JPS6349490A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光記録媒体に関し、特に赤外線レーザーによ
る光書き込みに適した光記録媒体に関する。

（従来の技術） 最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書、文献等を記録保存てきるため、
オフィスにおける文書等の整理、管理が効率よ〈実施で
きる。この先ディスク用の記録素子としては、各種のも
のが検討されているが、価格、製造の容易さから有機材
料を用いたものが注目されている。

このような記録素子用の有機材料として、ジアセチレン
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録素子として用いる記録技術が特開昭
５＋ｉ−１４７８０７号に開示されている。しかし、こ
の明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、ある
いは用いるべきかの記載がなく、単にレーザーを用いて
記録を実施したとの記載に留まっている。

本発明者らは、種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録か可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー（波長８００〜ＱＯＯｎｍ）を使用した場
合にはレーサー記録が実施できないことを確認した。し
かし、光ティスフ等の実用的な記録媒体としては、小型
で低出力の半導体レーザーにより光−）き込みか可能な
ことか要ス青される。

一方、特開昭５８−２１７５５８号および特開昭５８−
２２０１４３号には、スクェアリリウム染料が開示さね
、これら染料を含有する打機被膜がｔ導体レーサー輻射
波長領域の輻射線を吸収し発熱するので、レーザーエネ
ルギーによりピットを形成するいわゆるヒートモード記
録が実施できることを開示している。しかし、記録媒体
の表面に物理的なピットを形成して記録を実施する場合
には、比較的大きなエネルキーを必要とし、高密度で高
速記録を実施することは比較的困難である。

また、これらの記録媒体の記録層は、ジアセチレン誘導
体化合物の微結晶あるいはスクェアリリウム染料等かバ
インダー中に分散してなるものであり、記録層内におけ
るこれら化合物の配向はランタムであり、そのため場所
によって光の吸収率や反射率が異ったり、化学反応の程
度が相違したりする現象が生じ、高密度の記録には必ず
しも適しているとはいえなかった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は小型軽量の半導体レー
ザーて光書き込みか可能な光記録媒体を提供することに
ある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速記録の可能
な光記録媒体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録媒体を提供することにある。

（問題点を解決するための手段） すなわち、本発明の光記録媒体は、少なくとも親水性部
位および疎水性部位を併有するジアセチレン誘導体化合
物の単分子膜またはその累積膜を含有するＡ層と、スク
ェアリリウム染料を含有するＢ層とが積層されてなる記
録層を有することを特徴とする。

本発明に用いる親水性部位および疎水性部位を併有１−
るジアセチレン誘導体化合物（以下、ＤＡ化合物と略称
する）とは、隣接する分子中のｃ＝ｃ−ｃ＝ｃ官能基間
において１，４−付加重合反応が可能な化合物であり、
代表的にはＦ記一般式８式％） （式中、×は、親水性部位を形成する親水性基であり、
ｍ、ｎは整数を表わす。） で表わされる化合物が挙げられる。

上記ＤＡ化合物における親水性基×としては、例えばカ
ルホキシル基、アミノ基、ヒドロキシ基、ニトリル基、
チオアルコール基、イミノ基、スルホン酸基、スルフィ
ニル基またはその金属若しくはアミン塩が挙げられる。

疎水性部位を形成する１１（Ｃｌｈ）ｎ−表わされるア
ルキル基としては炭素原子数か　１〜３０の長鎖アルキ
ル基が好ましい。また、ｍ＋ｎとしては１〜３０の整数
が好ましい。

一方、本発明で用いるスクェアリリウム染料とは、下記
の基本構造 複素環を含む置換基 を有する化合物（分子内塩をも含む）であって、７５０
ｎｍ以上に吸収ピークを有し、この波長の赤外光により
発熱する化合物である。このスクェアリリウム染料類と
しては、代表的には下記一般式［Ｉ］〜［ｒＶ］で示さ
れる染料が例示される。

