。
的なりランプ3により固定される。
Xステージ1は、約0.1秒の等加速時間と0.1秒の
等速運動および0.1秒の等減速時間を2分の1周期と
し、最高速度約1m/秒、振幅200w1の周期運動を
する。
等速運動および0.1秒の等減速時間を2分の1周期と
し、最高速度約1m/秒、振幅200w1の周期運動を
する。
Yステージは、Xステージ1の等加速時間と等減速時間
に周期し、Q、15nwnづつステップ状に一方向に送
る。1回の検査時間に670回送ると、約130秒で1
00mm送ることができる。
に周期し、Q、15nwnづつステップ状に一方向に送
る。1回の検査時間に670回送ると、約130秒で1
00mm送ることができる。
この構成により、1100n四方の領域を約130秒で
走査できる。
走査できる。
本実施例では、XYステージにより走査したが、第2図
に示す、Xθステージにより走査しても良い。
に示す、Xθステージにより走査しても良い。
Xθステージは、Xステージ33.xステージ駆動系2
.θステージ94.θステージギア32、θステージ駆
動系31.マスク95.クランプ3より構成される。
.θステージ94.θステージギア32、θステージ駆
動系31.マスク95.クランプ3より構成される。
θステージ94は、4回/秒で等速回転する。
Xステージ33は0.6++m/secで等速で約70
Il111送られる。
Il111送られる。
従って、100I四方の領域を約120秒で走査できる
。
。
この際、θステージに固定されたマスク95により、検
査領域以外は遮光される。
査領域以外は遮光される。
微小異物照明部12では、He−Neレーザ8および集
光レンズ10が入射角度設定手段11により固定されて
いる。このH−e −N eレーザは直線偏光を射出す
る。He−N eレーザ8から射出された光はビームエ
キスパンダ9および集光レンズ10を通してレチクル5
上に入射角度□で入射する。レチクル5で反射回折した
光は、対物レンズ13.リレーレンズ14を通して、空
間フィルタ16上で集光するように設計されている。す
なわち、ビームエキスパンダ9、集光レンズ10.対物
レンズ13.リレーレンズ14を通して、He −N
eレーザ8の光源の実像が、空間フィルタ16上に結像
する。
光レンズ10が入射角度設定手段11により固定されて
いる。このH−e −N eレーザは直線偏光を射出す
る。He−N eレーザ8から射出された光はビームエ
キスパンダ9および集光レンズ10を通してレチクル5
上に入射角度□で入射する。レチクル5で反射回折した
光は、対物レンズ13.リレーレンズ14を通して、空
間フィルタ16上で集光するように設計されている。す
なわち、ビームエキスパンダ9、集光レンズ10.対物
レンズ13.リレーレンズ14を通して、He −N
eレーザ8の光源の実像が、空間フィルタ16上に結像
する。
この構成により、レチクル上のパタン7のフラウンホー
ファ回折像が空間フィルタ16を含む平面内にできるこ
とになる。
ファ回折像が空間フィルタ16を含む平面内にできるこ
とになる。
また、光束55の偏光の向きは入射面(光束55と光軸
96を含む面)に対して垂直(P偏光、あるいは平行(
S偏光)とする。
96を含む面)に対して垂直(P偏光、あるいは平行(
S偏光)とする。
ただし、装置設計上は上記の構成をとらず近似的に以下
に示す構成とすることができる。すなわち、集光レンズ
10に入射する光束の径dpを0.5〜2m程度とし、
集光レンズ10からレチクル5までの距離LPを30〜
100nn程度とし、レチクルS上に光源の像を結像す
る。
に示す構成とすることができる。すなわち、集光レンズ
10に入射する光束の径dpを0.5〜2m程度とし、
集光レンズ10からレチクル5までの距離LPを30〜
100nn程度とし、レチクルS上に光源の像を結像す
る。
さらに対物レンズ13およびリレーレンズ14だけを考
えた時のフーリエ変換面に空間フィルタ16を設置する
。この構成とした場合、レチクル5上に照射される光束
は平行光束に近いため、事実上は、対物レンズ13およ
びリレーレンズ14だげにより、フーリエ変換されると
、近似的に考えられる。また、この場合、レチクルS上
の照明部97は楕円となりその短軸長さσ、は以下の式
で決定される。
えた時のフーリエ変換面に空間フィルタ16を設置する
。この構成とした場合、レチクル5上に照射される光束
は平行光束に近いため、事実上は、対物レンズ13およ
びリレーレンズ14だげにより、フーリエ変換されると
、近似的に考えられる。また、この場合、レチクルS上
の照明部97は楕円となりその短軸長さσ、は以下の式
で決定される。
σi=1.22. λ、 Lp/d p −−−
(L)ここでλは照射光の波長である。このσ4は検出
に必要な光強度と照明すべき対象の大きさにより決定さ
れるべきものである。本実施例では、d p = 1
wa 、 L p = 5011Inとしa L =
40μmとしている。
(L)ここでλは照射光の波長である。このσ4は検出
に必要な光強度と照明すべき対象の大きさにより決定さ
れるべきものである。本実施例では、d p = 1
wa 、 L p = 5011Inとしa L =
40μmとしている。
また、照明は、斜方からでなく、第3図に示すように、
ハーフミラ−35を通して上方から行ってもよい。この
場合の、空間フィルタ16゜対物レンズ13等の位置お
よび、結像関係は斜方からの場合と同様である。
ハーフミラ−35を通して上方から行ってもよい。この
場合の、空間フィルタ16゜対物レンズ13等の位置お
よび、結像関係は斜方からの場合と同様である。
このように上方から照明する場合、第4図に示すような
薄膜36.わ<37.hより構成される異物付着防止具
が設けられたレチクルの検査で有効である。(この異物
付着防止具は、レチクル5上に異物を近づけないように
することを目的に設置されるもので詳しくは特開昭59
−65428号等に記載されている。)すなわち、斜方
から照明する場合、わく37により光束38が遮られ照
明できない領域39ができるのに対し上方からの光束4
0により照明する場合は、この領域39は、きわめてわ
ずかになる。
薄膜36.わ<37.hより構成される異物付着防止具
が設けられたレチクルの検査で有効である。(この異物
付着防止具は、レチクル5上に異物を近づけないように
することを目的に設置されるもので詳しくは特開昭59
−65428号等に記載されている。)すなわち、斜方
から照明する場合、わく37により光束38が遮られ照
明できない領域39ができるのに対し上方からの光束4
0により照明する場合は、この領域39は、きわめてわ
ずかになる。
以上、上方からの照明は検出万能領域を小さくする効果
がある。
がある。
さらに、He−Neレーザ8は(波長633nm)は、
He −Cdレーザ、 A rレーザなど他の波長を持
つレーザでも良くさらには、レーザ以外のキセノンラン
プ、ハロゲンランプなどであっても良い。ただし、これ
らの光源のいずれの場合も、直線偏光であることが望ま
しく、直線偏光でない光源の場合は光源の直後に、偏光
フィルタを設置する必要がある。
He −Cdレーザ、 A rレーザなど他の波長を持
つレーザでも良くさらには、レーザ以外のキセノンラン
プ、ハロゲンランプなどであっても良い。ただし、これ
らの光源のいずれの場合も、直線偏光であることが望ま
