JPS6357721B2 - - Google Patents
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- JPS6357721B2 JPS6357721B2 JP58080416A JP8041683A JPS6357721B2 JP S6357721 B2 JPS6357721 B2 JP S6357721B2 JP 58080416 A JP58080416 A JP 58080416A JP 8041683 A JP8041683 A JP 8041683A JP S6357721 B2 JPS6357721 B2 JP S6357721B2
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- 238000013139 quantization Methods 0.000 claims description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
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- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
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- 238000005956 quaternization reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C3/00—Measuring distances in line of sight; Optical rangefinders
- G01C3/02—Details
- G01C3/06—Use of electric means to obtain final indication
- G01C3/08—Use of electric radiation detectors
- G01C3/085—Use of electric radiation detectors with electronic parallax measurement
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Focusing (AREA)
- Facsimile Image Signal Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、例えばオートフオーカスカメラ等に
用いるのに好適な距離測定装置に関する。
用いるのに好適な距離測定装置に関する。
(従来技術)
第1図はこの種の距離測定装置の測定原理を示
す説明図で、1は被写体、2,3はレンズ、4は
レンズの焦点面、5,6,7は被写体像、8は第
1の受光素子列、9は第2の受光素子列である。
す説明図で、1は被写体、2,3はレンズ、4は
レンズの焦点面、5,6,7は被写体像、8は第
1の受光素子列、9は第2の受光素子列である。
被写体1は2つのレンズ2及び3により、それ
ぞれ焦点面4上に被写体像5及び6を結ぶ。尚、
被写体1が無限遠にある場合は、被写体1からの
光線は光路lに沿つて入射し、被写体像7を結
ぶ。従つて、被写体像6と被写体像7との間隔x
が検出できれば、被写体1までの距離aは、周知
の三角測距法から、次のように求めることができ
る。
ぞれ焦点面4上に被写体像5及び6を結ぶ。尚、
被写体1が無限遠にある場合は、被写体1からの
光線は光路lに沿つて入射し、被写体像7を結
ぶ。従つて、被写体像6と被写体像7との間隔x
が検出できれば、被写体1までの距離aは、周知
の三角測距法から、次のように求めることができ
る。
a=f・B/x (1)
ここで、fはレンズ2及び3の焦点距離、Bは
基線長である。尚、焦点面4上に鮮明な被写体像
を得るために、fはf≪aに選ばれる。
基線長である。尚、焦点面4上に鮮明な被写体像
を得るために、fはf≪aに選ばれる。
上記(1)式中のxを求めるに際しては、被写体像
7の代わりにレンズ2による被写体像5を用いて
いる。即ち、焦点面4のレンズ2及び3による結
像位置近傍に第1及び第2の受光素子列8,9を
配置し、これら二つの受光素子列により得られる
被写体像5,6のパターンの間隔と基線長Bとの
差を求め、これをxとしている。第1図は測定原
理説明のため直角三角形(被写体像5の位置を直
角とする)となるよう光学系や受光素子列を配し
ているが、被写体1は2つの光学系及び受光素子
の組に対し、色々な位置に配される可能性があ
る。しかし、第1図中被写体1が受光素子8,9
に対し、その一方の真正面にあろうと、例えば受
光素子8の正面より右にあろうと左にあろうと基
本的には変わりがない。例えば第1図中の1′で
示した被写体に対しては、被写体像は基線長Bの
両側にそれぞれx1、x2の位置に結像することにな
るが、前記(1)式のxをx1+x2にすれば同様に距離
aは求められる。
7の代わりにレンズ2による被写体像5を用いて
いる。即ち、焦点面4のレンズ2及び3による結
像位置近傍に第1及び第2の受光素子列8,9を
配置し、これら二つの受光素子列により得られる
被写体像5,6のパターンの間隔と基線長Bとの
差を求め、これをxとしている。第1図は測定原
理説明のため直角三角形(被写体像5の位置を直
角とする)となるよう光学系や受光素子列を配し
ているが、被写体1は2つの光学系及び受光素子
の組に対し、色々な位置に配される可能性があ
る。しかし、第1図中被写体1が受光素子8,9
に対し、その一方の真正面にあろうと、例えば受
光素子8の正面より右にあろうと左にあろうと基
本的には変わりがない。例えば第1図中の1′で
示した被写体に対しては、被写体像は基線長Bの
両側にそれぞれx1、x2の位置に結像することにな
るが、前記(1)式のxをx1+x2にすれば同様に距離
aは求められる。
以下、第1図の構成の場合について説明する。
さて、第2図A,Bは上述の間隔xを求めるため
