JPS6350936A - 光デイスク - Google Patents
光デイスクInfo
- Publication number
- JPS6350936A JPS6350936A JP61193308A JP19330886A JPS6350936A JP S6350936 A JPS6350936 A JP S6350936A JP 61193308 A JP61193308 A JP 61193308A JP 19330886 A JP19330886 A JP 19330886A JP S6350936 A JPS6350936 A JP S6350936A
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- Japan
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- birefringence
- double refraction
- substrate
- polarity
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- Pending
Links
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度情報記録用としての光ディスクに関する
ものである。
ものである。
従来の技術
基板を作成する方法として、フォトポリマー法（２Ｐ法
）と呼ばれる方法と成形による方法がある。
）と呼ばれる方法と成形による方法がある。
フォトポリマー法は紫外線硬化樹脂をスタンパ−上に塗
布した後、基材をのせてプレスした状態で紫外線を照射
して硬化させ、スタンパ−から剥離することにより、基
板を得る方法で、複屈折の優れた基板が得られるが、１
枚の基板を作成するのに１５〜２０分もかかり、歩留り
も良くないうえ量産性に欠ける為に、高価なものになり
、光ディスクを普及させるのに大きな妨げになっている
。
布した後、基材をのせてプレスした状態で紫外線を照射
して硬化させ、スタンパ−から剥離することにより、基
板を得る方法で、複屈折の優れた基板が得られるが、１
枚の基板を作成するのに１５〜２０分もかかり、歩留り
も良くないうえ量産性に欠ける為に、高価なものになり
、光ディスクを普及させるのに大きな妨げになっている
。
一方、成形による方法には、射出成形、射出圧縮成形な
どがあり、１枚の基板を作成するのにわずか１５〜２０
秒なので、量産性に優れている。
どがあり、１枚の基板を作成するのにわずか１５〜２０
秒なので、量産性に優れている。
ところで、ＲＯＭタイプの代表的なコンパクトディスク
（ＣＤ）の場合、反射層にＡｊ２蒸着膜を用いているの
で、ディスクからの反射光量が大きく、シングルパスで
５３ｎｍ程度の複屈折があっても検出器に入射する反射
光量が大きく、電気特性的に問題にならないので、成形
サイクル性を優先させており、内周から外周にかけて複
屈折の極性がプラスからマイナスに変化し、内外周の複
屈折が大きい基板を用いている。しかしながら、ＤＲＡ
Ｗタイプの光ディスクの場合は、記録層に半導体レーザ
ーを照射することによって、ピットを形成する方法、屈
折率を変化させる方法、バブルを形成させる方法などが
ある。しかしながら、記録層の反射率が小さいので、光
ディスクからの反射光量が少なく、複屈折がディスクに
存在すると、反射光の一部が半導体レーザーに戻り雑音
の原因となる上、検出器に入射する反射光量の減少によ
りＣ／Ｎが低下するが、シングルパスで２０ｎｍを超え
るとその影響を無視することができない。
（ＣＤ）の場合、反射層にＡｊ２蒸着膜を用いているの
で、ディスクからの反射光量が大きく、シングルパスで
５３ｎｍ程度の複屈折があっても検出器に入射する反射
光量が大きく、電気特性的に問題にならないので、成形
サイクル性を優先させており、内周から外周にかけて複
屈折の極性がプラスからマイナスに変化し、内外周の複
屈折が大きい基板を用いている。しかしながら、ＤＲＡ
Ｗタイプの光ディスクの場合は、記録層に半導体レーザ
ーを照射することによって、ピットを形成する方法、屈
折率を変化させる方法、バブルを形成させる方法などが
ある。しかしながら、記録層の反射率が小さいので、光
ディスクからの反射光量が少なく、複屈折がディスクに
存在すると、反射光の一部が半導体レーザーに戻り雑音
の原因となる上、検出器に入射する反射光量の減少によ
りＣ／Ｎが低下するが、シングルパスで２０ｎｍを超え
るとその影響を無視することができない。
ところで、複屈折はエリプソメーターや偏光顕微鏡を用
いて測定するが、複屈折ΔＲは、ΔＲ＝ （λ／２π）
（ｎｏ−ｎ、）ｄΔＲ・・・・・・複屈折、ｄ・・・・
・・基板の厚み、λ・・・・・・エリプソメーターの波
長（６３２，８ｍｍ）、ｎｏ・・・・・・進相軸方向、
すなわち、内外周方向の偏光に対する屈折率、ｎｏ・・
・・・・遅相軸方向、すなわち、円周方向の偏光に対す
る屈折率で表すことができ、ｎｅがｎ。より大きい場合
には、複屈折の極性がマイナスになる。
いて測定するが、複屈折ΔＲは、ΔＲ＝ （λ／２π）
（ｎｏ−ｎ、）ｄΔＲ・・・・・・複屈折、ｄ・・・・
・・基板の厚み、λ・・・・・・エリプソメーターの波
長（６３２，８ｍｍ）、ｎｏ・・・・・・進相軸方向、
