JPS6350745A - 化学センサ− - Google Patents
化学センサ−Info
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- JPS6350745A JPS6350745A JP61194973A JP19497386A JPS6350745A JP S6350745 A JPS6350745 A JP S6350745A JP 61194973 A JP61194973 A JP 61194973A JP 19497386 A JP19497386 A JP 19497386A JP S6350745 A JPS6350745 A JP S6350745A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[利用分野]
本発明は電界効果型トランジスター(以下FETと略記
する)を利用した化学センサーに関する。
する)を利用した化学センサーに関する。
医療及び保健の分野において最近生物学的検知手段いわ
ゆるバイオセンサーが注目をされ、開発が進んでいる。
ゆるバイオセンサーが注目をされ、開発が進んでいる。
バイオセンサーは基本的に、膜に固定された酵素、抗体
又は微生15】のような生化学的L ′:i部bioc
hemical receptor (B R)と、電
子豹変II部elccLronic transduc
er (E T )との二つの要素から構成される。B
Rが検出すべき物質と反応し、ETがこの化学ri’3
作用をUUI定可能な電気信号に変換する。電子的変換
部としては、古典的な半電池、すなわぢ電極も用いられ
るが、バイオセンサーとしては性能が不十分で、半導体
応用素子が今後発展を期待される。
又は微生15】のような生化学的L ′:i部bioc
hemical receptor (B R)と、電
子豹変II部elccLronic transduc
er (E T )との二つの要素から構成される。B
Rが検出すべき物質と反応し、ETがこの化学ri’3
作用をUUI定可能な電気信号に変換する。電子的変換
部としては、古典的な半電池、すなわぢ電極も用いられ
るが、バイオセンサーとしては性能が不十分で、半導体
応用素子が今後発展を期待される。
半導体素子としては、電界効果型トランジスタ(FET
) 、金属絶縁物半導体素子(MIS)等が用いられる
。FETは複合化と小型化に対して有利であり、これを
電子的変換部として用いイオン感応膜と組み合わせたイ
オン感応PET(ISFETと略記される)が近年急速
に発展した。生物的活性物質を固定化した膜を生化学的
受容体とするバイオセンサーあるいは生化学的FETも
研究が進んでいる。しかし、FETはSiの光伝導性に
起因する光感応性をもつためにl5FET等による測定
には暗室又は暗箱を必要とし、測定操作が面倒であった
。
) 、金属絶縁物半導体素子(MIS)等が用いられる
。FETは複合化と小型化に対して有利であり、これを
電子的変換部として用いイオン感応膜と組み合わせたイ
オン感応PET(ISFETと略記される)が近年急速
に発展した。生物的活性物質を固定化した膜を生化学的
受容体とするバイオセンサーあるいは生化学的FETも
研究が進んでいる。しかし、FETはSiの光伝導性に
起因する光感応性をもつためにl5FET等による測定
には暗室又は暗箱を必要とし、測定操作が面倒であった
。
本発明は、上記のようなFETを電子的変換部(ele
ctronic transducer)として用いた
イオン又は分子に感応するセンサーによる測定に際し暗
室又は暗箱の必要をなくし、操作を簡便かつ能率的にす
ることを目的とする。
ctronic transducer)として用いた
イオン又は分子に感応するセンサーによる測定に際し暗
室又は暗箱の必要をなくし、操作を簡便かつ能率的にす
ることを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明者らはFETを利用
した化学センサーに、外部から供給した試料液はFET
センサーの検出部位に到達できるが、外部の光はFET
センサーの少くともFET部に実質的に到達できない手
段をもうけた。
した化学センサーに、外部から供給した試料液はFET
センサーの検出部位に到達できるが、外部の光はFET
センサーの少くともFET部に実質的に到達できない手
段をもうけた。
光が実質違約に到達できないとは、容器表面での照度に
比しFET部での照度が1/20以下、好ましくは1/
100以下に減少されることを言う。
比しFET部での照度が1/20以下、好ましくは1/
100以下に減少されることを言う。
試料液はFETセンサーの検出部位に到達できるが光は
FET部に到達できない手段として、具体的には次のよ
うなものが含まれる。
FET部に到達できない手段として、具体的には次のよ
うなものが含まれる。
(1)FETセンサーを化学認諾部(cl+emica
lreceptor)に通ずる開口を有する遮光性の容
器に収納し、開口部位を光吸収性を有する液透過性部材
