JPS6347921A - シリコンの選択気相成長方法 - Google Patents
シリコンの選択気相成長方法Info
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- JPS6347921A JPS6347921A JP19243286A JP19243286A JPS6347921A JP S6347921 A JPS6347921 A JP S6347921A JP 19243286 A JP19243286 A JP 19243286A JP 19243286 A JP19243286 A JP 19243286A JP S6347921 A JPS6347921 A JP S6347921A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
水素化珪素をシリコンソースとし、該水素化珪素を速い
流速下で熱分解させることにより、９２０〜１０００’
ｃの低温において選択成長させることを可能にしたシリ
コンの選択気相成長方法で、成長温度が低いことにより
基板及び拡散層に与えるダメージが減少できる。
流速下で熱分解させることにより、９２０〜１０００’
ｃの低温において選択成長させることを可能にしたシリ
コンの選択気相成長方法で、成長温度が低いことにより
基板及び拡散層に与えるダメージが減少できる。
本発明はシリコン（Ｓｉ）の選択気相成長方法の改良に
係り、特に成長温度を低下せしめたＳｉの選択成長方法
に関する。
係り、特に成長温度を低下せしめたＳｉの選択成長方法
に関する。
半導体ＩＣの高集積化に伴い、半導体素子及び素子間の
分湯（領域は大幅に縮小され、また配線幅も極度に狭め
られて来ている。
分湯（領域は大幅に縮小され、また配線幅も極度に狭め
られて来ている。
このような高集禎度ＩＣを製造するに際して、高集積化
の手段及び素子表面の平坦化の手段として次のような方
法が用いられる。
の手段及び素子表面の平坦化の手段として次のような方
法が用いられる。
第１は、Ｓｉ基板上の絶縁膜に、リソグラフィ技術を用
いマスクに整合して開孔を形成し、該開札内に半導体素
子となる単結晶Ｓｉ層を成長せしめることにより、素子
を小型化して高集積化を図る方法である。
いマスクに整合して開孔を形成し、該開札内に半導体素
子となる単結晶Ｓｉ層を成長せしめることにより、素子
を小型化して高集積化を図る方法である。
第２は、素子分離領域をリソグラフィ技術を用・いマス
クに整合して形成することにより素子分離領域幅を縮小
して高集積化を図り、且つ該素子分離領域内に多結晶Ｓ
ｉ層を埋込むことにより素子分離領域表血の平坦化を図
る方法である。
クに整合して形成することにより素子分離領域幅を縮小
して高集積化を図り、且つ該素子分離領域内に多結晶Ｓ
ｉ層を埋込むことにより素子分離領域表血の平坦化を図
る方法である。
また第３は、配線コンタクト窓上面を平坦化して配線の
断線を防止し高集積素子の高信頼化を図るために、配線
コンタクト窓内に多結晶Ｓｉ引出し電極を充填形成する
方法である。
断線を防止し高集積素子の高信頼化を図るために、配線
コンタクト窓内に多結晶Ｓｉ引出し電極を充填形成する
方法である。
そしてこれらの方法において絶縁股間に表出するＳｉ基
板面のみに、選択的に単結晶若しくは多結晶構造のＳｉ
層を成長せしめる際に、Ｓｉの選択軍用成長方法が用い
られるが、この際、素子特性の劣化原因となる欠陥がＳ
ｉ基板内に発生するのを抑止し、更にはＳｉ基板に形成
されている活性（拡散）領域の変質を防止するために、
低温において成長が可能なＳｉの選択気相成長方法が要
望される。
板面のみに、選択的に単結晶若しくは多結晶構造のＳｉ
