JPS6347927A - リソグラフイ法 - Google Patents
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- JPS6347927A JPS6347927A JP61192576A JP19257686A JPS6347927A JP S6347927 A JPS6347927 A JP S6347927A JP 61192576 A JP61192576 A JP 61192576A JP 19257686 A JP19257686 A JP 19257686A JP S6347927 A JPS6347927 A JP S6347927A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 68
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 22
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 5
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 abstract description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 abstract description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 5
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H tricalcium bis(phosphate) Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 3
- 229910000391 tricalcium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000019731 tricalcium phosphate Nutrition 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 229910016064 BaSi2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 210000001072 colon Anatomy 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910016066 BaSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 229920000084 Gum arabic Polymers 0.000 description 1
- 229910017623 MgSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100421985 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) kpr-3 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 241000978776 Senegalia senegal Species 0.000 description 1
- 229910020489 SiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMEGJBVQLJJKKX-HOTMZDKISA-N [(2R,3S,4S,5R,6R)-5-acetyloxy-3,4,6-trihydroxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound CC(=O)OC[C@@H]1[C@H]([C@@H]([C@H]([C@@H](O1)O)OC(=O)C)O)O SMEGJBVQLJJKKX-HOTMZDKISA-N 0.000 description 1
- 239000000205 acacia gum Substances 0.000 description 1
- 235000010489 acacia gum Nutrition 0.000 description 1
