JPS6364347A - 集積回路パツケ−ジ - Google Patents
集積回路パツケ−ジInfo
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- JPS6364347A JPS6364347A JP61206912A JP20691286A JPS6364347A JP S6364347 A JPS6364347 A JP S6364347A JP 61206912 A JP61206912 A JP 61206912A JP 20691286 A JP20691286 A JP 20691286A JP S6364347 A JPS6364347 A JP S6364347A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の技術分野)
本発明は、集積回路チップの高密度実装パッケージに関
するものである。
するものである。
(従来技術とその問題点)
従来の集積回路チップを搭載する集積回路パッケージは
、第1図、第2図(第1図に直角方向の断面図)に示す
ように構成されていた。ここで、1は集積回路チップ、
2は配線層2aと冷却用管路4を有する構造体、3は配
線層2aとI10ピン5とを電気的に接続するスルーホ
ール、6は集積回路チップ1を保護するためのキャンプ
、7は集積回路チップ1と配線N2aとを接続するワイ
ヤー、8は複数の冷却用管路4へ冷媒を分配する冷媒分
配部、9は冷媒集合部、10.10a、 10b、 1
0c、 10dは冷媒の流れをそれぞれ表す。
、第1図、第2図(第1図に直角方向の断面図)に示す
ように構成されていた。ここで、1は集積回路チップ、
2は配線層2aと冷却用管路4を有する構造体、3は配
線層2aとI10ピン5とを電気的に接続するスルーホ
ール、6は集積回路チップ1を保護するためのキャンプ
、7は集積回路チップ1と配線N2aとを接続するワイ
ヤー、8は複数の冷却用管路4へ冷媒を分配する冷媒分
配部、9は冷媒集合部、10.10a、 10b、 1
0c、 10dは冷媒の流れをそれぞれ表す。
本構造はスルーホール3のピッチが構造体2内で最も広
い構造体2の下層部に冷却用管路・tを設けた構造であ
り、外部から供梧された冷媒1oは冷媒分配部8によっ
て各冷却用管路4へ分配される。
い構造体2の下層部に冷却用管路・tを設けた構造であ
り、外部から供梧された冷媒1oは冷媒分配部8によっ
て各冷却用管路4へ分配される。
集積回路チップ1で生した熱は構造体2を伝わり、冷却
用管路4を?Aれる冷媒Jobによって外部へ持ち去ら
れる。温まった冷媒は、冷媒集合部9で集められ、再び
外部へ10dのように流出する。
用管路4を?Aれる冷媒Jobによって外部へ持ち去ら
れる。温まった冷媒は、冷媒集合部9で集められ、再び
外部へ10dのように流出する。
しかしながら、本構造では、冷却用管路4.冷媒分配部
8.冷媒集合部9のみを採り出して示した第3図のよう
に、冷却用管路4は冷媒の流れ方向に対しその幅が直線
状であるため、冷媒分配部8近傍の熱伝導率は高いが、
冷媒集合部9近傍では冷却用管路4の管壁に79って温
度境界層が発達するため、熱伝導率は著しく低下してし
まう欠点を有している。その結果、冷媒分配部8の近傍
に搭載された集積回路チ・7ブ1と冷媒集合部9近傍に
搭載された集積回路千ツブ1との接合部温度に大きな温
度差を生し、ひいては集積回路チップlが正常動作しな
(なる欠点もあった。
