JPS6357636A - ポリカ−ボネ−ト樹脂よりなる光学用材料 - Google Patents
ポリカ−ボネ−ト樹脂よりなる光学用材料Info
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- JPS6357636A JPS6357636A JP20349386A JP20349386A JPS6357636A JP S6357636 A JPS6357636 A JP S6357636A JP 20349386 A JP20349386 A JP 20349386A JP 20349386 A JP20349386 A JP 20349386A JP S6357636 A JPS6357636 A JP S6357636A
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Landscapes
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学的特性に優れた光学用材料に関するもの
であり、詳しくは特定の末端基を持つポリカーボネート
樹脂からなることを特徴とした。転写性に優れかつ光学
歪みが小さい光学用材料に関するものである。
であり、詳しくは特定の末端基を持つポリカーボネート
樹脂からなることを特徴とした。転写性に優れかつ光学
歪みが小さい光学用材料に関するものである。
光学用途に使用する成形物、例えば板状、レンズ状、シ
ート状の成形物は透明であるとともに光学的歪みの小さ
いものであることが必要とされる。特にデジタル信号を
利用した光情報記録材料として用いるためKは、スタン
パ−からの案内溝を転写した上で、さらt実成形品にお
いて位相差(シングルパス)の絶対値が一〇nm。
ート状の成形物は透明であるとともに光学的歪みの小さ
いものであることが必要とされる。特にデジタル信号を
利用した光情報記録材料として用いるためKは、スタン
パ−からの案内溝を転写した上で、さらt実成形品にお
いて位相差(シングルパス)の絶対値が一〇nm。
好ましくは53m以下であることが必要とされている。
ポリカーボネート樹脂は透明性が良く、耐熱性が高く、
吸水によるそ9が小さい等の特徴を有してお9、光学用
材料として使用できることが知られている。しかしなが
らポリカーボネート樹脂は流動性が悪いために成形後に
残留応力が残シやすく、またその固有複屈折が大きいこ
とから成形品の複屈折が大きいという欠点を有しており
、光学用成形品としての使用は限定さな可及的に小さく
、ま九成形時の樹脂温度は可及的に高くとる等の方法が
とられていた。
吸水によるそ9が小さい等の特徴を有してお9、光学用
材料として使用できることが知られている。しかしなが
らポリカーボネート樹脂は流動性が悪いために成形後に
残留応力が残シやすく、またその固有複屈折が大きいこ
とから成形品の複屈折が大きいという欠点を有しており
、光学用成形品としての使用は限定さな可及的に小さく
、ま九成形時の樹脂温度は可及的に高くとる等の方法が
とられていた。
ところが樹脂の分子量を下げると機械的強度が損われる
ため成形物が割れる等歩留まシが低下する。更に成形時
の樹脂温度を高くとると樹脂の熱劣化に伴う分子量低下
、ガス発生、黄変等様々の問題が生起する等の欠点が生
ずる。
ため成形物が割れる等歩留まシが低下する。更に成形時
の樹脂温度を高くとると樹脂の熱劣化に伴う分子量低下
、ガス発生、黄変等様々の問題が生起する等の欠点が生
ずる。
本発明者らは、転写性に優れかつ光学的歪みが小さい成
形物を製造する方法について鋭意検討した結果特定の化
学構造を持つポリカーボネート樹脂を用いることによっ
て上記従来技術の問題点を解決できることを見出し本発
明に到達した。すなわち本発明の要旨は末端停止剤とし
て下記一般式(I)で表わされるフェノール系化合物を
用いて得られる粘度平均分子量が9,000〜コ、−〇
〇〇のポリカーボネート樹脂からなることを特徴とする
光学用材料。
形物を製造する方法について鋭意検討した結果特定の化
学構造を持つポリカーボネート樹脂を用いることによっ
て上記従来技術の問題点を解決できることを見出し本発
明に到達した。すなわち本発明の要旨は末端停止剤とし