層を成長せしめる際に、Ｓｉの選択軍用成長方法が用い
られるが、この際、素子特性の劣化原因となる欠陥がＳ
ｉ基板内に発生するのを抑止し、更にはＳｉ基板に形成
されている活性（拡散）領域の変質を防止するために、
低温において成長が可能なＳｉの選択気相成長方法が要
望される。
従来、単結晶Ｓｉ層の選択気相成長即ちＳｉの選択エピ
タキシャル成長には、キャリアガスとして用いられる水
素（Ｈ２）と、シリコンソースであるジクロルシラン即
ち２塩化２水素化珪素（ＳｉｔｈＣｌｚ）と、反応ガス
である塩化水素（ＨＣＩ）との混合ガスを用い、１１０
０〜１２００°Ｃ程度の温度で５ｉＨｚＣｉｚを熱分解
せしめる方法が一般に用いられていた。
タキシャル成長には、キャリアガスとして用いられる水
素（Ｈ２）と、シリコンソースであるジクロルシラン即
ち２塩化２水素化珪素（ＳｉｔｈＣｌｚ）と、反応ガス
である塩化水素（ＨＣＩ）との混合ガスを用い、１１０
０〜１２００°Ｃ程度の温度で５ｉＨｚＣｉｚを熱分解
せしめる方法が一般に用いられていた。
しかし上記従来の単結晶Ｓｉの選択気相成長方法におい
ては、成長温度が １１００〜１２００°Ｃ程度の高温
であるために、成長に伴ってＳｉ基板に誘起される欠陥
により素子特性が劣化したり、基板に形成されている不
純物拡散領域の再分布により素子特性が変化するという
問題を生じていた。
ては、成長温度が １１００〜１２００°Ｃ程度の高温
であるために、成長に伴ってＳｉ基板に誘起される欠陥
により素子特性が劣化したり、基板に形成されている不
純物拡散領域の再分布により素子特性が変化するという
問題を生じていた。
本発明が解決しようとする問題点は、上記のように、従
来のＳｉの選択気相成長方法が、その成長温度が高温で
あるために半導体素子特性の劣化や変動を招いていたこ
とである。
来のＳｉの選択気相成長方法が、その成長温度が高温で
あるために半導体素子特性の劣化や変動を招いていたこ
とである。
上記問題点は、成長容器内に絶縁膜が選択的に形成され
てなるシリコン基板を配置し、該成長容器内に該シリコ
ン基板の直上部から水素化珪素とキャリアガスとよりな
る成長ガスを連続的に流入し、該シリコン基板の全周囲
から該シリコン基板の下方に向かって連続的に排気を行
って該成長容器内の成長ガス圧を３．４ Ｔｏｒｒ以下
に保ちながら、該シリコン基板を９２０〜１０００°Ｃ
に昇温して該シリコン基板の表出シリコン面に選択的に
シリコン層を気相成長せしめる本発明によるシリコンの
選択気相成長方法によって解決される。
てなるシリコン基板を配置し、該成長容器内に該シリコ
ン基板の直上部から水素化珪素とキャリアガスとよりな
る成長ガスを連続的に流入し、該シリコン基板の全周囲
から該シリコン基板の下方に向かって連続的に排気を行
って該成長容器内の成長ガス圧を３．４ Ｔｏｒｒ以下
に保ちながら、該シリコン基板を９２０〜１０００°Ｃ
に昇温して該シリコン基板の表出シリコン面に選択的に
シリコン層を気相成長せしめる本発明によるシリコンの
選択気相成長方法によって解決される。
発明者は、ジシラン即ち６水素化珪素（ｓｉｚｌｉ６）
をＨ２キャリアガスに混入した成長ガスを被成長基板の
直上部から成長容器内に連続的流入し、被成長基板の全
周囲から被成長基板の下方に向かって連続的に排気を行
い、成長容器内を６０Ｔｏｒｒに保った状態において被
成長基板面上と近似する位置の排気口開口部で３５ｃｍ
／ｓｅｃ、１４Ｔｏｒｒに保った状態において上記位置
で１５０ ｃｍ／ｓｅｃ、７ Ｔｏｒｒに保った状態に
おいて同位置で３００ ｃｍ／ｓｅｃ、 ３．４ Ｔｏ
ｒｒに保った状態において６４０ ａｍ／ｓｅｃの流速
が得られる実施例に示すような減圧成長装置により、種
々な温度において成長を行った実験結果から、エピタキ