- 229940081735 acetylcellulose Drugs 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005018 casein Substances 0.000 description 1
- BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N casein, tech. Chemical compound NCCCCC(C(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CC(C)C)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(C(C)O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(COP(O)(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(N)CC1=CC=CC=C1 BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021240 caseins Nutrition 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N toluene Substances CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エネルギー線源から放射されたエネルギー線
をパターン状のマスク材が形成されたマスク材保持薄膜
を介して感光性材料に照射し、該感光性材料に前記マス
ク材のパターンを転写するリソグラフィ法に関する。
をパターン状のマスク材が形成されたマスク材保持薄膜
を介して感光性材料に照射し、該感光性材料に前記マス
ク材のパターンを転写するリソグラフィ法に関する。
Ｘ線リソグラフィは直進性、非干渉性および低回折性等
のＸ線固有の性質に基づき、これまでの可視光や紫外光
によるリソグラフィと較べて多くのより優れた点を有し
ている。そのため、近年ではサブミクロンリソグラフィ
やクラオーク−ミクロンリソグラフィの有力な手段とし
て注目されてきている。しかし、Ｘ線リソグラフィは可
視光や紫外光によるリソグラフィに比較して多くの優位
点を持ちながらも、Ｘ線源のパワー不足、レジストの低
感度、アライメントの困難さ、マスク材料の選定および
加工方法の困難さ等から生産性が低（、従ってコストが
高いとい°う欠点があり実用化が遅れている。
のＸ線固有の性質に基づき、これまでの可視光や紫外光
によるリソグラフィと較べて多くのより優れた点を有し
ている。そのため、近年ではサブミクロンリソグラフィ
やクラオーク−ミクロンリソグラフィの有力な手段とし
て注目されてきている。しかし、Ｘ線リソグラフィは可
視光や紫外光によるリソグラフィに比較して多くの優位
点を持ちながらも、Ｘ線源のパワー不足、レジストの低
感度、アライメントの困難さ、マスク材料の選定および
加工方法の困難さ等から生産性が低（、従ってコストが
高いとい°う欠点があり実用化が遅れている。
ところで、これまでリソグラフィに関する文献等におい
て紹介されたものの中で号も実情のある実用レジス［・
とじてはポリメチルメタクリレート（ＰＭ〜ｉＡ）が挙
げられる。このレジストはエレクトロンビーム用しンス
トとしても実情があり、持に０．１μｍに対応出来るも
のとして池に競合できるものは見当らない。しかしなが
ら、Ｘ Ｌ１リソグラフィにおいて大きな問題として残
っているのは、感度の問題である。通常、Ｘ線リソグラ
フィにおけるレジストのＸ線利用効率は０．３％以下と
いわれており、これが感度の低下を来たしている。例え
ばＰ ％ｉ Ｍ Ａの場合、Ｘ線としてＰｄＬａ線を使
用すると実効感度は１０００〜２０００ ｍ Ｊ ／
ｃ ｍ”といわれている。ここで、感度は露光時のＸ線
照射量で示している。すなわち、照射量が低い程高感度
である。
て紹介されたものの中で号も実情のある実用レジス［・
とじてはポリメチルメタクリレート（ＰＭ〜ｉＡ）が挙
げられる。このレジストはエレクトロンビーム用しンス
トとしても実情があり、持に０．１μｍに対応出来るも
のとして池に競合できるものは見当らない。しかしなが
ら、Ｘ Ｌ１リソグラフィにおいて大きな問題として残
っているのは、感度の問題である。通常、Ｘ線リソグラ
フィにおけるレジストのＸ線利用効率は０．３％以下と
いわれており、これが感度の低下を来たしている。例え
ばＰ ％ｉ Ｍ Ａの場合、Ｘ線としてＰｄＬａ線を使