でおおう。
lreceptor)に通ずる開口を有する遮光性の容
器に収納し、開口部位を光吸収性を有する液透過性部材
でおおう。
液透過性部材は均質のものでもよいし、不連続相を含む
分散相でもよいし、多孔質でもよい。
分散相でもよいし、多孔質でもよい。
均質の液透過性部材は、たとえば光吸収性の染料を含む
親水性ポリマーである0例えばオキソノール染料の如き
水溶性染料を含むゼラチン膜である。
親水性ポリマーである0例えばオキソノール染料の如き
水溶性染料を含むゼラチン膜である。
分散相は、光吸収性の粒子を含むのが有利である9例え
ばカーボンブラックを含むゼラチン膜である。さらに連
続相中に染料等を含んでもよい。
ばカーボンブラックを含むゼラチン膜である。さらに連
続相中に染料等を含んでもよい。
多孔質の液透過性部材は、空孔を有する光吸収性材料か
ら成ってもよいし、空孔を有する光吸収性材料中に光吸
収性粒子を含んでなるものでもよい0例えば相分離法等
で作られた多孔質i!11:酸セルロースの固相中又は
空孔中にカーボンブラックを含むものでもよい。
ら成ってもよいし、空孔を有する光吸収性材料中に光吸
収性粒子を含んでなるものでもよい0例えば相分離法等
で作られた多孔質i!11:酸セルロースの固相中又は
空孔中にカーボンブラックを含むものでもよい。
液透過性部材の全体が光吸収性である必要はなく、FE
、Tセンサーに近い部分又はFETセンサーから遠い部
分だけが光吸収性であってもよい。
、Tセンサーに近い部分又はFETセンサーから遠い部
分だけが光吸収性であってもよい。
(2)外部から供給した試料液はFETセンサーの検出
部位に到達できるが光はFETセンサーのFET部に実
質的に到達できない構造をもつ容器内にFETセンサー
を収納する6例えば第2図がら第7図に示す如くである
。
部位に到達できるが光はFETセンサーのFET部に実
質的に到達できない構造をもつ容器内にFETセンサー
を収納する6例えば第2図がら第7図に示す如くである
。
以下、図面により本発明の実施例について説明する。
第1図は本発明のFETセンサーの一例を示した平面図
である。第1図中のU−U’に沿った断面を第1a図に
示す、第1a図において、FET1はソース領域1a、
ドレイン領域1b、ゲー)−1cを有し、ゲート1cの
表面には化学認識部2を有する。化学認識部2は、たと
えば固定化酵素膜である。FETIは、ともに遮光性で
ある下部枠3と上部枠4の間に、挟持されている。遮光
性の下部枠3および上部枠4は、たとえば4重量%のカ
ーボンブラックを分散したポリスチレンであり、両者は
隙間のないよう互いに密着されている(下部枠と上部枠
は一体であってもよい)。
である。第1図中のU−U’に沿った断面を第1a図に
示す、第1a図において、FET1はソース領域1a、
ドレイン領域1b、ゲー)−1cを有し、ゲート1cの
表面には化学認識部2を有する。化学認識部2は、たと
えば固定化酵素膜である。FETIは、ともに遮光性で
ある下部枠3と上部枠4の間に、挟持されている。遮光
性の下部枠3および上部枠4は、たとえば4重量%のカ
ーボンブラックを分散したポリスチレンであり、両者は
隙間のないよう互いに密着されている(下部枠と上部枠
は一体であってもよい)。
上部枠4は上面に、センサーの化学認諾部2に通ずる開
口を有する。この開口を、液浸透性で光吸収性の多孔質
部材7a、例えば墨液に浸漬または墨液を塗布した綿J
a物、綿編み物、長繊維セルロース不織布等でおおう、
試料液はこの多孔質部材7aを通過できるが、光はこの
多孔質部材7aを通過してセンサーのFET部に達する
ことができない、多孔質部材7aは試料液に対し化学的
に不活性でなければならない、試料液が生体起源のもの
である場合には、生化学的に不活性でなければならない
。試料液が血液である場合には、溶血を生じない材料で
あることが望ましい、ldと1eは、FETIのソース
およびドレインへの電気的接続のための端子である。
口を有する。この開口を、液浸透性で光吸収性の多孔質
部材7a、例えば墨液に浸漬または墨液を塗布した綿J
a物、綿編み物、長繊維セルロース不織布等でおおう、
試料液はこの多孔質部材7aを通過できるが、光はこの
多孔質部材7aを通過してセンサーのFET部に達する
ことができない、多孔質部材7aは試料液に対し化学的
に不活性でなければならない、試料液が生体起源のもの
である場合には、生化学的に不活性でなければならない
。試料液が血液である場合には、溶血を生じない材料で
あることが望ましい、ldと1eは、FETIのソース
およびドレインへの電気的接続のための端子である。
第2図はFETセンサー容器の一例を示した平面図であ
る。第2図中のv−v’に沿った断面を、第2a図に示
す、第2図および第2a図において、FIET 1は
ソース領域1a、ドレイン領域1b、ゲー)1cを有し
、ゲートICの表面には化学二8識部2を有する。化学
認識部2は、たとえば固定化酵素膜である。FET 1
は、ともに遮光性である下部枠3と上部枠4の間に、挟
持されている。