の具体的な構成を示すブロツク図である。まず第
2図Aの図において、8及び9は第1図と同様の
受光素子列であり、10,11は受光素子列8,
9からの出力を2値化する2値化回路列、12,
13はそれぞれ受光素子列8,9に対応した同一
ビツト数のシフトレジスタ、14は一致検出回路
列、15はカウンタ、16は判断回路である。受
光素子列8及び9の各受光素子のアナログ出力
は、2値化回路列10及び11により、適宜なス
レツシユホールドレベルで2値化され、シフトレ
ジスタ12及び13に書き込まれる。尚、第2図
Bに示す如く12と13が共にシフトレジスタで
ある必要はなく、12をラツチ回路とした場合、
少なくとも一方(13に相当する)はシフトレジ
スタであることが望ましい。第2図Aに戻つて、
シフトレジスタ12及び13の各ビツトの出力
は、前述のような所定の組合せで一致検出回路列
14に入力されている。一致検出回路列14の各
回路は、2つの入力が同じものであつたら、“1”
を、又、異なるものであつたら“0”を出力す
る。一致検出回路列14の出力のうちの“1”の
数はカウンタ15により計数され、判断回路16
にその計数値が出力される。判断回路16は、こ
の計数値を記憶した後、シフトレジスタ12又は
13を1ビツトシフトさせて上述の動作を行わ
せ、カウンタ15の出力を読み取り、図示しない
記憶手段で記憶する。このようなシフトレジスタ
12,13のシフトと、カウンタ15の計数値を
読取/記憶を所定回数繰り返した後、記憶されて
いるカウンタ15の読取値のうち最大のものを求
める。この場合が受光素子列8及び9の像が最も
一致しているわけで、初期状態からこの最大の一
致数を与えるまでのシフトレジスタ12或いは1
3のシフト回数がxに相当する。尚、一致検出回
路のビツト数は必ずしも各受光素子の素子数と同
じでなくてもよいし、受光素子も互いに同数の素
子数でなくても適宜回路構成の変形で同様なシフ
ト回数xを演算できる。即ち、光学系と受光素子
の配置に応じて、シフトレジスタの一部のみを比
較したり、直角三角形タイプでは一方にシフトパ
ルスを入れずに他方のみシフトしつつ逐次比較を
行つたり、両方に交互にシフトパルスを入れ逐次
比較を行うこともできる。
さて、第2図A,Bは上述の間隔xを求めるため
の具体的な構成を示すブロツク図である。まず第
2図Aの図において、8及び9は第1図と同様の
受光素子列であり、10,11は受光素子列8,
9からの出力を2値化する2値化回路列、12,
13はそれぞれ受光素子列8,9に対応した同一
ビツト数のシフトレジスタ、14は一致検出回路
列、15はカウンタ、16は判断回路である。受
光素子列8及び9の各受光素子のアナログ出力
は、2値化回路列10及び11により、適宜なス
レツシユホールドレベルで2値化され、シフトレ
ジスタ12及び13に書き込まれる。尚、第2図
Bに示す如く12と13が共にシフトレジスタで
ある必要はなく、12をラツチ回路とした場合、
少なくとも一方(13に相当する)はシフトレジ
スタであることが望ましい。第2図Aに戻つて、
シフトレジスタ12及び13の各ビツトの出力
は、前述のような所定の組合せで一致検出回路列
14に入力されている。一致検出回路列14の各
回路は、2つの入力が同じものであつたら、“1”
を、又、異なるものであつたら“0”を出力す
る。一致検出回路列14の出力のうちの“1”の
数はカウンタ15により計数され、判断回路16
にその計数値が出力される。判断回路16は、こ
の計数値を記憶した後、シフトレジスタ12又は
13を1ビツトシフトさせて上述の動作を行わ
せ、カウンタ15の出力を読み取り、図示しない
記憶手段で記憶する。このようなシフトレジスタ
12,13のシフトと、カウンタ15の計数値を
読取/記憶を所定回数繰り返した後、記憶されて
いるカウンタ15の読取値のうち最大のものを求
める。この場合が受光素子列8及び9の像が最も
一致しているわけで、初期状態からこの最大の一
致数を与えるまでのシフトレジスタ12或いは1
3のシフト回数がxに相当する。尚、一致検出回
路のビツト数は必ずしも各受光素子の素子数と同
じでなくてもよいし、受光素子も互いに同数の素
子数でなくても適宜回路構成の変形で同様なシフ
ト回数xを演算できる。即ち、光学系と受光素子
の配置に応じて、シフトレジスタの一部のみを比
較したり、直角三角形タイプでは一方にシフトパ
ルスを入れずに他方のみシフトしつつ逐次比較を
行つたり、両方に交互にシフトパルスを入れ逐次
比較を行うこともできる。
ところで、受光素子の出力を上述の如く2値化
する回路として、従来は、例えば第3図の構成の
ものが用いられていた(尚、第3図には受光素子
1個分しか示していないが、これらを所定数設け
ることにより受光素子列に対応する回路が形成さ
れる)。図において、17はフオトダイオード
(受光素子)、18,19はスイツチングトランジ
スタ、20はコンデンサ、21はインバータであ
る。
する回路として、従来は、例えば第3図の構成の
ものが用いられていた(尚、第3図には受光素子
1個分しか示していないが、これらを所定数設け
ることにより受光素子列に対応する回路が形成さ
れる)。図において、17はフオトダイオード
(受光素子)、18,19はスイツチングトランジ
スタ、20はコンデンサ、21はインバータであ
る。
その動作は、まず、CLEAR入力よりスイツチ
ングトランジスタ18をオンさせ、コンデンサC
の電荷を放電させることにより開始される。その
後、CLEAR入力によりスイツチングトランジス
タ18をオフさせ、次にD入力によりスイツチン
グトランジスタ19をオンさせる。すると、コン
デンサ20には、フオトダイオード17からスイ
ツチングトランジスタ19を通して光の強度に略
比例した光電流iが流れ込む。スイツチングトラ
ンジスタ19をオンさせた後、一定時間tが経過
したら、今度はD入力を操作してスイツチングト
ランジスタ19をオフさせる。この時、コンデン
サ20には、略i×tなる電荷がたまつており、
その結果インバータ21の入力には、Vin=it/
Cの電圧が加えられることになる。インバータ2
1のスレツシユホールド電圧をVthとすると、