ｎｂｃ　［Ｉ　］ ろθ −１Ｖｔ［旧 。ｅＭ■　　　　　　　　ウθ 一般式［ｆ［Ｉ］ 〇 一般式［ＩＶ］ Ｋ＝　　　に−Ｉ　　　　　Ｆｃ１　　に１′ＯｅＭ■
　　　　　Ｘθ 一般式（Ｉ）（ＴＩ）中、Ｒ１およびＲ２は、アルキル
基（例えば、メチル基、エチルＪ、（、ｎ−プロピル基
、１ｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、５ｅｃ−ブチル
基、１ｓｏ−ブチル基、Ｌ−ブチル基、０−アミル基、
Ｌ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、し−
オクチル基など）、置換アルキル基（例えば２−ヒドロ
キシエチル店、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロ
キシブチル基、２−アセトキシエチル基、カルホキジメ
チル基、２−カルボキシエチル基、３−カルボキシプロ
ピル基、２−スルホエチル基、３−スルホプロピル基、
４−スルホブチル基、３−スルフェートプロピル基、４
−スルフェートブチル基、　Ｎ〜（メチルスルホニル）
−カルバミルメチル基、　３−（アセチルスルファミル
）プロピル基、　４−（アセチルスルファミル）ブチル
基など）、環式アルキル基（例えば、シクロヘキシル基
なと）、アリルｊ、シ、アラルキル基（例えば、ペンシ
ル基、フェネチル基、α−ナフチルメヂル基、β−ナフ
ヂルメチル基なと）、置換アラルキル基（例えば、カル
ホキジメチル基、スルホ・ペンシル基、ヒドロキシヘン
シル基なと）、アリール基（例えば、フェニル基など）
または置換アリール基（例えば、カルボキシフェニル基
、スルホフェニル基、ヒドロキシフェニル基など）を示
す。特に、本発明においては、これらの有機残基のうち
、疎水性のものが好ましい。

