JPS6360541A - 転写バンプ用基板 - Google Patents
転写バンプ用基板Info
- Publication number
- JPS6360541A JPS6360541A JP20618186A JP20618186A JPS6360541A JP S6360541 A JPS6360541 A JP S6360541A JP 20618186 A JP20618186 A JP 20618186A JP 20618186 A JP20618186 A JP 20618186A JP S6360541 A JPS6360541 A JP S6360541A
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- Japan
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- bump
- patterns
- substrate
- bumps
- transfer
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
、産1ユj冴旧1分団
本発明は、フィルムキャリアのリードにバンプを転写す
る転写バンプ用基板に関する。
る転写バンプ用基板に関する。
従来図技血
ICチップの実装工程では、転写バンプ用基板にメッキ
で設けられたAu等のバンプを加圧・加熱して、ポリイ
ミドフィルム上に形成されたCu箔製のリードに転写し
、その後ICチップをリードに取り付けるTAB方式が
多く用いられている。
で設けられたAu等のバンプを加圧・加熱して、ポリイ
ミドフィルム上に形成されたCu箔製のリードに転写し
、その後ICチップをリードに取り付けるTAB方式が
多く用いられている。
U<” ’ る、J・占
しかしながら、転写バンプ用基板には1種類のバンプパ
ターンが形成されているのみである。また、転写バンプ
用基板使用中にバンプパターン周辺にクラックが入る可
能性があるため、転写バンプ用基板が実際に使用できる
のは、約10回程度である。
ターンが形成されているのみである。また、転写バンプ
用基板使用中にバンプパターン周辺にクラックが入る可
能性があるため、転写バンプ用基板が実際に使用できる
のは、約10回程度である。
本発明は、上記事情に鑑みて創案されたもので、複数種
類のICチップをリードに取り付ける際に使用すること
ができ、転写バンプ用基板の全体としての耐久性を向上
できる転写バンプ用基板を提供することを目的としてい
る。
類のICチップをリードに取り付ける際に使用すること
ができ、転写バンプ用基板の全体としての耐久性を向上
できる転写バンプ用基板を提供することを目的としてい
る。
口 占 ”°° るための
本発明は、転写バンプ用基板に複数種類のリードパター
ンに対応するバンプパターンを形成し、使用するバンプ
パターン以外のバンプパターンをメッキマスクと選択的
に除去可能な絶縁膜で覆う。
ンに対応するバンプパターンを形成し、使用するバンプ
パターン以外のバンプパターンをメッキマスクと選択的
に除去可能な絶縁膜で覆う。
皿
あるICチップをリードに取り付ける際には、そのリー
ドに対応するバンプパターン以外のバンプパターンを例
えばホトレジストで覆い、必要なバンプパターン上にの
みバンプを形成する。
ドに対応するバンプパターン以外のバンプパターンを例
えばホトレジストで覆い、必要なバンプパターン上にの
みバンプを形成する。
そのバンプパターンの使用が終了したら、次のバンプパ
ターンを選択し、そのバンプパターン以外のバンプパタ
ーンをホトレジストで覆い、そのバンプパターンを先と
同様に使用する。
ターンを選択し、そのバンプパターン以外のバンプパタ
ーンをホトレジストで覆い、そのバンプパターンを先と
同様に使用する。
1詣±
以下、図面を参照して本発明に係る一実施例を説明する
。
。
第1図は本発明に係る転写バンプ用基板の断面図、第2
図は本発明に係る転写バンプ用基板の使用方法を説明す
る工程図である。
図は本発明に係る転写バンプ用基板の使用方法を説明す
る工程図である。
なお、本実施例では、2種類のICチップに対応するこ
とのできる転写バンプ用基板を例にとって説明する。
とのできる転写バンプ用基板を例にとって説明する。
本発明に係る転写バンプ用基板10は、ガラス基板11
と、その上に形成される500 人のPt、1000人
のTiとからなる導電層12と、さらにその上に2種類
のバンプパターン13a 、13bを同一面にもった例
えばSi02 、StNなどのメッキマスク13とから
形成される。
と、その上に形成される500 人のPt、1000人
のTiとからなる導電層12と、さらにその上に2種類
のバンプパターン13a 、13bを同一面にもった例
えばSi02 、StNなどのメッキマスク13とから