シャルＳｉの選択成長性が、エビクキシャルＳｉ層の選
択成長における成長ガス流速（減圧度）と選択成長率の
関係を示す図である第３図に示すように成長ガスの流速
に依存し、減圧度３．４Ｔｏｒｒ即ち６４０ｃｍ／ｓｅ
ｃの最も速い流速下においζは９２０°Ｃ近傍の従来よ
りかなり低温度において、選択成長率が１００％の選択
エピタキシャル成長が行えることを見出した。
をＨ２キャリアガスに混入した成長ガスを被成長基板の
直上部から成長容器内に連続的流入し、被成長基板の全
周囲から被成長基板の下方に向かって連続的に排気を行
い、成長容器内を６０Ｔｏｒｒに保った状態において被
成長基板面上と近似する位置の排気口開口部で３５ｃｍ
／ｓｅｃ、１４Ｔｏｒｒに保った状態において上記位置
で１５０ ｃｍ／ｓｅｃ、７ Ｔｏｒｒに保った状態に
おいて同位置で３００ ｃｍ／ｓｅｃ、 ３．４ Ｔｏ
ｒｒに保った状態において６４０ ａｍ／ｓｅｃの流速
が得られる実施例に示すような減圧成長装置により、種
々な温度において成長を行った実験結果から、エピタキ
シャルＳｉの選択成長性が、エビクキシャルＳｉ層の選
択成長における成長ガス流速（減圧度）と選択成長率の
関係を示す図である第３図に示すように成長ガスの流速
に依存し、減圧度３．４Ｔｏｒｒ即ち６４０ｃｍ／ｓｅ
ｃの最も速い流速下においζは９２０°Ｃ近傍の従来よ
りかなり低温度において、選択成長率が１００％の選択
エピタキシャル成長が行えることを見出した。
更に発明者は、上記同様のＳｉソースをＮ２キャリアガ
スに混入した成長ガスを用い、上記同様の減圧成長装置
により、成長を行った実験結果から、第４図に示すよう
な多結晶Ｓｉの選択気相成長における成長ガスの流速（
減圧度）と選択成長率の関係を求め、この結果から減圧
度３．４Ｔｏｒｒ即ち６４０ｃｍ／ｓｅｃの最も速い流
速下において９２０“Ｃ以上望ましくは９７０℃以上の
成長温度で、１００％の選択率を有する多結晶Ｓｉの選
択成長が行えることを見出した。
スに混入した成長ガスを用い、上記同様の減圧成長装置
により、成長を行った実験結果から、第４図に示すよう
な多結晶Ｓｉの選択気相成長における成長ガスの流速（
減圧度）と選択成長率の関係を求め、この結果から減圧
度３．４Ｔｏｒｒ即ち６４０ｃｍ／ｓｅｃの最も速い流
速下において９２０“Ｃ以上望ましくは９７０℃以上の
成長温度で、１００％の選択率を有する多結晶Ｓｉの選
択成長が行えることを見出した。
以上の結果から本発明の方法においては、水素化珪素を
ＳｉソースとするＳｉの選択成長において、被成長基板
基板の直上部から成長ガスを連続的に流入し、被成長基
板基板の全周囲から被成長基板の下方に向かって連続的
に排気を行って、成長容器内のガス圧（減圧度）を上記
実験と同様な被成長基板面上の成長ガスの流速が得られ
る３、４Ｔｏｒｒ以下に保ち、上記実験結果に基づき１
００％選択成長が可能な、エピタキシャルＳｉの場合９
２０℃以上で、多結晶Ｓｉの場合９２０℃以上望ましく
は９７０℃以上で、且つ素子特性の劣化を防止し得る限
界の１０００℃以下の温度においてＳｉの気相成長が行
われる。
ＳｉソースとするＳｉの選択成長において、被成長基板
基板の直上部から成長ガスを連続的に流入し、被成長基
板基板の全周囲から被成長基板の下方に向かって連続的
に排気を行って、成長容器内のガス圧（減圧度）を上記
実験と同様な被成長基板面上の成長ガスの流速が得られ
る３、４Ｔｏｒｒ以下に保ち、上記実験結果に基づき１
００％選択成長が可能な、エピタキシャルＳｉの場合９
２０℃以上で、多結晶Ｓｉの場合９２０℃以上望ましく
は９７０℃以上で、且つ素子特性の劣化を防止し得る限
界の１０００℃以下の温度においてＳｉの気相成長が行
われる。