て下記一般式(I)で表わされるフェノール系化合物を
用いて得られる粘度平均分子量が9,000〜コ、−〇
〇〇のポリカーボネート樹脂からなることを特徴とする
光学用材料。
一般式(1’)
(式中R1およびR2は炭素数S〜9のアルキル基を表
わす)に存する。
わす)に存する。
以下本発明の詳細な説明する。
本発明における粘度平均分子319,000〜コ、コ0
00のポリカーボネート樹脂とは、具体的には一種以上
のビスフェノール化合物と前記−般式(I’)で表わさ
れるジアルキル置換フェノールよシなシ、従来のポリカ
ーボネートと同様の方法で製造されるものである。粘度
平均分子量は、ポリカーボネート樹脂のt、、oy7t
の塩化メチレン溶液を用いコO℃で測定したImpから
下式によシ算出される。
00のポリカーボネート樹脂とは、具体的には一種以上
のビスフェノール化合物と前記−般式(I’)で表わさ
れるジアルキル置換フェノールよシなシ、従来のポリカ
ーボネートと同様の方法で製造されるものである。粘度
平均分子量は、ポリカーボネート樹脂のt、、oy7t
の塩化メチレン溶液を用いコO℃で測定したImpから
下式によシ算出される。
ηmp / C−[”η](/十に’ηsp )〔η]
−KM” 式中 Cポリマー濃度Pit 橘 〔η〕 詰限粘度 に′0.コ ざ K /、コ3X10−” α 0.j 3 M 平均分子量 本発明に使用し得るビスフェノール化合物としては、具
体的にはビス−(lI−ヒドロキシフェニル)メタン、
t、i−ビス−(II−ヒドロキシフェニル)エタン
%I、/−ビス−(4!−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、コ、コービスー(ターヒドロキシフェニル)プロパ
ンすなわちビスフェノール人、1コ、コービス−(ター
ヒドロキシフェニル)ブタン、コ、コービス−(II−
ヒドロキシフェニル)ペンタン、コ、2−ビス−(41
−ヒドロキシフェニル)−J−メチルブタン、コ、−一
ビス−(lI−ヒドロキシフェニル)ヘキサン、コ、コ
ービスー(II−ヒドロキシフェニル)−ダーメチルベ
ンタン、l、/−ビス−(ターヒドロキシフェニル)シ
クロペンタン、/、l−ビス−(ターヒドロキシフェニ
ル)シクロヘキサン、ビス−(II−ヒドロキシ−3−
メチルフェニル)メタン、/’、/−ビス−(ターヒド
ロキシ−3−メチルフェニル)エタン、ユ、コービスー
(II−ヒドロキシ−J−メチルフェニル)プロパン、
2.コービス−(ターヒドロキシ−3−エチルフェニル
)プロパン、コ、コービスー(II−ヒドロキシ−J−
1so70ビルフエニル)プロパン、コ、コービスー(
ターヒドロキシ−3−−・Cブチルフェニル)プロパン
、ビス−(II−ヒドロキシフェニル)フェニルメタン
、 /、/−ビス−(lI−ヒドロキシフェニル)−l
−フェニルエタン、 /、/−ビス−(tI−ヒドロキ
シフェニル)−7−フェニルプロパン、ビス−(ターヒ
ドロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス−(lI−
ヒドロキシフェニル)ジベンジルメタン。
−KM” 式中 Cポリマー濃度Pit 橘 〔η〕 詰限粘度 に′0.コ ざ K /、コ3X10−” α 0.j 3 M 平均分子量 本発明に使用し得るビスフェノール化合物としては、具
体的にはビス−(lI−ヒドロキシフェニル)メタン、
t、i−ビス−(II−ヒドロキシフェニル)エタン
%I、/−ビス−(4!−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、コ、コービスー(ターヒドロキシフェニル)プロパ
ンすなわちビスフェノール人、1コ、コービス−(ター
ヒドロキシフェニル)ブタン、コ、コービス−(II−
ヒドロキシフェニル)ペンタン、コ、2−ビス−(41
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ビス−(lI−ヒドロキシフェニル)ヘキサン、コ、コ
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ンタン、l、/−ビス−(ターヒドロキシフェニル)シ
クロペンタン、/、l−ビス−(ターヒドロキシフェニ