用すると実効感度は１０００〜２０００ ｍ Ｊ ／
ｃ ｍ”といわれている。ここで、感度は露光時のＸ線
照射量で示している。すなわち、照射量が低い程高感度
である。
高感度の実用レジストとしてはクロロメチル化ポリスチ
レン（ＣＭＳ、東洋ソーダ製）があるが、上述と同様の
条件での実効感度は約１００ｍＪ／ｃｍ”である。Ｘ線
リソグラフィが実用化される条件の１つとして、Ｘ線レ
ジストの実効感度を１０ ｍ Ｊ ／ ｃ ｍ２以下に
することが望まれており、そのようなＸ線レジストの出
現が待たれている。
レン（ＣＭＳ、東洋ソーダ製）があるが、上述と同様の
条件での実効感度は約１００ｍＪ／ｃｍ”である。Ｘ線
リソグラフィが実用化される条件の１つとして、Ｘ線レ
ジストの実効感度を１０ ｍ Ｊ ／ ｃ ｍ２以下に
することが望まれており、そのようなＸ線レジストの出
現が待たれている。
現在各方面で線源のパワーアップ、透過性の良いＸ線マ
スク、高感度レジストの３方向から生産性を上げる為の
研究が進められてきているが、数多くの制限要因から大
きな発展は早急には望めそうもない。この中でもレジス
トの感度の向上はＸ線がデバイスに与えるダメージから
見ても必要な条件である。これは、今後、マスクおよび
線源の性能がたとえ上ったとしても必要であり欠（べか
らざることであることは云うまでもない。
スク、高感度レジストの３方向から生産性を上げる為の
研究が進められてきているが、数多くの制限要因から大
きな発展は早急には望めそうもない。この中でもレジス
トの感度の向上はＸ線がデバイスに与えるダメージから
見ても必要な条件である。これは、今後、マスクおよび
線源の性能がたとえ上ったとしても必要であり欠（べか
らざることであることは云うまでもない。
本発明は、上述した従来の問題点に鑑み、リソグラフィ
において、レジスト等の感光性材料の実効感度を増加せ
しめ、もってリソグラフィを良好に実施するために、エ
ネルギー線源から放射されたエネルギー線をパターン状
のマスク材が形成されたマスク材保持薄膜を介して感光
性材料に照射し、該感光性材料に前記マスク材のパター
ンを転写するリソグラフィ法において、前記感光性材料
の前記エネルギー線源側とは反対側に蛍光物質を配し、
前記エネルギー線に曝された前記蛍光物質から２次照射
線を発生せしめ、該２次照射線を前記エネルギー線と併
せて前記感光性材料に照射することを特徴とするリソグ
ラフィ法を提供する。
において、レジスト等の感光性材料の実効感度を増加せ
しめ、もってリソグラフィを良好に実施するために、エ
ネルギー線源から放射されたエネルギー線をパターン状
のマスク材が形成されたマスク材保持薄膜を介して感光
性材料に照射し、該感光性材料に前記マスク材のパター
ンを転写するリソグラフィ法において、前記感光性材料
の前記エネルギー線源側とは反対側に蛍光物質を配し、
前記エネルギー線に曝された前記蛍光物質から２次照射
線を発生せしめ、該２次照射線を前記エネルギー線と併
せて前記感光性材料に照射することを特徴とするリソグ
ラフィ法を提供する。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明においては、感光性材料のエネルギー線源側とは
反対側に、該感光性材料の感光域に対応した波長域の蛍
光線（２次照射線）を発する蛍光物質を配する。
反対側に、該感光性材料の感光域に対応した波長域の蛍
光線（２次照射線）を発する蛍光物質を配する。
このように蛍光物質を配する最適な形態として、感光性
材料の層とウェハとの間に蛍光物質の層を設ける例が挙
げられる。蛍光物質の層の設は方としては、例えばエレ
クトロンビーミム（ＥＢ）蒸着やスパッタ蒸着などの真
空蒸着法によってウェハ上に蛍光物質を蒸着する方法が
一例として挙げられる。
材料の層とウェハとの間に蛍光物質の層を設ける例が挙
げられる。蛍光物質の層の設は方としては、例えばエレ
クトロンビーミム（ＥＢ）蒸着やスパッタ蒸着などの真
空蒸着法によってウェハ上に蛍光物質を蒸着する方法が
一例として挙げられる。
又、蛍光物質を含有するリソグラフィ用塗工液をウェハ
上に塗工することにより、蛍光物質の層を設けてもよい
。
上に塗工することにより、蛍光物質の層を設けてもよい
。
このようなリソグラフィ用塗工液は、Ｘ線等の主線によ
り蛍光線（２次照射線）を発する蛍光物質を含有する。
り蛍光線（２次照射線）を発する蛍光物質を含有する。
そして、Ｘ線等の主線に対する感度および光感度を有す
るリングラフィ用レジストの層が該蛍光物質層上に形成