すなわち、内外周方向の偏光に対する屈折率、ｎｏ・・
・・・・遅相軸方向、すなわち、円周方向の偏光に対す
る屈折率で表すことができ、ｎｅがｎ。より大きい場合
には、複屈折の極性がマイナスになる。
また、複屈折の極性が異なる基板を寿命試験にかけると
、極性がマイナスの基板はほとんど経時変化がないのに
対して、プラスの基板は、非常に大きく経時変化するこ
とがわかった。
、極性がマイナスの基板はほとんど経時変化がないのに
対して、プラスの基板は、非常に大きく経時変化するこ
とがわかった。
発明が解決しようとする問題点
本発明は従来の問題点に鑑み、初期のＣ／Ｎ特性に優れ
、長時間経過後の複屈折、すなわち、Ｃ／Ｎ特性に優れ
た光ディスクを提供するものである。
、長時間経過後の複屈折、すなわち、Ｃ／Ｎ特性に優れ
た光ディスクを提供するものである。
問題点を解決するための手段
記録領域において、複屈折のシングルパス値が２０ｎｍ
以下で、その極性が常にマイナスである基板に、記録層
を設けた光ディスクである。
以下で、その極性が常にマイナスである基板に、記録層
を設けた光ディスクである。
このような基板をアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂
を射出成形することによって得るには、金型温調温度、
加熱筒温度を高くし、内外周方向に成形歪を生じさせな
いように保圧をほとんど入れずに、速度領域で入れるよ
うにすれば、ｎ８がｎｏよりも大きくなり、複屈折の極
性がマイナスである基板を得ることができる。
を射出成形することによって得るには、金型温調温度、
加熱筒温度を高くし、内外周方向に成形歪を生じさせな
いように保圧をほとんど入れずに、速度領域で入れるよ
うにすれば、ｎ８がｎｏよりも大きくなり、複屈折の極
性がマイナスである基板を得ることができる。
ところで、記録層としてはピントを形成する色素系の記
録層、屈折率を変化させる’ｌ’ｅｏＸ系の記録層など
が考えられるが、特に限定されるものではない。
録層、屈折率を変化させる’ｌ’ｅｏＸ系の記録層など
が考えられるが、特に限定されるものではない。
作用
この技術的手段による作用は次のようになる。
すなわち、検出器は複屈折がないものとして設計されて
いるので、複屈折の極性がどちらの場合でも、検出器に
入射する光量が少なくなり、Ｃ／Ｎが低下する。しかし
ながら、あらかじめ極性が変わらない基板を用いれば、
予想される記録領域における最大複屈折の半分に相当す
る角度だけ検出器に入射する角度をずらせることにより
、複屈折によるＣ／Ｎの低下を低減することができる。
いるので、複屈折の極性がどちらの場合でも、検出器に
入射する光量が少なくなり、Ｃ／Ｎが低下する。しかし
ながら、あらかじめ極性が変わらない基板を用いれば、
予想される記録領域における最大複屈折の半分に相当す
る角度だけ検出器に入射する角度をずらせることにより
、複屈折によるＣ／Ｎの低下を低減することができる。
また、基板の寿命試験を耐湿試験、たとえば７０℃８０
％Ｐ■中および耐熱試験たとえば１００℃放置の条件で
行なった場合、極性がマイナスの基板はほとんど経時変
化がないのに対して、プラスの基板は、非常に大きく経
時変化することがら、温度をかけることによってｎｅの
値が小さくなると考えられるので、記録領域における複
屈折の極性を常にマイナスにすることにより、長時間経
過後の複屈折、すなわち、雑音が少なく、Ｃ／Ｎ特性に
優れた光ディスクが得られる。
％Ｐ■中および耐熱試験たとえば１００℃放置の条件で
行なった場合、極性がマイナスの基板はほとんど経時変
化がないのに対して、プラスの基板は、非常に大きく経
時変化することがら、温度をかけることによってｎｅの
値が小さくなると考えられるので、記録領域における複
屈折の極性を常にマイナスにすることにより、長時間経
過後の複屈折、すなわち、雑音が少なく、Ｃ／Ｎ特性に
優れた光ディスクが得られる。
実施例
以下本発明の一実施例の光ディスクについて、図面を用
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
金型温調温度１２０℃、加熱筒温度を後部２５０℃、中
間部３００℃、前部３３５℃、ノズル部３２５℃の条件
で１３０℃−４Ｈｒ以上乾燥させた光デイスクグレード
のポリカーボネート樹脂を用いて射出成形することによ
り得られた基板１の複屈折をエリプソメーターで測定し
たところ、第１図のようになり、ＤＲＡＷディスクの記
録領域である基材直径５０〜１１（１ｍの範囲において
、極性が常にマイナスで、かつシングルパス値が２０ｎ
ｍ以下であった。そして、基材１をクリーンオーブン中
で１００℃Ｘ１００Ｈｒの条件で耐熱試験を行ったとこ
ろ、第２図のように基材直径７０ｔｍにおける複屈折を
例にとると、経時変化のほとんどない基材２が得られた
。
間部３００℃、前部３３５℃、ノズル部３２５℃の条件
で１３０℃−４Ｈｒ以上乾燥させた光デイスクグレード
のポリカーボネート樹脂を用いて射出成形することによ
り得られた基板１の複屈折をエリプソメーターで測定し
たところ、第１図のようになり、ＤＲＡＷディスクの記
録領域である基材直径５０〜１１（１ｍの範囲において
、極性が常にマイナスで、かつシングルパス値が２０ｎ
ｍ以下であった。そして、基材１をクリーンオーブン中
で１００℃Ｘ１００Ｈｒの条件で耐熱試験を行ったとこ
