JPS6352049A - 酸化物半導体型酸素センサ素子 - Google Patents
酸化物半導体型酸素センサ素子Info
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- JPS6352049A JPS6352049A JP19669486A JP19669486A JPS6352049A JP S6352049 A JPS6352049 A JP S6352049A JP 19669486 A JP19669486 A JP 19669486A JP 19669486 A JP19669486 A JP 19669486A JP S6352049 A JPS6352049 A JP S6352049A
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は酸化物半導体型酸素センサ素子に関する。
従来、自動車等の排気ガス中の酸素濃度を抵抗値の変化
によって検知する酸素センサとして、Ｔｉｅ、 等の
Ｎ型半導体を用いた酸化物半導体型酸素センサ素子が用
いられてｉる。このような酸化物半導体型酸素センサ素
子としては、例えば第７図に示すように、２本の電極１
２を設けたＴ ｉ Ｏｘ層１４の最外表面にＰｔ等の触
媒層１３を設けた構造を有するもの（％開昭５６−ａ４
Ｂｓｓ号、特開昭５４−６４６５２号参照）や二本の！
極を有する多孔質のＴｉｅ２層全体に触媒としてＰｔ
を担持させたもの（特開昭５４−１５１４９８号参照
）が知られている。Ｔ ｉ ０１層は、一般に、ガス拡
散性すなわち応答性を向上させるため、通気性の多孔質
としている。Ｐｔ 等の触媒は排気ガス中の還元性ガ
スと酸素を平衡状態にするものである。上記の酸化物半
導体型酸素センサ素子は理論空燃死人＝１での酸素分圧
を境にして抵抗値が急変する。
によって検知する酸素センサとして、Ｔｉｅ、 等の
Ｎ型半導体を用いた酸化物半導体型酸素センサ素子が用
いられてｉる。このような酸化物半導体型酸素センサ素
子としては、例えば第７図に示すように、２本の電極１
２を設けたＴ ｉ Ｏｘ層１４の最外表面にＰｔ等の触
媒層１３を設けた構造を有するもの（％開昭５６−ａ４
Ｂｓｓ号、特開昭５４−６４６５２号参照）や二本の！
極を有する多孔質のＴｉｅ２層全体に触媒としてＰｔ
を担持させたもの（特開昭５４−１５１４９８号参照
）が知られている。Ｔ ｉ ０１層は、一般に、ガス拡
散性すなわち応答性を向上させるため、通気性の多孔質
としている。Ｐｔ 等の触媒は排気ガス中の還元性ガ
スと酸素を平衡状態にするものである。上記の酸化物半
導体型酸素センサ素子は理論空燃死人＝１での酸素分圧
を境にして抵抗値が急変する。
しかしながら、上記したような、全体に触媒を担持した
Ｔｉ０１ 酸化物半導体型酸素センサ素子はＺｒ０ｇ
型のｙｉ素センサ素子のコーティング層の気孔率が１０
チ程度であるのに対し、その気孔率が２０〜３０％と多
孔質であるため、ガス拡散性がはるか罠優れているにも
かかわらず、リッチからり一ン変化時の応答時間と出力
の関係を表わす第８図（ａ）及り一ンからリッチ変化時
の応答時間と出力の関係を表わす第８図（ｂ）に示すよ
うに応答性が悪（、ＺｒＯ，ｉｉとほぼ同程度である（
ただし、層厚は同一）。この原因は、明確ではないが、
Ｔｉｅ、層内に担持された触媒くよると考えられる。つ
まシ、空燃比がリッチからり一ンに変化する際の応答で
はＴｉＯ３層内はリッチガス（還元性ガス）で満たされ
てｉるが、雰囲気かり−になると、外から酸素ガスが拡
散してくるが、該触媒上で還元性ガスと灰石しながらの
拡散であるため、見かけ上拡散速度が低下するφ同様に
空燃比がリーンからリッチに変化する際の応答において
も’Ｉ’ ｉ ０．層 内の酸素ガスと外からの還元性
ガスが反応し、見かけの拡散速度が低下する。これが第
８図（ａ） ｔｂ）に示すように出力が変化するまでの
空走時間となる。また、上記の最外表面部分に触媒を担
持した酸素センサ素子では、表面付近での酸素と還元性
ガスとの反応による酸素分圧が低下しても外部から酸素
がすぐに補われるため、応答にはあまり関与しない。し
たがって、今後の排気ガス規制の強化に対応するために
