JPS635094A - 新規なホスフイノピロリジン化合物 - Google Patents
新規なホスフイノピロリジン化合物Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D207/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
- C07D207/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
- C07D207/04—Heterocyclic compounds containing five-membered rings not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
- C07D207/08—Heterocyclic compounds containing five-membered rings not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hydrocarbon radicals, substituted by hetero atoms, attached to ring carbon atoms
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- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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- Organic Chemistry (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本9発明は、新規なホスフィノピロリジン化合物に関す
る。
る。
さらに詳しく云えば、本発明は、炭素−炭素二重結合構
造、炭素−窒素二重結合構造および(又は)炭素−酸素
二重結合構造を有する化合物を接触還元することにより
不斉炭素原子を有する化合物を生成せしめる反応を行う
にあたり、触媒として使用する金属錯体化合物における
配位子として用いられる一般式、 又は (式中、R1は、水素原子、−Co−R′、−COOR
′、−CONHR″’又は−S O! −R″”であり
、R′、R′、R′およびR″″は、それぞれアルキル
基又はアリール基を表わし、R2およびR3は、それぞ
れ置換基を有することのある同一もしくは異なった芳香
族の基であり、R4、R5は、それぞれ、置換基を有す
ることのある同一らしくは異なった脂肪族又は指環式の
炭化水素基である) で表わされる新規なホスフィノピロリジン化合物に関す
る。
造、炭素−窒素二重結合構造および(又は)炭素−酸素
二重結合構造を有する化合物を接触還元することにより
不斉炭素原子を有する化合物を生成せしめる反応を行う
にあたり、触媒として使用する金属錯体化合物における
配位子として用いられる一般式、 又は (式中、R1は、水素原子、−Co−R′、−COOR
′、−CONHR″’又は−S O! −R″”であり
、R′、R′、R′およびR″″は、それぞれアルキル
基又はアリール基を表わし、R2およびR3は、それぞ
れ置換基を有することのある同一もしくは異なった芳香
族の基であり、R4、R5は、それぞれ、置換基を有す
ることのある同一らしくは異なった脂肪族又は指環式の
炭化水素基である) で表わされる新規なホスフィノピロリジン化合物に関す
る。
従来、合成化学の分野において光学活性化合物を直接合
成することのできる不斉還元反応に関する幾多の研究が
なされている。その一つとして、多くのビスホスフィン
配位子が合成されて、その配位子と各種の金属との組合
せを用いて不斉還元反応が試みられているが、不斉収率
(光学収率)及び反応効率(註:反応速度に関して、反
応速度が遅いと使用量が多くなるため、その関係を示す
方法の一つとして、基質と配位子のモル比で表わしたも
の)を同時に満足させる配位子はまだ見出されていない
。(B、Bosnich著「アシンメトリツク・カタリ
シスJ MartinusNijhoff Publi
shers Boston 19g6年、I9頁〜31
頁〕 本発明者は、不斉還元反応において、不斉収率と反応効
率の両者を同時に満足し得る不斉合成法の開発を課題と
して鋭意研究を行ったところ、本発明により、上記課題
を解決し得る浸れた配位子としての新規なホスフィノピ
ロリジン化合物を提供することに成功した。
成することのできる不斉還元反応に関する幾多の研究が
なされている。その一つとして、多くのビスホスフィン
配位子が合成されて、その配位子と各種の金属との組合
せを用いて不斉還元反応が試みられているが、不斉収率
(光学収率)及び反応効率(註:反応速度に関して、反
応速度が遅いと使用量が多くなるため、その関係を示す
方法の一つとして、基質と配位子のモル比で表わしたも
の)を同時に満足させる配位子はまだ見出されていない
。(B、Bosnich著「アシンメトリツク・カタリ
シスJ MartinusNijhoff Publi
shers Boston 19g6年、I9頁〜31
頁〕 本発明者は、不斉還元反応において、不斉収率と反応効
率の両者を同時に満足し得る不斉合成法の開発を課題と
して鋭意研究を行ったところ、本発明により、上記課題
を解決し得る浸れた配位子としての新規なホスフィノピ
ロリジン化合物を提供することに成功した。
以下に、本発明の詳細な説明する。
本発明者は、従来に例を見ない全く新規な技術思想に基
づく不斉合成法を提供することに成功したが本発明に係
る新規なホスフィノピロリジン化合物は、この不斉合成
法において極めて優れた配位子として使用される化合物
である。
づく不斉合成法を提供することに成功したが本発明に係
る新規なホスフィノピロリジン化合物は、この不斉合成
法において極めて優れた配位子として使用される化合物
である。
すなわち、本発明者によるビスホスフィン系の配位子の
反応機構の詳細な研究結果から、配位子の分子構造の中
に不斉収率を向上させる部位と反応効率を向上させる部
位とが存在することが明らかにされたが、前記−般式(
I)又は(■′)で表わされるホスフィノピロリジン化
合物は、この配位子として極めて優れた性質を示す。こ
れについてさらに詳細に説明すれば、前斉収率を向上さ
せることに影響する部位であり、向上させることに影響
する部位であることが本発明の研究の結果判明した。R
2、R3が芳香族の基である場合でR4、R5が脂肪族
又は脂環式の炭化水素基である場合に不斉収率と反応効
率の両者を満足させる結果が得られることも判った。
反応機構の詳細な研究結果から、配位子の分子構造の中
に不斉収率を向上させる部位と反応効率を向上させる部
位とが存在することが明らかにされたが、前記−般式(
I)又は(■′)で表わされるホスフィノピロリジン化
合物は、この配位子として極めて優れた性質を示す。こ
れについてさらに詳細に説明すれば、前斉収率を向上さ
せることに影響する部位であり、向上させることに影響
する部位であることが本発明の研究の結果判明した。R
2、R3が芳香族の基である場合でR4、R5が脂肪族
又は脂環式の炭化水素基である場合に不斉収率と反応効
率の両者を満足させる結果が得られることも判った。
不斉ビスホスフィンと金属錯体を触媒とする不斉還元反
応機構に関して、例えば、ビスホスフインーロジウム錯
体の配位構造についての考察によると、イタコン酸を基
質としたBPPM((2S。
応機構に関して、例えば、ビスホスフインーロジウム錯
体の配位構造についての考察によると、イタコン酸を基
質としたBPPM((2S。
4S)−N−tert−ブトオキシカルボニル−4−ジ
フェニルホスフィノ−2−ジフェニルホスフィノメチル
ピロリジン)−ロジウムでの不斉還元反応の重要な中間
体の構造は下記の様に表示することができる。
フェニルホスフィノ−2−ジフェニルホスフィノメチル
ピロリジン)−ロジウムでの不斉還元反応の重要な中間
体の構造は下記の様に表示することができる。
S−Product
即ち、不斉還元されるオレフィンのシス位のジフェニル
ホスフィン基、(P、)は新しく形成される不斉誘起の
