JPS6347134B2 - - Google Patents
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- JPS6347134B2 JPS6347134B2 JP56119316A JP11931681A JPS6347134B2 JP S6347134 B2 JPS6347134 B2 JP S6347134B2 JP 56119316 A JP56119316 A JP 56119316A JP 11931681 A JP11931681 A JP 11931681A JP S6347134 B2 JPS6347134 B2 JP S6347134B2
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- dielectric
- internal electrode
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- electrode paste
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
本発明は多層セラミツクコンデンサの製造方法
の改良に関する。 従来多層セラミツクコンデンサの製造方法には
大別して次の２方法がある。その第１は誘電体粉
末を有機バインダー系中に分散して泥漿となし、
これをシート状に形成し、このグリーンシートに
内部電極を印刷し、このグリーンシートの何枚か
を積み重ねて加熱加圧により一体にして多層化
し、次いでチツプに切断し有機バインダー消失工
程（バーンアウト）及び焼成を行なつたのち端子
電極を形成してコンデンサとするグリーンシート
積層法であり、第２は誘電体粉末を上記と同様に
バインダ系に分散してペースト状となし、この誘
電体ペーストと内部電極ペーストを何らかの基体
の上で交互にスクリーン印刷して多層化し、次い
でチツプに切断しバーンアウト及び焼成を行なつ
たのち端子電極を形成してコンデンサとする印刷
法である。 このような多層セラミツクコンデンサの製造方
法において、積層法、印刷法の何れにおいても、
グリーンシート、誘電体ペーストと内部電極ペー
スト（主としてPd―Ag）のバインダ系およびそ
の添加量がマツチングしてない場合、有機バイン
ダー消失工程および焼成中に層間剥離（デラミネ
ーシヨン）又は表面に割れが発生する。デラミネ
ーシヨンは誘電体中のバインダ量が少なく且つ内
部電極ペースト中のバインダが少ない場合に発生
し、表面の割れは誘電体中のバインダが多く内部
電極ペースト中のバインダが少ない場合に発生し
易い。両者のバインダを多くするとこのようなこ
とは起らないが容量が減少する不具合を生ずる。
本発明はこの問題を解決するために案出されたも
のである。 このため本発明においては、積層法又は印刷法
を用いる多層セラミツクコンデンサの製造方法に
おいて、グリーンシート又は誘電体ペーストと内
部電極ペーストのバインダは全べて組成のものを
用い、且つそれぞれのバインダ添加量は、グリー
ンシート及び誘電体ペーストを等しくし、内部電
極ペーストはグリーンシート又は誘電体ペースト
の50〜80％としたことを特徴とするものである。 以下実施例に基いて本発明を詳細に説明する。 実施例 １ 先ず平均粒径1.2μmのセラミツク粉末（1250℃
で焼成可能）を下記のバインダ系に分散させ誘電
体ペーストを作成した。
の改良に関する。 従来多層セラミツクコンデンサの製造方法には
大別して次の２方法がある。その第１は誘電体粉
末を有機バインダー系中に分散して泥漿となし、
これをシート状に形成し、このグリーンシートに
内部電極を印刷し、このグリーンシートの何枚か
を積み重ねて加熱加圧により一体にして多層化
し、次いでチツプに切断し有機バインダー消失工
程（バーンアウト）及び焼成を行なつたのち端子
電極を形成してコンデンサとするグリーンシート
積層法であり、第２は誘電体粉末を上記と同様に
バインダ系に分散してペースト状となし、この誘
電体ペーストと内部電極ペーストを何らかの基体
の上で交互にスクリーン印刷して多層化し、次い
でチツプに切断しバーンアウト及び焼成を行なつ
たのち端子電極を形成してコンデンサとする印刷
法である。 このような多層セラミツクコンデンサの製造方
法において、積層法、印刷法の何れにおいても、
グリーンシート、誘電体ペーストと内部電極ペー
スト（主としてPd―Ag）のバインダ系およびそ
の添加量がマツチングしてない場合、有機バイン
ダー消失工程および焼成中に層間剥離（デラミネ
ーシヨン）又は表面に割れが発生する。デラミネ
ーシヨンは誘電体中のバインダ量が少なく且つ内
部電極ペースト中のバインダが少ない場合に発生
し、表面の割れは誘電体中のバインダが多く内部
電極ペースト中のバインダが少ない場合に発生し
易い。両者のバインダを多くするとこのようなこ
とは起らないが容量が減少する不具合を生ずる。
本発明はこの問題を解決するために案出されたも
のである。 このため本発明においては、積層法又は印刷法
を用いる多層セラミツクコンデンサの製造方法に
おいて、グリーンシート又は誘電体ペーストと内
部電極ペーストのバインダは全べて組成のものを
用い、且つそれぞれのバインダ添加量は、グリー
ンシート及び誘電体ペーストを等しくし、内部電
極ペーストはグリーンシート又は誘電体ペースト