は、更に細かい制御が必要であるが、それに必要な十分
な応答性を備えていないという問題がある。また、Ｐｔ
等の触媒がＴｉｏ！層 の最表面に担持されている
ため、使用中に劣化し、素子の特性変化が生じやすいと
いう問題もある。
Ｔｉ０１ 酸化物半導体型酸素センサ素子はＺｒ０ｇ
型のｙｉ素センサ素子のコーティング層の気孔率が１０
チ程度であるのに対し、その気孔率が２０〜３０％と多
孔質であるため、ガス拡散性がはるか罠優れているにも
かかわらず、リッチからり一ン変化時の応答時間と出力
の関係を表わす第８図（ａ）及り一ンからリッチ変化時
の応答時間と出力の関係を表わす第８図（ｂ）に示すよ
うに応答性が悪（、ＺｒＯ，ｉｉとほぼ同程度である（
ただし、層厚は同一）。この原因は、明確ではないが、
Ｔｉｅ、層内に担持された触媒くよると考えられる。つ
まシ、空燃比がリッチからり一ンに変化する際の応答で
はＴｉＯ３層内はリッチガス（還元性ガス）で満たされ
てｉるが、雰囲気かり−になると、外から酸素ガスが拡
散してくるが、該触媒上で還元性ガスと灰石しながらの
拡散であるため、見かけ上拡散速度が低下するφ同様に
空燃比がリーンからリッチに変化する際の応答において
も’Ｉ’ ｉ ０．層 内の酸素ガスと外からの還元性
ガスが反応し、見かけの拡散速度が低下する。これが第
８図（ａ） ｔｂ）に示すように出力が変化するまでの
空走時間となる。また、上記の最外表面部分に触媒を担
持した酸素センサ素子では、表面付近での酸素と還元性
ガスとの反応による酸素分圧が低下しても外部から酸素
がすぐに補われるため、応答にはあまり関与しない。し
たがって、今後の排気ガス規制の強化に対応するために
は、更に細かい制御が必要であるが、それに必要な十分
な応答性を備えていないという問題がある。また、Ｐｔ
等の触媒がＴｉｏ！層 の最表面に担持されている
ため、使用中に劣化し、素子の特性変化が生じやすいと
いう問題もある。
本発明は上記問題点を解決するためのもので、応答性の
優れた酸化物半導体型酸素センサ素子を提供することを
目的とするものである。
優れた酸化物半導体型酸素センサ素子を提供することを
目的とするものである。
本発明の酸化物半導体型ａ素センサ素子は、所定の間隔
を有する二つ電極とそれらを覆う酸化物半導体とからな
る酸化物半導体壓改素センサ素子において、電極の近傍
に触媒を存在させたことを特徴とするものである。
を有する二つ電極とそれらを覆う酸化物半導体とからな
る酸化物半導体壓改素センサ素子において、電極の近傍
に触媒を存在させたことを特徴とするものである。
電極の近傍に触媒を存在させる方法としては、酸化物半
導体の電極近傍部分和触媒成分を担持させることによっ
てもよいし、触媒成分を他のセラミック担体に担持させ
た触媒を電極近傍に配置してもよい。
導体の電極近傍部分和触媒成分を担持させることによっ
てもよいし、触媒成分を他のセラミック担体に担持させ
た触媒を電極近傍に配置してもよい。
該酸化物半導体蚤酸素センサ素子は、酸化物半導体の最
表面層を、触媒を担持せずに、十分に緻密（気孔率５〜
２０チ）Ｋして、ガス拡散律速層とすることが好ましい
。又は酸化物半導体層をガス拡散律速層とする代わりに
、該素子の最表面層を緻密な他のセラミック層で構成し
てガス拡散律速層としてもよい。
表面層を、触媒を担持せずに、十分に緻密（気孔率５〜
２０チ）Ｋして、ガス拡散律速層とすることが好ましい
。又は酸化物半導体層をガス拡散律速層とする代わりに
、該素子の最表面層を緻密な他のセラミック層で構成し
てガス拡散律速層としてもよい。
本発明に用いることができる酸化物半導体としては例え
ばＴ ｉ （％ ｔ Ｎ ｂ２０１ ｅ Ｃｅ （％な
どが挙げられ、特にＴ ＊ ＯＨが好ましい・ 触媒としては、酸化物半導体型ａ素センサ素十に通常用
いられるものを用いることができ、例えばＰｔ、 Ｐｔ
／Ｒｈなどが挙げられる。
ばＴ ｉ （％ ｔ Ｎ ｂ２０１ ｅ Ｃｅ （％な
どが挙げられ、特にＴ ＊ ＯＨが好ましい・ 触媒としては、酸化物半導体型ａ素センサ素十に通常用
いられるものを用いることができ、例えばＰｔ、 Ｐｔ
／Ｒｈなどが挙げられる。
〔作 用〕。
本発明の酸化物半導体型酸素センサ素子は、触媒を半導
体Ｏ抵抗値の変化に最も関与する電極近傍すなわち内部