不斉場の形成に役立ち、−方、ジフェニルホスフィン基
(P、)はオレフィン基に対してトランス位にある構造
を持っている。
ホスフィン基、(P、)は新しく形成される不斉誘起の
不斉場の形成に役立ち、−方、ジフェニルホスフィン基
(P、)はオレフィン基に対してトランス位にある構造
を持っている。
具体例としてケトパントラクトンの不斉還元反応による
R −(−)−パントラクトンの合成法について考察す
るとこの合成法においては下記式で示される重要な中間
体が考えられる。
R −(−)−パントラクトンの合成法について考察す
るとこの合成法においては下記式で示される重要な中間
体が考えられる。
■
R−Product
(テトラヘドロン・レターズ 4431頁(1977)
、ケミカルズ・レターズ297頁(1978))本発明
者は不斉ビスホスフィンとして、まず、先に述べたBP
PMを合成し、ロジウム−1,5−シクロオクタジエン
−クロル錯体との組合せにより、R−(−)−パントラ
クトンを不斉収率80.5%、反応効率、基質/Rh=
10’(モル比)で不斉還元を行ったが不斉収率は比較
的良いものの反応効率の面において工業的に必ずしも満
足できるものではないことが判った。又、−方、谷等(
J、 Chem、 Soc、 Chem、 Commu
n、 1641頁(1984) )は、2個のジシクロ
へキシルホスフィン基を持つ対称不斉ビスホスフィン配
位子(2S、4S)−N−アシル−4−ジンクロヘキシ
ルナ。スフイノ−2−ジシクロへキシルホスフィノメチ
ルピロリジン(BCCP) )を合成して、BPPMの
場合と同様に不斉還元してR−(−)−パントラクトン
を不斉収率66%、反応効率、基質/Rh= 2X 1
0’ (モル比)でt’/z=20分で得たことを報告
している。これは先のBPPMの場合とは、逆に、反応
効率においてやや改善されているものの不斉収率におい
て非常に劣り、これも工業的に用いるには不充分である
。
、ケミカルズ・レターズ297頁(1978))本発明
者は不斉ビスホスフィンとして、まず、先に述べたBP
PMを合成し、ロジウム−1,5−シクロオクタジエン
−クロル錯体との組合せにより、R−(−)−パントラ
クトンを不斉収率80.5%、反応効率、基質/Rh=
10’(モル比)で不斉還元を行ったが不斉収率は比較
的良いものの反応効率の面において工業的に必ずしも満
足できるものではないことが判った。又、−方、谷等(
J、 Chem、 Soc、 Chem、 Commu
n、 1641頁(1984) )は、2個のジシクロ
へキシルホスフィン基を持つ対称不斉ビスホスフィン配
位子(2S、4S)−N−アシル−4−ジンクロヘキシ
ルナ。スフイノ−2−ジシクロへキシルホスフィノメチ
ルピロリジン(BCCP) )を合成して、BPPMの
場合と同様に不斉還元してR−(−)−パントラクトン
を不斉収率66%、反応効率、基質/Rh= 2X 1
0’ (モル比)でt’/z=20分で得たことを報告
している。これは先のBPPMの場合とは、逆に、反応
効率においてやや改善されているものの不斉収率におい
て非常に劣り、これも工業的に用いるには不充分である
。
本発明者は、ビスホスフィン−ロジウム錯体の配位構造
についての先に述べた考察より、不斉反応を受ける官能
基のシス位に配位するホスフィン基(P、)は不斉収率
を支配し、−方トランス位に配位するホスフィン基(P
l)はその官能基の反応効率(反応速度)を支配し得る
と考え、前記−般式(1)又は(I′)で表わされる各
種のホスフィンピロリジン化合物を合成した。そのピロ
リジン化合物とロジウム−1,5−シクロオクタンエン
−クロル錯体との組合せにより、ケトパントラクトンの
不斉還元を行い、例えば、R−(−)−パントラクトン
の場合について言えば、不斉収率91〜95%、反応効
率、基質/Rh−=lO’(モル比)で進行し、その還
元反応が不斉収率、反応効率の両面において、工業的に
実施する上に極めて優れたものであることを見出した。
についての先に述べた考察より、不斉反応を受ける官能
基のシス位に配位するホスフィン基(P、)は不斉収率
を支配し、−方トランス位に配位するホスフィン基(P
l)はその官能基の反応効率(反応速度)を支配し得る
と考え、前記−般式(1)又は(I′)で表わされる各
種のホスフィンピロリジン化合物を合成した。そのピロ
リジン化合物とロジウム−1,5−シクロオクタンエン
−クロル錯体との組合せにより、ケトパントラクトンの
不斉還元を行い、例えば、R−(−)−パントラクトン
の場合について言えば、不斉収率91〜95%、反応効
率、基質/Rh−=lO’(モル比)で進行し、その還
元反応が不斉収率、反応効率の両面において、工業的に
実施する上に極めて優れたものであることを見出した。
また、下記の表1に示したように、表1の下の式■で示
されるBCPPを合成し、BPPM (表1の下の式■
) 、BCPM(表1の下の式■) 、BCCP(表1
の下の式■)の各化合物との比較実験を行った結果、B
CPMが他の王者に比較して、優れた結果をもたらすこ
とが認められた。
されるBCPPを合成し、BPPM (表1の下の式■
) 、BCPM(表1の下の式■) 、BCCP(表1
の下の式■)の各化合物との比較実験を行った結果、B
CPMが他の王者に比較して、優れた結果をもたらすこ
とが認められた。
前記−般式(1)又は(I′)で表わされるホスフィノ
ピロリジン化合物において、式中のR′、R″、R″′
、R”″の各アルキル基の例としては、01〜C,のア
ルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、n−ブチル、sec、 −ブチル、tert−
ブチル等があげられ、アリール基の例として、フェニル
基があげられる。これらのアルキル基又はアリール基は
、置換基としてハロゲン原子、水酸基、アルキル基、ア
ルコキノ基などを有することができる。
ピロリジン化合物において、式中のR′、R″、R″′
、R”″の各アルキル基の例としては、01〜C,のア
ルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、n−ブチル、sec、 −ブチル、tert−
ブチル等があげられ、アリール基の例として、フェニル
基があげられる。これらのアルキル基又はアリール基は
、置換基としてハロゲン原子、水酸基、アルキル基、ア
ルコキノ基などを有することができる。
R1はアルキル基、アリールアルキル基であり、例えば
、メチル基、エチル基、ベンジル基等である。
、メチル基、エチル基、ベンジル基等である。
R2およびR3はそれぞれ、置換基を有することのある
同一もしくは異なった芳香族の基であり、芳香族の基と
しては炭素環式芳香族基、複素環式芳香族基があげられ
、炭素環式芳香族基の環としては、例えばベンゼン1.
ナフタレン等があり、又複素環式芳香族基の環としては
、フラン、ピロール、チオフェン、ピリジン、ピリミジ
ン、キノリン等があげられる。又、これらの芳香族基が
置換基を有する場合には、その置換基としては、ハロゲ
ン原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、等があげ
られる。R4およびR5はそれぞれ置換基の有すること
のある同一もしくは異なった脂肪族又は脂環式の炭化水
素基であり、脂肪族の炭化水素基としてはC5〜C8の
アルキル基例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基
、イソアミル基など、脂環式炭化水素基としては05〜
CBのシクロアルキル基例えばシクロペンチル基、シク
ロヘキシル基などがあげられる。又、これらの脂肪族炭
化水素基、脂環式炭化水素基が置換基を有する場合には
、その置換基の例としてはハロゲン原子、水酸基、アル
キル基、アルコキシ基、等があげられる。又、これらの
置換基を有する脂肪族炭化水素基あるいは、指環式炭化
水素基中には、二重結合あるいは三重結合が存在してい
てもよい。
同一もしくは異なった芳香族の基であり、芳香族の基と
しては炭素環式芳香族基、複素環式芳香族基があげられ
、炭素環式芳香族基の環としては、例えばベンゼン1.