る。第2図中のv−v’に沿った断面を、第2a図に示
す、第2図および第2a図において、FIET 1は
ソース領域1a、ドレイン領域1b、ゲー)1cを有し
、ゲートICの表面には化学二8識部2を有する。化学
認識部2は、たとえば固定化酵素膜である。FET 1
は、ともに遮光性である下部枠3と上部枠4の間に、挟
持されている。
遮光性の下部枠3および上部枠4は、たとえば4重量%
のカーボンブラックを分散したポリスチレンであり、両
者は隙間のないよう互いに密着されている。上部枠4は
PET 1の上に設けられた化学認識部2に通ずる開
口を有する。この開口をおおうように、表面を黒く塗っ
た金属またはプラスチック製の遮光蓋6が設()られて
いる。遮光蓋6は試料液に対し化学的に不活性でなけれ
ばならない、遮光蓋6は、上面に試料液供給孔5を有し
、かつ仕切り板6aによって上下2つの区画に分けられ
ている。仕切り板6aは液供給孔5から離れた位置に試
料液を通過させる開ロアを有している。
のカーボンブラックを分散したポリスチレンであり、両
者は隙間のないよう互いに密着されている。上部枠4は
PET 1の上に設けられた化学認識部2に通ずる開
口を有する。この開口をおおうように、表面を黒く塗っ
た金属またはプラスチック製の遮光蓋6が設()られて
いる。遮光蓋6は試料液に対し化学的に不活性でなけれ
ばならない、遮光蓋6は、上面に試料液供給孔5を有し
、かつ仕切り板6aによって上下2つの区画に分けられ
ている。仕切り板6aは液供給孔5から離れた位置に試
料液を通過させる開ロアを有している。
試料液はこの開ロアを通過できるが、液供給孔5から入
射した光はわずかな散乱光を除いてこの開ロアを通過す
ることはできない、仕切り板6aはまた外部に通ずる空
気抜き管8を有している。空気抜き管8はD8aを有す
る。I28aは空気抜き管8を通って光がFETに達す
ることを防ぐ、第2図で1dと1eは、FETIのソー
スおよびドレインへの電気的接続のための端子である。
射した光はわずかな散乱光を除いてこの開ロアを通過す
ることはできない、仕切り板6aはまた外部に通ずる空
気抜き管8を有している。空気抜き管8はD8aを有す
る。I28aは空気抜き管8を通って光がFETに達す
ることを防ぐ、第2図で1dと1eは、FETIのソー
スおよびドレインへの電気的接続のための端子である。
第3図はFETセンサー容器の他の一例を示す立面図、
第3a図はその平面図である。第3a図のx−x’に沿
った断面図を第3b図に示す、第3図および第3b17
Iにおいて、FETIを収容する容器は遮光性の材料か
ら成る下部枠3と上部枠4から成る。FETIは上部枠
4に埋め込まれており、センサーの化学認識部2は、下
部枠3の上面に設けられた液通路7に通じている。液供
給孔5から供給される試料液は、液通路7を通って化学
認識部2に接触することができる。空気抜き孔8が液通
1@7の末端に設けられている。カバー8aは光が空気
抜き孔8を通って入射することを防ぐ、第3a図で1d
と1eは、FETIのソースおよびドレインへのそれぞ
れ電気的接続のための端子である。
第3a図はその平面図である。第3a図のx−x’に沿
った断面図を第3b図に示す、第3図および第3b17
Iにおいて、FETIを収容する容器は遮光性の材料か
ら成る下部枠3と上部枠4から成る。FETIは上部枠
4に埋め込まれており、センサーの化学認識部2は、下
部枠3の上面に設けられた液通路7に通じている。液供
給孔5から供給される試料液は、液通路7を通って化学
認識部2に接触することができる。空気抜き孔8が液通
1@7の末端に設けられている。カバー8aは光が空気
抜き孔8を通って入射することを防ぐ、第3a図で1d
と1eは、FETIのソースおよびドレインへのそれぞ
れ電気的接続のための端子である。
第3c図は、センサー容器の部分図であって、下部枠3
の上面から見た平面図である。下部枠3と上部枠4の少
なくとも試料液に接する表面は、試料液に対して化学的
に不活性でなければならない、試料液が生体起源のもの
である場合には、生化学的に不活性でなければならない
、試料液が血液である場合には、溶血を生じない材料で
あることが望ましい、液通路7は少なくとも一部が上部
枠4の下面に設けられてもよい。
の上面から見た平面図である。下部枠3と上部枠4の少
なくとも試料液に接する表面は、試料液に対して化学的
に不活性でなければならない、試料液が生体起源のもの
である場合には、生化学的に不活性でなければならない
、試料液が血液である場合には、溶血を生じない材料で
あることが望ましい、液通路7は少なくとも一部が上部
枠4の下面に設けられてもよい。
センサー容器の他の例は、第3図および第3a図に示さ
れた外観をもち、x−x’凹断面第4図に示されるもの
である。この断面は第3b[3に示したものと基本的に
同じであるが、液通路7中には布7aが収められている
。布7aは、試料液に対して化学的に不活性でなければ
ならない、試料液が生体起源のむのである場合には、生
化学的に不活性でなければならない、試料液が血液であ