しく、直線偏光でない光源の場合は光源の直後に、偏光
フィルタを設置する必要がある。
微小異物検出部では、対物レンズ13およびリレーレン
ズ14により、レチクル5上のパタン7や異物6が、−
次元固体撮像素子19上に結像される。
ズ14により、レチクル5上のパタン7や異物6が、−
次元固体撮像素子19上に結像される。
ここで、He −N eレーザ8の光源のビームエキス
パンダ9.集光レンズ10.リレーレンズ14および対
物レンズ13の結像面に、空間フィルタ16が設置され
る。また、偏光フィルタ17もこの位置に設置される。
パンダ9.集光レンズ10.リレーレンズ14および対
物レンズ13の結像面に、空間フィルタ16が設置され
る。また、偏光フィルタ17もこの位置に設置される。
偏光フィルタ17の向きは、He −N eレーザ8の
光束を遮断する方向にする。具体的には、S偏光入射の
時は、偏光軸が入射面に垂直に。
光束を遮断する方向にする。具体的には、S偏光入射の
時は、偏光軸が入射面に垂直に。
P偏光入射の時は平行に設置する。
ここで偏光フィルタ17は、上記の位置でなく、レチク
ル5と、−次元固体撮像素子19間のどの位置に設置さ
れても良い。
ル5と、−次元固体撮像素子19間のどの位置に設置さ
れても良い。
また、空間フィルタ16の位置はレチクル5と対物レン
ズ13の間で対物レンズ13の直前の位置であっても良
い。これは、He −N eレーザ8による光束55は
近似的に平行光でありまた、パタン7は微細であるので
、対物レンズ13等を用いなくてもフラウンホーファ回
折像が得られるためである。しかし、薄膜状異物の検出
を行う場合は、薄膜状異物検出部内に入らないほうが望
ましい。
ズ13の間で対物レンズ13の直前の位置であっても良
い。これは、He −N eレーザ8による光束55は
近似的に平行光でありまた、パタン7は微細であるので
、対物レンズ13等を用いなくてもフラウンホーファ回
折像が得られるためである。しかし、薄膜状異物の検出
を行う場合は、薄膜状異物検出部内に入らないほうが望
ましい。
リレーレンズ14は用いなくてもよいが、実際は、対物
レンズ13として、集合レンズを用いる場合が多く、ビ
ームエキスパンダ9.集光レンズ10.対物レンズ13
による、He −N eレーザ8の光源の結像位置が、
対物レンズ13の内部になることがある。この場合、リ
レーレンズ14を通過した後の結像位置に、空間フィル
タを設置すべきである。さらに、リレーレンズ14とし
て、フーリエ変換レンズを用いることもできる。この際
、バタンのフーリエ変換像がシャープになるため、空間
フィルタにより、効果的に、バタンからの光を遮光でき
る。
レンズ13として、集合レンズを用いる場合が多く、ビ
ームエキスパンダ9.集光レンズ10.対物レンズ13
による、He −N eレーザ8の光源の結像位置が、
対物レンズ13の内部になることがある。この場合、リ
レーレンズ14を通過した後の結像位置に、空間フィル
タを設置すべきである。さらに、リレーレンズ14とし
て、フーリエ変換レンズを用いることもできる。この際
、バタンのフーリエ変換像がシャープになるため、空間
フィルタにより、効果的に、バタンからの光を遮光でき
る。
干渉フィルタ18により、薄膜状異物照明部35による
照明光を遮光することができ、He−Neレーザ8から
の光だけを検出することができる。
照明光を遮光することができ、He−Neレーザ8から
の光だけを検出することができる。
ここで、−次元固体撮像素子19として、第5図に示し
たような、平行四辺形の検出部間口42を有するピンシ
リコンフォトダイオードを50個並べたものを、Xステ
ージの方向に垂直に設置している。また、1素子に対し
て、レチクル5上の約3μm四方程度の領域が結像する
ように、光学系の倍率および、素子の大きさを設計して
いる。
たような、平行四辺形の検出部間口42を有するピンシ
リコンフォトダイオードを50個並べたものを、Xステ
ージの方向に垂直に設置している。また、1素子に対し
て、レチクル5上の約3μm四方程度の領域が結像する
ように、光学系の倍率および、素子の大きさを設計して
いる。
これにより、異物以外からの光が検出器に入射しないた
め、より微弱な光を散乱する異物すなわち微小な異物の
検出を可能にしている。また、素子を並へたことにより
、−度に多くの領域を検出することができ検査速度を向
上している。ピンシリコンフォトダイオードは高感度で
応答速度も速いため、微弱光の高速検出が可能となる。
め、より微弱な光を散乱する異物すなわち微小な異物の
検出を可能にしている。また、素子を並へたことにより
、−度に多くの領域を検出することができ検査速度を向
上している。ピンシリコンフォトダイオードは高感度で
応答速度も速いため、微弱光の高速検出が可能となる。
ところで、ピンシリコンダイオードの開口を平行四辺形
にした理由は、XYステージ1の走査により、異物6の
像が、開口42の間の不感帯台に入ってしまい検出不能
になることをなくすためである。
にした理由は、XYステージ1の走査により、異物6の
像が、開口42の間の不感帯台に入ってしまい検出不能
になることをなくすためである。
しかし、微小異物の検出という本発明の目的を達成する
ためには、ピンシリコンフォトダイオードでなく、電荷
移動形の固体素子でも良く、また特開昭59−6542
8号に示されているピンホールと光電子倍増管を用いた
構成であっても良い。
ためには、ピンシリコンフォトダイオードでなく、電荷
移動形の固体素子でも良く、また特開昭59−6542
8号に示されているピンホールと光電子倍増管を用いた
構成であっても良い。
薄膜状異物照明部35では、He−Cdレーザ(波長4
42r+m)からの光が、レンズ32を通して、輪帯状
の開口を持つ輪帯板33上を照明する。輪帯板33から
射出した光は、結合レンズ34を通して、レチクル5を
裏側から照明し、対物レンズ13.ハーフミラ−14,
およびリレーレンズ14を通して、空間フィルタ21上
に結像する。
42r+m)からの光が、レンズ32を通して、輪帯状
の開口を持つ輪帯板33上を照明する。輪帯板33から
射出した光は、結合レンズ34を通して、レチクル5を
裏側から照明し、対物レンズ13.ハーフミラ−14,
およびリレーレンズ14を通して、空間フィルタ21上
に結像する。
ここで、レーザ光源が十分な強度の場合、レンズ32は
、ビームエキスパンダであってもよく、また、なくても
よい。また、輪帯板33は、ピンホールを開口に持つも
のであっても良い。
、ビームエキスパンダであってもよく、また、なくても
よい。また、輪帯板33は、ピンホールを開口に持つも
のであっても良い。
これも光源が十分な強度の場合である。
さらに、He−Cdレーザ31等のレーザ光源は空間的
にコヒーレントな光を射出するため、輪帯板33および
結合レンズ34を用いずに、直接レチクル5を照明して
も良い。この場合も、He −Cdレーザ31の光源の
像ができる位置に空間フィルタ21を設置する。また、
十分な光強度を得るためにレンズ32は残して、レチク
ル5上に、集光しても良い。微小異物照明部同様、近似
により、空間フィルタ21の位置を設計すれば良い。
にコヒーレントな光を射出するため、輪帯板33および
結合レンズ34を用いずに、直接レチクル5を照明して
も良い。この場合も、He −Cdレーザ31の光源の
