JPS6352404B2 - - Google Patents
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- JPS6352404B2 JPS6352404B2 JP18797481A JP18797481A JPS6352404B2 JP S6352404 B2 JPS6352404 B2 JP S6352404B2 JP 18797481 A JP18797481 A JP 18797481A JP 18797481 A JP18797481 A JP 18797481A JP S6352404 B2 JPS6352404 B2 JP S6352404B2
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
- C03C17/2453—Coating containing SnO2
-
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/90—Other aspects of coatings
- C03C2217/94—Transparent conductive oxide layers [TCO] being part of a multilayer coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
この発明は、透明にして、すぐれた導電性を有
する被膜をガラス基材表面に形成する方法に関す
るものである。 一般に、例えば放電管や、液晶などの表示用透
明電極の製造には表面に透明導電性被膜を形成し
たガラス材が用いられ、また航空機や自動車、さ
らに建物などの窓ガラスの曇り防止や、その他の
電子回路部品の製造に際しては、ガラス基材表面
に透明導電性被膜を形成することが行なわれてい
る。 従来、ガラス基材表面に透明導電性被膜を形成
する代表的方法としては、 金などの金属被膜を光を透過する程度に薄い
膜厚で形成する方法。 酸化錫や酸化インジウムなどの金属酸化物被
膜をスパツタリングや蒸着手段などによつて同
様に薄い膜厚で形成する方法。 Snやlnなどの有機化合物または塩化物を500
〜800℃に加熱したガラス基材表面に吹きつけ、
分解せしめて金属酸化物の薄膜を形成する方
法。 などが知られている。しかし、上記方法におい
ては、被膜の透明性に問題があり、また上記方
法は量産的でなく、さらに上記方法において
は、発生する塩素などの有害ガスの処理を必要と
するなど、いずれの方法も何らかの問題点を有す
るものである。 この発明は、上述のような従来方法のもつ問題
点のない、すなわち透明にして導電性のすぐれた
被膜を、簡便にして量産性よく、かつ何らの有害
ガスの発生もなく、ガラス基材表面に形成する方
法を提供するもので、アンチモン（Sb）：0.1〜20
重量％を含有し、残りが実質的に酸化錫（SnO2）
からなる組成を有し、かつ0.2μｍ以下の平均粒径
をもつた導電性粉末を、無機塩、望ましくはケイ
酸、リン酸、ホウ酸、およびアルミン酸のリチウ
ム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、およびアンモ
ニウム塩のうちの１種または２種以上からなる無
機塩を溶解した水溶液中に、前記導電性粉末：前
記無機塩＝97：３〜60：40の重量割合で均一分散
させたものからなる懸濁液を調製し、この懸濁液
をガラス基材表面に塗布し、塗布被膜を乾燥する
ことによつて透明導電性被膜をガラス基材表面に
形成する方法に特徴を有するものである。 この発明の方法において、導電性粉末のSb含
有量および平均粒径、さらに導電性粉末と無機塩
の重量割合を上記の通り限定した理由を以下に説
明する。 (a) 導電性粉末のSb含有量 導電性粉末中のSb含有量が0.1重量％未満では、
所望のすぐれた導電性を確保することができない
ので、形成された被膜の電気抵抗が高くなり、一
方20重量％を越えて含有させると、導電性粉末自
体の透明性が失われて青味を帯びるようになり、
この結果被膜の透明性も損なわれるようになるこ
とから、その含有量を0.1〜20重量％と定めた。 (b) 導電性粉末の平均粒径 導電性粉末の平均粒径が0.2μｍを越えると、可
視光の散乱が著しくなつて形成された被膜の透明
性が損なわれるようになることから、導電性粉末
の平均粒径の上限値を0.2μｍとし、これ以下の微
粉末とした。 (c) 導電性粉末と無機塩の重量割合 導電性粉末に対する無機塩の割合が３重量％未
満では、相対的に導電性粉末の割合が97重量％を
越えて多くなりすぎ、被膜のガラス基材に対する
密着性が悪くなつて実用時に被膜剥離が生ずるよ
うになり、一方無機塩の割合が40重量％を越える
と相対的に導電性粉末の割合が60重量％未満とな
つて被膜の導電性が低下するようになることか
ら、その重量割合を97：３〜60：40と定めた。 また、この発明の透明導電性被膜は、無機塩と
して、望ましくはケイ酸、リン酸、ホウ酸、およ
びアルミン酸のリチウム塩、ナトリウム塩、カリ
ウム塩、およびアンモニウム塩のうちの１種また
は２種以上を用い、この無機塩を水に溶解し、こ
の結果の水溶液に所定割合で導電性粉末を配合
し、これをボールミルあるいは適当な攬拌装置を
用いて混合撹拌し、前記導電性粉末が前記水溶液
中に均一に分散した懸濁液とし、ついでこの懸濁
液を通常のスプレー法、バーコート法、およびド
クターブレード法などの塗布手段を用いてガラス
基材表面にに塗布し、この結果形成された塗布被
膜を自然乾燥あるいは強制乾燥することによつて
形成することができ、形成された被膜はガラス基
材との密着性がすぐれ、高い透明度と導電性をも