8.冷媒集合部9のみを採り出して示した第3図のよう
に、冷却用管路4は冷媒の流れ方向に対しその幅が直線
状であるため、冷媒分配部8近傍の熱伝導率は高いが、
冷媒集合部9近傍では冷却用管路4の管壁に79って温
度境界層が発達するため、熱伝導率は著しく低下してし
まう欠点を有している。その結果、冷媒分配部8の近傍
に搭載された集積回路チ・7ブ1と冷媒集合部9近傍に
搭載された集積回路千ツブ1との接合部温度に大きな温
度差を生し、ひいては集積回路チップlが正常動作しな
(なる欠点もあった。
更に、第5図は第3図A部を拡大して示したものである
。冷却用管路4の間の間隙を貫通ずるスルーホール3を
装造する上では、スルーホール3の周囲に十分な製造余
裕を確保しておくことが必須である。
。冷却用管路4の間の間隙を貫通ずるスルーホール3を
装造する上では、スルーホール3の周囲に十分な製造余
裕を確保しておくことが必須である。
ここで、スルーホール3の製造余裕をd、冷JJJ用管
路4の幅をWとすると、スルーホール3の最小ピッチS
は、冷却用管路4が冷媒の流れ方向に対し直線状である
ため、(d+W)までしか縮めることができず、冷却用
管路4の間を貫1111するスルーホール3の数には制
限がある欠点を有していた。
路4の幅をWとすると、スルーホール3の最小ピッチS
は、冷却用管路4が冷媒の流れ方向に対し直線状である
ため、(d+W)までしか縮めることができず、冷却用
管路4の間を貫1111するスルーホール3の数には制
限がある欠点を有していた。
(発明の目的)
本発明の目的は、冷却能力が裔<、かつ、冷却用管路間
を貫通するスルーホールの数を増加した高密度実装用集
積回路パッケージを提供することにある。
を貫通するスルーホールの数を増加した高密度実装用集
積回路パッケージを提供することにある。
(発明の構成)
本発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次の通りである。即ぢ、本発明は冷却用管路4の一部分
の幅を少なくとも1個所状くしたことを最も主要な特徴
とする。従来の技術では、冷却用管路4の管壁に沿って
温度境界層が発達するため、熱伝導率が低下し、冷却能
力が低かったのに対し、本発明の構造では冷却用管路4
の一部分の幅を狭くしているため、この部分で冷媒の流
れが乱れ、温度境界層の発達を抑制できるため、熱伝達
率が高く、高い冷却能力を実現できる点が大きく異なる
。
次の通りである。即ぢ、本発明は冷却用管路4の一部分
の幅を少なくとも1個所状くしたことを最も主要な特徴
とする。従来の技術では、冷却用管路4の管壁に沿って
温度境界層が発達するため、熱伝導率が低下し、冷却能
力が低かったのに対し、本発明の構造では冷却用管路4
の一部分の幅を狭くしているため、この部分で冷媒の流
れが乱れ、温度境界層の発達を抑制できるため、熱伝達
率が高く、高い冷却能力を実現できる点が大きく異なる
。
更にスルーホール3の近傍のみ冷却用管、li:j、
、の幅を狭くすれば、冷媒の流れが乱れ、前記と同(J
シ冷却能力が増加するとともに、冷却用管路4間の間隙
にスルーホール3の製造余裕を十分確保した状態でスル
ーホール3のピッチを縮めることができるため、冷却用
管路4間を貫通するスルーホール数を大幅に増加するこ
とができる点が従来法と大きく異なる。
、の幅を狭くすれば、冷媒の流れが乱れ、前記と同(J
シ冷却能力が増加するとともに、冷却用管路4間の間隙
にスルーホール3の製造余裕を十分確保した状態でスル