置換または未置換の複素環、例えば、チアゾール系列の
核（例えばチアゾール、４−メチルチアゾール、４−フ
ェニルチアゾール、５−メチルチアゾール、５−フェニ
ルチアゾール、４．５−ジメチルチアゾール、４．５−
ジフェニルチアゾール、４−（２−チェニル）−チアゾ
ールなど）、ベンゾチアゾール系列の核（例えばベンゾ
チアゾール、５−クロロベンゾチアゾール、５−メチル
ベンゾチアゾール、６−メチルベンゾチアゾール、５，
６−シメチルベンゾチアゾール、５−プロモヘンゾチア
ゾール、５−フェニルベンゾチアゾール、５−メトキシ
ベンゾチアゾール、６−メトキシベンゾチアゾール、５
．６−シメトキシヘンソチアゾール、５．６−シオキシ
メチレンヘンゾチアゾール、５−ヒドロキシベンゾチア
ゾール、６−ヒドロキシベンゾチアゾール、４，５，８
．７−チトラヒドロベンゾチアゾールなど）、ナフトデ
アゾール系列の核（例えばナフト［２，１−ｄ］チアゾ
ール、ナフト［１，２−ｄ］チアゾール、５−メトキシ
ナフト［１，２−ｄ］チアゾール、５−エトキシナフト
［１，２−ｄコチアゾール、８−メトキシナフト［２，
１−ｄ］チアゾール、７−メトキシナフト［２，１−ｄ
］チアゾールなど）、チオナフテン［７，８−ｄ］チア
ゾール系列の核（例えば７−メドキシチオナフテン［７
，６−ｄ］チアゾール）、オキサゾール系列の核（例え
ば・１−メチルオキサゾール、５−メチルオキサゾール
、４〜フエニルオキサゾール、４．５−ジフェニルオキ
サゾール、４−エチルオキサゾール、４．５−ジメチル
オキサゾール、５−フェニルオキサゾール）、ペンツオ
キサゾール系列の核（例えばベンゾオキサゾール、５−
クロロベンゾオキサゾール、５−メチルベンゾオキサゾ
ール、５−フェニルベンゾオキサゾール、６−メチルベ
ンゾオキサゾール、５．６−ジメチルペンツオキサゾー
ル、５−メトキシヘンソオキサゾール、６−メドキシベ
ンゾオキサゾール、５−ヒドロキシベンゾオキサソール
、６−ヒドロキシベンゾオキサソールなと）、ナフトオ
キサゾール系列の核（例えばナフト［２，１−ｄｌオキ
サゾール、ナフト［１，２−ｄ］オキサゾールなど）、
セレナゾール系列の核（例えば４−メチルセレナソール
、４−フェニルセレナゾールなど）、ヘンゾセレナゾー
ル系列の核（例えばベンゾセレナゾール、５−クロロベ
ンゾセレナゾール、５−メチルベンゾセレナゾール、５
．６−シメチルベンゾセレナゾール、５−メトキシベン
ゾセレナゾール、５−メチル−６−メトキシベンゾセレ
ナゾール、５．６−シオキシメチレンベンゾセレナソー
ル、５−ヒドロキシベンゾセレナゾール、４．５，５．
７−チトラヒドロベンゾセレナゾールなと）、ナフトセ
レナゾール系列の核（例えばナフト［２，１−ｄｌセレ
ナゾール、ナフト［１，２−ｄ］セレナソール）、チア
ソリン系列の核（例えばチアゾリン、４−メチルチアゾ
リン、４−ヒドロキシメチル−４−メチルチアゾリン、
４．４−ビス−ヒドロキシメチルチアゾリンなと）、オ
キサゾリン系列の核（例えばオキサゾリン）、セレナゾ
リン系列の核（例えばセレナゾリン）、２−キノリン系
列の核（例えばキノリン、６−メチルキノリン、６−ク
ロロキノリン、６−メドキシキノリン、６−ニトキシキ
ノリン、６−ヒドロキシキノリン）、４−キノリン系列
の核（例えばキノリン、６−メドキシキノリン、７−メ
チルキノリン、８−メチルキノリン）、ｌ−インキノリ
ン系列の核（例えばインキノリン、３，４−ジヒドロイ
ソキノリン）、３−イソキノリン系列の核（例えばイソ
キノリン）、３．３−ジアルキルインドレニン系列の核
（例えば３．３−ジメチルインドレニン、３．３−ジメ
チル−５−クロロインドレニン、３，３．５−トリメチ
ルインドレニン、３，３．７−トリメチルインドレニン
）、とリジン系列の核（例えばピリジン、５−メチルビ
リジン）、ベンゾイミダゾール系列の核（例えば１−エ
チル−５，６−ジクロロベンゾイミダゾール、■−ヒド
ロキシエチルー５．６−シクロロヘンゾイミダゾール、
ｌ−エチル−５−クロロヘンソイミダゾール、１−エチ
ル−５，６−ジクロロベンゾイミダゾール、ｌ−エチル
−５−フェニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−
フルオロベンゾイミダゾール、１−エチル−５−シアノ
ベンゾイミダゾール、１（β−アセトキシエチル）−５
−シアノベンゾイミダゾール、■−エチルー５−クロロ
−６−ジアツベンゾイミダゾール、１−エチル−５−フ
ルオロ−６−シアノベンゾイミダゾール、１−エチル−
５−アセチルベンゾイミタゾール、１−エチル−５−カ
ルポキシベンゾイミタゾール、ｌ−エチル−５−エトキ
シ力ルポニルベンゾイミタゾール、■−エチルー５−ス
ルファミルヘンゾイミタゾール、ｌ−エチル−５−Ｎ−
エチルスルファミルベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−
５，６−シフルオロヘンゾイミダゾール、１−エチル−
５，６−ジシアツヘンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５
−エチルスルホニルベンゾイミダゾール、１−エチル−
５−メチルスルホニルヘンシイミダゾール、１−エチル
−５−トリフルオロメチルベンゾイミダゾール、ｌ−エ
チル−５−トリフルオロメチルスルホニルベンゾイミタ
ゾール、１−エチル−５−トリフルオロメチルスルフィ
ニルヘンシイミダゾールなど）を完成するに必要な非金
属原子群を表わす。Ｘ′−は、塩化物イオン、臭化物イ
オン、ヨウ化物イオン、過塩素酸塩イオン、ベンゼンス
ルホン酸塩イオン、ｐ−トルエンスルホン酸塩イオン、
メチル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫
酸塩イオンなどの陰イオンを表わし、　Ｘ　はＲ１およ
び／ま■ 含むときには存在しない。Ｍ　は、例えば水素陽イオン
、ナトリウム陽イオン、アンモニウム陽イオン、カリウ
ム陽イオン、ピリジウム陽イオンなどの陽イオンを表わ
す。ｎおよびｍは、０又は１である。