る場合には、溶血を生じない材料であることが望ましい
、試料液は供給孔5から布7aに供給され、布7a中に
浸透して、センサーの化学認識部2に達する。液通路7
の末端には空気抜き孔8が設けられている。第4a図は
、容器の上部枠4を除いて下部枠3の上面を示した部分
図である。
れた外観をもち、x−x’凹断面第4図に示されるもの
である。この断面は第3b[3に示したものと基本的に
同じであるが、液通路7中には布7aが収められている
。布7aは、試料液に対して化学的に不活性でなければ
ならない、試料液が生体起源のむのである場合には、生
化学的に不活性でなければならない、試料液が血液であ
る場合には、溶血を生じない材料であることが望ましい
、試料液は供給孔5から布7aに供給され、布7a中に
浸透して、センサーの化学認識部2に達する。液通路7
の末端には空気抜き孔8が設けられている。第4a図は
、容器の上部枠4を除いて下部枠3の上面を示した部分
図である。
第5図はセンサー容器のさらに別の例の平面図である。
Y−Y”に沿った断面を第5a図に示す。
遮光性の上部枠4と下部枠3との間に液通路7が設けら
れている。FETIは下部枠3に埋設され、化学認諾部
2が液通路7にのぞんでいる。第5図で1dと1eは、
FIETIのソースおよびドレインへのそれぞれ電気的
接続のための端子である。
れている。FETIは下部枠3に埋設され、化学認諾部
2が液通路7にのぞんでいる。第5図で1dと1eは、
FIETIのソースおよびドレインへのそれぞれ電気的
接続のための端子である。
第5b図は、容2工の上部枠4を除いて下部枠3の上面
を示す部分図である。液通路7は、第5b図に示された
ように、平面上で逆り字型に曲がっているので、供給孔
5からの光はFETIに到達しにくい、試料液は供給孔
5がら通路7を通って、センサーの化学認識部2に達す
る0通i¥37内の空気は排気口8から排出される。液
通路7内には液を伝達する布を収めてもよい、試料液が
全血の場合には、溶血を起こしにくい長繊維セルロース
不織布等が適している。
を示す部分図である。液通路7は、第5b図に示された
ように、平面上で逆り字型に曲がっているので、供給孔
5からの光はFETIに到達しにくい、試料液は供給孔
5がら通路7を通って、センサーの化学認識部2に達す
る0通i¥37内の空気は排気口8から排出される。液
通路7内には液を伝達する布を収めてもよい、試料液が
全血の場合には、溶血を起こしにくい長繊維セルロース
不織布等が適している。
第6図はセンサー容器のさらに別の例の平面図および立
面図である。z−z’に沿った断面を第6a図に示す、
遮光性の上部枠4と下部枠3との間に液通路7が設けら
れている。FETIは下部枠3に埋設され、化学認識部
2が液通路7にのぞんでいる。第6図で1dと1eは、
FETIのソースおよびドレインへのそれぞれ電気的接
続のための端子である。第6b図は容器の上部枠4の上
面を示す部分図、第6c図は容器の上部枠4を除いて下
部枠3の上面を示す部分図である。液通路7は、第6c
図に示されたように、平面上でコ字型に曲がっているの
で、供給孔5がらの光はFET1に到達しにくい、試料
液は供給孔5がら通路7を通って、センサーの化学認識
部2に達する。
面図である。z−z’に沿った断面を第6a図に示す、
遮光性の上部枠4と下部枠3との間に液通路7が設けら
れている。FETIは下部枠3に埋設され、化学認識部
2が液通路7にのぞんでいる。第6図で1dと1eは、
FETIのソースおよびドレインへのそれぞれ電気的接
続のための端子である。第6b図は容器の上部枠4の上
面を示す部分図、第6c図は容器の上部枠4を除いて下
部枠3の上面を示す部分図である。液通路7は、第6c
図に示されたように、平面上でコ字型に曲がっているの
で、供給孔5がらの光はFET1に到達しにくい、試料
液は供給孔5がら通路7を通って、センサーの化学認識
部2に達する。
通路7内の空気は排気口8がち排出される。液通路7内
には液を伝達する布7a(たとえば、長繊維綿不織布)
を収めてもよい。
には液を伝達する布7a(たとえば、長繊維綿不織布)
を収めてもよい。
第7図はセンサー容器のさらに別の例の立面図である。
垂直方向の断面を第7a図に示す0本図に示されたセン
サーは試料液中に浸漬して使用するタイプである。光吸
収性の材料で作られた二重の円筒6,6aの中心に、セ
ンサーを先端付近に固定した遮光性の管6bが固定され
ている。中心管6bの先端付近に設けられたセンサーは
、遮光性の外筒6と内筒6aでおおわれている。遮光性
の外筒6と内筒6aとの間および内筒6aと中心管6b
の間に液通路7が形成され、液通路7内には液伝達部材
7a(たとえば、長繊維セルロース不織布)を収める。
サーは試料液中に浸漬して使用するタイプである。光吸
収性の材料で作られた二重の円筒6,6aの中心に、セ
ンサーを先端付近に固定した遮光性の管6bが固定され
ている。中心管6bの先端付近に設けられたセンサーは
、遮光性の外筒6と内筒6aでおおわれている。遮光性
の外筒6と内筒6aとの間および内筒6aと中心管6b