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メチルフェニル)メタン、/’、/−ビス−(ターヒド
ロキシ−3−メチルフェニル)エタン、ユ、コービスー
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2.コービス−(ターヒドロキシ−3−エチルフェニル
)プロパン、コ、コービスー(II−ヒドロキシ−J−
1so70ビルフエニル)プロパン、コ、コービスー(
ターヒドロキシ−3−−・Cブチルフェニル)プロパン
、ビス−(II−ヒドロキシフェニル)フェニルメタン
、 /、/−ビス−(lI−ヒドロキシフェニル)−l
−フェニルエタン、 /、/−ビス−(tI−ヒドロキ
シフェニル)−7−フェニルプロパン、ビス−(ターヒ
ドロキシフェニル)ジフェニルメタン、ビス−(lI−
ヒドロキシフェニル)ジベンジルメタン。
ダ、φ′−ジヒドロキシジフェニルエーテル、 u、p
’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、 p、p’−ジ
ヒドロキシジフェニルスルフィド、フェノールフタレイ
ン等が挙げられる。
’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、 p、p’−ジ
ヒドロキシジフェニルスルフィド、フェノールフタレイ
ン等が挙げられる。
本発明を実施するにあたり、一種以上のビスフェノール
化合物とホスゲンからポリカーボネート樹脂を製造する
方法は具体的には塩化メチレン、l、コージクロロメタ
ン等の不活性溶媒存在下、ビスフェノール化合物に酸受
容体としてアルカリ水溶液あるいはピリジンなどを入れ
ホスゲンを導入しながら反応させる。酸受容体としてア
ルカリ水溶液を使う時は触媒としてトリメチルアミン、
トリエチルアミン等の第3級アミンあるいはテトラブチ
ルアンモニウムクロリド、ベンジルトリブチルアンそニ
ウムプロミド等の第q級アンモニウム化合物を用いると
反応速度が増大する。
化合物とホスゲンからポリカーボネート樹脂を製造する
方法は具体的には塩化メチレン、l、コージクロロメタ
ン等の不活性溶媒存在下、ビスフェノール化合物に酸受
容体としてアルカリ水溶液あるいはピリジンなどを入れ
ホスゲンを導入しながら反応させる。酸受容体としてア
ルカリ水溶液を使う時は触媒としてトリメチルアミン、
トリエチルアミン等の第3級アミンあるいはテトラブチ
ルアンモニウムクロリド、ベンジルトリブチルアンそニ
ウムプロミド等の第q級アンモニウム化合物を用いると
反応速度が増大する。
反応温度はo−1oo℃が適切である。
触媒は最初から入れてもよいし、オリゴマーを透った後
に入れて高分子量化する等任意の方法がとれる。
に入れて高分子量化する等任意の方法がとれる。
また二種以上のビスフェノール化合物を用いて共重合す
る場合 (イ)最初に同時にホスゲンと反応させて重合する。
る場合 (イ)最初に同時にホスゲンと反応させて重合する。
(ロ)一方をまずホスゲンと反応させ、ある程度反応を
行なったのち、他方を入れて重合する。
行なったのち、他方を入れて重合する。
(ハ)別々にホスゲンと反応させてオリゴ占つくシそれ
らを反応させて重合する。
らを反応させて重合する。
等任意の方法がとれる。
本発明で末端停止剤として用いられるジアルキル置換フ
ェノールは、下記一般式(I)において芳香環に結合し
たアルキル基の炭素数が!ないし9のものである。
ェノールは、下記一般式(I)において芳香環に結合し
たアルキル基の炭素数が!ないし9のものである。
すなわち炭素数がダ以下では流動性の改良効果がなく、
一方決素数が10以上になると樹脂のガラス転移点の低
下が著しく成形物の耐熱性が損なわれてしまう。またア
ルキル置換基は直鎖状でも枝分れ状でも良いが好ましく
は芳香環に対するα炭素が3級であるものを用いる。ま
たR1とR2は同じでも異なっていてもよい。
一方決素数が10以上になると樹脂のガラス転移点の低
下が著しく成形物の耐熱性が損なわれてしまう。またア
ルキル置換基は直鎖状でも枝分れ状でも良いが好ましく
は芳香環に対するα炭素が3級であるものを用いる。ま
たR1とR2は同じでも異なっていてもよい。
具体的には、コ、ダージアミルフェノール(コ。