一般式（Ｉ［［）　　（ＩＶ）中、Ｒ３およびＲ４は、
メチル、エチル、プロピル、ブチルなとのアルキル基を
示す。またＲ３とＲ４て窒素原子とともにモルフォリノ
、ピペリジニル、ピロリジノなどの環を形成するとこと
も出来る。Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は水素原子、ア
ルキル基（メチル、エチル、プロピル、ブチルなと）、
アルコキシ基（メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブト
キシなど）又はヒドロキシ基を示す。また、Ｒ５とＲ６
で結合してベンゼン埋を形成することができ、さらにＲ
５およびＲ６とＲ７およびＲ８がそれぞれ結合してベン
ゼン埋を形成することができる。

次に、本発明で用いるスクェアリリウム染料の代表例を
下記に列挙するが、便宜上、一般式［Ｉ］あるいは［Ｉ
［Ｉ］のベタイン構造の形で表わす。しかし、これらの
染料の調製においては、ベタイン形や塩の形にある染料
の混合物が得られるので、混合物として使用される。

一般式［Ｉ］、［１１１の代表例 （２）。

（３）　　　　　　　　　　　　　。

（０゜ （９）。

（１１）　　　　　　　　　　　　　　Ｑ（１３）　　
　　　　　　　　　　。

叢 （１４）　　　　　　　　　　　。

（１８）　　　　　　　　　　　。

層 １、Ｉｚ　　　　　　　　　　　　　　　　　　にｚ（
ＩＴ）　　　　　　　　　　　　　　Ｑ（＋８）　　　
　　　　　　　　　　　０（２０）　　　　　　　　　
　　　　。

（２８）　　　　　　　　　　　　　　　　Ｏ一般式［
ｍｌ　　［ｒＶｌの代表例 上記（１）〜（４２）のスクェアリリウム染料は、１種
または２種以上を組合せて用いることができる。

本発明の光記録媒体の代表的な構成を第１ａ図および第
１ｂ図に例示する。この例では基板１上に前記スクェア
リリウム染料を含有する８層４が形成され、その上に前
記ＤＡ化合物の単分子膜またはその累積膜からなる４層
３が積層され、これら二層により記録層２が構成されて
いる。４層３と８層４との積層順序は、これらの図に示
される態様に限定されず、逆の順序で積層してもよいが
、ＯＡ化合物の単分子膜またはその累積膜からなる４層
３か記録層２の表面側に現われるよう積層する方が好ま
しい。また、必要に応じて、例えば記録層２上に透明な
保護層等の他の層を設けることもできる。

４層３の膜厚としては、単分子層の累積度が５層０程度
までのものが実用上好ましく、一方、８層４の膜厚とし
ては、　３００人〜ｊｕｌ程度が適しており、特に５０
０〜３０００人の範囲が好ましい。

本発明の光記録媒体の基板１としては、ガラス、アクリ
ル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプラスチ
ックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料か使用でき
るが、基板側から輻射線を照射して記録を実施する場合
には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを用いる
。