ち、かつ耐熱性も有するものである。 つぎに、この発明の被膜形成方法を実施例によ
り具体的に説明する。 実施例 それぞれ第１表に示される種類の導電性粉末と
無機塩を用意し、同じく第１表に示される割合
で、まず無機塩を水に溶解し、ついでこの水溶液
に導電性粉末を配合し、この配合液をボールミル
にて10時間混合して導電性粉末が均一に分散した
懸
する被膜をガラス基材表面に形成する方法に関す
るものである。 一般に、例えば放電管や、液晶などの表示用透
明電極の製造には表面に透明導電性被膜を形成し
たガラス材が用いられ、また航空機や自動車、さ
らに建物などの窓ガラスの曇り防止や、その他の
電子回路部品の製造に際しては、ガラス基材表面
に透明導電性被膜を形成することが行なわれてい
る。 従来、ガラス基材表面に透明導電性被膜を形成
する代表的方法としては、 金などの金属被膜を光を透過する程度に薄い
膜厚で形成する方法。 酸化錫や酸化インジウムなどの金属酸化物被
膜をスパツタリングや蒸着手段などによつて同
様に薄い膜厚で形成する方法。 Snやlnなどの有機化合物または塩化物を500
〜800℃に加熱したガラス基材表面に吹きつけ、
分解せしめて金属酸化物の薄膜を形成する方
法。 などが知られている。しかし、上記方法におい
ては、被膜の透明性に問題があり、また上記方
法は量産的でなく、さらに上記方法において
は、発生する塩素などの有害ガスの処理を必要と
するなど、いずれの方法も何らかの問題点を有す
るものである。 この発明は、上述のような従来方法のもつ問題
点のない、すなわち透明にして導電性のすぐれた
被膜を、簡便にして量産性よく、かつ何らの有害
ガスの発生もなく、ガラス基材表面に形成する方
法を提供するもので、アンチモン（Sb）：0.1〜20
重量％を含有し、残りが実質的に酸化錫（SnO2）
からなる組成を有し、かつ0.2μｍ以下の平均粒径
をもつた導電性粉末を、無機塩、望ましくはケイ
酸、リン酸、ホウ酸、およびアルミン酸のリチウ
ム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、およびアンモ
ニウム塩のうちの１種または２種以上からなる無
機塩を溶解した水溶液中に、前記導電性粉末：前
記無機塩＝97：３〜60：40の重量割合で均一分散
させたものからなる懸濁液を調製し、この懸濁液
をガラス基材表面に塗布し、塗布被膜を乾燥する
ことによつて透明導電性被膜をガラス基材表面に
形成する方法に特徴を有するものである。 この発明の方法において、導電性粉末のSb含
有量および平均粒径、さらに導電性粉末と無機塩
の重量割合を上記の通り限定した理由を以下に説
明する。 (a) 導電性粉末のSb含有量 導電性粉末中のSb含有量が0.1重量％未満では、
所望のすぐれた導電性を確保することができない
ので、形成された被膜の電気抵抗が高くなり、一
方20重量％を越えて含有させると、導電性粉末自
体の透明性が失われて青味を帯びるようになり、
この結果被膜の透明性も損なわれるようになるこ
とから、その含有量を0.1〜20重量％と定めた。 (b) 導電性粉末の平均粒径 導電性粉末の平均粒径が0.2μｍを越えると、可
視光の散乱が著しくなつて形成された被膜の透明
性が損なわれるようになることから、導電性粉末
の平均粒径の上限値を0.2μｍとし、これ以下の微
粉末とした。 (c) 導電性粉末と無機塩の重量割合 導電性粉末に対する無機塩の割合が３重量％未
満では、相対的に導電性粉末の割合が97重量％を
越えて多くなりすぎ、被膜のガラス基材に対する
密着性が悪くなつて実用時に被膜剥離が生ずるよ
うになり、一方無機塩の割合が40重量％を越える
と相対的に導電性粉末の割合が60重量％未満とな
つて被膜の導電性が低下するようになることか
ら、その重量割合を97：３〜60：40と定めた。 また、この発明の透明導電性被膜は、無機塩と
して、望ましくはケイ酸、リン酸、ホウ酸、およ
びアルミン酸のリチウム塩、ナトリウム塩、カリ
ウム塩、およびアンモニウム塩のうちの１種また
は２種以上を用い、この無機塩を水に溶解し、こ
の結果の水溶液に所定割合で導電性粉末を配合
し、これをボールミルあるいは適当な攬拌装置を
用いて混合撹拌し、前記導電性粉末が前記水溶液
中に均一に分散した懸濁液とし、ついでこの懸濁
液を通常のスプレー法、バーコート法、およびド
クターブレード法などの塗布手段を用いてガラス
基材表面にに塗布し、この結果形成された塗布被
膜を自然乾燥あるいは強制乾燥することによつて
形成することができ、形成された被膜はガラス基
材との密着性がすぐれ、高い透明度と導電性をも
ち、かつ耐熱性も有するものである。 つぎに、この発明の被膜形成方法を実施例によ
り具体的に説明する。 実施例 それぞれ第１表に示される種類の導電性粉末と
無機塩を用意し、同じく第１表に示される割合
で、まず無機塩を水に溶解し、ついでこの水溶液
に導電性粉末を配合し、この配合液をボールミル
にて10時間混合して導電性粉末が均一に分散した
懸
【表】
【表】
濁液とし、この懸濁液をそれぞれ第１表に示され
る膜厚でガラス基材表面に塗布し、自然乾燥ある
いは強制乾燥し、必要に応じて（第１表に表示）、
大気中、温度：500℃で焼成することによつて、
本発明被膜１〜26をそれぞれ形成した。 この結果形成された本発明被膜１〜26は、いず
れもガラス基材表面に強固に結合し、かつ透明度
の高いものであつた。また、表面抵抗を測定した
ところ、第１表に示した測定結果を示し、いずれ
も導電性のすぐれたものであつた。 上述のように、この発明によれば、専用の蒸着
装置や有害ガス除去装置などを必要とすることな
く、単に塗布するという簡便な操作で、透明にし
て導電性にすぐれた被膜をガラス基材表面に形成