像ができる位置に空間フィルタ21を設置する。また、
十分な光強度を得るためにレンズ32は残して、レチク
ル5上に、集光しても良い。微小異物照明部同様、近似
により、空間フィルタ21の位置を設計すれば良い。
また、He−Cdレーザ31は、He −N eレーザ
、He−Cdレーザ(325nI11) 、 A rレ
ーザ等地のレーザ光源であっても良く、水銀ランプ、キ
セノンランプ、ハロゲンランプなどの他の光源であって
も良い。
、He−Cdレーザ(325nI11) 、 A rレ
ーザ等地のレーザ光源であっても良く、水銀ランプ、キ
セノンランプ、ハロゲンランプなどの他の光源であって
も良い。
また、薄膜状異物が、特定の波長に対し透過率が低い場
合、位相差顕微鏡法を用いなくても良い。ただしこの場
合、パタン7との識別のため、検出信号を計算機上に処
理する構成を用いる。
合、位相差顕微鏡法を用いなくても良い。ただしこの場
合、パタン7との識別のため、検出信号を計算機上に処
理する構成を用いる。
ここで、He−Cdレーザを用いる場合、照明光の波長
の違いにより、微小異物と薄膜状異物とを区別して検出
する効果がある。また、位相差顕微鏡としては、波長の
短い光源を用いた方が、より薄い膜を検出できる。さら
に、He−Cdレーザ光の波長は露光によるレチクル5
からのパタンの転写を行う際と、近い波長であるため、
実際に問題になる異物を同じ条件で検出できる効果があ
る。
の違いにより、微小異物と薄膜状異物とを区別して検出
する効果がある。また、位相差顕微鏡としては、波長の
短い光源を用いた方が、より薄い膜を検出できる。さら
に、He−Cdレーザ光の波長は露光によるレチクル5
からのパタンの転写を行う際と、近い波長であるため、
実際に問題になる異物を同じ条件で検出できる効果があ
る。
薄膜状異物検出部24では1輪帯板33と同じ形状をし
た空間フィルタ21により位相差顕微鏡が形成される。
た空間フィルタ21により位相差顕微鏡が形成される。
位相差顕微鏡l鏡については。
多くの文献に説明されているので、ここでは説明を省略
する。(例:久保田著、応用光学、岩波全書、第129
頁から第136頁) 色フィルタ22により、微小異物照明部12からの光を
遮光し、薄膜状異物だけの光を検出する。
する。(例:久保田著、応用光学、岩波全書、第129
頁から第136頁) 色フィルタ22により、微小異物照明部12からの光を
遮光し、薄膜状異物だけの光を検出する。
また、レーザを光源とした際、輪帯板をピンホールとす
る場合や、輪帯板を用いない場合、空間フィルタの形状
は、別に設計する必要がある。すなわち、これらの光源
の実像は、点となるので、空間フィルタも中央の一点の
光強度をおとし、位相を1/2波長だけ遅らせるものと
する。
る場合や、輪帯板を用いない場合、空間フィルタの形状
は、別に設計する必要がある。すなわち、これらの光源
の実像は、点となるので、空間フィルタも中央の一点の
光強度をおとし、位相を1/2波長だけ遅らせるものと
する。
さらに、薄膜状異物のエツジ部を明るくすれば検出は可
能であるから、位相を1/2波長遅らせるのでなく、遮
光してしまう空間フィルタでもよい。これは、シュリー
レン法であり、周知の方法である。
能であるから、位相を1/2波長遅らせるのでなく、遮
光してしまう空間フィルタでもよい。これは、シュリー
レン法であり、周知の方法である。
一次元固体撮像素子は、微小異物検出部と同様に、電荷
移動形の素子でも良く、ピンシリコンフォトダイオード
を一次元に並列に並べたものでも良い。また、特開昭5
9−65428号に記載されているような、ピンホール
と、光電子倍増管などの検出器を組み合わせた構成でも
良い。
移動形の素子でも良く、ピンシリコンフォトダイオード
を一次元に並列に並べたものでも良い。また、特開昭5
9−65428号に記載されているような、ピンホール
と、光電子倍増管などの検出器を組み合わせた構成でも
良い。
この検出系で検出できる薄膜状異物は、位相差がでれば
良いから、10nm程度以上のものである。また厚い場
合も、異物の厚さの不均一さから位相差が生じ検出でき
る。従って実際はIQnmから数μmまでの任意の厚さ
の異物の検出が可能である。
良いから、10nm程度以上のものである。また厚い場
合も、異物の厚さの不均一さから位相差が生じ検出でき
る。従って実際はIQnmから数μmまでの任意の厚さ
の異物の検出が可能である。
制御部では、マイクロコンピュータ27により、ステー
ジ制御系26が制御されXYステージが駆動される。同
時に、−次元固体撮像素子19および23からの信号は
、2値化回路114および115により2値化され論理
和作成回路25により結合されマイクロコンピュータ2
7にとりこまれる。
ジ制御系26が制御されXYステージが駆動される。同
時に、−次元固体撮像素子19および23からの信号は
、2値化回路114および115により2値化され論理
和作成回路25により結合されマイクロコンピュータ2
7にとりこまれる。
結果は、プリンタ29およびCRTデイスプレィ28に
表示される。
表示される。
本実施例では、−次元固体撮像素子23および19から
の信号を論理和作成回路25により処理した後に、マイ
クロコンピュータ27にとりこんでいる。しかし、論理
和作成回路25を省いて2値化回路114および115
の信号を直接マイクロコンピュータ27にとりこんでも
よい。この場合、2種の異物を、区別して検出すること
ができる。
の信号を論理和作成回路25により処理した後に、マイ
クロコンピュータ27にとりこんでいる。しかし、論理
和作成回路25を省いて2値化回路114および115
の信号を直接マイクロコンピュータ27にとりこんでも
よい。この場合、2種の異物を、区別して検出すること
ができる。
また、論理和作成回路25と同じ機能をマイクロコンピ
ュータ27にもたせ、2種の異物を区別しないで検出す
ることもできる。
ュータ27にもたせ、2種の異物を区別しないで検出す
ることもできる。
さらに、制御部30は第20図に示すように、アナログ
加算回路116.2値化回路117によって構成しても
良い。
加算回路116.2値化回路117によって構成しても
良い。
(3)空間フィルタの形状の設計
ここで、微小異物検出に用いる空間フィルタの形状につ
いて、第6図ないし第18図を用いて説明する。この形
状は、照明光の照明方法。
いて、第6図ないし第18図を用いて説明する。この形
状は、照明光の照明方法。
偏光方法によって最適なものに設計されるべきものであ
る。
る。
まず、照明光の挙動について説明する。
第6図はレチクルの拡大図である。方向48に平行なエ
ツジ47を持つパタン7が、レチクル基板46上に形成
されている。パタン7は酸化クロム、基板46はSiO
2で形成されている。
ツジ47を持つパタン7が、レチクル基板46上に形成
されている。パタン7は酸化クロム、基板46はSiO
2で形成されている。
第7図は、レチクルに照明する際の、照明光55と方向
48のパタン7による回折光59゜60および対物レン
ズ13の開口64の関係を示す見取図である。偏光方向
を矢印58,62゜63で示しである。また、対物レン
ズ13の開口64と接する球面65を想点し、回折光5
9および60と球面65との交点61.98上に。
48のパタン7による回折光59゜60および対物レン