される。
るリングラフィ用レジストの層が該蛍光物質層上に形成
される。
本発明のリソグラフィ法は、このようにして蛍光物質の
層の上にレジストの層を形成した後、Ｘ線等の主線をパ
ターン照射しレジストを感光せしめるが、この場合レジ
ストはマスクを透過した主線と、主線に曝された蛍光物
質から発せられる蛍光線とにより感光することになる。
層の上にレジストの層を形成した後、Ｘ線等の主線をパ
ターン照射しレジストを感光せしめるが、この場合レジ
ストはマスクを透過した主線と、主線に曝された蛍光物
質から発せられる蛍光線とにより感光することになる。
リソグラフィ用塗工液は、例えば蛍光物質を水に溶解ま
たは混合し、分散剤によって水中に分散させて調製する
。この塗工液は、レジストの感光域に対応した蛍光線を
発する蛍光物質がウェハ上に均一に分散塗布できれば良
（、特に蛍光物質、分散剤等の種類は問わない。
たは混合し、分散剤によって水中に分散させて調製する
。この塗工液は、レジストの感光域に対応した蛍光線を
発する蛍光物質がウェハ上に均一に分散塗布できれば良
（、特に蛍光物質、分散剤等の種類は問わない。
本発明において用いられる蛍光物質の代表例としては次
のものが挙げられる。
のものが挙げられる。
ＺｎＳ：Ａｇ。
ＺｎＳ ： Ｃｕ、Ａｆ。
Ｚｎ２５ｉｏ４： Ｍｎ。
ＣａＷｏ ４、
Ｃａ２ ＭｇＳｉ２ ０７ ： Ｃｅ−。
ＺｎＯ： Ｚｎ。
Ｚ ｎ Ｓ ： Ｃｕ Ｎ
Ｙ２０□ Ｓ ： Ｔｂ。
Ｙ２ ＳｉＯ２：Ｃｅ。
ＹＡｆ！ ０３ ： Ｃｅ、 Ａｇ。
ＺｎＳ ： Ａｇ、 Ｇａ、 Ｃｊｌ！ 。
ＺｎＳ ： Ｚｎ＋Ｉｎ２ ０３ 、ＢａＳｉ２ ０
５ ： Ｐｂ。
５ ： Ｐｂ。
（Ｓｒ、Ｃａ）Ｂ４０７ ： Ｅｕ２＋、Ｃａ２
Ｂ５ ０ｇ Ｃ１２： Ｅｕ”Ｓｒ４ Ｓｉ３
０８ Ｃ１４： Ｅｕ”、ＢａＭｇＡｌ！、 ４０２
３ ： Ｅｕ２＋、Ｂａ０ ・６ＡＩ！２ ０３
： Ｍｎ。
Ｂ５ ０ｇ Ｃ１２： Ｅｕ”Ｓｒ４ Ｓｉ３
０８ Ｃ１４： Ｅｕ”、ＢａＭｇＡｌ！、 ４０２
３ ： Ｅｕ２＋、Ｂａ０ ・６ＡＩ！２ ０３
： Ｍｎ。
ＢａＳＯ４： Ｐｂ。
ＢａＦＣｌ ： Ｅｕ”、
Ｌａ２ ０２ Ｓ ： Ｔｂ１
Ｇｄ２０□ Ｓ ： Ｔｂ。
Ｍ ｇＢ４０７ ： Ｔｂ 。
Ｌｉ２ Ｂ４ ０７ ： Ｃｕ。
Ｂａ２ＳＩ２ ０５：Ｐｂ。
ＮａＩ ： Ｔｆ 。
ＣａＦ２ ： Ｅｕ。
ＭｇＦ２：Ｅｕ。
ＫＣｌ ：ＴＩ！ 、
ＣａＳ ： Ｂｉ。
ａ ＣａＳｉＯ３： Ｐｂ。
βＣａＳｉＯ３： Ｐｂ。
ＢａＳｉ２ ０５ ： Ｐｂ。
Ｚｎ２ ５ｉｎ４ ： Ｔｉ。
ＣａＯ−ＭｇＯ・２Ｓｉ○２：Ｔｉ。
Ｃａ３（ＰＯ４）２ ： Ｃｅ。
Ｃａ３（ＰＯ４）２ ： Ｃｅ −Ｍｎ。
Ｃａ３ （ＰＯ４）２ ： Ｔｉ Ｓ ＭｇＷＯ，ｚ
これらは単独で用いてもよいし、二種以上の混合物とし
て用いてもよい。なお、前記蛍光体材料の化学式中のコ
ロンは、コロンの右側の元素またはイオンが添加的であ
ることを示すための記号である。
これらは単独で用いてもよいし、二種以上の混合物とし
て用いてもよい。なお、前記蛍光体材料の化学式中のコ
ロンは、コロンの右側の元素またはイオンが添加的であ
ることを示すための記号である。
リソグラフィ用塗工液に用いられる分散剤（バインダー
）としては、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコ
ール、カルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）、ゼラチ
ン、カゼイン、アラビアゴム、アセチルセルロース、ニ
トロセルロース、環化ゴム、ポリイソプレン、ポリブタ
ジェン、ノボラック樹脂、フェノール系樹脂、アクリル
系樹脂、ポリスチレン、酢酸ビニル等が挙げられる。
）としては、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコ
ール、カルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）、ゼラチ
ン、カゼイン、アラビアゴム、アセチルセルロース、ニ
トロセルロース、環化ゴム、ポリイソプレン、ポリブタ
ジェン、ノボラック樹脂、フェノール系樹脂、アクリル
系樹脂、ポリスチレン、酢酸ビニル等が挙げられる。
本発明を適用する際に特に効果の大きいエネルギー線と
してはＸ線が挙げられるが、γ線、真空紫外線、遠紫外
線、紫外線、エレクトロンビームおよびイオンビーム等
でも蛍光線を発生させることができ増感効果が得られる