することができるので、その実用分野は電子機器
や電機機器、さらには建築物や車両などの構造材
の分野に亘り、しかもかかる分野での実用に際し
て有用な性能を発揮するなど工業上有用な効果が
もたらされるのである。
る膜厚でガラス基材表面に塗布し、自然乾燥ある
いは強制乾燥し、必要に応じて（第１表に表示）、
大気中、温度：500℃で焼成することによつて、
本発明被膜１〜26をそれぞれ形成した。 この結果形成された本発明被膜１〜26は、いず
れもガラス基材表面に強固に結合し、かつ透明度
の高いものであつた。また、表面抵抗を測定した
ところ、第１表に示した測定結果を示し、いずれ
も導電性のすぐれたものであつた。 上述のように、この発明によれば、専用の蒸着
装置や有害ガス除去装置などを必要とすることな
く、単に塗布するという簡便な操作で、透明にし
て導電性にすぐれた被膜をガラス基材表面に形成
することができるので、その実用分野は電子機器
や電機機器、さらには建築物や車両などの構造材
の分野に亘り、しかもかかる分野での実用に際し
て有用な性能を発揮するなど工業上有用な効果が
もたらされるのである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アンチモン：0.1〜20重量％を含有し、残り
が実質的に酸化錫からなる組成を有し、かつ0.2μ
ｍ以下の平均粒径をもつた導電性粉末を、ケイ
酸、リン酸、ホウ酸、およびアルミン酸のリチウ
ム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、およびアンモ
ニウム塩のうちの１種または２種以上からなる無
機塩を溶解した水溶液中に、 前記導電性粉末：前記無機塩＝97：３〜60：40
の重量割合で均一分散させたものからなる懸濁液
を調製し、この懸濁液をガラス基材表面に塗布
し、塗布被膜を乾燥することを特徴とするガラス
基材表面に透明導電性被膜を形成する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18797481A JPS5889712A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | ガラス基材表面に透明導電性被膜を形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18797481A JPS5889712A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | ガラス基材表面に透明導電性被膜を形成する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5889712A JPS5889712A (ja) | 1983-05-28 |
| JPS6352404B2 true JPS6352404B2 (ja) | 1988-10-19 |
Family
ID=16215393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18797481A Granted JPS5889712A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | ガラス基材表面に透明導電性被膜を形成する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5889712A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4563612A (en) * | 1984-06-25 | 1986-01-07 | Rca Corporation | Cathode-ray tube having antistatic silicate glare-reducing coating |
| JPS62278705A (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-03 | 多木化学株式会社 | 透明導電材料 |
| US4945282A (en) | 1987-12-10 | 1990-07-31 | Hitachi, Ltd. | Image display panel having antistatic film with transparent and electroconductive properties and process for processing same |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5682504A (en) * | 1979-12-06 | 1981-07-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | Method of forming transparent conductive film |
| JPS56130006A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-12 | Mitsubishi Metal Corp | Conductive composite powder |
-
1981
- 1981-11-24 JP JP18797481A patent/JPS5889712A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5889712A (ja) | 1983-05-28 |
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