基板１上あるいはスクェアリリウム染料を含有するＢ層
上にＤＡ化合物の単分子膜または単分子累積膜を形成す
るには、例えば１．Ｌａｎｇｍｕｉｒらの開発したラン
グミュア・プロジェット法（以下、ＬＢ法と略）が用い
られる。ＬＢ法は、分子内に親木基と疎水基を有する構
造の分子において、両者のバランス（両親媒性のバラン
ス）が適度に保たれているとき、この分子は水面上で親
木基を下に向けた単分子の層になることを利用して単分
子膜または単分子層の累積した膜を作成する方法である
。水面上の単分子層は二次元系の特徴をもつ。

分子かまばらに散開しているときは、一分子当り面積Ａ
と表面圧口との間に二次元理想気体の式、ｎＡ＝ｋＴ が成り立ち、“気体膜”となる。ここに、ｋはボルツマ
ン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを１分小さくすれば分
子間相互作用が強まり二次元固体の“凝＠膜（または固
体膜）”になる。凝縮膜はガラスなどの基板の表面へ一
層ずつ移すことができる。

この方法を用いて、ＤＡ化合物の単分子膜または７４分
子累積膜は、例えば次のようにして製造される。まずＤ
Ａ化合物をクロロホルム等の溶剤に溶解し、こわを水相
上に展開し、これら化合物を膜状に展開させた展開層を
形成する。次にこの展開層か水相上を自由に拡散して拡
がりすぎないように仕切板（または浮子）を設けて展開
層の面積を制限して眸化合物の集合状態を制御し、その
集合状態に比例した表面圧ｎを得る。この仕切板を動か
し、展開面積を縮少して膜物質の集合状態を制御し、表
面圧を徐々に上昇させ、累積膜の製造に適する表面圧ｎ
を設定することができる。この表面圧を維持しながら静
かに清浄な基板あるいは表面にＢ層か形成された基板を
垂直に上下させることにより、ＤＡ化合物の単分子膜が
基板上あるいはＢ層りに移しとられる。単分子膜はこの
ようにし・て製造されるが、単分子層累積膜は、前記の
操作な繰り返すことにより所望の累積度の単分子層累積
膜が形成される。

単分子膜を基板上に移すには、上述した垂直浸漬法の他
、水平付着法、回転円筒法などの方法が採用できる。水
平付着法は基板を水面に水平に接触させて移しとる方法
で、回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させで
単分子層を基体表面に移しとる方法である。前述した垂
直浸漬法では、水面を横切る方向に表面が親水性である
基板を水中から引き上げると、−層目はＤＡ化合物の親
木基が基板側に向いた単分子層が基板上に形成される。

基板を上下させると、各行程ごとに一層ずつ単分子膜か
積層されていく。成膜分子の向きが引上げ行程と浸漬行
程で逆になるので、この方法によると、各層間は親木基
と親木基、疎水基と疎水基が向かい合うＹ型膜か形成さ
れる。

こねに対し、水平付着法は、基板を水面に水・トに接触
させて移しとる方法で、Ｄ△化合物の疎水基が基板側に
向いた単分子層か基板上に形成される。この方法では、
累積しても、ＯＡ化合物の分子の向きの交代はなく全て
の層において、疎水基が基板側に向いたＸ型膜が形成さ
れる。反対に全ての層において親木基が基板側に向いた
累積膜はＺ型膜と呼ばれる。

回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。

単分子層を基板上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面積基板を用いる時には、基板ロールか
ら水相中に基板を押し出していく方法などもとり得る。

