JPS6359608B2 - - Google Patents

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JPS6359608B2
JPS6359608B2 JP15592481A JP15592481A JPS6359608B2 JP S6359608 B2 JPS6359608 B2 JP S6359608B2 JP 15592481 A JP15592481 A JP 15592481A JP 15592481 A JP15592481 A JP 15592481A JP S6359608 B2 JPS6359608 B2 JP S6359608B2
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capacitor
capacitors
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circuit
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JP15592481A
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JPS5857815A (ja
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H19/00Networks using time-varying elements, e.g. N-path filters
    • H03H19/004Switched capacitor networks
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H15/00Transversal filters
    • H03H15/02Transversal filters using analogue shift registers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Filters That Use Time-Delay Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はトランスバーサル・フイルタに関し、
特に互にスイツチング素子で接続された複数段の
コンデンサにより構成されたトランスバーサル・
フイルタに関するものである。
従来トランスバーサル・フイルタとしては、第
1図に示す如く、遅延素子D1,D2,D3…Doと重
み付け調整回路1−1,1−2,1−3…1−n
と、これらの重み付け調整回路1−1,1−2…
1−nの出力を加算する加算回路2により構成さ
れている。ここで遅延素子D1,D2…Doは入力信
号Vinを単位時間Tだけ遅延させて伝送するも
の、また重み付け調整回路1−1,1−2…1−
nはそれぞれ遅延素子D1,D2…Doの出力電圧
V1,V2…Voをどの程度の割合で出力するかとい
うもので、その重みづけ係数をh1、h2、h3…ho
するとき、その重み付け調整回路1−1,1−
2,1−3…1−nの出力はそれぞれh1V1
h2V2,hoVoとなる。そしてこれらの出力が、加
算回路2で加算されるので、結局この加算回路2
から得られる出力電圧Voutは Vout=h1V1+h2V2+…hoVo となる。
したがつて、トランスバーサル・フイルタとし
て、CCD(電荷結合デバイス)を遅延線として使
用して、このCCD遅延線の各ノードの電荷量を
検出し、これに重みづけ係数をかけこれらを加算
するとき、各ノードの電圧をVKとし、それにか
かる重みづけ係数をhK(ここでK=1、2、…n)
とし、サンプリング周波数をfcとするとその出力
電圧Voutは Vout(mTc)=oK=1 hK・VK(mTc)= oK=1 hK・Vin Z-k ……(1) となる。
ここでfc=1/Tc、またmはm番目を示す。
このような原理を用いたCCDトランスバーサ
ル・フイルタの実例として電極分割形CCDフイ
ルタがある。これは各ノード電圧の重みづけをK
番目の電極が(1+hK):(1−hK)の比となるよ
うに構成され、各電極よりの出力はオペ・アンプ
により検出されるような構成のフイルタである。
しかしこのようなCCDフイルタの欠点は取扱う
電荷量が非常に小さいために信号出力の小さなも