これによってＳｉの選択成長に際して、Ｓｉ基板に発生
する欠陥は減少し、またＳｉ基板に形成されている不純
物拡散領域の深さの変動は減少するので、該基板を用い
て形成する半導体素子の特性劣化及び特性変動は防止さ
れる。
する欠陥は減少し、またＳｉ基板に形成されている不純
物拡散領域の深さの変動は減少するので、該基板を用い
て形成する半導体素子の特性劣化及び特性変動は防止さ
れる。
以下本発明を、図示実施例により具体的に説明する。
第１図は本発明に係るＳｉの選択成長の一実施例に用い
た減圧成長装置の模式図、第２図は同実施例における成
長工程のプロファイル図である。
た減圧成長装置の模式図、第２図は同実施例における成
長工程のプロファイル図である。
本発明に係るＳｔの選択エピタキシャル成長には、例え
ば第１図に示すような速い流速を得るのに有利な枚葉式
（一枚どり）の減圧成長装置が用いられる。
ば第１図に示すような速い流速を得るのに有利な枚葉式
（一枚どり）の減圧成長装置が用いられる。
同図において、Ｉは成長容器となるペルジャー、２は載
置された被成長基板を加熱するグラファイトヒータ、３
は被成長Ｓｉｌ板、４は成長ガス導入管、１０４は被成
長Ｓｉ基板の直上部に設けられた成長ガス噴射用シャワ
ー、５は置換用Ｎ２ガス導入用の流量計、６は＋１２キ
ヤリアガス導入用の流量計、７は例えばＳｉ２Ｈ６等の
Ｓｉソースガス導入用の流量計、８は被処理基板の全周
囲即ちグラファイトヒータ全周囲に下方に向かって開孔
する真空排気口、９はへルジャー内を減圧しペルジャー
内の成長ガスに流速を与えるメカニカルブースタポンプ
、１０は同じ（ロータリポンプ、１１は電力配線、１２
はグラファイトヒータ用の加熱電源を示す。
置された被成長基板を加熱するグラファイトヒータ、３
は被成長Ｓｉｌ板、４は成長ガス導入管、１０４は被成
長Ｓｉ基板の直上部に設けられた成長ガス噴射用シャワ
ー、５は置換用Ｎ２ガス導入用の流量計、６は＋１２キ
ヤリアガス導入用の流量計、７は例えばＳｉ２Ｈ６等の
Ｓｉソースガス導入用の流量計、８は被処理基板の全周
囲即ちグラファイトヒータ全周囲に下方に向かって開孔
する真空排気口、９はへルジャー内を減圧しペルジャー
内の成長ガスに流速を与えるメカニカルブースタポンプ
、１０は同じ（ロータリポンプ、１１は電力配線、１２
はグラファイトヒータ用の加熱電源を示す。
そして選択エピタキシャル成長は、例えば第２図に示す
工程プロファイル図のような手順で行われる。なお同図
中、（ａｌは時間軸に対する温度プロファイルを示し、
（ｂｌは上記温度プロファイルに対応する成長容器内ガ
ス圧のプロファイルを示す。
工程プロファイル図のような手順で行われる。なお同図
中、（ａｌは時間軸に対する温度プロファイルを示し、
（ｂｌは上記温度プロファイルに対応する成長容器内ガ
ス圧のプロファイルを示す。
また 同図において、Ｎ２は窒素雰囲気、Ｎ２は水素雰
囲気、（ＳｉＪｂ ＋ Ｈｚ）は成長ガス雰囲気を示す
。
囲気、（ＳｉＪｂ ＋ Ｈｚ）は成長ガス雰囲気を示す
。
該実施例においては、上記成長装置のグラファイトヒー
タ２上に、選択的に例えばＳｉＯ□絶縁膜を有する単結
晶Ｓｉ被成長基板３を載置し、上記工程プロファイルに
従って、先ずＮ２でペルジャー１内を置換した後、該ペ
ルジャー１内をＮ２で置換し、グラファイトヒータ２を
被成長Ｓｉ基板３が９２０℃になるように昇温し、該ペ
ルジャーｌ内に被成長Ｓｉ基板３の直上部の成長ガス噴
射用シャワー１０４から５ｃｃ／ｍｉｎの流量の５ｉＪ
６（Ｓｌ ソース）とＩＯＪ／ｍｉｎの流量のｌ（Ｚ
（キャリアガス）とが混合されてなる成長ガスを連続的
に流入し、且つ真空排気口８から連続的に所要排気量の
真空排気を行ってペルジャー１内の成長ガス圧を３．４