また、前述した親木基、疎水基の基板への向きは原則で
あり、基板の表面処理等によって変えることもできる。

これらの単分子膜の移し取り操作の詳細については既に
公知であり、例えば「新実験化学講座１８界面とコロイ
ド」４９８〜５０７頁、丸善刊、に記載されている。

一方、スクェアリリウム染料を含有するＢ層を形成する
には、代表的にはスクェアリリウム染料を適当な揮発性
溶媒に溶解して塗布液を作成し、これを塗布する方法が
採用できる。塗布液には、基板１やＤＡ化合物３の単分
子膜またはその累積膜からなるＡ層との密着性を向上さ
せるために、適宜天然若しくは合成高分子からなるバイ
ンダーを添加してもよい。また、Ｂ層の安定性、品質向
上を計るために各種の添加剤を加えてもよい。　塗布の
ために用いる溶媒は、使用するバインダー、Ｄへ化合物
およびスクェアリリウム染料の種類によフて適宜選択さ
れ、スクェアリリウム染料か粒子状態の場合には、メタ
ノール、エタノール、イソプロパツール等のアルコール
類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ
−ジメチルアセトアミド等のアミド類；ジメチルスルホ
キシド等のスルホキシド類；テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、エチレングリコールモノメチルエーテル等のエ
ーテル類；酢酸メチル、酢酸エチル等のニスデル類、ヘ
ンセン、トルエン、キシレン、リク′ロイン等の芳香族
類等が挙げられ、またスクェアリリウムが非晶質状態の
場合にはジクロルメタン、クロロホルム、四塩化炭素、
１．１−ジクロルメタン、１．２−ジクロルメタン、１
，１．２−トリクロルメタン、クロルベンゼン、ブロモ
ベンゼン、１．２−ジクロルベンゼン等のハロゲン化炭
化水素類等が挙げられる。

このようにして得た塗布液の塗工は、スピナー回転塗布
法、浸漬コーティング法、スプレーコーチインク法、ス
ピンナーコーティング法、ピードコーティング法、マイ
ヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法、ロ
ーラーコーティング法、カーテンコーティング法等の手
法が用いられる。

また、スクェアリリウム染料を含有するＢ層は、Ｄへ化
合物の単分子膜またはその累積膜からなるＡ層と同杜に
単分子膜またはその累積膜であってもよい。しかし、ス
クェアリリウム染料５は両親媒性物質ではないので、単
独ではＬＢ法によっては単分子膜を形成することはでき
ない。ところが、例えばステアリン酸、アラギジン酸な
との高級脂肪酸のような両親媒性のバランスの適度に保
だねた有機高分子を担体分子として任意の比率で混合使
用することによりＬＢ法を適用することかできる。すな
わち、少なくとも一つの化合物において両親媒性のバラ
ンスが保たれていれば、水面上に単分子層が形成され、
他の化合物は両親媒性の化合物に挟持され、結局全体と
して分子秩序性のある単分子層が形成されるからである
。

したがって、スクェアリリウム染料５単独の単分子膜ま
たはその累積膜を形成することは困難であるが、スクェ
アリリウム染料５を含有する単分子膜またはその累積膜
である８層４は、両親媒性物質を併用することによりＬ
Ｂ法で容易に形成することができる。

このようにして、基板上あるいはスクェアリリウム染料
を含有するＢ層−Ｌに形成されるＤＡ化合物の単分子膜
およびその累積膜は、高密度で高度な秩序性を有してい
るので、場所による光吸収のバラツキは極めて小さい。

したがって、このような服によって記録層を構成するこ
とにより、ＤＡ化合物とスクェアリリウム染料との機能
に応して、光記録、熱的記録の可能な基１モ度、高解像
度の記録機能を有する記録媒体が得られる。

なお、上述したようにして形成された単分子膜またはそ
の累積膜からなるＡ層は、紫外線を照射することにより
、単分子膜またはその累積膜として形成されたＤＡ化合
物か重合したものであってもよい。

本発明の光記録媒体は、各種の方式の光記録を実施する
ことが可能であるか、以下に光や熱を加えることにより
、記録層の吸収波長が変化して見掛けの色が変化するこ
とを利用する半導体レーザーによる記録の機構につき簡
略に説明する。

ＤＡ化合物は、初期にはほぼ無色透明であるが、記録層
に紫外線を照射すると重合し、ポリアセチレン誘導体化
合物へと変化する。この重合は紫外線の照射等によって
起り、単に熱エネルギーの印加のみによっては生じない
。この重合の結果、記録層は６２０〜６６０ｎｍに最大
吸収波長を有するようになり、青色乃至暗色へと変化す
る。この重合に基づく色相の変化は不可逆変化であり、
−度青色乃至暗色へ変化した記録層は無色透明１１ｍへ
とは戻らない。また、この青色乃至暗色へ変化したポリ
アセチレン誘導体化合物を約５０℃以上に加熱すると今
度は約５４０ｎｍに最大吸収波長を有するようになり、
赤色膜へと変化する。この変化も不可逆変化である。