ズ13の開口64の関係を示す見取図である。偏光方向
を矢印58,62゜63で示しである。また、対物レン
ズ13の開口64と接する球面65を想点し、回折光5
9および60と球面65との交点61.98上に。
それぞれの回折光の偏光62.63を示しである。また
、これら交点61.98を含む曲線Yは円66になる。
、これら交点61.98を含む曲線Yは円66になる。
第8図は、第7図の平面図である。パタン方向48を変
えた時の回折光と球面65の交点を含む円は直線99な
いし102で示されている。
えた時の回折光と球面65の交点を含む円は直線99な
いし102で示されている。
また、入射光56および射出光57と球面65との交点
はそれぞれ点105および点57で示される。
はそれぞれ点105および点57で示される。
ここで、任意の入射角りで屈折率nなる物質に入射した
直線偏光の反射光の偏光方向は以下の式で求められる。
直線偏光の反射光の偏光方向は以下の式で求められる。
(rLSIウェハパタンの反射光の解析」より)
(Rs、 Rp) ” (S (i )Es、 P (
i )Ep) −−(2)ここで、Es、Epは入射光
の、Rs、Rpは反射光のそれぞれS偏光成分、P偏光
成分の強さである。また、S(φ)、P(φ)は以下の
式でこの式を用いて、P偏光(入射面に平行な電界ベク
トルを持つ直線偏光)を入射した際の。
i )Ep) −−(2)ここで、Es、Epは入射光
の、Rs、Rpは反射光のそれぞれS偏光成分、P偏光
成分の強さである。また、S(φ)、P(φ)は以下の
式でこの式を用いて、P偏光(入射面に平行な電界ベク
トルを持つ直線偏光)を入射した際の。
回折光59の交点61での偏光62を計算する。
この際、バタン7のエツジ47は、法線ベクトル52
+ 03および54を持つ平面49.50および51の
集合と考え、それぞれの平面での反射を考えている。す
なわち、該平面49ないし51に入射角□で入射する光
の反射光の方向と偏光方向を式(2)で計算し、これを
回折光59の方向と偏光62としている。
+ 03および54を持つ平面49.50および51の
集合と考え、それぞれの平面での反射を考えている。す
なわち、該平面49ないし51に入射角□で入射する光
の反射光の方向と偏光方向を式(2)で計算し、これを
回折光59の方向と偏光62としている。
この結果を第8図に偏光方向62.63等の矢印で示し
ている。
ている。
以下、バタンからの回折光の遮断について説明する。バ
タンからの回折光の遮断は、入射光55の入射角度、、
空間フィルタ16.偏光フィルタ17の3要素を用いて
効果的に遮断している。
タンからの回折光の遮断は、入射光55の入射角度、、
空間フィルタ16.偏光フィルタ17の3要素を用いて
効果的に遮断している。
第8図によれば、範囲67の範囲に回折する光はレンズ
開口64内に入射しない。すなわち、これらの回折光は
、照明光の入射角度の設定により遮断される。入射角度
、を大きくとった時。
開口64内に入射しない。すなわち、これらの回折光は
、照明光の入射角度の設定により遮断される。入射角度
、を大きくとった時。
射出点57がレンズ開口64から離れ、射出点74にな
るため、遮断できる回折光の範囲67は範囲106とな
りより広範囲な回折光を遮断できる。
るため、遮断できる回折光の範囲67は範囲106とな
りより広範囲な回折光を遮断できる。
この入射角度りの設定によりこの回折光を示す円66に
垂直な方向48のバタンすなわち、第8図に示した範囲
71の方向を持つバタンからの回折光を遮断できる。
垂直な方向48のバタンすなわち、第8図に示した範囲
71の方向を持つバタンからの回折光を遮断できる。
次に、範囲68内の偏光は、近似的に入射面に平行であ
ることがわかる。これに対し、範囲69および70内の
偏光方向は、平行でない。
ることがわかる。これに対し、範囲69および70内の
偏光方向は、平行でない。
そこで、範囲68に入射する回折光は、偏光フィルタ1
7により遮断する。さらに、範囲69および70に入射
する回折光は、空間フィルタ16により遮断する。空間
フィルタ16の形状を第9図に示す。遮光部75.透過
部76により形成される。ここで、空間フィルタ16の
エツジ108が曲線なのは、レンズ開口64が平面であ
り、回折光59がレンズ開口64と交わる点の集合が曲
線となるからである。レンズ開口64は、フーリエ変換
面になっているため、ここでの形状を考えれば良い。即
ち空間フィルタ16はレンズ開口64上での偏光状態を
考えて、その相似形に設計すればよい。ただし開口64
は平面であることは注意を要する。
7により遮断する。さらに、範囲69および70に入射
する回折光は、空間フィルタ16により遮断する。空間
フィルタ16の形状を第9図に示す。遮光部75.透過
部76により形成される。ここで、空間フィルタ16の
エツジ108が曲線なのは、レンズ開口64が平面であ
り、回折光59がレンズ開口64と交わる点の集合が曲
線となるからである。レンズ開口64は、フーリエ変換
面になっているため、ここでの形状を考えれば良い。即
ち空間フィルタ16はレンズ開口64上での偏光状態を
考えて、その相似形に設計すればよい。ただし開口64
は平面であることは注意を要する。
範囲68に入射するのは、範囲72の方向を持つバタン
からの回折光であり、範囲69および70に入射するの
は、範囲73および74の方向を持つバタンからの回折
光である。
からの回折光であり、範囲69および70に入射するの
は、範囲73および74の方向を持つバタンからの回折
光である。
以上の、3要素(入射角度り、偏光フィルタ17、空間
フィルタ16)により、全ての方向を持つバタンからの
回折光が遮断される。
フィルタ16)により、全ての方向を持つバタンからの
回折光が遮断される。
これに対し、異物からの散乱光の偏光方向は、上記回折
光のごとく、一つの方向にそろわないため、範囲68に
も、方向109以外の偏光が入射するため、これらのフ
ィルタにより遮光されることはない。異物からの散乱光
の偏光方向の解析は、Born I!t Wolf著、
Pr1rciples of 0pties第652頁
から第656頁に記載されている。
光のごとく、一つの方向にそろわないため、範囲68に
も、方向109以外の偏光が入射するため、これらのフ
ィルタにより遮光されることはない。異物からの散乱光
の偏光方向の解析は、Born I!t Wolf著、
Pr1rciples of 0pties第652頁
から第656頁に記載されている。
同様に、S偏光(入射面に垂直な電界ベクトルを持つ直
線偏光)を入射した際の回折光の偏光方向を第10図に
示す。
線偏光)を入射した際の回折光の偏光方向を第10図に
示す。
この場合は、第9図に示すと同じ空間フィルタにより、
範囲78および110に入射する回、折光を遮断し、範
囲77に入射する回折光は。
範囲78および110に入射する回、折光を遮断し、範
囲77に入射する回折光は。
第9図に示す偏光フィルタを90’回転して設置した偏
光フィルタにより遮断する。
光フィルタにより遮断する。
また、第11図に、垂直に入射した際の、入射光の偏光
方向111と1回折光の偏光方向112を示す。この場
合は、範囲79,80,81.82および87に入射す
る回折光を、空間フィルタ16で遮光し、範囲85,8
6.87および88に入射する回折光を、偏光フィルタ