Ｔｏｒｒに減圧保持する。
タ２上に、選択的に例えばＳｉＯ□絶縁膜を有する単結
晶Ｓｉ被成長基板３を載置し、上記工程プロファイルに
従って、先ずＮ２でペルジャー１内を置換した後、該ペ
ルジャー１内をＮ２で置換し、グラファイトヒータ２を
被成長Ｓｉ基板３が９２０℃になるように昇温し、該ペ
ルジャーｌ内に被成長Ｓｉ基板３の直上部の成長ガス噴
射用シャワー１０４から５ｃｃ／ｍｉｎの流量の５ｉＪ
６（Ｓｌ ソース）とＩＯＪ／ｍｉｎの流量のｌ（Ｚ
（キャリアガス）とが混合されてなる成長ガスを連続的
に流入し、且つ真空排気口８から連続的に所要排気量の
真空排気を行ってペルジャー１内の成長ガス圧を３．４
Ｔｏｒｒに減圧保持する。
該実施例の装置においては、上記圧力に減圧した時、被
成長基板３面上に近似な位置である被成長基板３の近傍
５ ｃｍ程度の排気口８開ロ領域において６４０ｃｍ／
ｓｅｃの流速が得られる。
成長基板３面上に近似な位置である被成長基板３の近傍
５ ｃｍ程度の排気口８開ロ領域において６４０ｃｍ／
ｓｅｃの流速が得られる。
なお、上記装置において流速ｍは次の式によって計算さ
れる。
れる。
ｍ＝ Ｌ （Ｐ＋／Ｐｚ）／Ｓ
ここで、ｖ＋は成長ガスの流入量、Ｐｌは流入成長ガス
の圧力（７６０Ｔｏｒｒ） 、Ｐｚは成長時におけるペ
ルジャー１内の成長ガス圧、Ｓは真空排気口の開口面積
である。
の圧力（７６０Ｔｏｒｒ） 、Ｐｚは成長時におけるペ
ルジャー１内の成長ガス圧、Ｓは真空排気口の開口面積
である。
そして上記流速下において例えば２０分間成長を行った
後、成長ガスをＨ２ガスに切り換え、被成長基板３の温
度を室温に下降せしめ、ペルジャー１内をＮ２に置換し
て成長を完了する。
後、成長ガスをＨ２ガスに切り換え、被成長基板３の温
度を室温に下降せしめ、ペルジャー１内をＮ２に置換し
て成長を完了する。
この実施例によれば、１０００°Ｃ以下の温度、即ち９
２０℃において、１００％の選択成長率でＳｉ基板の表
出面上のみにエピタキシャルＳｉ層の選択成長を行うこ
とができた。
２０℃において、１００％の選択成長率でＳｉ基板の表
出面上のみにエピタキシャルＳｉ層の選択成長を行うこ
とができた。
また、第２の実施例においては、第１の実施例と同様の
装置を用い、同様の被成長基板を９７０℃に昇温せしめ
た状態において、該ペルジャー１内に５ｃｃ／ｍｉｎの
流量のＳｉＪ、と１０１２／ｍｉｎの流量のＮ２キャリ
アガスとが混合されてなる成長ガスを連続的に流入し、
第１の実施例同様の真空排気を連続的に行ってペルジャ
ー１内を３．４Ｔｏｒｒの減圧度に維持し、被成長基板
３面近傍の成長ガスに第１の実施例同様６４０ ｃｍ
／ｓｅｃの流速を与えた状態においてＳｉ２Ｈ６を熱分
解させて該被成長基板３上にＳｌの選択成長を行った。
装置を用い、同様の被成長基板を９７０℃に昇温せしめ
た状態において、該ペルジャー１内に５ｃｃ／ｍｉｎの
流量のＳｉＪ、と１０１２／ｍｉｎの流量のＮ２キャリ
アガスとが混合されてなる成長ガスを連続的に流入し、
第１の実施例同様の真空排気を連続的に行ってペルジャ
ー１内を３．４Ｔｏｒｒの減圧度に維持し、被成長基板
３面近傍の成長ガスに第１の実施例同様６４０ ｃｍ
／ｓｅｃの流速を与えた状態においてＳｉ２Ｈ６を熱分
解させて該被成長基板３上にＳｌの選択成長を行った。
この実施例によれば、１０００℃以下の温度、即ち９７
０℃において、１００％の選択成長率で該被成長基板３
のＳｉ表出面上のみに多結晶Ｓｉ層を選択成長せしめる
ことができた。
０℃において、１００％の選択成長率で該被成長基板３
のＳｉ表出面上のみに多結晶Ｓｉ層を選択成長せしめる
ことができた。
本発明は上記実施例に示すように、水素化珪素をＳｉソ
ースに含み水素若しくは窒素をキャリアガスとする成長