ナフタレン等があり、又複素環式芳香族基の環としては
、フラン、ピロール、チオフェン、ピリジン、ピリミジ
ン、キノリン等があげられる。又、これらの芳香族基が
置換基を有する場合には、その置換基としては、ハロゲ
ン原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、等があげ
られる。R4およびR5はそれぞれ置換基の有すること
のある同一もしくは異なった脂肪族又は脂環式の炭化水
素基であり、脂肪族の炭化水素基としてはC5〜C8の
アルキル基例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基
、イソアミル基など、脂環式炭化水素基としては05〜
CBのシクロアルキル基例えばシクロペンチル基、シク
ロヘキシル基などがあげられる。又、これらの脂肪族炭
化水素基、脂環式炭化水素基が置換基を有する場合には
、その置換基の例としてはハロゲン原子、水酸基、アル
キル基、アルコキシ基、等があげられる。又、これらの
置換基を有する脂肪族炭化水素基あるいは、指環式炭化
水素基中には、二重結合あるいは三重結合が存在してい
てもよい。
本発明の新規なホスフィノピロリジン化合物を配位子と
して用いた不斉合成法において、接触還元反応を行う方
法につき、ケトパントラクトンよりバントラクトンを生
成せしめる場合を例にとって説明すると、接触還元反応
を行う際の一般的溶媒、例えば、水、メタノール、エタ
ノール、イヒプロピルアルコール、酢酸、酢酸エチル、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、ベンゼン、トルエン
等を溶媒として用い、その50xQ中にケトパントラク
トンIOθミリモルおよび配位子としてのホスフィノピ
ロリジン化合物0.01 ミリモル〜o、ootミリモ
ルを溶解する。
して用いた不斉合成法において、接触還元反応を行う方
法につき、ケトパントラクトンよりバントラクトンを生
成せしめる場合を例にとって説明すると、接触還元反応
を行う際の一般的溶媒、例えば、水、メタノール、エタ
ノール、イヒプロピルアルコール、酢酸、酢酸エチル、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、ベンゼン、トルエン
等を溶媒として用い、その50xQ中にケトパントラク
トンIOθミリモルおよび配位子としてのホスフィノピ
ロリジン化合物0.01 ミリモル〜o、ootミリモ
ルを溶解する。
これにロジウム金属錯体化合物、例えばロジウム−1,
5−へキサジエン−クロル錯化合物あるいはロジウム−
1,5−オクタジエン−クロル錯化合物など0.005
ミリモル〜0.0005ミリモルを加え、常圧もしくは
加圧下で、反応温度、好ましくは20℃位で、水素添加
反応を行う。反応終了後、溶媒を留去し、残留物を適宜
、処理すると反応生成物としてD−バントラクトンが高
収率で得られる。
5−へキサジエン−クロル錯化合物あるいはロジウム−
1,5−オクタジエン−クロル錯化合物など0.005
ミリモル〜0.0005ミリモルを加え、常圧もしくは
加圧下で、反応温度、好ましくは20℃位で、水素添加
反応を行う。反応終了後、溶媒を留去し、残留物を適宜
、処理すると反応生成物としてD−バントラクトンが高
収率で得られる。
本発明に係る前記−般式(I)又は(I′)で表わされ
るホスフィノピロリジン化合物は、下記の図(スキーム
l、スキーム2)に示す工程により製造することができ
る。(前記−般式において、式中のR1=R3=(ラ
、R4=R5=に◇である場合の化合物、を例にとって
説明する)R=II (CPM)
R=CONIC11,(MCCPM)R=SO,C1
13(MSCPM) R”CONllt−B
u(BCCPM)RCoNllt−Bu(BCCP
R=CONIIPh (PCCPM)R=C
O2C113(IIIcP!11) R=C
OCH3(ACPM)R=CO,P、h (PCPM
) R=COt−Bu (PVCPM)R
=COPh (BZCPM) スキーム1について説明すると、L−4−ヒドロキシプ
ロリンを常法に従ってエチルエステル(n)となし、こ
れをメタンスルホニルクロリドで反応させCI)を得る
。([[)をリチウムアルミニウムヒドリドで還元して
(IV)とし、これにt−ブチルジメチルシリルクロリ
ド、次いでメタンスルホン酸クロリドを反応させ〔■〕
を得る。
るホスフィノピロリジン化合物は、下記の図(スキーム
l、スキーム2)に示す工程により製造することができ
る。(前記−般式において、式中のR1=R3=(ラ
、R4=R5=に◇である場合の化合物、を例にとって
説明する)R=II (CPM)
R=CONIC11,(MCCPM)R=SO,C1
13(MSCPM) R”CONllt−B
u(BCCPM)RCoNllt−Bu(BCCP
R=CONIIPh (PCCPM)R=C
O2C113(IIIcP!11) R=C
OCH3(ACPM)R=CO,P、h (PCPM
) R=COt−Bu (PVCPM)R
=COPh (BZCPM) スキーム1について説明すると、L−4−ヒドロキシプ
ロリンを常法に従ってエチルエステル(n)となし、こ
れをメタンスルホニルクロリドで反応させCI)を得る
。([[)をリチウムアルミニウムヒドリドで還元して
(IV)とし、これにt−ブチルジメチルシリルクロリ
ド、次いでメタンスルホン酸クロリドを反応させ〔■〕
を得る。
〔V)をクロロジフェニルホスフィンと反応させCVI
)とする。CVf)におけるリンを過酸化水素にて酸化
し、次いでロジウム触媒にてベンゼン環を接触還元して
〔■〕を得る。これにメタンスルホニルクロリドを反応
させた後、クロロジフェニルホスフィンを用いて(IX
)を得る。[:IX)から各種の(1]又は〔ド〕で表
わされるピロリジン化合物が得られる。例えば、(IX
)をトリクロロシランで還元することによりMSCPM
が得られ、また、(IX)を48%臭化水素酸で処理し
て(X)とした後、トリクロロシランで還元するとCP
Mが得られる。このCPMに、更にカルボン酸のハロゲ
ン化物又は無水物又はイソシアネートを作用せしめるこ
とにより容易に各種の〔I〕を得ることができる。〔■
′〕はD−4−ヒドロキシプロリンを出発原料として同
様の方法で製造することができる。
)とする。CVf)におけるリンを過酸化水素にて酸化
し、次いでロジウム触媒にてベンゼン環を接触還元して
〔■〕を得る。これにメタンスルホニルクロリドを反応
させた後、クロロジフェニルホスフィンを用いて(IX
)を得る。[:IX)から各種の(1]又は〔ド〕で表
わされるピロリジン化合物が得られる。例えば、(IX
)をトリクロロシランで還元することによりMSCPM
が得られ、また、(IX)を48%臭化水素酸で処理し
て(X)とした後、トリクロロシランで還元するとCP
Mが得られる。このCPMに、更にカルボン酸のハロゲ
ン化物又は無水物又はイソシアネートを作用せしめるこ
とにより容易に各種の〔I〕を得ることができる。〔■
′〕はD−4−ヒドロキシプロリンを出発原料として同
様の方法で製造することができる。
スキーム2について説明すると、L−4−ヒドロキソプ
ロリンよりJ、Org、Chem、、46巻2954頁
(1981年)に記載の方法に従い、アロー4−ヒドロ
キノ−D−プロリンエチルエステル塩酸塩を合成する。
ロリンよりJ、Org、Chem、、46巻2954頁
(1981年)に記載の方法に従い、アロー4−ヒドロ
キノ−D−プロリンエチルエステル塩酸塩を合成する。
これをメタンスルホニルクロリドを用いて(2R,41
D−N−メタンスルホニル−4−メタンスルホニルオキ
シプロリンエチルエステルとする。これをテトラエチル
アンモニウムアセテートと反応させ(2R,43)−N
−メタンスルホニル−4−アセトキシプロリンエチルエ
ステル七する。これをリチウムアルミニウムヒドリドで
還元しく2R,4S)−N−メタンスルホニル−4−ヒ
ドロキシ−2−ヒドロキシメチルピロリジン〔■′〕を
得る。
D−N−メタンスルホニル−4−メタンスルホニルオキ
シプロリンエチルエステルとする。これをテトラエチル
アンモニウムアセテートと反応させ(2R,43)−N
−メタンスルホニル−4−アセトキシプロリンエチルエ
ステル七する。これをリチウムアルミニウムヒドリドで
還元しく2R,4S)−N−メタンスルホニル−4−ヒ
ドロキシ−2−ヒドロキシメチルピロリジン〔■′〕を
得る。
〔■′〕は匍述のスキーム1における(2S、 41i
) −N−メタンスルホニル−4−ヒドロキシ−2−ヒ
ドロキシメチルピロリジンCIV)から〔IX)、(r
)へと導びく反応と同様にしてf:lX”]、(ド〕へ
と導びくことができる。
) −N−メタンスルホニル−4−ヒドロキシ−2−ヒ
ドロキシメチルピロリジンCIV)から〔IX)、(r
)へと導びく反応と同様にしてf:lX”]、(ド〕へ
と導びくことができる。
以下に、本発明に係る化合物およびその製造例を示す。
各化合物の分析データは後記表2に示す。
例1 (MSCPMの製造)
a) (2S、4R)−N−メタンスルホニル−4−
ヒドロキシプロリンエチルエステル〔III〕の製法 (2S、4R)−4−ヒドロキシプロリンエチルエステ
ル塩酸塩19.569(0,1モル)をピリジン200
Hに入れ撹拌し、水冷下メタンスルホニルクロリド12
.039(0,105モル)をゆっくり滴下する。水冷
下6時間撹拌した後室温で一夜撹拌する。ピリジンを減
圧下で留去した後、水冷下10%塩酸を加え、酢酸エチ
ル200綬で3回抽出する。抽出した酢酸エチル部は飽
和食塩水40頬で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥する6
減圧濃縮し乾燥する。18.7g(78,9%)融点1
11〜113°C1酢酸エチルで再結晶すると融点11
8〜120℃である。
ヒドロキシプロリンエチルエステル〔III〕の製法 (2S、4R)−4−ヒドロキシプロリンエチルエステ
ル塩酸塩19.569(0,1モル)をピリジン200
Hに入れ撹拌し、水冷下メタンスルホニルクロリド12
.039(0,105モル)をゆっくり滴下する。水冷
下6時間撹拌した後室温で一夜撹拌する。ピリジンを減
圧下で留去した後、水冷下10%塩酸を加え、酢酸エチ
ル200綬で3回抽出する。抽出した酢酸エチル部は飽
和食塩水40頬で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥する6
減圧濃縮し乾燥する。18.7g(78,9%)融点1
11〜113°C1酢酸エチルで再結晶すると融点11
8〜120℃である。
b) (2S、4R)−N−メタンスルホニル−4−
ヒドロキシ−2−ヒドロキシメチルピロリジン(IV)
の製造 リチウムアルミニウムヒドリド3.989(0,105
モル)をテトラヒドロフラン360dに加え撹拌する。
ヒドロキシ−2−ヒドロキシメチルピロリジン(IV)
の製造 リチウムアルミニウムヒドリド3.989(0,105
モル)をテトラヒドロフラン360dに加え撹拌する。
これにテトラヒドロフラン2 o o z(に(2S、
4R)−N−メタンスルホニル−4−ヒドロキシプロリ
ンエチルエステル(In 〕16.69(0,07モル
)を溶解した液を水冷下にゆっくり滴下する。
4R)−N−メタンスルホニル−4−ヒドロキシプロリ
ンエチルエステル(In 〕16.69(0,07モル
)を溶解した液を水冷下にゆっくり滴下する。
この懸濁液をO℃3時間、次いで室温で3時間撹拌後、
水冷下水14a+f2を少量ずつ滴下し30分撹拌する
。不溶物を除去し減圧a縮乾固し、油状物11.9y
(87%)を得る。
水冷下水14a+f2を少量ずつ滴下し30分撹拌する
。不溶物を除去し減圧a縮乾固し、油状物11.9y
(87%)を得る。
c) (2S、4R)−N−メタンスルホニル−2−
tert−ブチルジメチルシリルオキシメチル=4−メ
タンスルホニルオキシピロリジンCv)の製造 (2S、 4R) −N−メタンスルホニル−4−ヒド
ロキノ−2−ヒドロキシメチルピロリジン(IV〕?’