q−ビス(i、t−ジメチルプロピル)フェノール)、
x、p−ジターシャリ−ヘキシルフェノール(−一−ビ
ス(1,1−ジメチルブチル)フェノール)、ユ、lI
−ビス(1,l−ジメチルペンチル)フェノール、コ、
II−ビス(t、t、J、1−テトラメチルブチル)フ
ェノール、λ、弘−ビス(l。
x、p−ジターシャリ−ヘキシルフェノール(−一−ビ
ス(1,1−ジメチルブチル)フェノール)、ユ、lI
−ビス(1,l−ジメチルペンチル)フェノール、コ、
II−ビス(t、t、J、1−テトラメチルブチル)フ
ェノール、λ、弘−ビス(l。
l−ジメチルヘキシル)フェノール、 2.II−ビス
(、y、r−ジメチルヘプチル)フェノール、−一へキ
ジルーダ−へブチルフェノール等カ挙ケられる。
(、y、r−ジメチルヘプチル)フェノール、−一へキ
ジルーダ−へブチルフェノール等カ挙ケられる。
本発明で使用される末端停止剤の前記一般式(I)のジ
アルキル置換フェノール化合物はビスフェノール化合物
に共有させて使用するが、その方法としては (イ) ビスフェノール化合物と最初から共存させ(ロ
) ビスフェノール化合物よりなるオリゴマーを造った
後高分子量化する際共存させる等任意の方法がとれる。
アルキル置換フェノール化合物はビスフェノール化合物
に共有させて使用するが、その方法としては (イ) ビスフェノール化合物と最初から共存させ(ロ
) ビスフェノール化合物よりなるオリゴマーを造った
後高分子量化する際共存させる等任意の方法がとれる。
ジアルキル置換フェノール系化合物の使用量は目的とす
る分子量によって決定され、り、−〜9.0モルチの範
囲で任意に選択される。すなわちq、コモル悌未満では
得られる樹脂の粘度平均分子量が高く流動性が悪いため
、射出成形において転写性に優れ光学的歪みの小さな光
学用材料を得ることが困難である。一方9モル係を超え
ると1本発明の末端停止剤が末端に結合している割合は
多く、流動性は飛躍的に向上するものの、粘度平均分子
量が低すぎるため樹脂の強度が低く、射出成形時に成形
物が割れる等歩留まシが悪化する。
る分子量によって決定され、り、−〜9.0モルチの範
囲で任意に選択される。すなわちq、コモル悌未満では
得られる樹脂の粘度平均分子量が高く流動性が悪いため
、射出成形において転写性に優れ光学的歪みの小さな光
学用材料を得ることが困難である。一方9モル係を超え
ると1本発明の末端停止剤が末端に結合している割合は
多く、流動性は飛躍的に向上するものの、粘度平均分子
量が低すぎるため樹脂の強度が低く、射出成形時に成形
物が割れる等歩留まシが悪化する。
また1通常流動性の尺度としては「Q値」を用いるが、
本発明の樹脂は末端に特定のアルキル基を持つため同一
粘度平均分子量ではQ値が増加している。
本発明の樹脂は末端に特定のアルキル基を持つため同一
粘度平均分子量ではQ値が増加している。
ここで云うQ値とは、フローテスターで測定した溶融粘
度でコgo℃、 t t、 okg/cdlの圧力下ニ
1ff2IφX10IIOII、のノズルより流出する
溶融樹脂量をCCW(D単位で表わしたものである。
度でコgo℃、 t t、 okg/cdlの圧力下ニ
1ff2IφX10IIOII、のノズルより流出する
溶融樹脂量をCCW(D単位で表わしたものである。
尚1本発明の樹脂には性質を損なわない範囲で公知の熱
安定剤、離型剤、帯電防止剤、感光安定剤、染料、顔料
、充填剤などプラスチックに加えられる添加物を含むこ
とができる。
安定剤、離型剤、帯電防止剤、感光安定剤、染料、顔料
、充填剤などプラスチックに加えられる添加物を含むこ
とができる。
以上説明し、た特定のジアルキル基末端を持つ粘度平均
分子fJCq、ooo−ココ、000のポリカーボネー
ト樹脂を成形して光学用材料とする。成形する方法とし
ては、通常射出成形、射出圧縮成形等の方法による。成
形温度はコgo℃〜ダ00℃、好ましくは300℃〜J
ざ0℃の間で。
分子fJCq、ooo−ココ、000のポリカーボネー
ト樹脂を成形して光学用材料とする。成形する方法とし
ては、通常射出成形、射出圧縮成形等の方法による。成
形温度はコgo℃〜ダ00℃、好ましくは300℃〜J
ざ0℃の間で。
2ざ0℃より低い成形温度では、樹脂の溶融粘度が高く