ガスを用い、成長容器内に被成長基板の直上部から連続
的に上記成長ガスを流入し、且つ被成長基板の全周囲か
ら被成長基板の下方に向かって連続的に排気を行って、
成長容器内の成長ガス圧即ち減圧度を３．４Ｔｏｒｒ以
下に保つことによって被成長基板面上の成長ガスに速い
流速を与え、該成長ガスの速い流速下においてエビクキ
シャ用Ｓｉ若しくは多結晶Ｓｉの選択気相成長を行うも
のであり、これにより従来より低温の９２０〜１０００
℃において１００％の選択成長率で上記Ｓｉ層を選択成
長を行うことができる。
ースに含み水素若しくは窒素をキャリアガスとする成長
ガスを用い、成長容器内に被成長基板の直上部から連続
的に上記成長ガスを流入し、且つ被成長基板の全周囲か
ら被成長基板の下方に向かって連続的に排気を行って、
成長容器内の成長ガス圧即ち減圧度を３．４Ｔｏｒｒ以
下に保つことによって被成長基板面上の成長ガスに速い
流速を与え、該成長ガスの速い流速下においてエビクキ
シャ用Ｓｉ若しくは多結晶Ｓｉの選択気相成長を行うも
のであり、これにより従来より低温の９２０〜１０００
℃において１００％の選択成長率で上記Ｓｉ層を選択成
長を行うことができる。
なお本発明の方法は、Ｓｉソースである水素化珪素に上
記実施例と別のモノシラン（ＳｉＨ４）或いはトリシラ
ン（ＳｉＪａ）を用いても同様の効果が得られる。
記実施例と別のモノシラン（ＳｉＨ４）或いはトリシラ
ン（ＳｉＪａ）を用いても同様の効果が得られる。
以上説明のように本発明によれば、９２０〜１０００℃
の従来より低温度で１００％の選択成長率を有するＳｉ
の選択成長が可能になるので、Ｓｉの選択成長に、際し
て、Ｓｉ基板に発生する欠陥は減少し、またＳｉ基板に
形成されている不純物拡散領域の深さの変動は減少する
。
の従来より低温度で１００％の選択成長率を有するＳｉ
の選択成長が可能になるので、Ｓｉの選択成長に、際し
て、Ｓｉ基板に発生する欠陥は減少し、またＳｉ基板に
形成されている不純物拡散領域の深さの変動は減少する
。
従って、本発明は半導体ｒｃの製造工程において、半導
体素子の特性劣化及び特性変動を防止する効果を生ずる
。
体素子の特性劣化及び特性変動を防止する効果を生ずる
。
第１図は本発明に係るＳｉの選択成長の一実施例に用い
た減圧成長装置の模式図、 第２図は同実施例における成長工程のプロファイル図、 第３図はエピタキシャルＳｉ層の選択成長における成長
ガス流速（減圧度）と選択成長率の関係を示す図、 第４図は多結晶Ｓｉの選択成長における成長ガス流速（
減圧度）と選択成長率の関係を示す図である。 図において、 １はペルジャー、 ２はグラファイトヒータ、 ３は被成長Ｓｉ基板、 ４は成長ガス導入管、 １０４は成長ガス噴射用シャワー、 ５は置換用Ｎ２ガス導入用の流量計、 ６はＨ２キャリアガス導入用の流量計、７はＳｉソース
ガス導入用の流量計、 ８は真空排気管、 ９はメカニカルブースタポンプ、 １０は同じ（ロータリポンプ、 １１は電力配線、 １２は加熱電源、 Ｎ２は窒素雰囲気、 １１□は水素雰囲気、 （ＳｉＪ６ ＋ Ｈｚ）は成長ガス雰囲気を示す。 不 １ 図 草 ２ 図 羊４ 区
た減圧成長装置の模式図、 第２図は同実施例における成長工程のプロファイル図、 第３図はエピタキシャルＳｉ層の選択成長における成長
ガス流速（減圧度）と選択成長率の関係を示す図、 第４図は多結晶Ｓｉの選択成長における成長ガス流速（
減圧度）と選択成長率の関係を示す図である。 図において、 １はペルジャー、 ２はグラファイトヒータ、 ３は被成長Ｓｉ基板、 ４は成長ガス導入管、 １０４は成長ガス噴射用シャワー、 ５は置換用Ｎ２ガス導入用の流量計、 ６はＨ２キャリアガス導入用の流量計、７はＳｉソース
