JPS595622A - 半導体の気相成長方法 - Google Patents

半導体の気相成長方法

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JPS595622A
JPS595622A JP11521282A JP11521282A JPS595622A JP S595622 A JPS595622 A JP S595622A JP 11521282 A JP11521282 A JP 11521282A JP 11521282 A JP11521282 A JP 11521282A JP S595622 A JPS595622 A JP S595622A
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JP
Japan
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substrate
growth
temperature
oc2h5
single crystal
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Pending
Application number
JP11521282A
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English (en)
Inventor
Yukinobu Tanno
丹野 幸悦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体の気相成長方法に関するものである。半
導体素子には、特にバイポーラデバイスにはSiのエピ
タキシャル層が用いられ、最近で ゛i、tMosデバ
イスにもエピタキシャル層が用いられるようになりつつ
あるoしかし従来の気相成長法では、成長温度が高温(
〜1000℃以上)のだめに高純度で且つ急峻な接合を
もつ半導体層を得ることは困難である。その主な原因は
基板を加熱するカーボンサセプタ等からの汚染、基板そ
のものからの汚染等がある。すなわち従来の熱分解ある
いは化学反応による気相成長を行う場合、例えば高周波
加熱炉の場合にはカーボンサセプタを熱し、さらにその
上に載せた基板を加熱する方法が用いられている。この
場合カーボンに一度付着、又は吸着した不純物が、成長
時に蒸発し汚染の原因となる。また基板全体が加熱され
るため、基板表面又は裏面からも不純物による汚染が成
長中に生じる。これらの高温成長による汚染を防ぐには
成長温度を低くすることが必要である。この低温成長に
関する従来例としては不活性ガス中での成長、例えばH
e雰囲気中で850〜900℃の温度で常圧で成長する
方法等が報告されているが、結晶性の点で不充分で未だ
実用化にはいたっていない。さらに別な従来例としては
ジャーナル、オブ、エレクトロケミカル、ソサエティ、
1968年。
4月号、401−405頁(J、 of Electr
ochemicalSoc、 、 vol 115.N
[L4 (196Fl) p401−405 )に記載
されてるように原料のSiソースとして8120esを
用い基板を〜700℃に加熱し、紫外光を基板に照射す
ることにより単結晶siが成長したとある。しかしなが
ら得られた結晶表面は乳白色であり、平滑な成長をして
いない。これは結晶性の点でまだ問題があることを示し
ている。
本発明の目的は従来性われているSt エピタキシャル
成長温度(〜1000℃)よりも数百度低い成長温度で
結晶性の優れたエピタキシャル層を得ることでその不純
物分布を所望の階段状接合とすることができ、且つエピ
タキシャル膜厚をも薄くてき膜厚、不純物の高精度制御
が可能な気相成長方法を提供することである。
本発明は基板を500〜800℃の温度範囲に加熱し、
さらに基板に紫外光(波長〜300mμ)を当てSi 
ソースガス(テトラエトキシシラン)を分解し、減圧下
(1〜100 TORR)で基板上に単結晶シリコン膜
を成長させる方法である。本発明の方法によれば成長時
の基板湿度は上記紫外光を用いた従来法より更に〜10
0℃低くすることができる。この従来法で成長表面が乳
白色に々ることは結晶表面が粗面であることを示してい
る。
これは従来法が常圧法であるだめに成長する結晶粒が大
きいだめに異方成長が起り易いためと考えられる。一方
減圧下で成長を行えば、結晶粒は小さく等方成長が起り
表面の平滑な結晶面が得られるものである。又減圧成長
のだめにソースガスの平均自由行程が大きくなるためか
、従来法の最適成長温度(〜700℃)よりも〜100
℃低い温度で更結晶の成長層が得られた。また減圧法で
あるため成長速度を小さくすることができ、そのため成
長させる膜の厚さを高精度に制御できる。
次に1実施例を用いて本発明を図面を参照して説明する
。第1図は本発明の1実施例を説明するだめの図でシリ
コン基板上にシリコン単結晶膜を形成する際に用いた装
置の略図である。原料ガスのS i (002TT4B
)4/Lは導入口1から導入され、キャリヤガスのH2
やHOIガスも同じく導入口1から導入される。石英反
応管2の内部にカーボンサセプタ3を置きこれを赤外ラ
ンプ6で下側から加熱してSi基板4を1100℃まで
加熱する。最初にHO/ガスを1〜2%(体積比)送り
成長前に8i基板4の表面の汚れをエツチングする。こ
のときは石英反応管2内は常圧でよく、ガスは8のライ
ンを通せば良い。次に温度を下げて基板を成長温度(6
00〜800℃)に保ち、反応炉内を真空ポンプ7で排
気して〜50TORRにする。そしてS i (002
It!l ) 4 / Bi2を〜1%を反応室に送り
、紫外光源5で基板4を照射しS i (0C2H* 
) 4の分解を促進し、Si単結晶を基板4の上に成長
する。
この条件では成長速度は〜0.2μm/Jlrであった
基板温度を変えた場合の成長速度との関係は第2図の通
りである。S i (OC2I(、)、を用いる理由は
このガスが常温常圧で安定でしかも分圧の制御が容易で
あるためである。
以上のように紫外光照射法を用い且9減圧下で成長する
ことにより結晶表面が平滑で結晶性の良好なエピタキシ
ャル膜が得られる。又従来法の低温成長よりもさらに低
温化が可能となりカーボンサセプタ及び基板からの汚染
が防がれ、オートドーピングもなく、高純度で階段状の
接合をもつ半導体結晶ができる。
また本発明はサファイヤ又はスピネル基板上にStを成
長する場合においても適用可能である。
また前記実施例では基板を赤外線ランプで加熱している
が、何もこれに限る必要はなく、抵抗加熱等でもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の1実施例を説明した、成長炉の概略図
である。 1・・原料ガス導入口、2・・・石英反応炉、3・・・
カーボンサセプタ、4・・・Si基板、5・・・紫外光
源、6・・・赤外ランプ、7・・・真空ポンプ、8・・
・常圧ライン、9・・・排気口、10〜12・・・バル
ブ第2図は本発明の1実施例において得られた基板温度
(横軸)と成長速度(縦軸)との関係を示したものであ
る。 代111人ブ「埋」ユ 内FJ(腎 系 1図 す 第 7図 #に部2度(°C)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板上に単結晶シリコン膜を成長させる気相成長方法に
    おいて、前記基板を500℃〜800℃の温度範囲に加
    熱する工程と、成長させるシリコン膜の原料ガスとして
    テトラエトキシシランを用いこれを分解させる波長を有
    した紫外光を前記基板に照射する工程を有し、且つ反応
    圧力を1〜100TORRに保ちながら、前記基板上に
    単結晶シリコン膜を成長させることを特徴とした半導体
    の気相成長方法。
JP11521282A 1982-07-02 1982-07-02 半導体の気相成長方法 Pending JPS595622A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07176499A (ja) * 1994-06-21 1995-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光照射装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH07176499A (ja) * 1994-06-21 1995-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光照射装置

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