。これらの波長域は特に制限はないが、例えばエネルギ
ー線としてＸ線を用いるときは、Ｘ線リソグラフィ用レ
ジストの感光域に対応した波長域の蛍光線を発する蛍光
物質を塗工液中に含有させることが必要となる。リソグ
ラフィ用レジストの感光域に対応した蛍光線の発生波長
域を考えた場合、実用的なのは２００ｍｆｔ〜５５０ｍ
μの範囲である。更にその中で効果的なのは、光リソグ
ラフィ用レジストの多くが占める。
してはＸ線が挙げられるが、γ線、真空紫外線、遠紫外
線、紫外線、エレクトロンビームおよびイオンビーム等
でも蛍光線を発生させることができ増感効果が得られる
。これらの波長域は特に制限はないが、例えばエネルギ
ー線としてＸ線を用いるときは、Ｘ線リソグラフィ用レ
ジストの感光域に対応した波長域の蛍光線を発する蛍光
物質を塗工液中に含有させることが必要となる。リソグ
ラフィ用レジストの感光域に対応した蛍光線の発生波長
域を考えた場合、実用的なのは２００ｍｆｔ〜５５０ｍ
μの範囲である。更にその中で効果的なのは、光リソグ
ラフィ用レジストの多くが占める。
そして蛍光体の種類が多い３００ｍμ〜４５０ｍμの範
囲である。
囲である。
なお、本発明に用いる感光性材料として、Ｘ線等の主線
に感光し、しかも使用する塗工液に含有される蛍光物質
の発する光波長域に感光性を持っているリソグラフィ用
レジストであれば全て使用可能である。
に感光し、しかも使用する塗工液に含有される蛍光物質
の発する光波長域に感光性を持っているリソグラフィ用
レジストであれば全て使用可能である。
本発明においては、照射エネルギーとしてＸ線を用いた
場合、レジスト上にパターンを投影するのはあくまでも
Ｘ線であり、蛍光線はレジストの実効感度を増強せしめ
る役割を果たすにすぎない。
場合、レジスト上にパターンを投影するのはあくまでも
Ｘ線であり、蛍光線はレジストの実効感度を増強せしめ
る役割を果たすにすぎない。
すなわち本発明は、レジスト閾値以下の照射エネルギー
の照射ではほとんど感光せず闇値を越えたところから感
光が始まるというレジストの特性に基づき、この閾値を
越えない程度の蛍光線を感度の増強用に使用しているの
である。従って、パターンを投影するための主線の出力
は蛍光線と合わせて閾値を越える程度でよく、逆に蛍光
線のエネルギー量はレジストの解像度を低下させること
のないように所定の閾値以下でなければならない。また
この閾値は、レジストの種類、厚さ、蛍光線の波長域等
により異なり一義的に決められないが、これらの条件が
定まれば実験的に求めることが可能である。
の照射ではほとんど感光せず闇値を越えたところから感
光が始まるというレジストの特性に基づき、この閾値を
越えない程度の蛍光線を感度の増強用に使用しているの
である。従って、パターンを投影するための主線の出力
は蛍光線と合わせて閾値を越える程度でよく、逆に蛍光
線のエネルギー量はレジストの解像度を低下させること
のないように所定の閾値以下でなければならない。また
この閾値は、レジストの種類、厚さ、蛍光線の波長域等
により異なり一義的に決められないが、これらの条件が
定まれば実験的に求めることが可能である。
次に、図面を用いて本発明のリソグラフィ法について説
明する。
明する。
第１図は、本発明のリソグラフィ法を説明するための模
式的断面図である。同図において、１はＸ線源、２は環
状保持基板、３は例えば金等により形成されたパターン
状のマスク材である。また、４はポリイミド等のＸ線透
過膜（マスク材保持薄膜）、５はウェハ、６はレジスト
、７は蛍光物質８を含有する蛍光物質層である。
式的断面図である。同図において、１はＸ線源、２は環
状保持基板、３は例えば金等により形成されたパターン
状のマスク材である。また、４はポリイミド等のＸ線透
過膜（マスク材保持薄膜）、５はウェハ、６はレジスト
、７は蛍光物質８を含有する蛍光物質層である。
尚、同図においては、蛍光物質８を含有するリソグラフ
ィ用塗工液をウェハ上に塗工した場合を示したが、蛍光
物質層７は真空蒸着法等によって蛍光物質だけから作成
してよい。
ィ用塗工液をウェハ上に塗工した場合を示したが、蛍光
物質層７は真空蒸着法等によって蛍光物質だけから作成
してよい。
同図において、Ｘ線源（ターゲット）ｌから発生したＸ
線はパターン状のマスク材を介してレジスト６に照射さ
れる。この時Ｘ線の曝された蛍光物質８から蛍光線が発
せられるので、レジスト６はマスクを透過したＸ線およ
び蛍光物質８から発せられた蛍光線によってパターンが
投影がされる。