17により遮光すれば良い。
方向111と1回折光の偏光方向112を示す。この場
合は、範囲79,80,81.82および87に入射す
る回折光を、空間フィルタ16で遮光し、範囲85,8
6.87および88に入射する回折光を、偏光フィルタ
17により遮光すれば良い。
また、He−Neレーザ8の光束の入射角度を約60°
にした場合、バタン角度βが約23゜のバタンからの反
射光が強いことが実験によりわかった。そこで、第13
図に示すような形状を持つ空間フィルタを用いるとよい
。このフィルタは、上記23“のバタンからの回折光を
効果的に遮光し、異物からの散乱光をより多くとりこむ
ことができる。
にした場合、バタン角度βが約23゜のバタンからの反
射光が強いことが実験によりわかった。そこで、第13
図に示すような形状を持つ空間フィルタを用いるとよい
。このフィルタは、上記23“のバタンからの回折光を
効果的に遮光し、異物からの散乱光をより多くとりこむ
ことができる。
さらに、この入射角度を大きくとった方が、異物からの
散乱光を大きくすることができることも実験により、わ
かった。
散乱光を大きくすることができることも実験により、わ
かった。
レチクル5は、第4図に示したような、わく37、薄膜
36から構成される異物付着防止具を用いる場合もある
。この場合、入射角度を大きくとると、わく37により
遮光されて、照明できない領域39が生じる。ここで、
1800回転させた側からの照明として、微小異物照明
部12と同じ構成の微小異物照明部120も合わせて用
いる構成により、この領域に照明し。
36から構成される異物付着防止具を用いる場合もある
。この場合、入射角度を大きくとると、わく37により
遮光されて、照明できない領域39が生じる。ここで、
1800回転させた側からの照明として、微小異物照明
部12と同じ構成の微小異物照明部120も合わせて用
いる構成により、この領域に照明し。
検査を可能にする。この場合、第14図に示すように、
ハーフミラ−88により光束を分け、空間フィルタ89
.偏光フィルタ90.干渉フィルタ91.−次元固体撮
像素子92による構成を追加しそれぞれに、第13図に
示した空間フィルタ16を16および89として互いに
180°回転して用いて、領域39を検査する際は、光
束41により照明だけにより、検出器92で検査する。
ハーフミラ−88により光束を分け、空間フィルタ89
.偏光フィルタ90.干渉フィルタ91.−次元固体撮
像素子92による構成を追加しそれぞれに、第13図に
示した空間フィルタ16を16および89として互いに
180°回転して用いて、領域39を検査する際は、光
束41により照明だけにより、検出器92で検査する。
これにより、検査不能領域がなくなる。
もちろん、この検査不能領域は、レチクル5を180°
回転させることにより、検査することも可能である。
回転させることにより、検査することも可能である。
また、微小異物照明部12と、微小異物照明部120の
光源を変え、光束55と119の波長をそれぞれλ□、
λ2とし、ハーフミラ−88の変わりに波長分離ミラー
を用いλ0.λ2を分離する構成でも良い。この方法に
よれば、光源のスイッチングをしなくて良い。
光源を変え、光束55と119の波長をそれぞれλ□、
λ2とし、ハーフミラ−88の変わりに波長分離ミラー
を用いλ0.λ2を分離する構成でも良い。この方法に
よれば、光源のスイッチングをしなくて良い。
さらに、これらの2方向照明には、別の効果もある。第
6図に示したように実際の微小異物は、対称なものでな
い。光束55による照明と光束119による照明では、
反射面121,122の大きさ、形状の異いにより散乱
光の強度。
6図に示したように実際の微小異物は、対称なものでな
い。光束55による照明と光束119による照明では、
反射面121,122の大きさ、形状の異いにより散乱
光の強度。
偏光などが異なる。このような場合、−方だけの場合、
誤検出の恐れがあるのに対し、二方向照射の場合、どち
らか−方では検出できる可能性が高くなり検出の信頼性
が向上する。
誤検出の恐れがあるのに対し、二方向照射の場合、どち
らか−方では検出できる可能性が高くなり検出の信頼性
が向上する。
また第15図に示した空間フィルタを用いて。
微小異物検出部20は1つの光学系で検出することも可
能である。
能である。
また、この計算結果を用いれば、第16図に示したよう
に、部分的に偏光フィルタの向きを変えて効果的に、パ
タン7からの反射光を遮光することができる。また、微
小な領域内で偏光方向が極端に変わる場合は、近似する
ことができないため、遮光板と並用しても良い。
に、部分的に偏光フィルタの向きを変えて効果的に、パ
タン7からの反射光を遮光することができる。また、微
小な領域内で偏光方向が極端に変わる場合は、近似する
ことができないため、遮光板と並用しても良い。
この場合、パタン7を形成する材質および基板46の材
質により、偏光の分布が異なるため、式(2)により、
計算し、偏光113の組み合わせを設計しなおせば良い
。
質により、偏光の分布が異なるため、式(2)により、
計算し、偏光113の組み合わせを設計しなおせば良い
。
また、照明手段は、S偏光あるいはP偏光を用いて説明
したが、S偏光あるいはP偏光以外の偏光方向を持つ直
線偏光照明に対する反射光の偏光を計算することで、任
意の偏光の直線偏光照明に対して効果的にパタンからの
反射光を遮光する偏光フィルタを設計することができる
。
したが、S偏光あるいはP偏光以外の偏光方向を持つ直
線偏光照明に対する反射光の偏光を計算することで、任
意の偏光の直線偏光照明に対して効果的にパタンからの
反射光を遮光する偏光フィルタを設計することができる
。
また、実際のレチクル5のパタン7は、第17図に示し
たようにβ=0°および90°のパタンだけの組み合わ
せによる場合がある。この場合、第18図に示したよう
な空間フィルタによって、β=o°のパタンからの回折
光を遮光部75により遮光するフィルタを設置すれば良
い。斜方からの照明によりβ=90°のパタンからの回
折光は、対物レンズ13に入射しないことは既に説明し
た。パタンの端部123からの散乱光は、無視できる強
度である。
たようにβ=0°および90°のパタンだけの組み合わ
せによる場合がある。この場合、第18図に示したよう
な空間フィルタによって、β=o°のパタンからの回折
光を遮光部75により遮光するフィルタを設置すれば良
い。斜方からの照明によりβ=90°のパタンからの回
折光は、対物レンズ13に入射しないことは既に説明し
た。パタンの端部123からの散乱光は、無視できる強
度である。
また、このようなパタンの検査に、第3図に示した垂直
入射による装置を用いた場合の空間フィルタを第19図
に示した。
入射による装置を用いた場合の空間フィルタを第19図
に示した。
第18図および第19図に示した空間フィルタ16によ
れば、パタン7からの回折光を完全に遮光できる。従っ
て、第17図に示したようなパタンであることがあらか
じめわかっている場合、これらの空間フィルタは有効で
ある。従って、空間フィルタ16は、交換ができる機構
にしておき、第17図に示したパタンであることがわか
っている場合に第18図または第19図に示した空間フ
ィルタ16につけかえて用いる。
れば、パタン7からの回折光を完全に遮光できる。従っ