Vin≧Vthならば、インバータ21の出力値は
“0”となり、Vin<Vthならば、インバータ21
の出力値は“1”となる。
ングトランジスタ18をオンさせ、コンデンサC
の電荷を放電させることにより開始される。その
後、CLEAR入力によりスイツチングトランジス
タ18をオフさせ、次にD入力によりスイツチン
グトランジスタ19をオンさせる。すると、コン
デンサ20には、フオトダイオード17からスイ
ツチングトランジスタ19を通して光の強度に略
比例した光電流iが流れ込む。スイツチングトラ
ンジスタ19をオンさせた後、一定時間tが経過
したら、今度はD入力を操作してスイツチングト
ランジスタ19をオフさせる。この時、コンデン
サ20には、略i×tなる電荷がたまつており、
その結果インバータ21の入力には、Vin=it/
Cの電圧が加えられることになる。インバータ2
1のスレツシユホールド電圧をVthとすると、
Vin≧Vthならば、インバータ21の出力値は
“0”となり、Vin<Vthならば、インバータ21
の出力値は“1”となる。
ここで、スイツチングトランジスタ19の導通
時間tが長すぎると、全ての受光素子においてコ
ンデンサ20が充電され過ぎてインバータの入力
がスレツシユホールド電圧を越えてしまうし、反
対に短すぎると、コンデンサ20がほとんど充電
されないので、インバータ21への入力がスレツ
シユホールド電圧を越えることができない。即
ち、時間tを考慮せずに2値化すると、例えば、
全て“0”又は全て“1”のパターンしか得られ
ず、距離測定が不可能になる。従つて、時間tの
設定は受光素子列の受光量を考慮して行う必要が
あるが、この種の制御は一般に複雑である。又、
2値化したパターンでの比較では、情報量が乏し
く正確さに欠けることは明白であるが、通常の手
段で光電流をA/D変換して情報量を多くするこ
とは、コストアツプを招き、動作時間も長くな
る。このため、従来のこの種の距離測定装置で
は、短時間に且つ正確に距離測定を行うことは困
難であつた。
時間tが長すぎると、全ての受光素子においてコ
ンデンサ20が充電され過ぎてインバータの入力
がスレツシユホールド電圧を越えてしまうし、反
対に短すぎると、コンデンサ20がほとんど充電
されないので、インバータ21への入力がスレツ
シユホールド電圧を越えることができない。即
ち、時間tを考慮せずに2値化すると、例えば、
全て“0”又は全て“1”のパターンしか得られ
ず、距離測定が不可能になる。従つて、時間tの
設定は受光素子列の受光量を考慮して行う必要が
あるが、この種の制御は一般に複雑である。又、
2値化したパターンでの比較では、情報量が乏し
く正確さに欠けることは明白であるが、通常の手
段で光電流をA/D変換して情報量を多くするこ
とは、コストアツプを招き、動作時間も長くな
る。このため、従来のこの種の距離測定装置で
は、短時間に且つ正確に距離測定を行うことは困
難であつた。
(発明の目的)
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたもの
で、その目的は、短時間に且つ正確に距離測定を
行える距離測定装置であつて簡単な構成のものを
実現することにある。
で、その目的は、短時間に且つ正確に距離測定を
行える距離測定装置であつて簡単な構成のものを
実現することにある。
(発明の構成)
この発明を達成する本発明の構成は、被写体か
らの反射光を互いに異なる光路を介してそれぞれ
受光し所定の焦点面上に被写体像を形成させる第
1及び第2の光学的手段と、該焦点面上の被写体
像に対応してそれぞれ所定個数ずつ受光素子が配
列された第1及び第2の受光素子列と、該第1及
び第2の受光素子列内の各受光素子の光電流をそ
れぞれ量子化する第1及び第2の量子化手段とを
有し、該第1及び第2の量子化手段の出力の相関
関係から前記被写体までの距離を測定する距離測
定装置において、前記量子化手段は、前記受光素
子列内の複数の受光素子それぞれについて設けら
れ該当受光素子の受光光量が所定値に達したか否
かを示す信号を出力する複数の比較手段と、該比
較手段の出力の少なくとも1つが前記所定値に達
したことを示すのを検出するためのゲート回路
と、該ゲート回路の出力に対応して所定のクロツ
クパルスを発生するパルス発生手段と、前記受光
素子列内の複数の受光素子それぞれに対応して設
けられた複数のカウンタ手段と、前記複数の比較
手段のうちの該当比較手段の出力に応じて前記パ
ルス発生手段の出力クロツクパルスを前記複数の
カウンタ手段のうちの該当カウンタ手段に計数さ
せる複数のゲート回路とを有し、前記複数のカウ
ンタ手段それぞれにて計数された計数値を量子化
情報として出力することを特徴とするものであ
る。
らの反射光を互いに異なる光路を介してそれぞれ
受光し所定の焦点面上に被写体像を形成させる第
1及び第2の光学的手段と、該焦点面上の被写体
像に対応してそれぞれ所定個数ずつ受光素子が配
列された第1及び第2の受光素子列と、該第1及
び第2の受光素子列内の各受光素子の光電流をそ
れぞれ量子化する第1及び第2の量子化手段とを
有し、該第1及び第2の量子化手段の出力の相関
関係から前記被写体までの距離を測定する距離測
定装置において、前記量子化手段は、前記受光素
子列内の複数の受光素子それぞれについて設けら
れ該当受光素子の受光光量が所定値に達したか否
かを示す信号を出力する複数の比較手段と、該比
較手段の出力の少なくとも1つが前記所定値に達
したことを示すのを検出するためのゲート回路
と、該ゲート回路の出力に対応して所定のクロツ
クパルスを発生するパルス発生手段と、前記受光
素子列内の複数の受光素子それぞれに対応して設
けられた複数のカウンタ手段と、前記複数の比較
手段のうちの該当比較手段の出力に応じて前記パ
ルス発生手段の出力クロツクパルスを前記複数の
カウンタ手段のうちの該当カウンタ手段に計数さ
せる複数のゲート回路とを有し、前記複数のカウ
ンタ手段それぞれにて計数された計数値を量子化
情報として出力することを特徴とするものであ
る。
(実施例)