ガス導入用の流量計、 ８は真空排気管、 ９はメカニカルブースタポンプ、 １０は同じ（ロータリポンプ、 １１は電力配線、 １２は加熱電源、 Ｎ２は窒素雰囲気、 １１□は水素雰囲気、 （ＳｉＪ６ ＋ Ｈｚ）は成長ガス雰囲気を示す。 不 １ 図 草 ２ 図 羊４ 区
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）成長容器内に絶縁膜が選択的に形成されてなるシリ
コン基板を配置し、 該成長容器内に該シリコン基板の直上部から水素化珪素
とキャリアガスとよりなる成長ガスを連続的に流入し、 該シリコン基板の全周囲から該シリコン基板の下方に向
かって連続的に排気を行って該成長容器内の成長ガス圧
を３．４Ｔｏｒｒ以下に保ちながら、該シリコン基板を
９２０〜１０００℃に昇温して該シリコン基板の表出シ
リコン面に選択的にシリコン層を気相成長せしめること
を特徴とするシリコンの選択気相成長方法。 ２）前記キャリアガスが水素よりなり、前記シリコン層
がエピタキシャルシリコン層よりなることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のシリコンの選択気相成長方
法。 ３）前記キャリアガスが窒素よりなり、前記シリコン層
が多結晶シリコン層よりなることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のシリコンの選択気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19243286A JPS6347921A (ja) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | シリコンの選択気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19243286A JPS6347921A (ja) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | シリコンの選択気相成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6347921A true JPS6347921A (ja) | 1988-02-29 |
Family
ID=16291210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19243286A Pending JPS6347921A (ja) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | シリコンの選択気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6347921A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62159421A (ja) * | 1986-01-07 | 1987-07-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-08-18 JP JP19243286A patent/JPS6347921A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62159421A (ja) * | 1986-01-07 | 1987-07-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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