に存在させたので、被測定ガス、例えば自動車の内燃機
関からの排気ガス中の還元性ガスと酸素との反応が表面
付近で起きず、内部だけで起きるため、見かけの拡散速
度が小さくなることがなく、また、該反応による酸素分
圧が低下した際に外部からの酸素によってすぐ補われる
ことがないため、応答性が優れる。また、触媒が被測定
ガスに直接接触しないので、被毒等、触媒が劣化せず、
特性が変化しない。
体Ｏ抵抗値の変化に最も関与する電極近傍すなわち内部
に存在させたので、被測定ガス、例えば自動車の内燃機
関からの排気ガス中の還元性ガスと酸素との反応が表面
付近で起きず、内部だけで起きるため、見かけの拡散速
度が小さくなることがなく、また、該反応による酸素分
圧が低下した際に外部からの酸素によってすぐ補われる
ことがないため、応答性が優れる。また、触媒が被測定
ガスに直接接触しないので、被毒等、触媒が劣化せず、
特性が変化しない。
本発明を実施例により図面を参照して説明する。
実施例１
第１図（ａ）及び（ｂ）に示すように１アルミナからな
る長方形の絶縁基板１の同一面に印刷等によって２本の
Ｐｔ 電＠２を所定の間隔で該絶縁基板１の長さ方向
に設ける。該絶縁基板１の一方の端の両電極２の間に、
ｒ−アルミナからなる薄い触媒担持層を設け、触媒成分
としてＰｔ を担持させて触媒層３を形成する。なお
、この触媒層は、Ｐｔ等を印刷等によりてペースト状に
塗布して形成してもよい、絶縁基板１の酸素センサ素子
を形成する、触媒層３近傍以外の電極２を形成した面を
アルミナからなる電極保護基板５で覆う。上記２本の電
極２を、それらの間に形成した触媒３とともに覆うよう
Ｋ、緻密なＴ１０８ 酸化物半導体層４を該絶縁基板
１０端部に設ける。該酸化物半導体；豪４には触媒成分
は担持しないが、場合により酸化物半導体層４０絶縁基
板１１１の部分には触媒成分を担持してもよい、該酸化
物半導体層４は、厚くし過ぎるとはがれやすくなシ、薄
くしすぎるとガスの通気性がよくな９過ぎるため、気孔
率にもよるが、１１１厚は５０〜４００Ｐ程度とすると
よい。
る長方形の絶縁基板１の同一面に印刷等によって２本の
Ｐｔ 電＠２を所定の間隔で該絶縁基板１の長さ方向
に設ける。該絶縁基板１の一方の端の両電極２の間に、
ｒ−アルミナからなる薄い触媒担持層を設け、触媒成分
としてＰｔ を担持させて触媒層３を形成する。なお
、この触媒層は、Ｐｔ等を印刷等によりてペースト状に
塗布して形成してもよい、絶縁基板１の酸素センサ素子
を形成する、触媒層３近傍以外の電極２を形成した面を
アルミナからなる電極保護基板５で覆う。上記２本の電
極２を、それらの間に形成した触媒３とともに覆うよう
Ｋ、緻密なＴ１０８ 酸化物半導体層４を該絶縁基板
１０端部に設ける。該酸化物半導体；豪４には触媒成分
は担持しないが、場合により酸化物半導体層４０絶縁基
板１１１の部分には触媒成分を担持してもよい、該酸化
物半導体層４は、厚くし過ぎるとはがれやすくなシ、薄
くしすぎるとガスの通気性がよくな９過ぎるため、気孔
率にもよるが、１１１厚は５０〜４００Ｐ程度とすると
よい。
上記酸化物半導体型酸素センサ素子において、アルミナ
担持層を有する構造としたので、 Ｔｉ０１酸化物半導
体Ｏ付着性が向上した。
担持層を有する構造としたので、 Ｔｉ０１酸化物半導
体Ｏ付着性が向上した。
上記の酸化物半導体層は、Ｐｔ等の触媒による応答遅れ
がないため、緻密（厚さにもよるが気孔率５−２０−程
度）ＩＩｃするととができ、それによって該層内の空間
が減少し、酸化物半導体粒子の表面積が増加して、応答
性及び感ガス性が相乗的に向上する。また、該層が緻密
なため、ガスが拡散律速となり、外部雰囲気に影響され
ず、触媒で平衡状態となるので、空燃比がリッチの場合
、酸化物半導体の電極近傍の酸素分圧が十分に低くなり
、該酸化物半導体の抵抗が該酸素分圧に比例するため、
抵抗値も十分に低くなる。その結果、該抵抗値の変化幅
が大きくなり、使用温度範囲が広くなる。
がないため、緻密（厚さにもよるが気孔率５−２０−程
度）ＩＩｃするととができ、それによって該層内の空間
が減少し、酸化物半導体粒子の表面積が増加して、応答
性及び感ガス性が相乗的に向上する。また、該層が緻密