、81g(0,04モル)、4−ジメチルアミノピリジ
ン195II+9(1,6ミリモル)、トリエチルアミ
ン4.869(0’、048モル)をテトラヒドロフラ
ンL 60 mQに加え、撹拌する。これにtert−
ブチルジメチルシリルクロリド6.839(0,044
モル)を加え、室温で一夜撹拌する。減圧濃縮後、残留
物に水40頭を加え、酢酸エチル120 xQで3回抽
出後、飽和食塩水40xf2で洗い、硫酸マグネシウム
で乾燥し、減圧濃縮乾固する。これをピリジンloom
(に溶かし水冷下撹拌しながらメタンスルホニルクロリ
ド5.059C0,044モル)をゆ・つくり滴下する
。室温で一夜放置した後水冷下、10%塩酸400z(
!を加え、酢酸エチル150J112で3回抽出する。
tert−ブチルジメチルシリルオキシメチル=4−メ
タンスルホニルオキシピロリジンCv)の製造 (2S、 4R) −N−メタンスルホニル−4−ヒド
ロキノ−2−ヒドロキシメチルピロリジン(IV〕?’
、81g(0,04モル)、4−ジメチルアミノピリジ
ン195II+9(1,6ミリモル)、トリエチルアミ
ン4.869(0’、048モル)をテトラヒドロフラ
ンL 60 mQに加え、撹拌する。これにtert−
ブチルジメチルシリルクロリド6.839(0,044
モル)を加え、室温で一夜撹拌する。減圧濃縮後、残留
物に水40頭を加え、酢酸エチル120 xQで3回抽
出後、飽和食塩水40xf2で洗い、硫酸マグネシウム
で乾燥し、減圧濃縮乾固する。これをピリジンloom
(に溶かし水冷下撹拌しながらメタンスルホニルクロリ
ド5.059C0,044モル)をゆ・つくり滴下する
。室温で一夜放置した後水冷下、10%塩酸400z(
!を加え、酢酸エチル150J112で3回抽出する。
水150 d、飽和炭酸水素ナトリウム752Q、飽和
食塩水75雇で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥する。減
圧a1轟乾固し、油状物12.569(81%)イソプ
ロピルエーテルとn−ヘキサンの混合溶媒より結晶化す
ればm、p。
食塩水75雇で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥する。減
圧a1轟乾固し、油状物12.569(81%)イソプ
ロピルエーテルとn−ヘキサンの混合溶媒より結晶化す
ればm、p。
51.5〜525℃の結晶が得られる。〔α詰−−28
.57°(c= l 、 EtOH)d) (2S、
4S)−N−メタンスルホニル−2−tert−ブチル
ジメチルシリルオキシメチル=4−ノフェニルホスフイ
ノピロリジン(Vl)の製造 クロロジフェニルホスフィン11.399(0,052
モル)とナトリウム2.69(0,114モル)をジオ
キサン150 m12に加える。窒素雰囲気で4時間還
流させる。放冷後、テトラヒドロフラン501Cを加え
、水冷下テトラヒドロフランl 00 xQに(2S、
4R)−N−メタンスルホニル−2−tert−ブチル
ジメチルシリルオキシメチル−4−メタンスルホニルオ
キシピロリジン(V )10.459 (0,027モ
ル)を溶かした液を空気が入らない様にして滴下する。
.57°(c= l 、 EtOH)d) (2S、
4S)−N−メタンスルホニル−2−tert−ブチル
ジメチルシリルオキシメチル=4−ノフェニルホスフイ
ノピロリジン(Vl)の製造 クロロジフェニルホスフィン11.399(0,052
モル)とナトリウム2.69(0,114モル)をジオ
キサン150 m12に加える。窒素雰囲気で4時間還
流させる。放冷後、テトラヒドロフラン501Cを加え
、水冷下テトラヒドロフランl 00 xQに(2S、
4R)−N−メタンスルホニル−2−tert−ブチル
ジメチルシリルオキシメチル−4−メタンスルホニルオ
キシピロリジン(V )10.459 (0,027モ
ル)を溶かした液を空気が入らない様にして滴下する。
窒素雰囲気で、0℃、2時間、次いで室温で一夜撹拌し
た後不溶物を除去する。減圧濃縮しシリカゲルクロマト
で精製する。油状物7.93g(62%) e) (2S、4S)−N−メタンスルホニル−4−
ジ、フェニルホスフィニル−2−ヒドロキシメチルピロ
リジン〔■〕の製造 )り/−)1..180112+、:(2S、4S)−
N−メタンスルホニル−2−tert−ブチルジメチル
シリルオキシメチル−4−ジフェニルホスフィノピロリ
ジン(Vl )8.399(0,0L76モル)を溶か
し、水冷下10%過酸化水素11.85g(0,034
8モル)を滴下する。0℃1時間次いで室温1時間撹拌
後、35%塩酸8.6g、水52.79、メタノール3
8.79の混合液をゆっくり滴下する。室温で2時間撹
拌後、不溶物を除去し減圧濃縮する。濃縮物を水50x
12に溶かし、メチレンクロリド1003112で3回
抽出後、飽和炭酸水素ナトリウムで洗浄し硫酸マグネシ
ウムで乾燥する。減圧濃縮後白色の結晶を得る。エタノ
ール−イソプロピルエーテルの混合溶媒で再結晶する。
た後不溶物を除去する。減圧濃縮しシリカゲルクロマト
で精製する。油状物7.93g(62%) e) (2S、4S)−N−メタンスルホニル−4−
ジ、フェニルホスフィニル−2−ヒドロキシメチルピロ
リジン〔■〕の製造 )り/−)1..180112+、:(2S、4S)−
N−メタンスルホニル−2−tert−ブチルジメチル
シリルオキシメチル−4−ジフェニルホスフィノピロリ
ジン(Vl )8.399(0,0L76モル)を溶か
し、水冷下10%過酸化水素11.85g(0,034
8モル)を滴下する。0℃1時間次いで室温1時間撹拌
後、35%塩酸8.6g、水52.79、メタノール3
8.79の混合液をゆっくり滴下する。室温で2時間撹
拌後、不溶物を除去し減圧濃縮する。濃縮物を水50x
12に溶かし、メチレンクロリド1003112で3回
抽出後、飽和炭酸水素ナトリウムで洗浄し硫酸マグネシ
ウムで乾燥する。減圧濃縮後白色の結晶を得る。エタノ
ール−イソプロピルエーテルの混合溶媒で再結晶する。
5.3g(80%)融点138〜139℃
f) (2S、4S)−N−メタンスルホニル−4−
ジシクロへキシルホスフィニル−2−ヒドロキシメチル
ピロリジン〔■〕の製造 オートクレーブに(2S、4S) N−メタンスルホ
ニル−4−ジフェニルホスフィニル−2−ヒドロキシメ
チルピロリジン〔■)L、70g(4,5ミリモル)と
5%Rh/ A(!tos 850 mgをメタノール
20112に加え、150℃、水素圧150気圧で2日
間撹拌する。反応液は精密濾過し、濾液を濃縮後、シリ
カゲルクロマト(溶媒エタノール)にかけ有機溶媒に溶
けない部分と分離する。溶出液は減圧濃縮後乾固する。
ジシクロへキシルホスフィニル−2−ヒドロキシメチル
ピロリジン〔■〕の製造 オートクレーブに(2S、4S) N−メタンスルホ
ニル−4−ジフェニルホスフィニル−2−ヒドロキシメ
チルピロリジン〔■)L、70g(4,5ミリモル)と
5%Rh/ A(!tos 850 mgをメタノール
20112に加え、150℃、水素圧150気圧で2日
間撹拌する。反応液は精密濾過し、濾液を濃縮後、シリ
カゲルクロマト(溶媒エタノール)にかけ有機溶媒に溶
けない部分と分離する。溶出液は減圧濃縮後乾固する。
結晶1.509(84%)が得られる。
g) (2S、4S)−N−メタンスルホニル−4−
シクロへキシルホスフィニル−2−ジフェニルホスフィ