したがって、本発明の光記録媒体を用いた光記録は、第
２ａ図、第２ｂ図に示すように次のような機構により実
施される。

先ず本発明の光記録媒体の記録層２全体に紫外線を照射
すると記録層中のＯＡ化合物が重合しポリアセチレン誘
導体化合物へ変化することにより、記録層２は青色乃至
暗色の膜へと変化する。次いで、この記録媒体の所定の
位置に情報信号に応じて点滅する波長８００〜ＱＣＩＯ
ｎｍの半導体レーザービーム７を照射すると、ポリアセ
チレン誘導体化合物はこのレーザービーム７を吸収しな
いが、第２ａ図に示されるように、８層４中のスクェア
リリウム染料はこのレーザービーム７を吸収し発熱する
（発熱部位を５で示した。）このスクェアリリウム染料
の発熱が隣接するＡ層３のポリアセチレン誘導体化合物
に伝わり、赤色へと変化する。かくして、第２ｂ図に示
されるように、入力情報に応じて記録層上の記録部位６
の色変化による光記録が実施される。

〔発明の効果〕

本発明の光記録媒体の効果を以下に列挙する。

（１）記録層中のＤ＾化合物が単分子膜またはその累積
膜で形成されているので高密度で高度な秩序性を存して
おり、したがって高密度で均質な記録が可能である。

（２）記録層が波長８００〜ｑｏｏ　ｎｍの光を吸収し
て発熱するスクェアリリウム染料を含有しているので小
型軽量の半導体レーザーを用いた記録が可能である。

（３）光照射による記録層の色相の変化を利用した記録
が可能なので、高速、高感度、高密度な光記録が実施で
きる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例に基つきより詳細に説明する。

実施例１ 前記の染料／Ｌ　（５）で表わされるスクェアリリウム
染料１重１部を塩化メチレン１０重量部中に溶解して得
た塗布液を、スピナー塗布機に装着したガラス製のディ
スク基板（厚さ　１．５ｍｍ、直径２００ｍｍ）の中央
部に少量滴下した後、所定の回転数で所定の時間スピナ
ーを回転させ塗布し、常温で乾燥し、基板上の乾燥後の
塗膜の厚みが２００人、５００人、１０００人、　３０
００人および５０００人のものをそれぞれ多数準備した
。

次に、一般式Ｃｌ２Ｈ２Ｓ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ３Ｈ，
６−ＧＯ叶で表わされるＤＡ化合物をクロロホルムに３
ＸＩＯ−３モル／ｌの濃度で溶解した溶液を、ｐｌ＋が
６．５で塩化カドミニウム濃度がｌＸｌ０−３モル／ｌ
の水相上に展開した。溶媒のクロロホルムを除去した後
、表面圧を２０ｄｙｎｅ／ｃｍまで高め一定に保ちなが
ら、先にスクェアリリウム染料層を表面に形成したガラ
ス基板を、水面を横切る方向にＬ下速度］、０ｃｍ７分
で静かに上下させ、ＤＡ化合物の単分子膜をスクェアリ
リウム染料層上に移しとり、単分子膜ならびに７層、４
１層および１０１層に累積した単分子累積膜を基板上に
形成した光記録媒体を作成した。

比較例１ スクェアリリウム染料の塗膜（Ｂ層）を形成せずに、直
接基板上にＤＡ化合物の単層、７層、４１層、１０１層
の単分子累積膜を形成した光記録媒体を作製した。

比較例２ ガラス基板上にスパッタリング法により、膜厚１５００
人のＧｄ−Ｔｂ−Ｆｅによる輻射線吸収層を設けた。こ
の基板の輻射線吸収層上に実施例１と同様にしてＤへ化
合物の単分子膜または単分子累積膜を基板上に形成した
光記録媒体を作成した。