のしかできず、ダイナミツクレンジが大きくとれ
ない。したがつて信号とノイズとの比が大きくと
れないということである。
それ故、信号出力の大きなものを得るためにス
イツチド・キヤパシタを使用したフイルタが開発
されている。これはコンデンサCとオペ・アンプ
OPとを組み合わせ、入力電圧で充電したコンデ
ンサを出力側のオペ・アンプに切換えて積分器を
構成する。そしてこのコンデンサCの端子をスイ
ツチング部Sで入力側または出力側に切換えると
きの時間で遅延タイミングを得るものである。
しかしながらこのようなスイツチド・キヤパシ
タとオペ・アンプを使用して各段毎の信号を出力
するために段数が増加すればする程オペ・アンプ
の数も増加する。このようなオペ・アンプを使用
した場合、高次のフイルタ構成ではオペ・アンプ
の数もその次数分だけ増加し、これを構成する半
導体のチツプサイズやその消費電力も増大すると
いう欠点がある。しかもオペ・アンプを使用して
いるために高い周波数まで取扱うことができず、
せいぜい10KHz程度までしか使用できなかつた。
したがつて本発明の目的は、前記の如きCCD
トランスバーサル・フイルタや各段毎にオペ・ア
ンプを使用したトランスバーサル・フイルタのも
つ各問題点を改善して、大きなダイナミツクレン
ジを有し、しかもオペ・アンプを使用することな
く消費電力の少ない、LSIにより構成できるトラ
ンスバーサル・フイルタを提供するものである。
そしてこのために本発明におけるトランスバーサ
ル・フイルタでは入力信号側と出力信号側に接続
されるスイツチを有するスイツチド・キヤパシタ
を有するトランスバーサル・フイルタにおいて、
入力信号を充電するタイミングをT/2とし、該
信号を記憶するタイミングをkT(Kは正の整数)
とし、さらにその後出力信号側へ接続されるタイ
ミングをT/2として1周期(k+T)のクロツ
クで動作するキヤパシタをk+1個設け、初段に
重み付けを行うためのキヤパシタンスを設けると
ともに他の同一遅延段の各キヤパシタを同容量と
し、しかもこのキヤパシタの容量にもとづきトラ
ンスバーサル・フイルタのタツプ係数を定めるよ
うにした特徴としている。
以下本発明のもつとも簡単な一実施例を第3図
にもとづき説明する。第3図イはその構成図を示
し、同図ロはその動作説明図である。
第3図で、C0,C1,C2はコンデンサ、S0,S1
S2はスイツチング回路、Vは入力電圧、V′は出
力電圧、各スイツチング回路においてaは入力側
の接点、bは出力側の接点である。そしてコンデ
ンサC1とC2は同容量のものであり、コンデンサ
C0,C1,C2の大きさは重みづけにより異なるも
のである。重みづけが大きいものはその容量は大
きく定められ、重みづけの小さなものはその容量
が小さく定められている。
スイツチング回路S0は時刻T1、T2、T3におい
てコンデンサC0を接点a、つまり入力側に接続
し、それらの中間の時刻T1′、T2′、T3′では接点
b、つまり出力側に接続するように、交互に切換
接続動作する。
しかしスイツチング回路S1は時刻T1とT3では
コンデンサC1を接点aに接続するように動作し、
時刻T2′ではコンデンサC1を接点bに接続するよ
うに動作するが、時刻T1′、T2′、T3′ではコンデ
ンサC1が接点a,bのいずれとも接続しないニ
ユートラル(N)位置にあるように動作する。
そしてスイツチング回路S2も、同様に、時刻
T1′とT3′ではコンデンサC2を接点bに接続する
ように動作し、時刻T2では接点aに接続するよ
うに動作するが、時刻T1、T2′、T3ではコンデン
サC2がニユートラル位置にあるように動作する。
したがつて、第3図ロよりも明らかに各時刻
T1、T1′…においてそれぞれ入力側、出力側に交
互に接続されるコンデンサの容量は常に等しい。
そしてコンデンサC0は1サイクル毎に入力側、
出力側に交互に接続されるが、コンデンサC1
C2は1サイクルのニユートラル期間があるので、
2サイクル毎に入力側、出力側に交互に接続され
ることになる。そして時刻T、T2、T3における
入力電圧をV1,V2,V3とするとき、時刻T2′に
おいてコンデンサC1に保持される電荷は時刻T1
においてコンデンサC1にチヤージされた電荷
Q(T1-C1)と同一であり、また時刻T2′においてコン
デンサC0に保持される電荷は時刻T2においてコ
ンデンサC0にチヤージされた電荷Q(T2-C0)である。
したがつて時刻T2′においてコンデンサC0,C1