なため、ガスが拡散律速となり、外部雰囲気に影響され
ず、触媒で平衡状態となるので、空燃比がリッチの場合
、酸化物半導体の電極近傍の酸素分圧が十分に低くなり
、該酸化物半導体の抵抗が該酸素分圧に比例するため、
抵抗値も十分に低くなる。その結果、該抵抗値の変化幅
が大きくなり、使用温度範囲が広くなる。
実施例２
本実施例は酸化物半導体層に触媒を担持したものである
。
。
第２図に示すようにアルミナ絶縁基板１上に二つのＰｔ
ｆｌ極２を実施例１と同様に設ける。次いで５〜４０
ｐｍの厚さのＴＩＯ，酸化物半導体層４ａを絶縁基板１
０一方の端に１！極２を覆うように形成する。次いで該
酸化物半導体層４ａにｐｔ触媒３ａを担持する０次に該
酸化物半導体層４ａの上に該酸化物半導体層４ａよシ少
々くとも厚く徴″？Ｍ（気孔率５〜２０％）なＴｉＯ宜
酸化物半導体層４ｂを形成し、ガス拡散律速層とする。
ｆｌ極２を実施例１と同様に設ける。次いで５〜４０
ｐｍの厚さのＴＩＯ，酸化物半導体層４ａを絶縁基板１
０一方の端に１！極２を覆うように形成する。次いで該
酸化物半導体層４ａにｐｔ触媒３ａを担持する０次に該
酸化物半導体層４ａの上に該酸化物半導体層４ａよシ少
々くとも厚く徴″？Ｍ（気孔率５〜２０％）なＴｉＯ宜
酸化物半導体層４ｂを形成し、ガス拡散律速層とする。
このガス拡散律速層は他のセラミックで形成してもよい
が、下層の酸化物半導体層４ａとの付着性の点から同一
材を用ｉることか好ましい、電極２の酸化物半導体層で
覆わない部分は電極保護基板で覆い、酸化物半導体型酸
素センサ素子とする。
が、下層の酸化物半導体層４ａとの付着性の点から同一
材を用ｉることか好ましい、電極２の酸化物半導体層で
覆わない部分は電極保護基板で覆い、酸化物半導体型酸
素センサ素子とする。
比較例として、第３図に示すように絶縁基板１に二つの
電極２を実施例２と同様に形成する。
電極２を実施例２と同様に形成する。
次いで実施例２の酸化物半導体層４ａと４ｂを合計した
厚さと同じ厚さの多孔質（気孔率２０〜３０％）なＴ
ｉ ０２ 酸化物半導体層４Ｃを絶縁基板１の一方の
端に電極２を覆うように形成し、ｐｔ触媒３ａを該酸化
物半導体層４Ｃ全体に担持させる。１を極２の酸化物半
導体層で覆わない部分は１！Ｌ極保６基板で覆い、酸化
物半導体凰酸素センサ素子とする。
厚さと同じ厚さの多孔質（気孔率２０〜３０％）なＴ
ｉ ０２ 酸化物半導体層４Ｃを絶縁基板１の一方の
端に電極２を覆うように形成し、ｐｔ触媒３ａを該酸化
物半導体層４Ｃ全体に担持させる。１を極２の酸化物半
導体層で覆わない部分は１！Ｌ極保６基板で覆い、酸化
物半導体凰酸素センサ素子とする。
本実施例の酸素センサ素子は比較例に比べて、リッチか
らり一ン変化時の応答時間と出力の関係を表わす第４図
（ａ）及びリーンからリッチ変化時の応答時間と出力の
関係を表わす第４図（ｂ）に示すように応答時間が短く
、応答性に優れている。
らり一ン変化時の応答時間と出力の関係を表わす第４図
（ａ）及びリーンからリッチ変化時の応答時間と出力の
関係を表わす第４図（ｂ）に示すように応答時間が短く
、応答性に優れている。
また、本実施例の酸素センサ素子は９気過剰率と抵抗値
の関係を表わす第５図に示すように、比較例に比べて、
リッチ空燃比で低い抵抗値を示す。これは、本実施例の
酸素センサ素子の応答性が優れていることから該素子の
最表面層を緻密にしてガス拡散律速層とすることができ
、被測定ガスは触媒で平衡状態となり、酸化物半導体層
に外部から酸素が供給されないため、リッチ空燃比で低
い抵抗値となる。−万、リーン空燃比では十分酸素が存
在するため、抵抗値は最大の抵抗値（固有抵抗）となっ
ているため、実施例と比較例は同値を示している。その
結果、実施例の酸素センサ素子は抵抗値の変化幅が大き
くなる。そのため、槙６図に示すように、基準抵抗が一
定の場合実施例のｒｎ素七ンを素子の作動温度範囲ΔＴ
１は 比較例の作動温度範囲ΔＴ、より広くなる。
の関係を表わす第５図に示すように、比較例に比べて、
リッチ空燃比で低い抵抗値を示す。これは、本実施例の
酸素センサ素子の応答性が優れていることから該素子の
最表面層を緻密にしてガス拡散律速層とすることができ
、被測定ガスは触媒で平衡状態となり、酸化物半導体層