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。下記の実施例は、第1図及び第2図
A,Bの構成を基本的には用いているので、その
部分についての説明は省略する。第4図は本発明
の一実施例(主要部)を示す回路図である。この
図において、41〜43は第3図の回路と同様な
構成の光検出回路で、ここでは3つの受光素子に
対応する回路部分だけを示したが、受光素子数に
応じて設ける必要があることは言うまでもない。
この光検出回路41〜43において、171〜1
73は一端が定電圧源Vccに接続されたフオトダ
イオード、181〜183及び191〜193は
スイツチング用トランジスタ(FET)、201〜
203はコンデンサである。スイツチングトラン
ジスタ181〜183とスイツチングトランジス
タ191〜193は、それぞれ直列接続され、フ
オトダイオード171〜173とアースとの間に
挿入接続されている。スイツチングトランジスタ
181〜183は、これに並列接続されたコンデ
ンサ201の電荷をCLEAR入力によつて放電さ
せるためのもの、スイツチングトランジスタ19
1〜193は、D入力によりフオトダイオード1
71〜173を流れる光電流をオン/オフするよ
うに動作するものである。211〜213はコン
デンサ201〜203のチヤージ電圧を入力する
インバータである。これらのインバータ201〜
203は、その出力が反転する入力レベル(スレ
ツシユホールド電圧)が共に揃つており、基準電
圧と入力電圧とを比較するコンパレータの動作を
行うものである。
説明する。下記の実施例は、第1図及び第2図
A,Bの構成を基本的には用いているので、その
部分についての説明は省略する。第4図は本発明
の一実施例(主要部)を示す回路図である。この
図において、41〜43は第3図の回路と同様な
構成の光検出回路で、ここでは3つの受光素子に
対応する回路部分だけを示したが、受光素子数に
応じて設ける必要があることは言うまでもない。
この光検出回路41〜43において、171〜1
73は一端が定電圧源Vccに接続されたフオトダ
イオード、181〜183及び191〜193は
スイツチング用トランジスタ(FET)、201〜
203はコンデンサである。スイツチングトラン
ジスタ181〜183とスイツチングトランジス
タ191〜193は、それぞれ直列接続され、フ
オトダイオード171〜173とアースとの間に
挿入接続されている。スイツチングトランジスタ
181〜183は、これに並列接続されたコンデ
ンサ201の電荷をCLEAR入力によつて放電さ
せるためのもの、スイツチングトランジスタ19
1〜193は、D入力によりフオトダイオード1
71〜173を流れる光電流をオン/オフするよ
うに動作するものである。211〜213はコン
デンサ201〜203のチヤージ電圧を入力する
インバータである。これらのインバータ201〜
203は、その出力が反転する入力レベル(スレ
ツシユホールド電圧)が共に揃つており、基準電
圧と入力電圧とを比較するコンパレータの動作を
行うものである。
光検出回路41〜43は上述の如く構成され、
その出力(インバータ211〜213の出力)
は、それぞれNORゲート22〜24に入力され
ている。更に、この光検出回路41〜43の出力
は、NANDゲート25にも入力されている。
その出力(インバータ211〜213の出力)
は、それぞれNORゲート22〜24に入力され
ている。更に、この光検出回路41〜43の出力
は、NANDゲート25にも入力されている。
26,27は共にフリツプフロツプで、入力
が“0”のときQ出力がセツトされて“1”とな
り、この入力が“0”のときQ出力がリセツト
されて“0”になるものである。この入力とし
ては、共に信号が与えられる。これらフ
リツプフロツプの内、フリツプフロツプ26は、
NANDゲート25の出力をインバータ28を介
して入力として受け、そのQ出力とクロツク入
力φとのAND出力でバイナリーカウンタ29を
カウントアツプさせるものである。バイナリーカ
ウンタ29は、信号を入力として受
け、入力が“0”のときに各出力Q0〜Q4を
“0”にリセツトし、CLK入力として与えられる
クロツク入力φとフリツプフロツプ26のQ出力
とのAND出力信号をカウントするものである。
このクロツク入力φは“1”の状態が一定又は可
変の時間間隔をもち、“0”の状態が一定幅のパ
ルス信号(以下、EVクロツクと呼ぶ)であり
(第6図参照)、その時間間隔の制御は、図示しな
いコントローラによつて行われる。30,31は
NANDゲートで、NANDゲート30はバイナリ
ーカウンタ29のQ0〜Q2出力を受け、その出力
をNORゲート22〜24に与えるもの、NAND
ゲート31はバイナリーカウンタQ3及びQ4出力
を受け、その出力をフリツプフロツプ27に入
力として与えるものである。尚、フリツプフロツ
プ27のQ出力はNORゲート22〜24に与え
られている。又、32〜34は2ビツトのバイナ
リーカウンタで、それぞれNORゲート22〜2
4の出力が“0”から“1”に変化する毎にカウ
ントアツプするものである。
が“0”のときQ出力がセツトされて“1”とな
り、この入力が“0”のときQ出力がリセツト
されて“0”になるものである。この入力とし
ては、共に信号が与えられる。これらフ
リツプフロツプの内、フリツプフロツプ26は、
NANDゲート25の出力をインバータ28を介
して入力として受け、そのQ出力とクロツク入
力φとのAND出力でバイナリーカウンタ29を
カウントアツプさせるものである。バイナリーカ
ウンタ29は、信号を入力として受
け、入力が“0”のときに各出力Q0〜Q4を
“0”にリセツトし、CLK入力として与えられる
クロツク入力φとフリツプフロツプ26のQ出力
とのAND出力信号をカウントするものである。
このクロツク入力φは“1”の状態が一定又は可
変の時間間隔をもち、“0”の状態が一定幅のパ
ルス信号(以下、EVクロツクと呼ぶ)であり
(第6図参照)、その時間間隔の制御は、図示しな
いコントローラによつて行われる。30,31は
NANDゲートで、NANDゲート30はバイナリ