の間に液通路7が形成され、液通路7内には液伝達部材
7a(たとえば、長繊維セルロース不織布)を収める。
FETIは内筒6aの中心に設けられた管6b4:密封
され、化学認識部2が開口を通じて液通路7にのぞんで
いる。1fは、FETIのソースおよびドレインへのそ
れぞれ電気的接続のための導線である。外筒6は下端に
試料液供給孔5を存し、内筒6aは液供給孔5から離れ
た位置に試料液を通過させる開ロアbを有している。試
料液供給孔5から供給された試料液は、液伝達部材7a
を介し°にの開ロアbを通過し、センサーの化学認コ部
2に到達できるが、液供給孔5から入射した光のうちこ
の間ロアbを通過してセンサ一部に達するものは、ごく
わずかである。
され、化学認識部2が開口を通じて液通路7にのぞんで
いる。1fは、FETIのソースおよびドレインへのそ
れぞれ電気的接続のための導線である。外筒6は下端に
試料液供給孔5を存し、内筒6aは液供給孔5から離れ
た位置に試料液を通過させる開ロアbを有している。試
料液供給孔5から供給された試料液は、液伝達部材7a
を介し°にの開ロアbを通過し、センサーの化学認コ部
2に到達できるが、液供給孔5から入射した光のうちこ
の間ロアbを通過してセンサ一部に達するものは、ごく
わずかである。
外筒6と内筒6aは試料液に対しfヒ学的に不活性でな
ければならない、内筒6ali:4た外部に通ずる小さ
な排気孔8を上端付近に有している。第7図に示した例
において、外筒6、内筒6a、中心管6bはいずれも、
円筒である必要はなく、切り口が三角形、矩形、六角形
、六角形等の多角形でもよく、楕円、長円等でもよい。
ければならない、内筒6ali:4た外部に通ずる小さ
な排気孔8を上端付近に有している。第7図に示した例
において、外筒6、内筒6a、中心管6bはいずれも、
円筒である必要はなく、切り口が三角形、矩形、六角形
、六角形等の多角形でもよく、楕円、長円等でもよい。
[発明の効果]
本発明の化学センサーを用いると、測定機、実験器具類
を暗室に持ち込んだり1分析器具を暗箱の中に入れ手探
りで測定をする必要がない。
を暗室に持ち込んだり1分析器具を暗箱の中に入れ手探
りで測定をする必要がない。
[測定例]
例えばl5FETのゲート部にアルブミンとゲルタール
アルデヒドでウレアーゼを固定した尿素センサーを用い
て、p+−17,3に11%された試料液中の尿素を検
出する場合、センサーをそのまま明るい室内(例えば天
井から40WX2直管蛍光燈で照明された)において測
定なおこなうと、尿素を2′まない場合の電位は約2m
Vの福で、10mMの尿素を含む場合は約4.mVの幅
で、電位の変動があった。第7図に示した容器に収めた
尿素センサーな用いると、いずれの場合も電位の変動は
0.5mV以下であった。電位の絶対値も、明室での測
定に比して約10mV高かった。
アルデヒドでウレアーゼを固定した尿素センサーを用い
て、p+−17,3に11%された試料液中の尿素を検
出する場合、センサーをそのまま明るい室内(例えば天
井から40WX2直管蛍光燈で照明された)において測
定なおこなうと、尿素を2′まない場合の電位は約2m
Vの福で、10mMの尿素を含む場合は約4.mVの幅
で、電位の変動があった。第7図に示した容器に収めた
尿素センサーな用いると、いずれの場合も電位の変動は
0.5mV以下であった。電位の絶対値も、明室での測
定に比して約10mV高かった。
第1図、第2図、第3a図、第5図および第6図は本発
明の化学センサーの平面図である。 第3図および第7図は、本発明の(ヒ学センサーの立面
図である。 第1af21、第2a(7I、第3blll、第4図、
第5a図、第6a図および第7a図は、本発明の化学セ
ンサーの断面図である。 第3c図、第4a図、第5b図、第6b図および第6c
図は、本発明の化学センサーの部分を示す平面図である
。 出願人 富士写真フィルム株式会社e 図面’7)i%書(内容に変更なし) 第2図 図面の浄書(内容に変更なし) 第3 図 ?λ ブレ 第3a図 プ已 第3b図 第3C図 図面の浄書(内容に変更なし) 第4図 第4a図 第5図 1天 第5a図 第5し図 第6図 3 分 図面の浄書(内容に変更なし) 図面の浄占(内容に変更なし) 第7a図 1、事件の表示 昭和27年特願第1り弘773
号2、発明の名称 化学センサー 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人件 所 神奈
川県南足柄市中沼210番地4、補正命令の日付 昭和乙/年10月2r日(発送日) 5、補正の対象 図面 6、補正の内容 適正な図面第1a、2a%44.4La、Aa173図
を別紙の通り提出いたします。
明の化学センサーの平面図である。 第3図および第7図は、本発明の(ヒ学センサーの立面
図である。 第1af21、第2a(7I、第3blll、第4図、
第5a図、第6a図および第7a図は、本発明の化学セ
ンサーの断面図である。 第3c図、第4a図、第5b図、第6b図および第6c
図は、本発明の化学センサーの部分を示す平面図である