に外部から酸素が供給されないため、リッチ空燃比で低
い抵抗値となる。−万、リーン空燃比では十分酸素が存
在するため、抵抗値は最大の抵抗値（固有抵抗）となっ
ているため、実施例と比較例は同値を示している。その
結果、実施例の酸素センサ素子は抵抗値の変化幅が大き
くなる。そのため、槙６図に示すように、基準抵抗が一
定の場合実施例のｒｎ素七ンを素子の作動温度範囲ΔＴ
１は 比較例の作動温度範囲ΔＴ、より広くなる。
また、実施例の酸素センサ素子のガス拡散律速層がその
下層の酸化物半導体層と同一材であるため、冷熱サイク
ルを受けてもはがれない。
下層の酸化物半導体層と同一材であるため、冷熱サイク
ルを受けてもはがれない。
本発明の酸化物半導体型酸素センサ素子は、上記したよ
うに触媒を電極近傍に存在させたので、触媒による見か
けの拡散速度の低下が生じず、応答性が優れる。その結
果、素子の最表面層をガス拡散律速層とすることができ
、作動温度範囲が広がる。更に、触媒を全体でなく電極
近傍だけに存在させるため、触媒の使用量を通常、全体
に使用した場合の数分の−【低減できるなど多くの利点
を併有する。
うに触媒を電極近傍に存在させたので、触媒による見か
けの拡散速度の低下が生じず、応答性が優れる。その結
果、素子の最表面層をガス拡散律速層とすることができ
、作動温度範囲が広がる。更に、触媒を全体でなく電極
近傍だけに存在させるため、触媒の使用量を通常、全体
に使用した場合の数分の−【低減できるなど多くの利点
を併有する。
第１１１Ａ（ａ）は本発明の実施例１０酸素センサ素子
の上面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）の酸素センサ素
子の側面図、 第２図は本発明の実施例２の酸素センサ素子の要部断面
図、 第３図は比較例の酸素センサ素子の要部断面図、 第４図（ａ）Ｉｆｉ本発明の実施例２の酸素センサ素子
のリッチからり一ン変化時の出力と応答時間の関係を示
すグラフ、第４図（ｂ）は本発明の実施例２の酸素セン
サ素子のり一ンからリッチ変化時の出力と応答時間の関
係を示すグラフ、第５図は本発明の実施例２の酸素セン
サ素子の抵抗値と空気過剰率の関係を示すグラフ、第６
図は本発明の実施例２の酸素センサ素子の抵抗値と温度
の関係を示すグラフ、 第７図は従来の酸化物半導体呈酸素センサ素子の部分断
面斜視図、 第８図偵）は従来の酸素センサ素子のリッチからリーン
変化時の出力と応答時間の関係を示すグラフ、第８図（
ｂ）は従来の酸素センサ素子のり一ノからリッチ変化時
の出力と応答時間の関係を示すグラフを表わす。 図中、 １・・・絶縁基板 ２・・・電極３゛′°触媒
層 ４・・・酸化物半導体層５・・・電極保
護基板 特許出願人 トヨタ自動車株式会社 （ほか２名） ５・・・電極保護基板 第２図 第３図 第４図 （Ｑ） （ｂ） 応答時間（Ｓ） 応答時間（Ｓ）第５図
第６図 第７図 第８図 （ａ）（ｂ）
の上面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）の酸素センサ素
子の側面図、 第２図は本発明の実施例２の酸素センサ素子の要部断面
図、 第３図は比較例の酸素センサ素子の要部断面図、 第４図（ａ）Ｉｆｉ本発明の実施例２の酸素センサ素子
のリッチからり一ン変化時の出力と応答時間の関係を示
すグラフ、第４図（ｂ）は本発明の実施例２の酸素セン
サ素子のり一ンからリッチ変化時の出力と応答時間の関
係を示すグラフ、第５図は本発明の実施例２の酸素セン
サ素子の抵抗値と空気過剰率の関係を示すグラフ、第６
図は本発明の実施例２の酸素センサ素子の抵抗値と温度
の関係を示すグラフ、 第７図は従来の酸化物半導体呈酸素センサ素子の部分断
面斜視図、 第８図偵）は従来の酸素センサ素子のリッチからリーン
変化時の出力と応答時間の関係を示すグラフ、第８図（
ｂ）は従来の酸素センサ素子のり一ノからリッチ変化時
の出力と応答時間の関係を示すグラフを表わす。 図中、 １・・・絶縁基板 ２・・・電極３゛′°触媒
層 ４・・・酸化物半導体層５・・・電極保
護基板 特許出願人 トヨタ自動車株式会社 （ほか２名） ５・・・電極保護基板 第２図 第３図 第４図 （Ｑ） （ｂ） 応答時間（Ｓ） 応答時間（Ｓ）第５図