ニルメチルピロリジン(IX)の製造 (2S、4S)−N−メタンスルホニル−4−ジシクロ
へキシルホスフィニル−2−ヒドロキシメチルピロリジ
ン〔■)1.4g(3,6ミリモル)をピリジン20顧
に溶かし水冷下、メタンスルホニルクロリド0.821
i’(7,2ミリモル)を滴下する。0℃で3時間次い
で室温で一夜撹拌した後水冷下にlO%HCQ70zQ
を加える。これを酢酸エチル80顧で3回抽出後、飽和
炭酸水素ナトリウム水30綬、水30mQで洗浄し、硫
酸マグネシウムで乾燥する。減圧濃縮し白色結晶1.2
49(74%)ヲ得る。次にクロロジフェニルホスフィ
ン1.88?(8,52ミリモル)と金属ナトリウム3
92β9 (17,04ミリモル)をジオキサン20m
1に加え、窒素雰囲気で3時間還流する。放冷後、テト
ラヒドロフラン20祿を加え、−20〜−30℃でジメ
チルホルムアミド20J!12に先に得た結晶(2S、
4S)−N−メタンスルホニル−4−ジシクロへキシル
ホスフィニル−2−メタンスルホニルオキシメチルピロ
リジンを溶かした液を空気が入らない様にして滴下する
。窒素雰囲気で−20〜−30℃−夜撹拌後、不溶物を
除去し減圧濃縮する。酢酸エチル50蛯で3回抽出後、
水50綬で洗浄し、減圧濃縮する。次いで10%過酸化
水素2.459C1,2ミリモル)を用い製造例1のe
)と同様にして操作を行い結晶を得る。982 JI9
(80%) h) (2S、4S)−N−メタンスルホニル−4−
ジシクロへキシルホスフィノ−2−ジフェニルホスフィ
ノメチルピロリジン(MSCPM)の製造 (2S、4S)−N−メタンスルホニル−4−ジシクロ
ホスフィニル−2−ジフェニルホスフィニルメチルピロ
リジン(IX ) 115 xg (0,2ミリモル)
とトリエチルアミン8529(0,84ミリモル)をア
セトニトリル8 xQに溶かし、充分に窒素置換を行う
。水冷下アセトニトリル2 x(lに溶かしたトリクロ
ロシラン108108l、8ミリモル)を滴下する。
シクロへキシルホスフィニル−2−ジフェニルホスフィ
ニルメチルピロリジン(IX)の製造 (2S、4S)−N−メタンスルホニル−4−ジシクロ
へキシルホスフィニル−2−ヒドロキシメチルピロリジ
ン〔■)1.4g(3,6ミリモル)をピリジン20顧
に溶かし水冷下、メタンスルホニルクロリド0.821
i’(7,2ミリモル)を滴下する。0℃で3時間次い
で室温で一夜撹拌した後水冷下にlO%HCQ70zQ
を加える。これを酢酸エチル80顧で3回抽出後、飽和
炭酸水素ナトリウム水30綬、水30mQで洗浄し、硫
酸マグネシウムで乾燥する。減圧濃縮し白色結晶1.2
49(74%)ヲ得る。次にクロロジフェニルホスフィ
ン1.88?(8,52ミリモル)と金属ナトリウム3
92β9 (17,04ミリモル)をジオキサン20m
1に加え、窒素雰囲気で3時間還流する。放冷後、テト
ラヒドロフラン20祿を加え、−20〜−30℃でジメ
チルホルムアミド20J!12に先に得た結晶(2S、
4S)−N−メタンスルホニル−4−ジシクロへキシル
ホスフィニル−2−メタンスルホニルオキシメチルピロ
リジンを溶かした液を空気が入らない様にして滴下する
。窒素雰囲気で−20〜−30℃−夜撹拌後、不溶物を
除去し減圧濃縮する。酢酸エチル50蛯で3回抽出後、
水50綬で洗浄し、減圧濃縮する。次いで10%過酸化
水素2.459C1,2ミリモル)を用い製造例1のe
)と同様にして操作を行い結晶を得る。982 JI9
(80%) h) (2S、4S)−N−メタンスルホニル−4−
ジシクロへキシルホスフィノ−2−ジフェニルホスフィ
ノメチルピロリジン(MSCPM)の製造 (2S、4S)−N−メタンスルホニル−4−ジシクロ
ホスフィニル−2−ジフェニルホスフィニルメチルピロ
リジン(IX ) 115 xg (0,2ミリモル)
とトリエチルアミン8529(0,84ミリモル)をア
セトニトリル8 xQに溶かし、充分に窒素置換を行う
。水冷下アセトニトリル2 x(lに溶かしたトリクロ
ロシラン108108l、8ミリモル)を滴下する。
3時間還流後、反応液を室温に戻し減圧a縮する。得ら
れた生成物をベンゼン15祿に溶かし水冷下30%苛性
ソーダlOJ!12を加え、窒素下に50〜60℃で3
0分撹拌する。ベンゼン層を分岐し、更に水層をベンゼ
ン10M(!で抽出する。ベンゼン層は合せて10dの
水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧a縮する
。残留物にエタノール−n−ヘキサンを加えて結晶化さ
せる。87z9(80%)融点139〜142℃〔α〕
。= −57,9° (c= 1.0、ベンゼン)IR
; 1343cz−’(Sot)、 1150c!M−
’(Sow)NMR(CDCf23) 、δ 0.83−1゜9s(22n、m、(csu+1)t)
1.97 2.48(3H,m、CCHzC,CH,a
HbP、Ha又はHb)2.76(3H,s、502C
Ht) 2.9O−3J6(2H,m、H,又はHb、CHc!
(、N 11.、又はH,)3.44−4.04(2H
,m、Hc又はHd、NC11)?、12 7.64(
IOH,m’、(CsHs)t)例2 (CPMの製造
) a) (2S、4S)−4−ジシクロへキシルホスフ
ィニル−2−ジフェニルホスフィニルメチルピロリジン
〔X〕の製造 (2S、4S) N−メタンスルホニル−4−ジシク
ロへキシルホスフィニル−2−ジフェニルホスフィニル
メチルピロリジン(lXE350+y、フェノール70
0 N、48%臭化水素酸5.3祿を混合溶解し、窒素
雰囲気で8〜IO時間還流する。反応終了後、30%苛
性ソーダでアルカリ性とし、酢酸エチル20綬で3回抽
出する。水20綬、飽和食塩水20祿で洗浄後、硫酸マ
グネシウムで乾燥し減圧濃縮する。シリカゲルクロマト
で精製し結晶を得る。196z9(65%)b) (
2S、4S)−4−シンクロへキシルホスフィノ−2−
ジフェニルホスフィノメチルピロリジン(CPM)の製
造 (2S、4S)−4−シンクロへキシルホスフィニル−
2−ジフェニルホスフィニルメチルピロリノン〔X〕5
0πg(01ミリモル)とトリエチルアミン42ag(
0,42ミリモル)をアセトニトリル4.7172に溶
かし充分に窒素置換を行う。水冷下、トリクロロシラン
54mg(0,4ミリモル)をアセトニトリルI x(
lに溶かし滴下する。3時間還流後、低温で減圧濃縮す
る。生成物をベンゼン151Qに溶かし水冷下30%苛
性ソーダlOdを加え、窒素雰囲気で50〜60℃で3
0分撹拌する。
れた生成物をベンゼン15祿に溶かし水冷下30%苛性
ソーダlOJ!12を加え、窒素下に50〜60℃で3
0分撹拌する。ベンゼン層を分岐し、更に水層をベンゼ
ン10M(!で抽出する。ベンゼン層は合せて10dの
水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧a縮する
。残留物にエタノール−n−ヘキサンを加えて結晶化さ
せる。87z9(80%)融点139〜142℃〔α〕
。= −57,9° (c= 1.0、ベンゼン)IR
; 1343cz−’(Sot)、 1150c!M−
’(Sow)NMR(CDCf23) 、δ 0.83−1゜9s(22n、m、(csu+1)t)
1.97 2.48(3H,m、CCHzC,CH,a
HbP、Ha又はHb)2.76(3H,s、502C
Ht) 2.9O−3J6(2H,m、H,又はHb、CHc!