ーホール3のピッチを縮めることができるため、冷却用
管路4間を貫通するスルーホール数を大幅に増加するこ
とができる点が従来法と大きく異なる。
以下、本発明の一実施例について図面を用いて具体的に
説明する。
説明する。
〔実施例1〕
第4図は本発明を用いた最も効果的な構造を説明する第
1の実施例を示す図であって、3aはスルーホール、4
aは一部分の幅を狭くした冷却用管路、10eは冷媒の
流れ方向、11はスルーホール3aの製造余裕を確保し
た冷却用管路隔壁をそれぞれ表す。
1の実施例を示す図であって、3aはスルーホール、4
aは一部分の幅を狭くした冷却用管路、10eは冷媒の
流れ方向、11はスルーホール3aの製造余裕を確保し
た冷却用管路隔壁をそれぞれ表す。
尚本図は、冷却用管路4aのみを抽出し、その一部分の
みを示した図である。
みを示した図である。
本構造は、スルーホール3aの配置を千鳥状にし、スル
ーホール3aのピンチを従来のSに比べその半分のS/
2に採ったものであり(第5図参照)、スルーホール3
dの製造余裕を確保するため、スルーホール3a近傍の
みでは冷却用管路隔壁11のi陥を厚く矩形状にし、そ
の結果、スルーホール3a近傍の冷却用管路4aの幅を
狭くした構造である。
ーホール3aのピンチを従来のSに比べその半分のS/
2に採ったものであり(第5図参照)、スルーホール3
dの製造余裕を確保するため、スルーホール3a近傍の
みでは冷却用管路隔壁11のi陥を厚く矩形状にし、そ
の結果、スルーホール3a近傍の冷却用管路4aの幅を
狭くした構造である。
従って、本構造では、冷媒が108のように蛇行して、
流れるため、流れが乱れ、温度境界層の発達を抑えるこ
とができる。従って、熱伝達率は冷媒の流れ方向に対し
全体的に高くなると共に、冷媒分配部8近傍と冷媒集合
部9近傍における熱伝達率の差も小さい。よって、冷却
能力が向上するとともに、集積回路チップ1相互間の温
度差も低く抑えることができる。
流れるため、流れが乱れ、温度境界層の発達を抑えるこ
とができる。従って、熱伝達率は冷媒の流れ方向に対し
全体的に高くなると共に、冷媒分配部8近傍と冷媒集合
部9近傍における熱伝達率の差も小さい。よって、冷却
能力が向上するとともに、集積回路チップ1相互間の温
度差も低く抑えることができる。
この効果を例を用いて説明する。即ち゛、集積回路パン
ケージの外径寸法を85 am X 85m1とし、配
線層2aの厚さを51とし、スルーホール3および3a
のピッチSを2.54mmとすると、従来構造(第5図
参照)では、冷却用管路本数は29であるが、本t1が
造では42本となり、更に冷媒と接する表面積も増す。
ケージの外径寸法を85 am X 85m1とし、配
線層2aの厚さを51とし、スルーホール3および3a
のピッチSを2.54mmとすると、従来構造(第5図
参照)では、冷却用管路本数は29であるが、本t1が
造では42本となり、更に冷媒と接する表面積も増す。
また、冷媒の流れが乱れることによって流量一定の条件
で熱伝達率も30%程度増加するため、冷却用管路4a
の冷却能力は従来構造に比べ約1.9倍高くすることが
できる。更に集積回路パッケージの冷却能力で見た場合
、配線層の厚さが51と厚くても従来構造に比べ約1.
4倍高くすることが出来る。
で熱伝達率も30%程度増加するため、冷却用管路4a
の冷却能力は従来構造に比べ約1.9倍高くすることが
できる。更に集積回路パッケージの冷却能力で見た場合
、配線層の厚さが51と厚くても従来構造に比べ約1.