電荷は Q(T1-C1)=C1V1 Q(T2-C0)=C0V2 となる。したがつてこのときの出力電圧V2′は V2′=Q(T1-C1)+Q(T2-C0)/C0+C1=C1V1+C0V2
C0+C1 ……(2) となる。同様に時刻T3′における出力電圧V3′は V3′=Q(T2-C2)+Q(T3-C0)/C0+C2=C2V2+C0V3
C0+C2 ……(3) となる。なおここでQ(T2-C2)は時刻T2においてコ
ンデンサC2にチヤージされた電荷であり、
Q(T3-C0)は時刻T3においてコンデンサC0にチヤー
ジされた電圧である。そしてC0+C1=C0+C2
あることはいうまでもない。このようにしてコン
デンサC0,C1(=C2)により重みづけした出力を
順次遅延手段を介して加算してとり出すことがで
きるので、トランスバーサル・フイルタとして動
作することができる。
次に本発明の一般的な構成を第4図に示し、そ
の動作状態を第5図にもとづき説明する。
第4図では8段構成(8タツプ)のトランスバ
ーサル・フイルタを示す。同図においてコンデン
サC11は第3図のコンデンサC0に対応し、コンデ
ンサC21,C22はコンデンサC2,C1に対応するもの
である。そして各段を構成するコンデンサはその
段内で同一容量で構成されている。したがつて第
2段目を構成するコンデンサC21とC22は同一容量
であり、第5段目を構成するコンデンサC51〜C55
はそれぞれ同一容量である。同様にして第6段目
を構成するコンデンサC61〜C66は同一容量であ
り、第7段目を構成するコンデンサC71〜C77は同
一容量であり、第8段目を構成するコンデンサ
C81〜C85はこれまた同一容量である。しかし各段
のコンデンサC11,C21,…C71,C81はそれぞれの
重みづけにより選択された容量を有する。
また第4図におけるスイツチS11は第3図にお
けるスイツチング回路S0に対応するものであつ
て、コンデンサC11を入力側回路あるいは出力側
回路に接続するものであり、スイツチS21,S22
それぞれスイツチング回路S2,S1に対応するもの
であつてそれぞれコンデンサC21,C22を入力側回
路、出力側回路あるいはニユートラル状態にする
ものである。スイツチS51〜S55,S61〜S66,S71
S77およびS81〜S88も、スイツチS21,S22と同様
に、それぞれのコンデンサを入力側回路、出力側
回路あるいはニユートラル状態にするものであ
る。
スイツチS11は、例えばC−MOSトランジスタ
の如き半導体素子で構成され、第5図に示すクロ
ツクφ11がハイ(H)レベルのt1、t2、t3…のときにコ
ンデンサC11が入力側回路に接続され、クロツク
φ′11がHレベルのt1′、t2′、t3′…のときにコンデ

サC11が出力側回路に接続されるものである。し
たがつてクロツクφ11がHレベルの時刻t1、t2、t3
が第3図ロの時刻T1、T2、T3に相当し、クロツ
クφ′11がHレベルの時刻t1′、t2′、t3′が第3図ロ

時刻T1′、T2′、T3′に相当するものである。
そしてスイツチS21,S22もスイツチS11と同様
に半導体素子で構成される。スイツチS21はクロ
ツクφ21がHレベルのとき入力側回路に接続され、
クロツクφ′21がレベルのとき出力側回路に接続さ
れ、φ′21,φ′21がいずれもロー(L)レベルのときは
ニユートラル状態になる。そしてスイツチS22
クロツクφ22がHレベルのとき入力側回路に接続
され、クロツクφ′22がHレベルのとき出力側回路
に接続され、φ22,φ′22がいずれもLレベルのと
きはニユートラル状態になる。したがつてスイツ
チS21,S22は、第5図のl2,l2′に示す如く、クロ
ツクt1,t2…およびt1′,t2′…の周期Tに等しいニ
ユートラル期間を有する。
クロツクφ31,φ′31,…で制御される図示省略
したスイツチS31…も同様に制御され、それぞれ
2Tのニユートラル期間l3、l3′…を有する。そして
クロツクφ41,φ′41…で制御される図示省略した
スイツチS41…も同様に制御される3Tのニユート
ラル期間l4…を有する。同様にしてスイツチS51
…,S61…,S71…,S81…も同様なニユートラル
期間を有し、スイツチS81,S82…は7Tのニユー
トラル期間l3、l3′…を有するものである。
そして、クロツクφ11がHレベル時刻t1、t2…で
は各段を構成するコンデンサはいずれか1つが入