て、第17図に示したようなパタンであることがあらか
じめわかっている場合、これらの空間フィルタは有効で
ある。従って、空間フィルタ16は、交換ができる機構
にしておき、第17図に示したパタンであることがわか
っている場合に第18図または第19図に示した空間フ
ィルタ16につけかえて用いる。
以上、3つの場合の説明をしたが、入射光の偏光方向、
入射角度、空間フィルタの形状、偏光フィルタの向きは
5上記の考え方によって設計されるべきものである。
入射角度、空間フィルタの形状、偏光フィルタの向きは
5上記の考え方によって設計されるべきものである。
(4)動作
レチクル5が載置され、He−Neレーザ8およびHe
−Cdレーザ31から光が照射される。
−Cdレーザ31から光が照射される。
He−Neレーザ8からの光は、パタン7および異物6
から反射あるいは散乱し、そのうち。
から反射あるいは散乱し、そのうち。
パタン7からの光は空間フィルタ16および。
偏光フィルタ17により遮光され、異物6からの散乱光
のみが、対物レンズ13およびリレーレンズ14により
一次元固体撮像素子19上に結像される。
のみが、対物レンズ13およびリレーレンズ14により
一次元固体撮像素子19上に結像される。
He−Cdレーザ31からの光は、対物レンズ13.輪
帯板33および空間フィルタ21により構成される位相
差顕微漿により、薄膜状異物からの透過光だけが強調さ
れ、−次元固体撮像素子23上に結像される。
帯板33および空間フィルタ21により構成される位相
差顕微漿により、薄膜状異物からの透過光だけが強調さ
れ、−次元固体撮像素子23上に結像される。
ここで、XYステージ1が駆動され、−次元固体撮像素
子19および23からの信号が2値化回路114,11
5および論理和作成回路25を通してマイクロコンピュ
ータ27にとりこまれる。待時にマイクロコンピュータ
27はステージ制御系26を制御するため、異物が検出
された際の、XYステージ1の位置がマイクロコンピュ
ータ27内のメモリに記憶される。
子19および23からの信号が2値化回路114,11
5および論理和作成回路25を通してマイクロコンピュ
ータ27にとりこまれる。待時にマイクロコンピュータ
27はステージ制御系26を制御するため、異物が検出
された際の、XYステージ1の位置がマイクロコンピュ
ータ27内のメモリに記憶される。
異物の検出に際しては、あるしきい値を決めておき、そ
の値より大きな信号が入った場合。
の値より大きな信号が入った場合。
異物と判断する。
以下、第21図に示した試料を検出した際の信号処理を
、第22ないし第28図を用いて説明する。
、第22ないし第28図を用いて説明する。
パタン7の形成されたレチクル5上に、微小異物6およ
び薄膜状異物118が載っている。
び薄膜状異物118が載っている。
このレチクル5をXYステージ1上に載置しXステージ
により、方向124の走査をする。
により、方向124の走査をする。
この場合、−次元固体撮像素子19内の1素子からの信
号を、第23図に示した。微小異物6からの散乱光がピ
ーク125となって検出される。
号を、第23図に示した。微小異物6からの散乱光がピ
ーク125となって検出される。
また、−次元固体撮像素子23内の1素子からの信号は
、第23図に示した。薄膜状異物118からの信号がピ
ーク126となって検出される。
、第23図に示した。薄膜状異物118からの信号がピ
ーク126となって検出される。
また、通常の透過光照明による検出信号を第22に示し
た。この信号は本実施例で、薄膜状異物照明部のランプ
をキセノンランプとし、空間フィルタ21および色フィ
ルタ22を除いた時に、−次元固体撮像素子23内の7
素子により検出される信号である。
た。この信号は本実施例で、薄膜状異物照明部のランプ
をキセノンランプとし、空間フィルタ21および色フィ
ルタ22を除いた時に、−次元固体撮像素子23内の7
素子により検出される信号である。
この信号は、パタン7と、基板46を区別しているが、
微小異物6および薄膜状異物118を検出していない。
微小異物6および薄膜状異物118を検出していない。
本発明による効果は、第22図と第23図および第24
図を比較すると明確である。
図を比較すると明確である。
第23図および第28図に示した信号は、2値化回路1
14および115内で設定されたしきい値127および
128により2値化されそれぞれ第25図および第26
図に示した信号。
14および115内で設定されたしきい値127および
128により2値化されそれぞれ第25図および第26
図に示した信号。
ピーク129および130が得られる。論理和作成回路
25により第28図に示した信号が作られ、マイクロコ
ンピュータ27にとりこまれる。
25により第28図に示した信号が作られ、マイクロコ
ンピュータ27にとりこまれる。
ここで、異物118の種類や空間フィルタ21の形状に
よっては、異物118のエツジが強調され信号133の
ようになることがある。この場合、2値化信号は、第2
6図、ピーク134.135となり、2つの異物として
カウントされるが、異物検出の本来の目的を達成すると
いう意味からはさしつかえない。
よっては、異物118のエツジが強調され信号133の
ようになることがある。この場合、2値化信号は、第2
6図、ピーク134.135となり、2つの異物として
カウントされるが、異物検出の本来の目的を達成すると
いう意味からはさしつかえない。
マイクロコンピュータ27では、ステージ制御系26を
制御する際の信号から、この2つのピーク129および
130の位置131および132が計算される。
制御する際の信号から、この2つのピーク129および
130の位置131および132が計算される。
ここで、第20図に示した回路構成によれば、アナログ
加算回路116により、第27図に示した信号が得られ
、2値化回路117により。
加算回路116により、第27図に示した信号が得られ
、2値化回路117により。
第28図に示した2値化信号が得られる。この信号がマ
イクロコンピュータ27にとりこまれ、位置131およ
び132が計算される。
イクロコンピュータ27にとりこまれ、位置131およ
び132が計算される。
以上、実施例により1本発明を説明した。この実施例で
は、ハーフミラ−15,干渉フィルタ18および色フィ
ルタ22により、微小異物および薄膜状異物を別の検出
系で検出する構成とした。
は、ハーフミラ−15,干渉フィルタ18および色フィ
ルタ22により、微小異物および薄膜状異物を別の検出
系で検出する構成とした。
これにより2種の異物を区別できる効果がある。
しかし、2種の異物検出そのものが本発明の目的である
ため、ハーフミラ−15,干渉フィルタ18、色フィル
タ22を用いず、検出部24だけとすることも可能であ
る。この構成を第29図に示した。この際、He −N
eレーザ8およびHe−Cdレーザ31の出力を制御
することで、2種の異物からの検出信号を同じレベルに
する。また、空間フィルタとしては、空間フィルタ16
.空間フィルタ21および偏光フィルタ17を重ねて用
いれば良い。
ため、ハーフミラ−15,干渉フィルタ18、色フィル
タ22を用いず、検出部24だけとすることも可能であ
る。この構成を第29図に示した。この際、He −N
eレーザ8およびHe−Cdレーザ31の出力を制御