4倍高くすることが出来る。
よって以上の例で明らかなように、本構造を用いれば高
い冷却能力を実現することができる。
い冷却能力を実現することができる。
次に、スルーホール3aの数についても、前記の構造例
で比較すると、従来構造では32 X 32の1024
個であるのに対し、本構造では千鳥配置を採っているた
め、(32x 32)、 + (3f) x 30)の
1924個採ることができ、およそ2倍のスルーホール
3a数を確保することができる。
で比較すると、従来構造では32 X 32の1024
個であるのに対し、本構造では千鳥配置を採っているた
め、(32x 32)、 + (3f) x 30)の
1924個採ることができ、およそ2倍のスルーホール
3a数を確保することができる。
従って、冷却能力が高く、かつ冷却用管路48間を貫通
するスルーホール数を大幅に増加した高密度実装用集積
回路パッケージを実現することができる。
するスルーホール数を大幅に増加した高密度実装用集積
回路パッケージを実現することができる。
〔実施例2〕
第6図は本発明による第2の実施例を示す図であって、
3aはスルーホール、4bは冷却用管路、11aはスル
ーホール3aの製造余裕を確保した冷却用管路隔壁、1
0fは冷媒の流れ方向をそれぞれ表す。尚本図は冷却用
管路4aのみを抽出し、その一部分のみを示した図であ
る。
3aはスルーホール、4bは冷却用管路、11aはスル
ーホール3aの製造余裕を確保した冷却用管路隔壁、1
0fは冷媒の流れ方向をそれぞれ表す。尚本図は冷却用
管路4aのみを抽出し、その一部分のみを示した図であ
る。
本構造は第1の実施例と同様にスルーホール3aを千鳥
格子状に配置し、かつスルーホール3aの製造余裕を確
保するため、スルーホール3a近傍のみ冷却用管路隔壁
11aの幅を厚くかつ形状を円形状にし、その結果スル
ーホール3a近傍の冷却用管路4aの幅を狭くした構造
である。
格子状に配置し、かつスルーホール3aの製造余裕を確
保するため、スルーホール3a近傍のみ冷却用管路隔壁
11aの幅を厚くかつ形状を円形状にし、その結果スル
ーホール3a近傍の冷却用管路4aの幅を狭くした構造
である。
従って、本実施例でも第1実施例と同様に冷媒が蛇行し
て流れるため、流れは乱れ熱伝達率の増加によって冷却
能力が向上すると共にスルーホール3a数を大幅に増加
することができるため、高密度実装用集積回路バフゲー
ジを実現することができる。
て流れるため、流れは乱れ熱伝達率の増加によって冷却
能力が向上すると共にスルーホール3a数を大幅に増加
することができるため、高密度実装用集積回路バフゲー
ジを実現することができる。
なお、冷却用管路4a、 4bの形状は、例えば、構造
体2の材料がアルミナや千フ化アルミ等で配線層2aを
グリーンシート法で製造するのであれば、打ち抜きによ
って任意の形状を容易に作成することができる。
体2の材料がアルミナや千フ化アルミ等で配線層2aを
グリーンシート法で製造するのであれば、打ち抜きによ
って任意の形状を容易に作成することができる。
また、以上の説明では、冷却用管路4a、 4b幅の一
部分を狭(するため、その形状を矩形又は円形状にして
いたが、その形状はいかなる形状でも良いことは言うま
でもない。更に以上の説明では、スルーホール3a近傍
の冷却用管路4a、 4bの幅を狭くした構造を例に採
ったが、冷却用管路4a、 4bの幅を狭くする位置は
いかなる所であっても良いこというまでもない。
部分を狭(するため、その形状を矩形又は円形状にして
いたが、その形状はいかなる形状でも良いことは言うま
でもない。更に以上の説明では、スルーホール3a近傍
の冷却用管路4a、 4bの幅を狭くした構造を例に採
ったが、冷却用管路4a、 4bの幅を狭くする位置は
いかなる所であっても良いこというまでもない。
(発明の効果)
以上詳細に説明したように、本発明による集積回路パッ
ケージは、冷却用管路4a、 4bの幅を一部分狭くす
ることにより、冷媒が蛇行して流れるようになるため、
流れが乱れ熱伝達率が増加する。。
ケージは、冷却用管路4a、 4bの幅を一部分狭くす
ることにより、冷媒が蛇行して流れるようになるため、
流れが乱れ熱伝達率が増加する。。
よって、高い冷却能力を実現できる利点がある。
更に、流れが乱流となるため冷媒分配部8近傍と冷媒集
合部9近傍に於ける熱伝達率の差も小となり、集積回路
パッケージに搭載する集積回路チップ1間の温度差も低
く抑えることができる利点がある。
合部9近傍に於ける熱伝達率の差も小となり、集積回路
パッケージに搭載する集積回路チップ1間の温度差も低
く抑えることができる利点がある。
また、冷却用管路4a、 4b間の1間隙にスルーホー
ル3aの製造余裕を十分確保した状態でスルーホール3
aのピンチを縮めることができるため、冷却用管路4a