力側回路に接続され、クロツクφ′11がHレベルの
時刻t1′、t2′…では、これまた同様に各段を構成
するトランジスタはいずれか1つが出力側回路に
接続されている。したがつて時刻t1、t2…では入
力側回路に接続されている各コンデンサの容量は
C11+C20+…+C71+C81であり、また時刻t′1,t′2
…で出力側回路に接続されている各コンデンサの
容量は、これまたC11+C21+…+C71、+C81であ
る。
したがつて、一般的に、φ11,φ21,φ22,φ31
を書込みクロツクφjkとし、φ′11,φ′21,φ′22
φ′31…を読出しクロツクφ′jkとするとき、書込ク
ロツクφjkがHレベルのときスイツチSjkは入力側
回路に接続され、読出しクロツクφ′jkがHレベル
のとき回路Sjkは入力側回路に接続され、Lレベ
ルのとき接続状態とと断される。そして書込みク
ロツクφkjがHレベルのとき読出しクロツクφ′jk
Lレベルにあり、またφ′jkがHレベルのときφjk
Lレベルにある。また各コンデンサCj1,Cj2…Cjj
は同容量値である。そして時刻tkにおいて、φjk
(j=1、2、3〜8)はHレベルとなりSjkが入
力側に接続され、コンデンサCjkに入力電荷がチ
ヤージされる。
そしてt′kにおいて読出しクロツクφ′j、((k+
1))jはHレベルになりスイツチSj、((k+1))j
は出力側に接続される。ここで((k+1))jはj
を法とする整数である。そしてこのときの出力電
圧V′(tk)は V′(tk)
ΣCj、((k+1))j・Vio{t(k−j+1)}/CT ……(4) となる。ここでCT8j=1 Cjkである。
このときの重みhjは hj=Cjk/CT となる。したがつてVio{t(k−j+1)}=Vio
Z-j+1とすれば、 V′(tk)8j=1 hj・VioZ-j+1 ……(5) である。
ここでCjk/CT=hjであり、hjがトランスバー
サル・フイルタの係数となるようにCjkの大きさ
を決めれば前記(5)式により、第4図の回路により
トランスバーサル・フイルタが得られること明ら
かである。
以上説明の如く、本発明によればオペ・アンプ
をその内部に使用することなく、しかもダイナミ
ツクレンジの大きいスイツチド・キヤパシター形
の、LSIフイルタとして構成可能なスイツチド・
キヤパシター形の、低電力消費のトランスバーサ
ル・フイルタを得ることができる。なおこのトラ
ンスバーサル・フイルタの出力段には、外部回路
(バツフア・アンプ)を付加できることは勿論で
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図はトランスバーサル・フイルタの一般構
成図、第2図はオペ・アンプを使用したときの説
明図、第3図は本発明の原理構成を示す一実施
例、第4図は本発明の他の実施例構成、第5図は
第4図の動作説明図である。 図中、D1,D2…Doは遅延素子、1−1,1−
2…1−nは重み付け調整回路、2は加算回路、
OPはオペ・アンプ、C0,C1,C2はコンデンサ、
S0,S1,S2はスイツチング回路、C11,C21,C22
…C88はコンデンサ、S11,S21,S22,…S88はスイ
ツチをそれぞれ示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 入力信号側と出力信号側に接続されるスイツ
    チを有するスイツチド・キヤパシタを有するトラ
    ンスバーサル・フイルタにおいて、入力信号を充
    電するタイミングをT/2とし、該信号を記憶す
    るタイミングをkT(kは正の整数)とし、さらに
    その後出力信号側へ接続されるタイミングをT/
    2として1周期(k+T)のクロツクで動作する
    キヤパシタをk+1個設け、初段に重み付けを行
    うためのキヤパシタンスを設けるとともに他の同
    一遅延段の各キヤパシタを同容量とし、しかもこ
    のキヤパシタの容量にもとづきトランスバーサ
    ル・フイルタのタツプ係数を定めるようにしたこ
    とを特徴とするトランスバーサル・フイルタ。
JP15592481A 1981-09-30 1981-09-30 トランスバ−サル・フイルタ Granted JPS5857815A (ja)

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