、成形物の転写性向上及び光学歪低減が困難となる。一
方成形温度がqoo℃をこえると樹脂の分子量低下、ガ
ス発生、黄変などが著しく問題となる。特定のジアルキ
ル基末端を有するポリカーボネート樹脂を用いる本発明
の成形品は、同一粘度平均分子量で比較して従来の光学
用ポリカーボネートの成形品よりも複屈折が低減し、ま
た金型からの転写性も改善される。
、成形物の転写性向上及び光学歪低減が困難となる。一
方成形温度がqoo℃をこえると樹脂の分子量低下、ガ
ス発生、黄変などが著しく問題となる。特定のジアルキ
ル基末端を有するポリカーボネート樹脂を用いる本発明
の成形品は、同一粘度平均分子量で比較して従来の光学
用ポリカーボネートの成形品よりも複屈折が低減し、ま
た金型からの転写性も改善される。
本発明で言う光学材料用途とは、例えばコピーマシン用
、レーザーピックアップ用、スチルカメラ用、ビデオカ
メラ用、ビデオプロジェクタ−用、メガネ用、望遠鏡用
等のレンズ類、オーディオディスク(コンパクトディス
ク)、光学式ビデオディスク、W10型光ディスク、イ
レーザブル型光ディスク等の光デイスク類、ルームミラ
ー、反射焼等の鏡類、光コネクタ一部品等の光導波素子
類等があげられる。
、レーザーピックアップ用、スチルカメラ用、ビデオカ
メラ用、ビデオプロジェクタ−用、メガネ用、望遠鏡用
等のレンズ類、オーディオディスク(コンパクトディス
ク)、光学式ビデオディスク、W10型光ディスク、イ
レーザブル型光ディスク等の光デイスク類、ルームミラ
ー、反射焼等の鏡類、光コネクタ一部品等の光導波素子
類等があげられる。
以下、この発明で用いるポリカーボネートの具体的製造
法及び射出成形で得られ念光学用材料の特性について実
施例で説明する。
法及び射出成形で得られ念光学用材料の特性について実
施例で説明する。
実施例1
くオリゴマーの製造例〉
コ、コービス−(グーヒドロキシフェニル)プロパン
iso部水酸化ナトリウム 61部 水 900部上記
混合物を攪拌機付反応器に仕込みlコOrpmで攪拌し
これに塩化メチレンtOO部。
iso部水酸化ナトリウム 61部 水 900部上記
混合物を攪拌機付反応器に仕込みlコOrpmで攪拌し
これに塩化メチレンtOO部。
コ、弘−ジターシャリ−ヘキシルフェノール71.0部
を加えた。次いで混合溶液がコS℃以下となる様に冷却
しつつホスゲン56部を60分で吹き込んだ。反応終了
後攪拌を止めて反応液を一層に分離し、下層のポリカー
ボネートオリゴマーの塩化メチレン溶液のみを捕集した
。
を加えた。次いで混合溶液がコS℃以下となる様に冷却
しつつホスゲン56部を60分で吹き込んだ。反応終了
後攪拌を止めて反応液を一層に分離し、下層のポリカー
ボネートオリゴマーの塩化メチレン溶液のみを捕集した
。
得られたオリゴマー溶液の分析結果は下記のとおりであ
った@ オリゴマー濃度 ;コロ、/重量%(注l)末端ク
ロロホーメート基濃度;0.ダク規定 (注−)末端フ
ェノール性水酸基−度;o、ob規定 (注3)以上の
方法で得られたオリゴマー溶液を以下オリゴマー溶液−
人と略称する。
った@ オリゴマー濃度 ;コロ、/重量%(注l)末端ク
ロロホーメート基濃度;0.ダク規定 (注−)末端フ
ェノール性水酸基−度;o、ob規定 (注3)以上の
方法で得られたオリゴマー溶液を以下オリゴマー溶液−
人と略称する。
注l)蒸発乾固させて測定。
コ)アニリンと反応させて得られるアニリン塩酸塩をQ
、コ規定水酸化ナトリウム水溶液で中和滴定。
、コ規定水酸化ナトリウム水溶液で中和滴定。
3)四塩化チタン、酢酸溶液に溶解させたときの発色を
jGc4nmで比色定量。
jGc4nmで比色定量。
〈ポリマーの製造例〉
オリゴマー溶液A 100部
塩化メチレン 36部
上記混合物を攪拌機付反応器に仕込み1100rpで攪
拌した。更に下記組成の水浴液すなわち 19重量%水酸化ナトリウム水溶液 コロ部コ電量チ
ドリエチルアミン水浴液 OJ部を加え3時間界面
嵐合を行なった。
拌した。更に下記組成の水浴液すなわち 19重量%水酸化ナトリウム水溶液 コロ部コ電量チ
ドリエチルアミン水浴液 OJ部を加え3時間界面
嵐合を行なった。
重合液を水層とポリカーボネートを含む塩化メチレン層
へ分離した後、塩化メチレン層を水酸化ナトリウム水溶