。 出願人 富士写真フィルム株式会社e 図面’7)i%書(内容に変更なし) 第2図 図面の浄書(内容に変更なし) 第3 図 ?λ ブレ 第3a図 プ已 第3b図 第3C図 図面の浄書(内容に変更なし) 第4図 第4a図 第5図 1天 第5a図 第5し図 第6図 3 分 図面の浄書(内容に変更なし) 図面の浄占(内容に変更なし) 第7a図 1、事件の表示 昭和27年特願第1り弘773
号2、発明の名称 化学センサー 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人件 所 神奈
川県南足柄市中沼210番地4、補正命令の日付 昭和乙/年10月2r日(発送日) 5、補正の対象 図面 6、補正の内容 適正な図面第1a、2a%44.4La、Aa173図
を別紙の通り提出いたします。
Claims (4)
- (1)電界効果型トランジスタを電子的変換部とし、液
体中の特定成分の分析に使用される化学センサーであっ
て、外部から供給される試料液は化学センサーの化学認
識部に到達できるが外部の光は電界効果型トランジスタ
部に実質的に到達できない手段を備えていることを特徴
とする化学センサー - (2)外部から供給される試料液は化学センサーの化学
認識部に到達できるが、外部の光は電界効果型トランジ
スタ部に実質的に到達できない容器に収納されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲(1)の化学センサー。 - (3)化学センサーの電界効果型トランジスタ部は光が
実質的に到達できない容器に収納されており、化学セン
サーの化学認識部は、外部から供給される試料液を化学
センサーの化学認識部に到達させるが光を実質的に透過
しない液透過性部材で、覆われていることを特徴とする
特許請求の範囲(1)の化学センサー。 - (4)液中の生化学的活性または阻害性成分の分析に用
いられる化学センサーであることを特徴とする特許請求
の範囲(1)の化学センサー。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61194973A JPS6350745A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 化学センサ− |
GB8719689A GB2195824B (en) | 1986-08-20 | 1987-08-20 | Chemical sensor device with field effect transistor |
US07/087,508 US4877582A (en) | 1986-08-20 | 1987-08-20 | Chemical sensor device with field effect transistor |
DE19873727805 DE3727805A1 (de) | 1986-08-20 | 1987-08-20 | Chemische sensoreinrichtung mit einem feldeffekttransistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61194973A JPS6350745A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 化学センサ− |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6350745A true JPS6350745A (ja) | 1988-03-03 |
Family
ID=16333423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61194973A Pending JPS6350745A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 化学センサ− |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4877582A (ja) |
JP (1) | JPS6350745A (ja) |
DE (1) | DE3727805A1 (ja) |
GB (1) | GB2195824B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008134255A (ja) * | 2007-12-17 | 2008-06-12 | Hitachi Ltd | 生体分子検出装置及びそれを用いた生体分子検出方法 |
Families Citing this family (15)
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US6024924A (en) * | 1995-09-29 | 2000-02-15 | Forschungzentrum Julich Gmbh | Biosensor system for detecting organic trace compounds produced by smoldering fires |