ろ、第２図のように基材直径７０ｔｍにおける複屈折を
例にとると、経時変化のほとんどない基材２が得られた
。
比較例
金型温調温度１００℃、加熱筒温度を後部２５０℃、中
間部２９０℃、前部３２０℃、ノズル部３１０℃の条件
で１３０′Ｃで４Ｈｒ以上乾燥させた光デイスクグレー
ドのポリカーボネート樹脂を用いて射出成形することに
より得られた基板３の複屈折をエリプソメーターで測定
したところ、第１図のようになり、基材直径５０〜１１
０鰭の範囲のシングルパス値は２０ｎｍ以下であったが
、極性は直径５０〜８０ｆｌの範囲がプラス、９０〜１
１０ｍの範囲がマイナスであった。そして、基材３をク
リーンオーブン中で１００℃Ｘ１００Ｈｒの条件で耐熱
試験を行ったところ、第２図のように基材直径７０１ｎ
における複屈折を例にとると、複屈折が悪くなる方向に
大きく経時変化した基材４になった。
間部２９０℃、前部３２０℃、ノズル部３１０℃の条件
で１３０′Ｃで４Ｈｒ以上乾燥させた光デイスクグレー
ドのポリカーボネート樹脂を用いて射出成形することに
より得られた基板３の複屈折をエリプソメーターで測定
したところ、第１図のようになり、基材直径５０〜１１
０鰭の範囲のシングルパス値は２０ｎｍ以下であったが
、極性は直径５０〜８０ｆｌの範囲がプラス、９０〜１
１０ｍの範囲がマイナスであった。そして、基材３をク
リーンオーブン中で１００℃Ｘ１００Ｈｒの条件で耐熱
試験を行ったところ、第２図のように基材直径７０１ｎ
における複屈折を例にとると、複屈折が悪くなる方向に
大きく経時変化した基材４になった。
発明の効果
本発明によると、複屈折の極性が変わらないので、予想
される記録領域における最大複屈折の半分に相当する角
度（１０ｎｍ）だけ検出器に入射する角度をずらせるこ
とにより、検出器に入射する反射光量が多くなるのでＣ
／Ｎ特性に優れ、長時間経過後の複屈折、すなわち、雑
音が少なく、Ｃ／Ｎ特性にも優れ、信頼性の高い光ディ
スクが得られる。
される記録領域における最大複屈折の半分に相当する角
度（１０ｎｍ）だけ検出器に入射する角度をずらせるこ
とにより、検出器に入射する反射光量が多くなるのでＣ
／Ｎ特性に優れ、長時間経過後の複屈折、すなわち、雑
音が少なく、Ｃ／Ｎ特性にも優れ、信頼性の高い光ディ
スクが得られる。
第１図は実施例および比較例により得られた基材直径と
複屈折の関係を比較する特性図、第２図は、実施例およ
び比較例により得られた基材を１００℃のクリーンオー
ブン中に放置したときの基材直径７０１１における複屈
折の経時変化を示す特性図である。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ばか１名−−ａ曖ハ
撃てＥ 味 縦囃与てＳ
複屈折の関係を比較する特性図、第２図は、実施例およ
び比較例により得られた基材を１００℃のクリーンオー
ブン中に放置したときの基材直径７０１１における複屈
折の経時変化を示す特性図である。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ばか１名−−ａ曖ハ
撃てＥ 味 縦囃与てＳ
Claims (2)
- （１）記録領域において、複屈折のシングルパス値が２
０ｎｍ以下で、その極性が常にマイナスである基板に記
録層を設けたことを特徴とする光ディスク。 - （２）基板がトラッキング用の溝を有するスタンパーを
用いて、アクリル樹脂またはポリカーボネート樹脂を射
出成形して得られたものであることを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項記載の光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61193308A JPS6350936A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 光デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61193308A JPS6350936A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 光デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350936A true JPS6350936A (ja) | 1988-03-03 |
Family
ID=16305750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61193308A Pending JPS6350936A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 光デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6350936A (ja) |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP61193308A patent/JPS6350936A/ja active Pending
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