液、塩酸水溶液、脱塩水で順次洗浄し、最後に塩化メチ
レンを蒸発させて濃厚なポリカーボネート塩化メチレン
溶液な得た。
へ分離した後、塩化メチレン層を水酸化ナトリウム水溶
液、塩酸水溶液、脱塩水で順次洗浄し、最後に塩化メチ
レンを蒸発させて濃厚なポリカーボネート塩化メチレン
溶液な得た。
ついで、この濃縮液をニーグーにかけてポリカーボネー
トの白色フレークを得、これを乾燥後、熱安定剤等を添
加してベント付ダ01al押出機でペレット化した。得
られたペレットの粘度平均分子量は/ A、! 00で
あった。
トの白色フレークを得、これを乾燥後、熱安定剤等を添
加してベント付ダ01al押出機でペレット化した。得
られたペレットの粘度平均分子量は/ A、! 00で
あった。
実施例コ
コ、lI−ジターシャリ−ヘキシルフェノールO5一部
を油層に添加してから重合を開始した以外は実施例1と
同様にしてポリカーボネートを製造した。得られたペレ
ットの粘度平均分子量は/j、−〇〇であった。
を油層に添加してから重合を開始した以外は実施例1と
同様にしてポリカーボネートを製造した。得られたペレ
ットの粘度平均分子量は/j、−〇〇であった。
比較例1
くオリゴマーの製造例〉
分子量調節剤としてユ、ψ−ジターシャリーヘキシルフ
ェノール/ /、0部の代わシにパラ−ターシャリ−ブ
チルフェノール3.6部を用いた以外は実施例1と同様
にしてオリゴマーの塩化メチレン溶液を得た。以下これ
をオリゴマー溶液Bと略称する。オリゴマー溶液Bの分
析結果は下記のとおシであった。
ェノール/ /、0部の代わシにパラ−ターシャリ−ブ
チルフェノール3.6部を用いた以外は実施例1と同様
にしてオリゴマーの塩化メチレン溶液を得た。以下これ
をオリゴマー溶液Bと略称する。オリゴマー溶液Bの分
析結果は下記のとおシであった。
オリゴマー濃度 ;ユs、s鼠量チ末端りロロホー
メート基濃度;Q、クリ規定末端フェノール性水酸基濃
度;o、og規定(測定方法は実施例1と同様) くポリマーの製造例〉 オリゴマー溶液1too部の代わりにオリゴマー溶液8
100部を用い、lユ重量多水酸化ナトリウム水溶液1
6部を110部とした以外は実施例1と同様にしてポリ
カーボネート樹脂を製造した。得られたペレットの粘度
平均分子量はlダ、200であつ九。
メート基濃度;Q、クリ規定末端フェノール性水酸基濃
度;o、og規定(測定方法は実施例1と同様) くポリマーの製造例〉 オリゴマー溶液1too部の代わりにオリゴマー溶液8
100部を用い、lユ重量多水酸化ナトリウム水溶液1
6部を110部とした以外は実施例1と同様にしてポリ
カーボネート樹脂を製造した。得られたペレットの粘度
平均分子量はlダ、200であつ九。
比較例コ
p −t@rt−ブチルフェノール 0.0.7部上
上記台物を攪拌機付反応器に仕込みlθQrpmで攪拌
した。更に下記組成の水溶液すなわち lコミ量係水酸化ナトリウム水溶液 ダO部−重量一ト
リエチルアミン水浴液 O,6部を加え3時間界面重
合を行なった。帰られた重合液は実施例1に記載したの
と同様にしてポリカーボネート樹脂を製造した。得られ
たペレットの粘度平均分子量は/ 4c、000であり
之。
上記台物を攪拌機付反応器に仕込みlθQrpmで攪拌
した。更に下記組成の水溶液すなわち lコミ量係水酸化ナトリウム水溶液 ダO部−重量一ト
リエチルアミン水浴液 O,6部を加え3時間界面重
合を行なった。帰られた重合液は実施例1に記載したの
と同様にしてポリカーボネート樹脂を製造した。得られ
たペレットの粘度平均分子量は/ 4c、000であり
之。
実施例1.コ及び比較例1.−で得られたポリカーボネ
ート樹脂のQ値を表−/Kまとめて示す。
ート樹脂のQ値を表−/Kまとめて示す。
またこれらの樹脂を用いてディスク用成形機(名機製、
ダイナメルターM/参〇@^D−DM、りlQXの溝深
さを持つグルーヴスタンバー付金型)Kよる直径/JQ
wn、厚さハコ■のディスクの射出圧縮成形を行なった
。成形条件は成形温度330℃金型温度tiOCとし、
保圧については種々検討しペストの条件を求めた。
ダイナメルターM/参〇@^D−DM、りlQXの溝深
さを持つグルーヴスタンバー付金型)Kよる直径/JQ
wn、厚さハコ■のディスクの射出圧縮成形を行なった