することで、2種の異物からの検出信号を同じレベルに
する。また、空間フィルタとしては、空間フィルタ16
.空間フィルタ21および偏光フィルタ17を重ねて用
いれば良い。
この構成により、より単純な構成で上記目的を達成でき
る。
る。
この構成の場合、−次元固体撮像素子23による検出信
号は第27図のものとなり、その2値化信号は第28図
のものとなる。
号は第27図のものとなり、その2値化信号は第28図
のものとなる。
以上説明したように、本発明によれば、LSI製造での
レチクルおよびマスクを用いた露光工程で、任意のパタ
ンを有するレチクルおよびマスク上の異物を検出する異
物検査装置で、該パタンからの反射光を効果的に消去で
きるので、微小異物および薄膜状異物だけを強調して検
出することができる。
レチクルおよびマスクを用いた露光工程で、任意のパタ
ンを有するレチクルおよびマスク上の異物を検出する異
物検査装置で、該パタンからの反射光を効果的に消去で
きるので、微小異物および薄膜状異物だけを強調して検
出することができる。
第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図はステ
ージの断面図、第3図は照明部のブロック図1第4図は
レチクルの側面図、第5図は一次元固体撮像素子の斜視
図、第6図はレチクルの拡大図、第7図は射出光の偏光
方向を示した射視図。 第8図、第10図および第11図は第7図の平面図、第
9図、第12図、第13図、第15図、第18図および
第19図は空間フィルタの平面図。 第14図は検出部のブロック図、第16図は偏光フィル
タの平面図、第17図はパタンの平面図。 第20図は制御部のブロック図、第21図はレチクルの
断面図、第22図ないし第28図は信号を示す図、第2
9図は実施例のブロック図である。 1・・・XYステージ、5・・レチクル、8・・・He
−Neレーザ、3L−He−Cdレーザ、13−・・
対物レンズ、16・・空間フィルタ、17・・・偏光フ
ィルタ、21・・空間フィルタ、19.23・・・−次
元固体撮像素子、27・・マイクロコンピュータ。 7・・− 代理人弁理士 小 川 勝 男、− 躬 1 固 躬20 も30 第 5 [8 塙d 筋 7η 馬 8図 躬9匿 ワ5 躬IO虐 第 11L 綱 第14圀 躬/6”n 躬1’7 i A 躬 18力 第21図 ス〒−ジイ装置× 括23虐 ス子−シ狙胃【X 第 25111] /3j 又チー:/4′!L置 K 第2b[fl 7干−シイfL L X 躬2′7月 ス子−ンイmI X 第 287 ス↑−シイ1置−X
ージの断面図、第3図は照明部のブロック図1第4図は
レチクルの側面図、第5図は一次元固体撮像素子の斜視
図、第6図はレチクルの拡大図、第7図は射出光の偏光
方向を示した射視図。 第8図、第10図および第11図は第7図の平面図、第
9図、第12図、第13図、第15図、第18図および
第19図は空間フィルタの平面図。 第14図は検出部のブロック図、第16図は偏光フィル
タの平面図、第17図はパタンの平面図。 第20図は制御部のブロック図、第21図はレチクルの
断面図、第22図ないし第28図は信号を示す図、第2
9図は実施例のブロック図である。 1・・・XYステージ、5・・レチクル、8・・・He
−Neレーザ、3L−He−Cdレーザ、13−・・
対物レンズ、16・・空間フィルタ、17・・・偏光フ
ィルタ、21・・空間フィルタ、19.23・・・−次
元固体撮像素子、27・・マイクロコンピュータ。 7・・− 代理人弁理士 小 川 勝 男、− 躬 1 固 躬20 も30 第 5 [8 塙d 筋 7η 馬 8図 躬9匿 ワ5 躬IO虐 第 11L 綱 第14圀 躬/6”n 躬1’7 i A 躬 18力 第21図 ス〒−ジイ装置× 括23虐 ス子−シ狙胃【X 第 25111] /3j 又チー:/4′!L置 K 第2b[fl 7干−シイfL L X 躬2′7月 ス子−ンイmI X 第 287 ス↑−シイ1置−X
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、試料を載置する台と、該試料を照明する第1の照明
手段と、該試料からの反射光を検出する検出手段より構
成される異物検査装置であって、該試料を透過照明する
手段を設けたことを特徴とする異物検査装置。 2、上記検出手段に結像する結像手段を有することを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の異物検査装置。 3、試料を載置する走査ステージと、該試料に対して上
方から照明する直線偏光照明手段と、光検出器と、該光
検出器上に該試料面を結像する光学系と、該光学系内に
設置された偏光板と、該光検出器と走査ステージを駆動
する駆動回路から構成される異物検査装置であって、該
試料面の該光学系の光路に遮光板を設けたことを特徴と
する異物検査装置。 4、試料を載置する試料台と、透過照明手段と、光検出
器と、該光検出器上に該パタン面を結像する光学系と、
該試料面の該光学系の光路中に設置された遮光部と通過
部より成る光学素子とから構成される位相差顕微鏡を設
け、走査ステージと、該走査ステージおよび光検出器を
駆動する駆動回路とを設けたことを特徴とする異物検査
装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14951786A JPH0646182B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | マスク上の異物検査装置およびその方法 |
US07/067,136 US4922308A (en) | 1986-06-27 | 1987-06-29 | Method of and apparatus for detecting foreign substance |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14951786A JPH0646182B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | マスク上の異物検査装置およびその方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS636443A true JPS636443A (ja) | 1988-01-12 |
JPH0646182B2 JPH0646182B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=15476867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14951786A Expired - Lifetime JPH0646182B2 (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | マスク上の異物検査装置およびその方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0646182B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH079823U (ja) * | 1993-07-16 | 1995-02-10 | トーヨーカネツ株式会社 | チェーンコンベヤの駆動装置 |