ーカウンタ29のQ0〜Q2出力を受け、その出力
をNORゲート22〜24に与えるもの、NAND
ゲート31はバイナリーカウンタQ3及びQ4出力
を受け、その出力をフリツプフロツプ27に入
力として与えるものである。尚、フリツプフロツ
プ27のQ出力はNORゲート22〜24に与え
られている。又、32〜34は2ビツトのバイナ
リーカウンタで、それぞれNORゲート22〜2
4の出力が“0”から“1”に変化する毎にカウ
ントアツプするものである。
尚、NORゲート22〜24及びバイナリーカ
ウンタ32〜34の個数は、受光素子数に応じて
増加させる必要があることは勿論である。
ウンタ32〜34の個数は、受光素子数に応じて
増加させる必要があることは勿論である。
上記構成の実施例の動作を次に説明する。
まず、動作の開始にあたり、CLEAR入力によ
りスイツチングトランジスタ181〜183がオ
ンされ、コンデンサ201〜203の電荷が放電
される。又、これと同じタイミングで、フリツプ
フロツプ26,27が信号によつてリセ
ツトされ、そのQ出力が“0”となる。尚、
RESET信号は、動作開始時に“0”となり、そ
の後は“1”に固定される。従つて、バイナリー
カウンタ29への入力が動作開始時“0”とな
り、バイナリーカウンタ29の出力Q0〜Q4は全
て“0”で、その後フリツプフロツプ26の出力
が“1”となつたとき、ANDゲート35を介し
てクロツク入力φがバイナリーカウンタ29の
CLK端子に入力されることになる。
りスイツチングトランジスタ181〜183がオ
ンされ、コンデンサ201〜203の電荷が放電
される。又、これと同じタイミングで、フリツプ
フロツプ26,27が信号によつてリセ
ツトされ、そのQ出力が“0”となる。尚、
RESET信号は、動作開始時に“0”となり、そ
の後は“1”に固定される。従つて、バイナリー
カウンタ29への入力が動作開始時“0”とな
り、バイナリーカウンタ29の出力Q0〜Q4は全
て“0”で、その後フリツプフロツプ26の出力
が“1”となつたとき、ANDゲート35を介し
てクロツク入力φがバイナリーカウンタ29の
CLK端子に入力されることになる。
次に、CLEAR入力によりスイツチングトラン
ジスタ181〜183をオフさせた後、D入力に
よりスイツチングトランジスタ191〜193を
オンさせる。これにより、各フオトダイオード1
71〜173から、光電流がコンデンサ201〜
203に流れ込み、インバータ211〜213へ
の入力電圧が増加していく。そして、インバータ
211〜213の出力の何れか1つでも“0”に
反転すると、NANDゲート25の出力が“0”
から“1”に反転し、フリツプフロツプ26の
入力が“0”となり、そのQ出力が“1”となつ
て、EVクロツクφのカウントが開始される。バ
イナリーカウンタ29は信号によりリセ
ツトされ、Q0,Q1,Q2,Q3及びQ4出力は“0”
となる。NANDゲート30の出力は、バイナリ
ーカウンタ29の計数値の内、Q0〜Q2出力が全
て“1”になる毎に、“0”となる。従つて、
NORゲート22〜24の内、この時点でインバ
ータ211〜213から“0”なる信号を受けて
いるものの出力は“0”から“1”に立上がる。
この動作は、バイナリーカウンタ29のQ3及び
Q4出力が共に“1”になるまで続く。この後は、
NANDゲート31の出力によつてフリツプフロ
ツプ27がセツトされ、そのQ出力が“1”とな
るからである。この動作時間中に各NORゲート
22〜24の出力は、最大3回立上がる。即ち、
バイナリーカウンタ32〜34の計数値は、
“00”、“01”、“10”、“11”(2進数)の何れかを
と
り、少なくとも1つは、“11”をとる。このため、
フオトダイオード171〜173の出力(光電
流)はその最大値(最大輝度)を基準に4値化さ
せることになる。
ジスタ181〜183をオフさせた後、D入力に
よりスイツチングトランジスタ191〜193を
オンさせる。これにより、各フオトダイオード1
71〜173から、光電流がコンデンサ201〜
203に流れ込み、インバータ211〜213へ
の入力電圧が増加していく。そして、インバータ
211〜213の出力の何れか1つでも“0”に
反転すると、NANDゲート25の出力が“0”
から“1”に反転し、フリツプフロツプ26の
入力が“0”となり、そのQ出力が“1”となつ
て、EVクロツクφのカウントが開始される。バ
イナリーカウンタ29は信号によりリセ
ツトされ、Q0,Q1,Q2,Q3及びQ4出力は“0”
となる。NANDゲート30の出力は、バイナリ
ーカウンタ29の計数値の内、Q0〜Q2出力が全
て“1”になる毎に、“0”となる。従つて、
NORゲート22〜24の内、この時点でインバ
ータ211〜213から“0”なる信号を受けて
いるものの出力は“0”から“1”に立上がる。
この動作は、バイナリーカウンタ29のQ3及び
Q4出力が共に“1”になるまで続く。この後は、
NANDゲート31の出力によつてフリツプフロ
ツプ27がセツトされ、そのQ出力が“1”とな
るからである。この動作時間中に各NORゲート
22〜24の出力は、最大3回立上がる。即ち、
バイナリーカウンタ32〜34の計数値は、
“00”、“01”、“10”、“11”(2進数)の何れかを
と
り、少なくとも1つは、“11”をとる。このため、
フオトダイオード171〜173の出力(光電
流)はその最大値(最大輝度)を基準に4値化さ
せることになる。
第5図は上記実施例の如き回路による4値化の
説明図で、a図は、その横方向にそつて連続して
フオトダイオードが並び、各フオトダイオードが
出力する光電流が縦方向のレベルであることを示
している。又、b図は、各フオトダイオードの光
電流がどのように4値化されるかを示したもの
で、縦軸の目盛は、バイナリーカウンタ(第4図
のバイナリーカウンタ32〜34相当)の出力を
示している。
説明図で、a図は、その横方向にそつて連続して
フオトダイオードが並び、各フオトダイオードが
出力する光電流が縦方向のレベルであることを示
している。又、b図は、各フオトダイオードの光