(、N 11.、又はH,)3.44−4.04(2H
,m、Hc又はHd、NC11)?、12 7.64(
IOH,m’、(CsHs)t)例2 (CPMの製造
) a) (2S、4S)−4−ジシクロへキシルホスフ
ィニル−2−ジフェニルホスフィニルメチルピロリジン
〔X〕の製造 (2S、4S) N−メタンスルホニル−4−ジシク
ロへキシルホスフィニル−2−ジフェニルホスフィニル
メチルピロリジン(lXE350+y、フェノール70
0 N、48%臭化水素酸5.3祿を混合溶解し、窒素
雰囲気で8〜IO時間還流する。反応終了後、30%苛
性ソーダでアルカリ性とし、酢酸エチル20綬で3回抽
出する。水20綬、飽和食塩水20祿で洗浄後、硫酸マ
グネシウムで乾燥し減圧濃縮する。シリカゲルクロマト
で精製し結晶を得る。196z9(65%)b) (
2S、4S)−4−シンクロへキシルホスフィノ−2−
ジフェニルホスフィノメチルピロリジン(CPM)の製
造 (2S、4S)−4−シンクロへキシルホスフィニル−
2−ジフェニルホスフィニルメチルピロリノン〔X〕5
0πg(01ミリモル)とトリエチルアミン42ag(
0,42ミリモル)をアセトニトリル4.7172に溶
かし充分に窒素置換を行う。水冷下、トリクロロシラン
54mg(0,4ミリモル)をアセトニトリルI x(
lに溶かし滴下する。3時間還流後、低温で減圧濃縮す
る。生成物をベンゼン151Qに溶かし水冷下30%苛
性ソーダlOdを加え、窒素雰囲気で50〜60℃で3
0分撹拌する。
ベンゼン層を分岐し、更に水層をベンゼン1Ox(lで
抽出する。ベンゼン層は合せて10o2の水で洗浄後、
硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮し、生成物442
9(95%)を得る。
抽出する。ベンゼン層は合せて10o2の水で洗浄後、
硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮し、生成物442
9(95%)を得る。
例3
(2S、 4S) −N−フェニルカルバモイル−4−
ジシクロへキシルホスフィノ−2−ジフェニルホスフィ
ノメチルピロリジン(PCCPM)の製造例2で得たC
PM 46η(0,1ミリモル)をメチレンクロリド1
tttQに溶かす。これにメチレンクロリド2戚に溶
解したフェニルイソシアネート13 JI9(0,11
ミリモル)を滴下し窒素雰囲気で室温で2〜3時間撹拌
する。反応液を減圧濃縮し白色結晶を得る。50J!9
(86%)例4 (2S、 4S) −N −tert−ブトキシカルボ
ニル−4−ジシクロへキシルホスフィノ−2−ジフェニ
ルホスフィノメチルピロリジン(BCPM)の製造 例3において、フェニルイソシアネートの代りにトリエ
チルアミンlimg(0,11ミリモル)とメチレンク
ロライド2.ttr(lに溶かしたジターシャリブチル
ジカーボネート24x9(0,11ミリモル)を用い、
他は同様の操作を行って白色結晶を得る。48av9(
85%) 例5 (2S、4S)−N〜ルアセチル4−ジシクロ・\キシ
ルポスフイノー2−ノフェニルホスフイノメチルビロリ
ンン(ACPM)の製造 例3において、フェニルイソシアネートの代りに、トリ
エチルアミン22 vtg(0,22ミリモル)と無水
酢酸11 mg(0,llミリモル)を用い、他は同様
の操作を行って白色結晶を得る。45x9(88%) 例6 (23,4S)−N−メトキシカルボニル−4−ジシク
ロへキンルホスフイノ〜2−ジフェニルポスフイノメチ
ルピロリジン(MCPM)の製造例3において、フェニ
ルイソシアネートの代りに、トリエチルアミン24 m
g(0,24ミリモル)、クロル炭酸メチルエステルl
l mW (0,12ミリモル)を用い、他は同様の
操作を行って白色結晶を得る。43肩9(83%) 例7 (2S、 4S) −N−メチルカルバモイル−4−ツ
ノクロへキン用ホスフィノ−2−ジフェニルホスフィノ
メチルピロリジン(MCCPM)の製造(2S、 4S
) −4−ジシクロへキシルホスフィニル−2−ジフェ
ニルホスフィニルメチル−ピロリジン300mg(0,
60ミリモル)、を例2−b)と同様に反応、後処理を
行いCPMを得る。これをメチレンクロリド8 mQに
溶解し、水冷下メチルイソシアネー)−38m9(0,
66ミリモル)をゆっくり滴下する。アルゴン気流下室
温で2時間撹拌した。
ジシクロへキシルホスフィノ−2−ジフェニルホスフィ
ノメチルピロリジン(PCCPM)の製造例2で得たC
PM 46η(0,1ミリモル)をメチレンクロリド1
tttQに溶かす。これにメチレンクロリド2戚に溶
解したフェニルイソシアネート13 JI9(0,11
ミリモル)を滴下し窒素雰囲気で室温で2〜3時間撹拌
する。反応液を減圧濃縮し白色結晶を得る。50J!9
(86%)例4 (2S、 4S) −N −tert−ブトキシカルボ
ニル−4−ジシクロへキシルホスフィノ−2−ジフェニ
ルホスフィノメチルピロリジン(BCPM)の製造 例3において、フェニルイソシアネートの代りにトリエ
チルアミンlimg(0,11ミリモル)とメチレンク
ロライド2.ttr(lに溶かしたジターシャリブチル
ジカーボネート24x9(0,11ミリモル)を用い、
他は同様の操作を行って白色結晶を得る。48av9(
85%) 例5 (2S、4S)−N〜ルアセチル4−ジシクロ・\キシ
ルポスフイノー2−ノフェニルホスフイノメチルビロリ
ンン(ACPM)の製造 例3において、フェニルイソシアネートの代りに、トリ
エチルアミン22 vtg(0,22ミリモル)と無水
酢酸11 mg(0,llミリモル)を用い、他は同様
の操作を行って白色結晶を得る。45x9(88%) 例6 (23,4S)−N−メトキシカルボニル−4−ジシク
ロへキンルホスフイノ〜2−ジフェニルポスフイノメチ
ルピロリジン(MCPM)の製造例3において、フェニ
ルイソシアネートの代りに、トリエチルアミン24 m
g(0,24ミリモル)、クロル炭酸メチルエステルl
l mW (0,12ミリモル)を用い、他は同様の
操作を行って白色結晶を得る。43肩9(83%) 例7 (2S、 4S) −N−メチルカルバモイル−4−ツ
ノクロへキン用ホスフィノ−2−ジフェニルホスフィノ
メチルピロリジン(MCCPM)の製造(2S、 4S
) −4−ジシクロへキシルホスフィニル−2−ジフェ
ニルホスフィニルメチル−ピロリジン300mg(0,
60ミリモル)、を例2−b)と同様に反応、後処理を
行いCPMを得る。これをメチレンクロリド8 mQに
溶解し、水冷下メチルイソシアネー)−38m9(0,
66ミリモル)をゆっくり滴下する。アルゴン気流下室
温で2時間撹拌した。
反応液を低温で減圧a縮後、乾燥した。生成物をメタノ
ールで再結晶し白色結晶のMCCPMを292仄9得た
。(収率96%) 例8 (2S、 4S) −N−フェノキシカルボニル−4−
ジシクロへキシルホスフィノ−2−ジフェニルホスフィ
ノメチルピロリジン(PCPM)の製造例7と同様にし
て得たCPMをベンゼン8顧に溶解し、トリエチルアミ
ン146;xg (1,39ミリモル)を加える。水冷
下、クロル炭酸フェニル103 JI9 (0,66ミ
リモル)をゆっくり滴下する。
ールで再結晶し白色結晶のMCCPMを292仄9得た
。(収率96%) 例8 (2S、 4S) −N−フェノキシカルボニル−4−
ジシクロへキシルホスフィノ−2−ジフェニルホスフィ
ノメチルピロリジン(PCPM)の製造例7と同様にし
て得たCPMをベンゼン8顧に溶解し、トリエチルアミ
ン146;xg (1,39ミリモル)を加える。水冷
下、クロル炭酸フェニル103 JI9 (0,66ミ
リモル)をゆっくり滴下する。
滴下後室温で2時間撹拌する。重曹水で洗浄、MgSO
4で乾燥した後濃縮乾固し、生成物を工、タノールで再
結晶すると黄白色結晶のPCPM252mg(72%)
を得た。
4で乾燥した後濃縮乾固し、生成物を工、タノールで再
結晶すると黄白色結晶のPCPM252mg(72%)
を得た。
例9
(2S、4S) N−ベンゾイル−47ジシクロへキ
シルホスフィノ−2−ジフェニルホスフィノメチルピロ
リジン(BZCPM)の製造 例8においてクロル炭酸フェニルの代わりに塩化ベンゾ
イルを用い他は同様の操作を行って、生成物をエタノー
ルで再結晶すると白色結晶のBZCPM 281 u9
(82%)を得た。
シルホスフィノ−2−ジフェニルホスフィノメチルピロ
リジン(BZCPM)の製造 例8においてクロル炭酸フェニルの代わりに塩化ベンゾ
イルを用い他は同様の操作を行って、生成物をエタノー
ルで再結晶すると白色結晶のBZCPM 281 u9
(82%)を得た。
例10
(2S、 4S) −N−ピバロイル−4−ジシクロへ
キシルホスフィノ−2−ジフェニルホスフィノメチルピ
ロリノン(PVCPM)の製造 、例8においてクロル炭酸エチルの代わりに塩化ピバロ
イル80mg(0,66ミリモル)を用い他は同様の操
作を行い、生成物をエタノールで再結晶すると白色結晶