AT410727B (de) * | 2000-03-14 | 2003-07-25 | Austria Mikrosysteme Int | Verfahren zum unterbringen von sensoren in einem gehäuse |
ATE419387T1 (de) * | 2001-04-23 | 2009-01-15 | Samsung Electronics Co Ltd | Verfahren zur herstellung eines chips zum molekularen nachweis |
US6653653B2 (en) | 2001-07-13 | 2003-11-25 | Quantum Logic Devices, Inc. | Single-electron transistors and fabrication methods in which a projecting feature defines spacing between electrodes |
US6483125B1 (en) | 2001-07-13 | 2002-11-19 | North Carolina State University | Single electron transistors in which the thickness of an insulating layer defines spacing between electrodes |
US6673717B1 (en) | 2002-06-26 | 2004-01-06 | Quantum Logic Devices, Inc. | Methods for fabricating nanopores for single-electron devices |
JP3657591B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2005-06-08 | 独立行政法人科学技術振興機構 | pチャンネル電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサ |
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JP4353958B2 (ja) * | 2005-09-15 | 2009-10-28 | 株式会社日立製作所 | Dna計測装置、及びdna計測方法 |
TW200738884A (en) * | 2006-04-04 | 2007-10-16 | Univ Nat Yunlin Sci & Tech | Uricase enzyme biosensors and fabrication method thereof, sensing systems and sensing circuits comprising the same |
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DE102015104419A1 (de) | 2014-04-02 | 2015-10-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Fluidsensor und Verfahren zur Untersuchung eines Fluids |
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-
1986
- 1986-08-20 JP JP61194973A patent/JPS6350745A/ja active Pending
-
1987
- 1987-08-20 DE DE19873727805 patent/DE3727805A1/de not_active Withdrawn
- 1987-08-20 US US07/087,508 patent/US4877582A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-08-20 GB GB8719689A patent/GB2195824B/en not_active Expired
Patent Citations (2)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3727805A1 (de) | 1988-03-03 |
GB8719689D0 (en) | 1987-09-30 |
GB2195824A (en) | 1988-04-13 |
GB2195824B (en) | 1990-01-10 |
US4877582A (en) | 1989-10-31 |
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