形成される。
次に、本発明に係る転写バンプ用基板10の使用方法を
説明する。
説明する。
■必要なバンプパターン(ここでは バンプパターン1
3a)以外のバンプパターン13bをホトレジストある
いはポリイミド等のメッキマスク13と選択的に除去可
能な絶縁膜30で覆う。
3a)以外のバンプパターン13bをホトレジストある
いはポリイミド等のメッキマスク13と選択的に除去可
能な絶縁膜30で覆う。
■バンプパターン13a上にAuを導電層12をメッキ
用電極としてメッキし、バンプ20aを形成する(第2
図(a)参照)。
用電極としてメッキし、バンプ20aを形成する(第2
図(a)参照)。
■バンプ20aが形成された転写ハンプ用基板10をポ
リイミドフィルム40に密着させ、加圧・加熱すること
でバンプ40をリード41aに転写する(第2図(b)
参照)。
リイミドフィルム40に密着させ、加圧・加熱すること
でバンプ40をリード41aに転写する(第2図(b)
参照)。
■上記したように、メッキマスク13は約10回の使用
にしか耐えられないので、バンプパターン13aを約1
0回使用すれば、絶縁膜30を除去し、次のバンプパタ
ーン13b以外のバンプパターン31aヲiたな絶縁膜
30で覆い、■と同様にバンプ20bを形成する(第2
図(c)参照)。
にしか耐えられないので、バンプパターン13aを約1
0回使用すれば、絶縁膜30を除去し、次のバンプパタ
ーン13b以外のバンプパターン31aヲiたな絶縁膜
30で覆い、■と同様にバンプ20bを形成する(第2
図(c)参照)。
■バンプパターン13bに対応するリード41bに対し
て、前述した■、■と同様のことを繰り返す。
て、前述した■、■と同様のことを繰り返す。
なお、本実施例では、バンプパターンを2種類にして説
明したが、同じ種類の複数個のパターンを一枚の転写バ
ンプ用基板上に形成することも可能である。
明したが、同じ種類の複数個のパターンを一枚の転写バ
ンプ用基板上に形成することも可能である。
光訓図法果
本発明に係る転写バンプ用基板によれば、−枚の転写バ
ンプ用基板上に複数バンプパターンを形成し、不必要な
バンプパターンを絶縁膜で覆うので必要なバンプパター
ンのみがメッキ成長され、−枚の転写バンプ用基板の耐
用性が向上する。
ンプ用基板上に複数バンプパターンを形成し、不必要な
バンプパターンを絶縁膜で覆うので必要なバンプパター
ンのみがメッキ成長され、−枚の転写バンプ用基板の耐
用性が向上する。
第1図は本発明に係る転写バンプ用基板の断面図、第2
図は本発明に係る転写バンプ用基板の使用方法を説明す
る工程図である。 10・・・転写バンプ用基板、13・・・メッキマスク
、13a、13b ・・・バンプパターン、30・・
・絶縁膜。
図は本発明に係る転写バンプ用基板の使用方法を説明す
る工程図である。 10・・・転写バンプ用基板、13・・・メッキマスク
、13a、13b ・・・バンプパターン、30・・
・絶縁膜。
Claims (1)
- (1)複数のバンプパターンが形成されたメッキマスク
の1つのバンプパターンを除く他のバンプパターンがメ
ッキマスクと選択的に除去可能な絶縁膜で覆われている
転写バンプ用基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20618186A JPS6360541A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 転写バンプ用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20618186A JPS6360541A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 転写バンプ用基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6360541A true JPS6360541A (ja) | 1988-03-16 |
Family
ID=16519155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20618186A Pending JPS6360541A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 転写バンプ用基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6360541A (ja) |
-
1986
- 1986-09-01 JP JP20618186A patent/JPS6360541A/ja active Pending
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