のPVCPM 271xyを得た。(82%) 例11 (2S、 4S) −N −tert−ブチルカルバモ
イル−4−ジシクロへキシルホスフィノ−2−ジフェニ
ルホスフィノメチルピロリジン(BCCPM)の製造例
7において、メチルイソンアネートの代りにtert−
プチルイソンアネートを用い、他は同様の操作を行い、
生成物をエタノールで再結晶すると白色結晶のBCCP
NI 240 yt9(71%)を得た。
キシルホスフィノ−2−ジフェニルホスフィノメチルピ
ロリノン(PVCPM)の製造 、例8においてクロル炭酸エチルの代わりに塩化ピバロ
イル80mg(0,66ミリモル)を用い他は同様の操
作を行い、生成物をエタノールで再結晶すると白色結晶
のPVCPM 271xyを得た。(82%) 例11 (2S、 4S) −N −tert−ブチルカルバモ
イル−4−ジシクロへキシルホスフィノ−2−ジフェニ
ルホスフィノメチルピロリジン(BCCPM)の製造例
7において、メチルイソンアネートの代りにtert−
プチルイソンアネートを用い、他は同様の操作を行い、
生成物をエタノールで再結晶すると白色結晶のBCCP
NI 240 yt9(71%)を得た。
例12
(2R,4R) −N −tert−ブトキシカルボニ
ル−4−ジシクロへキノルホスフイノー2−ジフェニル
ホスフィノメチルピロリジン(R−BCPM)の製造 J、Org、Chem、、 462954(1981)
に記載の方法で製造したアロー4−ヒドロキン−D−プ
ロリンエチルエステル塩酸塩11.74g(0,06モ
ル)をピリジン120zQに入れ撹拌し、水冷下、これ
に、メタンスルホニルクロリド17.29 (0,15
モル)をゆっくり滴下する。室温で一夜撹拌する。ピリ
ジンを減圧下で留去した後水冷下にlOか塩酸を加え、
酢酸エチル120 :pQで3回抽出する。
ル−4−ジシクロへキノルホスフイノー2−ジフェニル
ホスフィノメチルピロリジン(R−BCPM)の製造 J、Org、Chem、、 462954(1981)
に記載の方法で製造したアロー4−ヒドロキン−D−プ
ロリンエチルエステル塩酸塩11.74g(0,06モ
ル)をピリジン120zQに入れ撹拌し、水冷下、これ
に、メタンスルホニルクロリド17.29 (0,15
モル)をゆっくり滴下する。室温で一夜撹拌する。ピリ
ジンを減圧下で留去した後水冷下にlOか塩酸を加え、
酢酸エチル120 :pQで3回抽出する。
抽出した酢酸エチル部を飽和食塩水で洗い硫酸マグネシ
ウムで乾燥した後、減圧濃縮し、(2R94R)−N−
メタンスルホニル−4−メタンスルホニルオキシプロリ
ンエチルエステルのシラツブ18.269を得た。これ
を、テトラエチルアンモニウムアセテート・4水塩17
.3g(0,066モル)をベンゼン150 dに加え
水分離装置を付けて一夜還流煮沸した溶液中に加える。
ウムで乾燥した後、減圧濃縮し、(2R94R)−N−
メタンスルホニル−4−メタンスルホニルオキシプロリ
ンエチルエステルのシラツブ18.269を得た。これ
を、テトラエチルアンモニウムアセテート・4水塩17
.3g(0,066モル)をベンゼン150 dに加え
水分離装置を付けて一夜還流煮沸した溶液中に加える。
還流煮沸を1時間行った後。冷却する。反応生成物に酢
酸エチルl 50 mQおよび水60綬を加え、分液す
る。
酸エチルl 50 mQおよび水60綬を加え、分液す
る。
酢酸エチル部を、飽和食塩水で洗い硫酸マグネシウムで
乾燥した後、減圧濃縮しシラツブを得る。これをシリカ
ゲル3009、酢酸エチル/ベンゼン=l/4〜1/2
にてカラムクロマト精製を行い、(2R,4S)−N−
メタンスルホニル−11−アセトキシプロリンエチルエ
ステルのシラツブ11.97gを得た。これをTI(F
100 m(lに溶解し、THF500+vρに窒素
雰囲気下で0°Cで水素化リチウムアルミニウム4.0
79(0,107モル)を加えた懸濁液中に滴下する。
乾燥した後、減圧濃縮しシラツブを得る。これをシリカ
ゲル3009、酢酸エチル/ベンゼン=l/4〜1/2
にてカラムクロマト精製を行い、(2R,4S)−N−
メタンスルホニル−11−アセトキシプロリンエチルエ
ステルのシラツブ11.97gを得た。これをTI(F
100 m(lに溶解し、THF500+vρに窒素
雰囲気下で0°Cで水素化リチウムアルミニウム4.0
79(0,107モル)を加えた懸濁液中に滴下する。
水冷下3時間、室温で3時間撹拌した後、再び水冷し水
20靜を滴下する。室温で30分撹拌した後、不溶物を
除去し減圧濃縮し、(2R,4S) N−メタンスル
ホニル−4−ヒドロキシ−2−ヒドロキソメチルピロリ
ジン〔■′〕のシラツブ8.439を得た。これを用い
、例1のC)、と同様に反応を行い、(2R,4S)−
N−メタンスルホニル−2−tert−ブチルジメチル
シリルオキツメチル−4−メタンスルホニルオキンピロ
リジン〔V′〕結晶を得た。m、p、 55〜565℃
、〔α席= + 25.8°(c = l 。
20靜を滴下する。室温で30分撹拌した後、不溶物を
除去し減圧濃縮し、(2R,4S) N−メタンスル
ホニル−4−ヒドロキシ−2−ヒドロキソメチルピロリ
ジン〔■′〕のシラツブ8.439を得た。これを用い
、例1のC)、と同様に反応を行い、(2R,4S)−
N−メタンスルホニル−2−tert−ブチルジメチル
シリルオキツメチル−4−メタンスルホニルオキンピロ
リジン〔V′〕結晶を得た。m、p、 55〜565℃
、〔α席= + 25.8°(c = l 。
EtOH)
化合物(V′〕11.639(0,03モル)を用い、
例1のd)、e)、f)、g)、と同様に操作を行い(
2R,4R)−N−メタンスルホニル−4−ジノクロへ
キノルナスフイニル−2−ジフエニルホメフイニルメチ
ルピロリジン〔IX′〕の結晶7.519(0,013
モル)を得た。
例1のd)、e)、f)、g)、と同様に操作を行い(
2R,4R)−N−メタンスルホニル−4−ジノクロへ
キノルナスフイニル−2−ジフエニルホメフイニルメチ
ルピロリジン〔IX′〕の結晶7.519(0,013
モル)を得た。
(2R,4R)−N−メタンスルホニル−4−ジシクロ
へキシルホスフィニル−2−ノフェニルホスフイニルメ
チルピロリジンCfX’)200xgを用いて、例2、
例4と同様に操作を行い(2R,4R)−N −ter
t−ブトキンカルボニル−4−ジシクロへキシルホスフ
ィノ−2−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン(R
−BCPM)の結晶を得た。
へキシルホスフィニル−2−ノフェニルホスフイニルメ
チルピロリジンCfX’)200xgを用いて、例2、
例4と同様に操作を行い(2R,4R)−N −ter
t−ブトキンカルボニル−4−ジシクロへキシルホスフ
ィノ−2−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン(R
−BCPM)の結晶を得た。
m、p、 174〜177℃、(a )’、’ = +
38.9°(c = 1 、ベンゼン) 以下に本発明に係る光学活性なホスフィノピロリジン化
合物を配位子として用いた不斉水素化反応に関する参考
例を掲げる。
38.9°(c = 1 、ベンゼン) 以下に本発明に係る光学活性なホスフィノピロリジン化
合物を配位子として用いた不斉水素化反応に関する参考
例を掲げる。
参考例 l
ケトパントラクトンの不斉接触還元
テトラヒドロフラン50m+2中にケトパントラクトン
L2.89 (100ミリモル)、ロジウム−1,5−
シクロオクタジエン−クロル錯化合物1j!9(0,0
025ミリモル)と製造例4で得られた(2S、4S)
−N −tert−ブトキシカルボニル−4−ジシクロ
へキシルホスフィノ−2−ジフェニルホスフィノメチル
ピロリジン(BCPM)3.1y (0,0055ミリ
モル)を加え、オートクレーブに入れる。水素気流中、
初圧50気圧、室温で撹拌振盪する。
L2.89 (100ミリモル)、ロジウム−1,5−
シクロオクタジエン−クロル錯化合物1j!9(0,0
025ミリモル)と製造例4で得られた(2S、4S)
−N −tert−ブトキシカルボニル−4−ジシクロ
へキシルホスフィノ−2−ジフェニルホスフィノメチル
ピロリジン(BCPM)3.1y (0,0055ミリ
モル)を加え、オートクレーブに入れる。水素気流中、
初圧50気圧、室温で撹拌振盪する。
反応終了後溶媒を留去した後、生成したD−バントラク
トンを減圧蒸留にて得る。12.6y(97%)〔α〕
。= −48,1°(不斉収率94.3%)参考例 2 ケトパントラクトンの不斉接触還元 ベンゼン50a+d中にケトパントラクトン12.8
。
トンを減圧蒸留にて得る。12.6y(97%)〔α〕
。= −48,1°(不斉収率94.3%)参考例 2 ケトパントラクトンの不斉接触還元 ベンゼン50a+d中にケトパントラクトン12.8
。
(96,2%)Ca 〕、= + 10.5’ (’:
X M Rm R7’K )9 (100ミリモル)、
ロジウム−1,5−へキサジエン−クロル錯化合物1