US5539514A (en) * | 1991-06-26 | 1996-07-23 | Hitachi, Ltd. | Foreign particle inspection apparatus and method with front and back illumination |
JP2004294194A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Nikon Corp | 欠陥検査装置、欠陥検査方法及びホールパターンの検査方法 |
WO2010044351A1 (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-22 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検出方法の高感度化 |
US8446578B2 (en) | 2003-03-26 | 2013-05-21 | Nikon Corporation | Defect inspection apparatus, defect inspection method and method of inspecting hole pattern |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5965428A (ja) * | 1982-10-06 | 1984-04-13 | Hitachi Ltd | 異物検査装置 |
JPS6165107A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-03 | Hitachi Ltd | 表面欠陥検査方法 |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP14951786A patent/JPH0646182B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5965428A (ja) * | 1982-10-06 | 1984-04-13 | Hitachi Ltd | 異物検査装置 |
JPS6165107A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-03 | Hitachi Ltd | 表面欠陥検査方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5539514A (en) * | 1991-06-26 | 1996-07-23 | Hitachi, Ltd. | Foreign particle inspection apparatus and method with front and back illumination |
JPH079823U (ja) * | 1993-07-16 | 1995-02-10 | トーヨーカネツ株式会社 | チェーンコンベヤの駆動装置 |
JP2004294194A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Nikon Corp | 欠陥検査装置、欠陥検査方法及びホールパターンの検査方法 |
JP4529366B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2010-08-25 | 株式会社ニコン | 欠陥検査装置、欠陥検査方法及びホールパターンの検査方法 |
US8446578B2 (en) | 2003-03-26 | 2013-05-21 | Nikon Corporation | Defect inspection apparatus, defect inspection method and method of inspecting hole pattern |
WO2010044351A1 (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-22 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検出方法の高感度化 |
JP2010096554A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検出方法の高感度化 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0646182B2 (ja) | 1994-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2796316B2 (ja) | 欠陥または異物の検査方法およびその装置 | |
US4922308A (en) | Method of and apparatus for detecting foreign substance | |
US4952058A (en) | Method and apparatus for detecting abnormal patterns | |
JP3458139B2 (ja) | パターニングされた基板の光学検査用装置 | |
JP3314440B2 (ja) | 欠陥検査装置およびその方法 | |
US5659390A (en) | Method and apparatus for detecting particles on a surface of a semiconductor wafer having repetitive patterns | |
KR920007196B1 (ko) | 이물질 검출방법 및 그 장치 | |
JP3483948B2 (ja) | 欠陥検出装置 | |
JPH0786465B2 (ja) | 異物検出方法及び装置 | |
JP2007033433A (ja) | 欠陥検査装置およびその方法 | |
JP3573587B2 (ja) | 微小欠陥検査方法およびその装置並びに露光方法および半導体基板の製造方法 | |
US6879391B1 (en) | Particle detection method and apparatus | |
JP3087384B2 (ja) | 異物検査装置 | |
JPS61104243A (ja) | 異物検出方法及びその装置 | |
JPS636443A (ja) | マスク上の異物検査装置およびその方法 | |
JPH10282007A (ja) | 異物等の欠陥検査方法およびその装置 | |
JP2000097872A (ja) | 光学的検査装置 | |
JP3053096B2 (ja) | 異物検出方法およびその装置 | |
JP3102493B2 (ja) | 異物検査方法及びその装置 | |
JPS636442A (ja) | 異物検査方法及びその装置 | |
JPH0752156B2 (ja) | 異物検査装置 | |
JP2506725B2 (ja) | パタ−ン欠陥検査装置 | |
JPH08304296A (ja) | 異物等の欠陥検出方法およびそれを実行する装置 | |
JP3020546B2 (ja) | 異物検査装置 | |
JP3410013B2 (ja) | 欠陥または異物の検査方法及びその装置 |