、 4b間を貫通するスルーホール数を大幅に増加する
ことができる利点がある。
ル3aの製造余裕を十分確保した状態でスルーホール3
aのピンチを縮めることができるため、冷却用管路4a
、 4b間を貫通するスルーホール数を大幅に増加する
ことができる利点がある。
第1図は従来構造の集積回路パンケージの;LfT面図
、第2図は第1図に対し直角方向の断面図、第3図は第
1図、第2図に示した従来例の冷奴分配部、冷却用管路
、冷媒集合部のみを採り出し冷媒の流れ方を示す部分拡
大図、第4図は本発明の特徴を最も良く表している第1
の実施例の主要部を示す拡大断面図、第5I′21!は
第3図ノX部の拡大図、第6図は本発明による第2の実
、絶倒の主要部を示ず拡大断面図である。 1・・・集積回路チップ、 2・・・構造体、2a・・
・配Na4.3+ 3a・・・スルーホール、4、4a
、 4b・・・冷却用管路、 5・・・I10ビン、6
・・・キャップ、 7・・・ワイヤ、8・・・冷媒分
配部、 9・・・冷媒集合部、10、10a、 10b
、 10c、 10d、 10e、 10f−冷媒の流
れ方向、 11・・・冷却用管路隔壁。
、第2図は第1図に対し直角方向の断面図、第3図は第
1図、第2図に示した従来例の冷奴分配部、冷却用管路
、冷媒集合部のみを採り出し冷媒の流れ方を示す部分拡
大図、第4図は本発明の特徴を最も良く表している第1
の実施例の主要部を示す拡大断面図、第5I′21!は
第3図ノX部の拡大図、第6図は本発明による第2の実
、絶倒の主要部を示ず拡大断面図である。 1・・・集積回路チップ、 2・・・構造体、2a・・
・配Na4.3+ 3a・・・スルーホール、4、4a
、 4b・・・冷却用管路、 5・・・I10ビン、6
・・・キャップ、 7・・・ワイヤ、8・・・冷媒分
配部、 9・・・冷媒集合部、10、10a、 10b
、 10c、 10d、 10e、 10f−冷媒の流
れ方向、 11・・・冷却用管路隔壁。
Claims (2)
- (1)集積回路チップを熱伝導率の良好な中間媒体を介
して電気信号用端子と配線層を有する構造体の片面また
は両面に搭載し、かつ前記構造物が前記集積回路チップ
から発生する熱を奪う冷却用管路を少なくとも1つ有す
る構成の集積回路パッケージにおいて、前記冷却用管路
の一部分の幅を少なくとも1個所狭く形成されたことを
特徴とする集積回路パッケージ。 - (2)前記冷却用管路間の間隙を貫通する電気信号接続
用スルーホール近傍の前記冷却管路幅を狭くしたことを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の集積回路パッ
ケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61206912A JPH0746714B2 (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | 集積回路パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61206912A JPH0746714B2 (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | 集積回路パツケ−ジ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6364347A true JPS6364347A (ja) | 1988-03-22 |
JPH0746714B2 JPH0746714B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=16531136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61206912A Expired - Fee Related JPH0746714B2 (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | 集積回路パツケ−ジ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0746714B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5402004A (en) * | 1990-08-14 | 1995-03-28 | Texas Instruments Incorporated | Heat transfer module for ultra high density and silicon on silicon packaging applications |
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