第６図 第７図 第８図 （ａ）（ｂ）
Claims (2)
- （１）所定の間隔を有する二つ電極とそれらを覆う酸化
物半導体とからなる酸化物半導体型酸素センサ素子にお
いて、電極の近傍に触媒を存在させたことを特徴とする
酸化物半導体型酸素センサ素子。 - （２）酸化物半導体の最表面層がガス拡散律速層である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の酸化物半
導体型酸素センサ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19669486A JPS6352049A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 酸化物半導体型酸素センサ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19669486A JPS6352049A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 酸化物半導体型酸素センサ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6352049A true JPS6352049A (ja) | 1988-03-05 |
Family
ID=16362033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19669486A Pending JPS6352049A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 酸化物半導体型酸素センサ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6352049A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5657947A (en) * | 1979-10-17 | 1981-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of oxygen partial pressure detecting element |
| JPS56106147A (en) * | 1980-01-28 | 1981-08-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Gas sensitive body element and its production |
| JPS61153561A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-12 | Japan Electronic Control Syst Co Ltd | 酸素センサ |
-
1986
- 1986-08-22 JP JP19669486A patent/JPS6352049A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5657947A (en) * | 1979-10-17 | 1981-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of oxygen partial pressure detecting element |
| JPS56106147A (en) * | 1980-01-28 | 1981-08-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Gas sensitive body element and its production |
| JPS61153561A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-12 | Japan Electronic Control Syst Co Ltd | 酸素センサ |
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