記録試験１ 実施例１および比較例２で作成した光記録媒体に２５４
ｎ＋＋＋の紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青
色膜にした。次に出力３ｍＷ、波長８３０ｎｍ、ビーム
径１μの半導体レーザービームを入力情報にしたがい、
各光記録媒体表面の所定位置に照射（照射時間３００ｎ
ｓ／　］ビット）し、青色の記録層上に赤色の記２１画
像を形成した。

この記録結果の評価を第１表に示した。評価は記録の感
度、画像解像度および画像濃度の良否の総合評価により
判定し、特に良好なものを◎、良好なものをＯ１記録が
できないあるいは不良なものを×とした。

第　　　１　　　表 比較例３ スクェアリリウム染料３重量部とニトロセルロース１重
量部とを塩化メチレン２２重量部に溶解した溶液を塗布
液とし使用し、実施例１と同様の方法により厚みが１０
００人のＢ層を形成し、これをそのまま光記録媒体とし
た。

実施例２ 比較例３で形成した光記録媒体のＢ層上に実施例１と同
様にして４１層のＤ＾化合物の単分子累積膜を形成した
光記録媒体を作成した。

記録試験２ 実施例２で作成した光記録媒体に対し半導体レーザービ
ームの照射時間を種々変更（照射時間１００〜８００ｎ
ｓ／　Ｉビット）した以外は記録試験１と同様な操作で
記録を実施した。また、比較例３の光記録媒体について
は、紫外線照射を実施せずに直接半導体レーザーど−ム
を人力情報にしたがい、同し出力で光記録媒体表面の所
定位置に照射時間を種々変更して記録層表面上に照射（
（）Ｑ射時間５００　ｎｓ〜５μｓ　／　Ｉビット）し
、ピットを形成することによる記録を実施した。

実施例２の光記録媒体については、照射時間が３００　
ｎｓ以上の場合に特に良好な記録が実施できたか、比較
例３で作成した光記録媒体については、顕微鏡で観察し
た結果、一つのピットを明瞭に形成するには２μｓ以上
の照射時間を要することが判明した。

実施例３ 一般式Ｃ，２Ｈ２５−ＣＥＣ−Ｃ：Ｃ−Ｃ３Ｈ，６−Ｃ
０ＯＨで表わされるＤへ化合物に代え、Ｃ８Ｈ，７−Ｃ
ＥＣ−ＣミＣ−Ｃ２Ｈ４−Ｃ００ＩＩの一般式で表わさ
れるＤＡ化合物を用いたことを除いては実施例１と同様
の方法により、Ｂ層の厚みが１０００人で、ＤＡ化合物
の単分子層の累積度が４１の光記録媒体を作製した。

実ｈ’ｓ例４〜６ 染料遂（５）で表わされるスクェアリリウム染料に代え
、染料／Ｌ（２３）、　（３６）および（４０）で表わ
されるスクェアリリウム染料をそれぞれ用いたことを除
いては実施例３と同様の方法により光記録媒体を作成し
た。

記録試験３ 実施例３〜６で作成した光記録媒体を用いて、記録試験
１と同様にして記録試験を実施した。この記録結果の評
価を第２表に示した。

第　　　２　　　表

【図面の簡単な説明】

第１ａ図及び第１ｂ図は、本発明の光記録媒体の構成の
態様を示す模式断面図であり、第２ａ図および第２ｂ図
は、本発明の光記録媒体の記録の態様を示す模式断面図
である。 １：基板　　　　　　２：記録層 ３ニジアセチレン誘導体化合物 ４：スクエアリリウム染料類含有層 ５：発熱部位 ６：記録部位 ７：レーザービーム

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）少なくとも親水性部位および疎水性部位を併有する
   ジアセチレン誘導体化合物の単分子膜またはその累積膜
   を含有するＡ層と、スクエアリリウム染料を含有するＢ
   層とが積層されてなる記録層を有することを特徴とする
   光記録媒体。