線はパターン状のマスク材を介してレジスト６に照射さ
れる。この時Ｘ線の曝された蛍光物質８から蛍光線が発
せられるので、レジスト６はマスクを透過したＸ線およ
び蛍光物質８から発せられた蛍光線によってパターンが
投影がされる。
この後、レジストを現像し、次いで蛍光物質層７を除去
液を用いて、又はリアクティブ・イオン・エツチング（
ＲＩＥ）等のドライエツチングによって除去する。なお
本発明においては、蛍光物質層７を 現像と同時に除去
しても良好な現像ができる。
液を用いて、又はリアクティブ・イオン・エツチング（
ＲＩＥ）等のドライエツチングによって除去する。なお
本発明においては、蛍光物質層７を 現像と同時に除去
しても良好な現像ができる。
実施例１
蛍光物質の一例としてＢａＳ＋ ２０５ ： Ｐｂの微
粒子をポリビニルアルコール中に分散させ、リソグラフ
ィ用塗工液を調製した。酸化膜を設けたシリコンウェハ
上に該リソグラフィ用塗工液を約３μｍ厚で塗工して蛍
光物質層を形成し、次いでゴム系レジスト−０ＭＲ８３
（商品名、東京応化社製）を約１μｍ厚で塗工した。
粒子をポリビニルアルコール中に分散させ、リソグラフ
ィ用塗工液を調製した。酸化膜を設けたシリコンウェハ
上に該リソグラフィ用塗工液を約３μｍ厚で塗工して蛍
光物質層を形成し、次いでゴム系レジスト−０ＭＲ８３
（商品名、東京応化社製）を約１μｍ厚で塗工した。
次にＸ線（ＲｈＬａ線）を約３分間照射した後、所定の
現像液でレジストを現像した。
現像液でレジストを現像した。
この結果、従来法では５０％の残膜を得るのに約３５分
の照射が必要であったが、本発明リソグラフィ法により
約１／１２の照射量で十分な残膜を形成することができ
た。
の照射が必要であったが、本発明リソグラフィ法により
約１／１２の照射量で十分な残膜を形成することができ
た。
実施例２
蛍光物質の一例としてＢａＳｉ ２０５ ：Ｐｂを真空
蒸着法によりシリコンウェハ上に蒸着し、その上にゴム
系レジスト−０ＭＲ８３（商品名、東京応化社製）を約
１μｍ厚で塗工した。以下は実施例１と同様に行った。
蒸着法によりシリコンウェハ上に蒸着し、その上にゴム
系レジスト−０ＭＲ８３（商品名、東京応化社製）を約
１μｍ厚で塗工した。以下は実施例１と同様に行った。
その結果、実施例１と同様に良好な現像ができた。
実施例３
蛍光物質として（ＢａＳｒＭｇ） ＳｉＯ３： Ｐｂを
真空蒸着法によりシリコンウェハ上に蒸着し、そ゛の上
にゴム系レジスト−０ＭＲ８３（商品名、東京応化社製
）を約１μｍで厚で塗工した。以下は実施例１と同様に
行った。その結果、良好な現象ができた。
真空蒸着法によりシリコンウェハ上に蒸着し、そ゛の上
にゴム系レジスト−０ＭＲ８３（商品名、東京応化社製
）を約１μｍで厚で塗工した。以下は実施例１と同様に
行った。その結果、良好な現象ができた。
実施例・１
蛍光物質として（ＢａＳｒＭｇ）Ｓｉ ３ ： Ｐｂの
微粒子を環化ゴム−トルエン溶液中に分散し、シリコン
ウェハ上に約１μｍ厚で塗工した。
微粒子を環化ゴム−トルエン溶液中に分散し、シリコン
ウェハ上に約１μｍ厚で塗工した。
更にゴム系レジスト０ＭＲ８３（商品名、東京応化社製
）２μｍ厚に塗工し、実施例１と同様のＸ線照射及び現
像を行い、蛍光体層の一部を現像と同時に除去すること
により、良好なパターンを形成することができた。
）２μｍ厚に塗工し、実施例１と同様のＸ線照射及び現
像を行い、蛍光体層の一部を現像と同時に除去すること
により、良好なパターンを形成することができた。
実施例５
蛍光物質としてＣａ３ （ＰＯ４）２ ：ＴＩの微粒子
をポリビニルピロリドン溶液中に分散し、シリコンウェ
ハ上に約１μ厚で塗工した。その上にＫ Ｐ Ｒ−３（
商品名、コダック社製）を１μ厚に塗工し、実施例１と
同様のＸ線照射及び現像を行った。その結果、感度が約
４倍上がった。
をポリビニルピロリドン溶液中に分散し、シリコンウェ
ハ上に約１μ厚で塗工した。その上にＫ Ｐ Ｒ−３（
商品名、コダック社製）を１μ厚に塗工し、実施例１と
同様のＸ線照射及び現像を行った。その結果、感度が約
４倍上がった。
以上説明したように、本発明のリソグラフィ法において
は、感光性材料のエネルギー線源側とは反対側に蛍光物
質を配したので、エネルギー線を照射して露光するとき
に、蛍光物質から２次照射線を発生させ感光性材料に照
射するので、感光性材料の実効感度が向上し、良好なり
ソグラフィを実施することができる。また、マスク材保
持薄膜としてＸ線透過率や厚さ等の厳しい条件を緩和し
てリソグラフィを実施することができる。
