JPS6347933A - 半導体装置用のウエハの洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ この発明は、半導体装置用のウェハ上に付着している不
純物等を除去するための洗浄方法に関するものである。

［従来の技術］ ウェハは薄い半導体のことであり、その上に超小型回路
の母体が形成される。したがってその表面は不純物の付
着しない美しいものが要求され、不純物、異物、汚物な
どがその表面に付着していると、咳ウェハを用いた半導
体装置の電気的特性は著しく悪化する。そこで従来、半
導体装置の製造の前段階として、その基礎となるウェハ
の表面上の不純物、異物、汚物を除去するために該ウェ
ハを洗浄することとしていた。

第２図は従来のウェハの洗浄工程を示す図であり、該ウ
ェハの搬送経路を示す図である。

ウェハ１の搬送経路には薬液槽（複数個）２゜３、水ｔ
ｆｉ４．５、および乾燥器６が配置されている。薬液槽
２．３には硫酸、硝酸、ｖＡ酸、フッ化水素等の酸が入
れられている。ウェハの洗浄の工程で、これらの酸を用
いるのは、ウェハの表面の親水性を高めるためである。

すなわちウェハをいきなり水槽に浸漬しても、その表面
張力により水をはじく現象が生じ、８１ｃ′ｆｐが困ガ
になるから、洗浄の前段階に該ウェハ１を薬液槽に浸漬
するのである。

次に該ウェハ１の搬送経路における動作について説明す
る。

ウェハ１はまずキャリア７の中に入れられる。

ウェハ１をキャリア７に入れるのは、ウェハ１を搬送経
路に沿って機械的に搬送させるためである。

キャリア７に入れられたウェハ１をまず薬液槽２に浸漬
し、該表面を現水性にさせる。次いでウェハ１をキャリ
ア７ごと引上げ空気中に１Ｉｔｓシて搬送し、２番目の
薬液槽３に浸漬する。このように複数回ウェハを薬液槽
に浸漬するのは、該表面を薬液により十分に親水性にさ
せるためである。次いでウェハ１をキャリア７ごと引上
げ、空気中に暴露して搬送し次の水槽４に浸漬する。水
槽４には純水が入れられている。純水を用いているのは
、不純物がわずかでも含まれていると、その不純物によ
りウェハ１の表面が汚染されるという理由による。ウェ
ハ１を水槽４に浸漬することにより、該表面上に存在す
る不純物、異物、汚物が薬液槽の段階で付着した酸とと
もに除去され、該表面が洗浄される。次いでウェハ１は
キャリア７ごと引上げられ、空気中に！露され、さらに
水槽５に浸漬される。水槽５には水槽４に入れられたと
同じ純水が入れられている。このように水槽に複数個浸
漬させるのはウェハ１の表面上の不純物、異物の除去を
十分にし、該表面の洗浄を十分にするためである。ＡＩ
後にウェハ１はキャリア７ごと引上げられ、２気中に暴
露され、乾燥器６へと搬送され、ここにウェハ１の洗浄
工程は終了する。

［発明が解決しようとする問題点］ 従来のウェハ１の洗浄は以上のような工程、すなわち薬
液槽２．３、水槽４，５、および乾燥器６の間にウェハ
″１を搬送させることによって行なわれている。しかし
、薬液槽２からＳ液槽３、薬液槽３から水槽４、水ａ１
４から水槽５、および水槽５から乾燥器６ヘウエハ１を
搬送する過程Ｓ。

キャリア７に入れられたウェハは空気中に暴露されてい
る。したがって、従来技術の搬送では、ウェハ１を搬送
する過程での１度、１度があまり考慮されていなかった
ので、ウェハ１を上記過程を搬送させる間に、ウェハ１
に付着した液がその蒸気圧によって乾燥してしまい、そ
の結果、ウェハ１の表面に、薬液槽で使用した薬液が液
残渣として残ることがあった。液浅漬を残留させたウェ
ハ１を用いて、半導体装置を製造した場合、該装置の電
気的特性は著しく悪化し、使用に耐えない結果を引起こ
し、問題であった。

この発明の目的は、上記の液残渣を生じる欠点を除去す
るためになされたものであり、液残漬の残留のない高性
能の半導体装置用のウェハを提供することにある。

［問題点を解決するための手段］ この発明は半導体装置用のウェハを、該ウェハの搬送経
路に配置されている薬液槽、水槽および乾燥器に浸漬、
乾燥させることによって、ウェハ上の不純物を除去する
洗浄方法であって、以下のことを特徴とする。