電流がどのように4値化されるかを示したもの
で、縦軸の目盛は、バイナリーカウンタ(第4図
のバイナリーカウンタ32〜34相当)の出力を
示している。
このように最大輝度を基準に4値化した信号
を、第2図のシフトレジスタ12,13相当のシ
フトレジスタに入力すると、2値化の場合と比較
して情報量が多くなるため、正確な距離測定が可
能になる。一方、回路構成はそれ程複雑にならな
い。又、光電流によるコンデンサ充電中に、最大
値を記憶することなくリアルタイムで、簡易A/
D変換を行つているので、短時間の処理が可能に
なる。即ち、本発明では、全てのフオトダイオー
ドの出力を個々に比較することで最大値を求める
のでなく、最大輝度で照射されたフオトダイオー
ドは最小積分時間で済むということ、輝度差を時
間差として取り出すので、最大値を一度記憶し、
その後2値化、3値化、n値化するのに比べて一
度の積分時間の中で簡易A/D変換ができること
から、短時間の処理が可能になる。
を、第2図のシフトレジスタ12,13相当のシ
フトレジスタに入力すると、2値化の場合と比較
して情報量が多くなるため、正確な距離測定が可
能になる。一方、回路構成はそれ程複雑にならな
い。又、光電流によるコンデンサ充電中に、最大
値を記憶することなくリアルタイムで、簡易A/
D変換を行つているので、短時間の処理が可能に
なる。即ち、本発明では、全てのフオトダイオー
ドの出力を個々に比較することで最大値を求める
のでなく、最大輝度で照射されたフオトダイオー
ドは最小積分時間で済むということ、輝度差を時
間差として取り出すので、最大値を一度記憶し、
その後2値化、3値化、n値化するのに比べて一
度の積分時間の中で簡易A/D変換ができること
から、短時間の処理が可能になる。
上記実施例の4値化を写真撮影に適用する場合
は、例えば、最大輝度MAXより1EVきざみに分
け、(MAX)〜(MAX−1EV)、(MAX−1EV)
〜(MAX−2EV)、(MAX−2EV)〜(MAX−
3EV)、(MAX−3EV)以下の4段階に4値化す
る。しかし、一般の被写体での輝度範囲は多種多
様であり、低コントラストでは0.5EV以内のもの
が、又、高コントラストでは5EV以上のものがあ
る。従つて、歩留りのよいオートフオーカス撮影
に用いるなら、フオトダイオードの出力に差が出
ない低コントラスト時に合わせて、0.25EVきざ
みで4値化することが好ましい。このとき高コン
トラストの被写体に対しての距離測定が不可能と
いうことはなく、又、歩留りを悪くすることもな
い。
は、例えば、最大輝度MAXより1EVきざみに分
け、(MAX)〜(MAX−1EV)、(MAX−1EV)
〜(MAX−2EV)、(MAX−2EV)〜(MAX−
3EV)、(MAX−3EV)以下の4段階に4値化す
る。しかし、一般の被写体での輝度範囲は多種多
様であり、低コントラストでは0.5EV以内のもの
が、又、高コントラストでは5EV以上のものがあ
る。従つて、歩留りのよいオートフオーカス撮影
に用いるなら、フオトダイオードの出力に差が出
ない低コントラスト時に合わせて、0.25EVきざ
みで4値化することが好ましい。このとき高コン
トラストの被写体に対しての距離測定が不可能と
いうことはなく、又、歩留りを悪くすることもな
い。
ところで、本発明では、最大輝度部付近の情報
だけを使つて、距離測定演算を行うことになる
が、このことの妥当性を述べると次の通りであ
る。
だけを使つて、距離測定演算を行うことになる
が、このことの妥当性を述べると次の通りであ
る。
理想的には、被写体が輝度分布(距離測定エリ
ア内)と受光素子列上に結像した被写体輝度分布
は等しく1対1である。しかし、実際には結像途
中にレンズ、ミラーがあり、受光素子もある大き
さをもつているし(出力がまるめられるし)、受
光素子自身の隣同志との干渉等があり、1対1と
いかず、必ず明部が暗部に対して影響を及ぼす。
このことは逆光の場合等を考えれば明らかであ
る。従つて、最大輝度部付近の情報だけを使つて
距離測定演算を行つても、十分歩留まりのよい距
離測定を行える。
ア内)と受光素子列上に結像した被写体輝度分布
は等しく1対1である。しかし、実際には結像途
中にレンズ、ミラーがあり、受光素子もある大き
さをもつているし(出力がまるめられるし)、受
光素子自身の隣同志との干渉等があり、1対1と
いかず、必ず明部が暗部に対して影響を及ぼす。
このことは逆光の場合等を考えれば明らかであ
る。従つて、最大輝度部付近の情報だけを使つて
距離測定演算を行つても、十分歩留まりのよい距
離測定を行える。
又、上記EVクロツク信号φの時間間隔は、受
光素子の受光強度の幅に応じて変えることが好ま
しい。受光強度の幅が大きい場合には、例えば、
測定開始からn回目、n+1回目のストローブを
行うまでの時間をTn、Tn+1とすると、 Tn+1/Tn=f(n) 但し、f(n)はnの関数である。
光素子の受光強度の幅に応じて変えることが好ま
しい。受光強度の幅が大きい場合には、例えば、
測定開始からn回目、n+1回目のストローブを
行うまでの時間をTn、Tn+1とすると、 Tn+1/Tn=f(n) 但し、f(n)はnの関数である。
なる関係を満たすようにし、逆に、受光強度の幅
が比較的狭い場合は、 Tn+1−Tn=f(n) なる関係を満たすようにすればよい。ここで、第
6図aはTn+1/Tn=k(k;定数)の場合の
EVクロツク信号の例であり、同図bにTn+1−
Tn=k(k;定数)の場合である。
が比較的狭い場合は、 Tn+1−Tn=f(n) なる関係を満たすようにすればよい。ここで、第
6図aはTn+1/Tn=k(k;定数)の場合の
EVクロツク信号の例であり、同図bにTn+1−
Tn=k(k;定数)の場合である。
尚、上記説明は4値化の場合であつたが、3値
化或いは5値化以上であつても同様である。更
に、受光素子はフオトダイオードに限る必要はな
い。
化或いは5値化以上であつても同様である。更
に、受光素子はフオトダイオードに限る必要はな
い。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明では、光電流の最