は、感光性材料のエネルギー線源側とは反対側に蛍光物
質を配したので、エネルギー線を照射して露光するとき
に、蛍光物質から２次照射線を発生させ感光性材料に照
射するので、感光性材料の実効感度が向上し、良好なり
ソグラフィを実施することができる。また、マスク材保
持薄膜としてＸ線透過率や厚さ等の厳しい条件を緩和し
てリソグラフィを実施することができる。
さらに、本発明のソリグラフィ法の優位な点は、これま
でに光感光性レジスト（可視、紫外、遠紫外レジストを
含む）として使用してきたほとんどのレジストに適用可
能なことである。現在Ｘ線レジストとして適用可能な代
表的なレジストとしてクロロメチル化ポリスチレンがあ
る。しかし、このレジストの感度を増強するために塩素
の量を増加させた場合シリコン基板との密着性が低下し
使用に耐えな（なる。このように一般には感度を増強さ
せる場合には他の重要な性能、例えば解像力、ガンマ（
コントラスト）、現像性能、密着性、液保存性等を犠牲
にせざるをえない。本発明はこれらの従来の常識を覆し
各レジストの性能を保ちつつ感度のみを増強し得るもの
であり、リソグラフィ法を実施する際に極めて有効に用
いられる。
でに光感光性レジスト（可視、紫外、遠紫外レジストを
含む）として使用してきたほとんどのレジストに適用可
能なことである。現在Ｘ線レジストとして適用可能な代
表的なレジストとしてクロロメチル化ポリスチレンがあ
る。しかし、このレジストの感度を増強するために塩素
の量を増加させた場合シリコン基板との密着性が低下し
使用に耐えな（なる。このように一般には感度を増強さ
せる場合には他の重要な性能、例えば解像力、ガンマ（
コントラスト）、現像性能、密着性、液保存性等を犠牲
にせざるをえない。本発明はこれらの従来の常識を覆し
各レジストの性能を保ちつつ感度のみを増強し得るもの
であり、リソグラフィ法を実施する際に極めて有効に用
いられる。
第１図は、本発明のリソグラフィ法を説明するための模
式的断面図である。 １：Ｘ線源、２：環状保持基板、３：マスク材、４：マ
スク材保持薄膜、５：ウェハ、６：レジスト、７：蛍光
物質層、８：蛍光物質。
式的断面図である。 １：Ｘ線源、２：環状保持基板、３：マスク材、４：マ
スク材保持薄膜、５：ウェハ、６：レジスト、７：蛍光
物質層、８：蛍光物質。
Claims (1)
- （１）エネルギー線源から放射されたエネルギー線をパ
ターン状のマスク材が形成されたマスク材保持薄膜を介
して感光性材料に照射し、該感光性材料に前記マスク材
パターンを転写するリソグラフィ法において、前記感光
性材料の前記エネルギー線源側とは反対側に蛍光物質を
配し、前記エネルギー線に曝された前記蛍光物質から２
次照射線を発生せしめ、該２次照射線を前記エネルギー
線と併せて前記感光性材料に照射することを特徴とする
リソグラフィ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61192576A JPS6347927A (ja) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | リソグラフイ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61192576A JPS6347927A (ja) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | リソグラフイ法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6347927A true JPS6347927A (ja) | 1988-02-29 |
Family
ID=16293579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61192576A Pending JPS6347927A (ja) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | リソグラフイ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6347927A (ja) |
-
1986
- 1986-08-18 JP JP61192576A patent/JPS6347927A/ja active Pending
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