mg (0,0025ミリモル)と製造例1−h)で得
られた(2S、4S)−N−メタンスルホニル−4−ジ
シクロへキシルホスフィノ−2−ジフェニルホスフィノ
メチルピロリジン(MSCPM)3.0mg(0,00
55ミ’J −f−ル)を加エテ、オートクレーブに入
れる。以後実施例1と同様に操作し、D−パントラクト
ン12.4g(95%)を得た。
X M Rm R7’K )9 (100ミリモル)、
ロジウム−1,5−へキサジエン−クロル錯化合物1
mg (0,0025ミリモル)と製造例1−h)で得
られた(2S、4S)−N−メタンスルホニル−4−ジ
シクロへキシルホスフィノ−2−ジフェニルホスフィノ
メチルピロリジン(MSCPM)3.0mg(0,00
55ミ’J −f−ル)を加エテ、オートクレーブに入
れる。以後実施例1と同様に操作し、D−パントラクト
ン12.4g(95%)を得た。
〔α)、=−42,1°(不斉収率82.5%)
′参考例 3 ピルビン酸プロピルエステルの不斉還元反応ベンゼン5
0dにピルビン酸プロピルエステルt3.og(100
ミリモル)、ロジウム−1,5−シクロオクタジエン−
クロル錯体1 mgと製造例4で得られた(2S、4S
)−N−tert−ブトオキシカルボニル−4−ジシク
ロへキシルホスフィノ−2−ジフェニルホスフィノメチ
ルピロリジン(’BCPM)3.1肩9 (0,005
5ミリモル)を加え、オートクレーブに入れる。以後、
実施例1と同様に操作し、乳酸プロピルエステルを得た
。12.79特許出願人 阿 知 波 −雄 −84:
′参考例 3 ピルビン酸プロピルエステルの不斉還元反応ベンゼン5
0dにピルビン酸プロピルエステルt3.og(100
ミリモル)、ロジウム−1,5−シクロオクタジエン−
クロル錯体1 mgと製造例4で得られた(2S、4S
)−N−tert−ブトオキシカルボニル−4−ジシク
ロへキシルホスフィノ−2−ジフェニルホスフィノメチ
ルピロリジン(’BCPM)3.1肩9 (0,005
5ミリモル)を加え、オートクレーブに入れる。以後、
実施例1と同様に操作し、乳酸プロピルエステルを得た
。12.79特許出願人 阿 知 波 −雄 −84:
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 又は ▲数式、化学式、表等があります▼( I ′) (式中、R^1は、水素原子、−CO−R′、−COO
R″、−CONHR′″又は−SO_2−R″″−であ
り、R′、R″、R′″およびR″″は、それぞれアル
キル基又はアリール基を表わし、R^2およびR^3は
、それぞれ、置換基を有することのある同一もしくは異
なった芳香族の基であり、R^4およびR^5は、それ
ぞれ、置換基を有することのある同一もしくは異なった
脂肪族又は脂環式の炭化水素基である) で表わされるホスライタピロリジン化合物。 2)前記一般式( I )又は( I ′)において、R^2
、R^3が置換基を有することのあるフェニル基であり
、R^4、R^5が置換基を有することのあるシクロヘ
キシル基である特許請求の範囲第1項記載のホスフイノ
ピロリジン化合物。 3)前記一般式( I )又は( I ′)において、R^2
、R^3がフェニル基であり、R^4、R^5がシクロ
ヘキシル基である特許請求の範囲第1項記載の化合物。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62052177A JPS635094A (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 新規なホスフイノピロリジン化合物 |
AT87109039T ATE83488T1 (de) | 1986-06-25 | 1987-06-24 | Chirale phosphinopyrrolidin-verbindungen und ihre verwendung fuer asymetrische synthese optisch aktiver verbindungen. |
DE8787109039T DE3783084T2 (de) | 1986-06-25 | 1987-06-24 | Chirale phosphinopyrrolidin-verbindungen und ihre verwendung fuer asymetrische synthese optisch aktiver verbindungen. |
EP87109039A EP0251164B1 (en) | 1986-06-25 | 1987-06-24 | New chiral phosphinopyrrolidine compounds and their use for asymetric synthesis of optically active compounds |
ES87109039T ES2052515T3 (es) | 1986-06-25 | 1987-06-24 | Nuevos compuestos quirales de fosfinopirrolidina y su uso para sintesis asimetrica de compuestos opticamente activos. |
US07/066,251 US4879389A (en) | 1986-06-25 | 1987-06-25 | Chiral phosphinopyrrolidine compounds and their use for asymmetric synthesis of optically active compounds |
CA000540560A CA1337298C (en) | 1986-06-25 | 1987-06-25 | Chiral phosphinopyrrolidine compounds and their use for asymmetric synthesis of optically active compounds |
KR1019870006988A KR890004125B1 (ko) | 1987-03-09 | 1987-07-01 | 신규한 포스피노 피롤리딘 화합물 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62052177A JPS635094A (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 新規なホスフイノピロリジン化合物 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61147167 Division | 1986-06-25 | 1986-06-25 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS635094A true JPS635094A (ja) | 1988-01-11 |
Family
ID=12907528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62052177A Pending JPS635094A (ja) | 1986-06-25 | 1987-03-09 | 新規なホスフイノピロリジン化合物 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS635094A (ja) |
KR (1) | KR890004125B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02131493A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-21 | Fuji Yakuhin Kogyo Kk | 新規なホスフィノピロリジン化合物およびそれを用いる不斉合成法 |
-
1987
- 1987-03-09 JP JP62052177A patent/JPS635094A/ja active Pending
- 1987-07-01 KR KR1019870006988A patent/KR890004125B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02131493A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-21 | Fuji Yakuhin Kogyo Kk | 新規なホスフィノピロリジン化合物およびそれを用いる不斉合成法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR880011095A (ko) | 1988-10-26 |
KR890004125B1 (ko) | 1989-10-21 |
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