大値(最大輝度)を基準にして光電流を量子化し
ているので、短時間に且つ正確に距離測定を行え
ると共に、その構成も簡単なものとなる。
大値(最大輝度)を基準にして光電流を量子化し
ているので、短時間に且つ正確に距離測定を行え
ると共に、その構成も簡単なものとなる。
第1図はこの種の距離測定装置の測定原理を示
す説明図、第2図A,Bは従来の距離測定装置の
構成を示すブロツク図、第3図は第2図の装置内
における一部の回路部分を示す回路図、第4図は
本発明の距離測定装置の一実施例(要部)を示す
回路図、第5図は本発明での4値化の説明図、第
6図は第4図中のEVブロツクφの波形図である。 1……被写体、2,3……レンズ、4……焦点
面、5,6,7……被写体像、8,9……受光素
子列、10,11……2値化回路列、12,13
……シフトレジスタ、14……一致検出回路列、
15……カウンタ、16……判断回路、171〜
173……フオトダイオード、181〜183,
191〜193……スイツチングトランジスタ、
201〜203……コンデンサ、211〜21
3,28……インバータ、22〜24……NOR
ゲート、25,30,31……NANDゲート、
26,27……フリツプフロツプ、29,32〜
34……バイナリーカウンタ。
す説明図、第2図A,Bは従来の距離測定装置の
構成を示すブロツク図、第3図は第2図の装置内
における一部の回路部分を示す回路図、第4図は
本発明の距離測定装置の一実施例(要部)を示す
回路図、第5図は本発明での4値化の説明図、第
6図は第4図中のEVブロツクφの波形図である。 1……被写体、2,3……レンズ、4……焦点
面、5,6,7……被写体像、8,9……受光素
子列、10,11……2値化回路列、12,13
……シフトレジスタ、14……一致検出回路列、
15……カウンタ、16……判断回路、171〜
173……フオトダイオード、181〜183,
191〜193……スイツチングトランジスタ、
201〜203……コンデンサ、211〜21
3,28……インバータ、22〜24……NOR
ゲート、25,30,31……NANDゲート、
26,27……フリツプフロツプ、29,32〜
34……バイナリーカウンタ。
Claims (1)
- 1 被写体からの反射光を互いに異なる光路を介
してそれぞれ受光し所定の焦点面上に被写体像を
形成させる第1及び第2の光学的手段と、該焦点
面上の被写体像に対応してそれぞれ所定個数ずつ
受光素子が配列された第1及び第2の受光素子列
と、該第1及び第2の受光素子列内の各受光素子
の光電流をそれぞれ量子化する第1及び第2の量
子化手段とを有し、該第1及び第2の量子化手段
の出力の相関関係から前記被写体までの距離を測
定する距離測定装置において、前記量子化手段
は、前記受光素子列内の複数の受光素子それぞれ
について設けられ該当受光素子の受光光量が所定
値に達したか否かを示す信号を出力する複数の比
較手段と、該比較手段の出力の少なくとも1つが
前記所定値に達したことを示すのを検出するため
のゲート回路と、該ゲート回路の出力に対応して
所定のクロツクパルスを発生するパルス発生手段
と、前記受光素子列内の複数の受光素子それぞれ
に対応して設けられた複数のカウンタ手段と、前
記複数の比較手段のうちの該当比較手段の出力に
応じて前記パルス発生手段の出力クロツクパルス
を前記複数のカウンタ手段のうちの該当カウンタ
手段に計数させる複数のゲート回路とを有し、前
記複数のカウンタ手段それぞれにて計数された計
数値を量子化情報として出力することを特徴とす
る距離測定装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58080416A JPS59204704A (ja) | 1983-05-08 | 1983-05-08 | 距離測定装置 |
GB08411226A GB2142497B (en) | 1983-05-08 | 1984-05-02 | Range finder |
US06/607,208 US4611910A (en) | 1983-05-08 | 1984-05-04 | Range finder |
DE19843416974 DE3416974A1 (de) | 1983-05-08 | 1984-05-08 | Entfernungsmesser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58080416A JPS59204704A (ja) | 1983-05-08 | 1983-05-08 | 距離測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59204704A JPS59204704A (ja) | 1984-11-20 |
JPS6357721B2 true JPS6357721B2 (ja) | 1988-11-14 |
Family
ID=13717684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58080416A Granted JPS59204704A (ja) | 1983-05-08 | 1983-05-08 | 距離測定装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4611910A (ja) |
JP (1) | JPS59204704A (ja) |
DE (1) | DE3416974A1 (ja) |
GB (1) | GB2142497B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3382596T2 (de) * | 1983-04-16 | 1993-03-11 | Naoki Shimizu | Dreidimensionale entfernungsmessvorrichtung. |
JPS59204704A (ja) * | 1983-05-08 | 1984-11-20 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 距離測定装置 |