前記ウェハを前記ａｌｉ液槽から前記水槽へ搬送する過
程、および前記水槽から前記乾燥器へ搬送する過程で、
咳ウェハを飽和蒸気雰囲気に保つ。

［作用コ この発明においては、飽和蒸気雰囲気でウェハを搬送す
るので、ウェハ表面は搬送中乾燥しない。

［実施例〕 第１図は本発明のウェハの洗浄工程を示す図であり、該
ウェハの搬送経路を示す図である。

ウェハの搬送経路には薬液１１０．１１．水槽１２．１
３、および乾燥器１４が配置されている。

薬液槽には＠酸、硝酸、燐酸、フッ化水素等の酸が入れ
られており、水種には純水が入っている。

さらに、このウェハの搬送経路には飽和蒸気１５を噴霧
するためのノズル１６が設けられている。

なお本実施例では飽和蒸気として加湿蒸気１５が用いら
れている。

次に該ウェハ８の搬送経路における動作について説明す
る。

ウェハ８はまずキャリア９の中に入れられる。

ウェハ８をキャリア９の中に入れるのはウェハ８を搬送
経路に沿って機械的に搬送させるためである。

キャリア９に入れられたウェハ８はまず薬液槽１０に浸
漬され、内表面を親水性にさせる。次いでウェハ８をキ
ャリア９ごと引上げると同時に薬液槽１０の蓋１７が閉
じ、ウェハ８が次の薬液槽１１に搬送される間にノズル
１６より加湿蒸気１５が噴霧される。加湿蒸気１５が噴
霧されでいる間１よ過飽和であるためにウェハ上の薬液
は乾燥しなくなる。塁１７が必要なのは加湿蒸気１５が
冷却して水滴となり薬液槽１０に入らないようにするた
めである。

次の薬液槽１１にウェハ８を入れたキャリア９が入る寸
前に、７！ａ湿蒸気１５の噴霧が停止さ、れ、薬液槽１
１の蓋１８が開く。モしてウェハ８を入れたキャリア９
が薬液槽１１に浸漬される。薬液槽に複数回浸漬するの
は、ウェハ８の表面の親水性を十分にするためであり、
１回で薬液の効果が現われれば１回でも十分である。

次いでウェハ８をキャリア９ごと引上げると同時に、薬
液１１１の蓋１８が閉じ、ウェハ８が水槽１２に搬送さ
れる間にノズル１６より加湿蒸気１５がキャリア９内に
噴霧される。この加湿蒸気１５が噴霧されている間は過
飽和であるために、ウェハ８上の薬液は乾燥しなくなる
。

水槽１１にウェハ８を入れたキャリア９が入る寸眞に加
湿蒸気１５の噴霧が停止される。モしてウェハ８を入れ
たキャリア９が水槽１２に浸１される。水ｆｆ１１２に
は純水が入れられている。純水を用いたのは、通常の水
に含まれる不純物によるウェハ８表面の汚染を避（プる
ためである。＊糟１２にウェハ８が浸漬されることによ
り、該表面上に存在する不純物、異物、汚物が薬液槽の
段階で付着した酸とともに除去され、該表面が洗浄され
る。次いでウェハ８をキャリア９ごと引上げると同時に
、ウェハが次の水槽１３に搬送される間にノズル１６よ
り加湿蒸気１５がｆｆｊ！ｉされる。加湿蒸気１５が２
１霧され又いる間は過飽和であるためにウェハ表面は乾
燥しなくなる。水槽１３の中にウェハ８を入れたキャリ
ア９が入る寸前に加湿蒸気１５のＩｎが停止される。モ
してウェハ８を入れたキャリア９を水ｌｉ！！１３に浸
漬する。このように水槽での洗浄を複数回繰返づのは洗
浄を十分に行なうためであり、１回で洗浄の効果が十分
に現ねれれば１回でも十分である。次いでウェハ８をキ
せリア９ごと引上げると同時に、ウェハ８が乾燥器１４
に搬送される間にノズル１６よりキャリア９内に加湿蒸
気１５が噴霧される。加湿蒸気１５が噴霧されでいる問
は過飽和であるためにウェハ表面は乾燥しなくなる。な
お、このとき使用する加湿蒸気１５には、噴霧によって
ウェハ８上に不ｌ１１ｉ物や異物が付着しないように、
超純水を用い、ノズル］６には汚染がなく耐湿性もある
フッ素樹脂などを使用する必要がある。

また、水槽１２から水ｍ１３ヘウエハ８を搬送するとき
や、水槽１３から乾燥器１４ヘウエハ８を搬送するとき
は水槽１２．１３の蓋は不要である。加湿蒸気１５が冷
却して水滴となって混入しても不都合はないからである
。

また本実施例の中では飽和蒸気として水のみを取上げた
がベンゼン、トルエン、キシレン、メタノール、エタノ
ール等の石８１溶剤を用いても上述の実施例と同様の効
果を実現しつる。

［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、ウェハを薬液槽から
水槽へ、および水槽から乾燥器へと搬送する過程で、ウ
ェハを飽和蒸気雰囲気に保つことにより、ウェハ表面の
乾燥をなくすことができ、その結果ウェハ表面に液残漬
が残留することを防ぐことができる。

さらに、飽和蒸気をウェハ表面上に噴霧している結果、
その蒸気の分子運動エネルギにより不純物の分子運動が
活発となり、ウェハ表面の洗浄効果が高められるという
効果も併有する。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例であり、ウェハの洗浄工程
を示す図であり該ウェハの搬送経路を示す図、第２図は
従来のウェハの洗浄工程を示す図であり、該ウェハの搬
送経路を示す図である。 図において、８はウェハ、１１は薬液槽、１３は水槽、
１４は乾燥器、１５は飽和蒸気としての加湿蒸気を示す
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 半導体装置用のウェハを、該ウェハの搬送経路に配置さ
   れている薬液槽、水槽および乾燥器に浸漬、乾燥させる
   ことによって、ウェハの不純物を除去する洗浄方法にお
   いて、 前記ウェハを前記薬液槽から前記水槽へ搬送する過程、
   および前記水槽から前記乾燥器へ搬送する過程で、該ウ
   ェハを飽和蒸気雰囲気に保つことを特徴とする半導体装
   置用のウェハの洗浄方法。