。成形条件は成形温度330℃金型温度tiOCとし、
保圧については種々検討しペストの条件を求めた。
得られたディスクの中心よりの距離が14c’m及びり
、tcrnの点について溝尻光学工業製エリプリメータ
ーによシ複屈折を測定し、またエリオニクス社製電子線
表面形態解析装置により溝深さを測定した。
、tcrnの点について溝尻光学工業製エリプリメータ
ーによシ複屈折を測定し、またエリオニクス社製電子線
表面形態解析装置により溝深さを測定した。
結果を表−/ K併記する。
以上説明したよう忙、本発明のポリカーボネート樹脂を
用いる光学用材料は、従来のポリカーボネート(分子量
調節剤としてp −t@rt−ブチルフェノールを使用
)と同一粘度平均分子量で比較した場合、転写性に優れ
、かつ光学的歪(複屈折)が改良されている。そこで必
要以上に粘度平均分子量を下げて成型物の強度を損うこ
となく、又厳しい成形条件に頼ることなく低複屈折を要
求嘔れでいる光学用途に好適に使用される。
用いる光学用材料は、従来のポリカーボネート(分子量
調節剤としてp −t@rt−ブチルフェノールを使用
)と同一粘度平均分子量で比較した場合、転写性に優れ
、かつ光学的歪(複屈折)が改良されている。そこで必
要以上に粘度平均分子量を下げて成型物の強度を損うこ
となく、又厳しい成形条件に頼ることなく低複屈折を要
求嘔れでいる光学用途に好適に使用される。
出願人 三菱化成工業株式会社
代理人 弁理士 良否用 −
ほか1名
Claims (1)
- (1)末端停止剤として下記一般式( I )で表わされ
るフェノール系化合物を用いて得られる粘度平均分子量
が9,000〜22,000のポリカーボネート樹脂か
らなることを特徴とする光学用材料。 一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中R^1およびR^2は炭素数5〜9のアルキル基
を表わす)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20349386A JPS6357636A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | ポリカ−ボネ−ト樹脂よりなる光学用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20349386A JPS6357636A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | ポリカ−ボネ−ト樹脂よりなる光学用材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6357636A true JPS6357636A (ja) | 1988-03-12 |
Family
ID=16475068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20349386A Pending JPS6357636A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | ポリカ−ボネ−ト樹脂よりなる光学用材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6357636A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6395228A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 重合体とその製造方法 |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP20349386A patent/JPS6357636A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6395228A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 重合体とその製造方法 |
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