JPS603509A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-09 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 距離測定装置用映像デ−タ比較回路 |
JPH07113961B2 (ja) * | 1985-08-05 | 1995-12-06 | キヤノン株式会社 | 信号処理装置 |
JPH0754371B2 (ja) * | 1986-11-10 | 1995-06-07 | 富士電機株式会社 | 合焦状態検出方法 |
JP2676985B2 (ja) * | 1990-06-26 | 1997-11-17 | 富士電機株式会社 | 光学器械の対象検出方式 |
JP2881995B2 (ja) * | 1990-08-01 | 1999-04-12 | 富士電機株式会社 | 光学器械の対象検出装置 |
US5808291A (en) * | 1995-08-30 | 1998-09-15 | Minolta Co., Ltd. | Image information detection system and optical equipment using the system |
US5721977A (en) * | 1996-01-19 | 1998-02-24 | Minolta Co., Ltd. | Distance measuring apparatus of camera improved in measuring process |
WO2002039059A1 (en) * | 2000-11-07 | 2002-05-16 | Cellavision Ab | Autofocusing |
CN101270978A (zh) * | 2007-03-21 | 2008-09-24 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 测距系统、测距方法、电子装置系统以及遥控器 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5451556A (en) * | 1977-09-29 | 1979-04-23 | Canon Inc | Distance measuring apparatus |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3967056A (en) * | 1973-02-26 | 1976-06-29 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Automatic focusing apparatus |
US4004852A (en) * | 1975-06-30 | 1977-01-25 | Rockwell International Corporation | Integrated automatic ranging device for optical instruments |
US4184968A (en) * | 1978-02-13 | 1980-01-22 | Honeywell Inc. | Auto focus system |
JPS5589819A (en) * | 1978-12-28 | 1980-07-07 | Asahi Optical Co Ltd | Focus detector of camera |
US4298259A (en) * | 1979-08-27 | 1981-11-03 | Asaki Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Focus detecting device for photographic camera |
JPS58174910A (ja) * | 1982-04-08 | 1983-10-14 | Fuji Electric Co Ltd | 合焦検出装置 |
JPS59204704A (ja) * | 1983-05-08 | 1984-11-20 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 距離測定装置 |
-
1983
- 1983-05-08 JP JP58080416A patent/JPS59204704A/ja active Granted
-
1984
- 1984-05-02 GB GB08411226A patent/GB2142497B/en not_active Expired
- 1984-05-04 US US06/607,208 patent/US4611910A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-05-08 DE DE19843416974 patent/DE3416974A1/de active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5451556A (en) * | 1977-09-29 | 1979-04-23 | Canon Inc | Distance measuring apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3416974C2 (ja) | 1991-01-24 |
GB2142497B (en) | 1986-10-29 |
DE3416974A1 (de) | 1984-11-08 |
GB2142497A (en) | 1985-01-16 |
JPS59204704A (ja) | 1984-11-20 |
US4611910A (en) | 1986-09-16 |
GB8411226D0 (en) | 1984-06-06 |
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