の50〜80％としたことを特徴とするものである。 以下実施例に基いて本発明を詳細に説明する。 実施例 １ 先ず平均粒径1.2μmのセラミツク粉末（1250℃
で焼成可能）を下記のバインダ系に分散させ誘電
体ペーストを作成した。
【表】
一方50Ag―50Pd（平均粒径1.5μm）粉末を誘電
体ペーストのバインダ（樹脂＋可塑剤）の30，
40，50，60，70，80，90，100重量％になるよう
なバインダ系に分散し電極ペーストを作成した。
この際分散剤の添加量は誘電体ペーストと同じに
し、溶剤はテルピネオールを用い、この量をバイ
ンダ添加量とともに変化させ同一粘度とした。 次に基本の上に誘電体ペーストを250μmの厚さ
に塗布し、この上に内部電極ペーストをスクリー
ン印刷にて約8μmの厚さに塗布する。次いで内部
電極ペースト上に誘電体ペーストを40μmの厚さ
に塗布する。この操作を21回繰返した後、最後に
誘電体ペーストを250μm塗布する。スクリーン印
刷による塗布後は全べて120℃で８〜10分乾燥し
た。このように20層（有効な誘電体層）に多層化
したものから基本を取り去り120℃で１時間乾燥
後チツプに切断する。このチツプを140℃×４時
間→160℃×４時間→200℃×10時間の有機バイン
ダー消失工程を行なつた後、1250℃で３時間焼成
した（昇温速度200゜／時）。これらの焼成したチ
ツプに端子電極を取着し完成品とした。このチツ
プコンデンサについて特性の測定、表面割れ及び
デラミネーシヨンの有無を調査しその結果を第２
表に示す。
体ペーストのバインダ（樹脂＋可塑剤）の30，
40，50，60，70，80，90，100重量％になるよう
なバインダ系に分散し電極ペーストを作成した。
この際分散剤の添加量は誘電体ペーストと同じに
し、溶剤はテルピネオールを用い、この量をバイ
ンダ添加量とともに変化させ同一粘度とした。 次に基本の上に誘電体ペーストを250μmの厚さ
に塗布し、この上に内部電極ペーストをスクリー
ン印刷にて約8μmの厚さに塗布する。次いで内部
電極ペースト上に誘電体ペーストを40μmの厚さ
に塗布する。この操作を21回繰返した後、最後に
誘電体ペーストを250μm塗布する。スクリーン印
刷による塗布後は全べて120℃で８〜10分乾燥し
た。このように20層（有効な誘電体層）に多層化
したものから基本を取り去り120℃で１時間乾燥
後チツプに切断する。このチツプを140℃×４時
間→160℃×４時間→200℃×10時間の有機バイン
ダー消失工程を行なつた後、1250℃で３時間焼成
した（昇温速度200゜／時）。これらの焼成したチ
ツプに端子電極を取着し完成品とした。このチツ
プコンデンサについて特性の測定、表面割れ及び
デラミネーシヨンの有無を調査しその結果を第２
表に示す。
【表】
但し○印は無し、×印は有りを示す。
表より40％以下のものには表面割れ及びデラミ
ネーシヨンの発生があり、90％以上のものは容量
不足が生じていることがわかる。50〜80％のもの
についてはtanδを含めてこのような不都合はなお
第２表の右下の空欄は、内部電極誘電体粉末密度
過少により内部電極が断線し、容量不良となり
tanδが１以下と非常に小さくなり意味のない値と
なつたため空欄とした。 実施例 ２ 実施例１と同じバインダ、分散剤を用い、溶剤
としてメチル・エチル・ケトンを用いて泥漿を作
成し、厚さ50μmのグリーンシートを作成した。
内部電極ペーストも実施例１と同じバインダ、分
散剤で溶剤を変えたペーストを作成した。この内
部電極ペーストの溶剤は蒸発速度が速く上記グリ
ーンシートをなるべく侵さないものを用いた。 そして前記グリーンシートに前記内部電極ペー
ストを印刷し乾燥したものを21枚積み重ね、その
上下に内部電極ペーストを印刷してないグリーン
シートを５枚づつ重ね、100℃、100Kg／cm2におい
て積層し、これをチツプに切断後実施例１と同じ
方法でチツプコンデンサとなし、表面割れとデラ
ミネーシヨンの有無及び特性測定を行なつた。そ
の結果は実施例１と全く同様であつた。 以上説明した如く本発明の多層セラミツクコン
デンサの製造方法は誘電体と内部電極ペーストの
バインダに同じものを使用するため積層時にある
いは印刷時に内部電極ペーストが誘電体によく接
着し剥離を生ずることはない。また内部電極ペー
ストのバインダ量を誘電体のそれの50〜80％に規
定することによりデラミネーシヨン及び表面割れ
を防止することができた。 なお容量がでるでないは誘電体の焼成収縮率と
内部電極ペーストの焼成収縮率に左右され、内部
電極ペーストの焼成収縮率が誘電体のそれよりも
大きい場合に容量がでなくなる。上記焼成収縮率
は誘電体に用いられているセラミツク粉末の粒径
および内部電極ペーストに用いられるPd―Ag粉
末の粒径に影響されるがセラミツク粉末の平均粒
粒径が0.5〜3μm、Pd―Ag粉末の平均粒径が0.5
〜3μmの間では容量のでなくなるバインダ量およ
びデラミネーシヨン、表面割れの発生するバイン
ダ量は殆んど同じである。従つて本発明の範囲内
であれば安全である。
表より40％以下のものには表面割れ及びデラミ
ネーシヨンの発生があり、90％以上のものは容量
不足が生じていることがわかる。50〜80％のもの
についてはtanδを含めてこのような不都合はなお
第２表の右下の空欄は、内部電極誘電体粉末密度
過少により内部電極が断線し、容量不良となり
tanδが１以下と非常に小さくなり意味のない値と
なつたため空欄とした。 実施例 ２ 実施例１と同じバインダ、分散剤を用い、溶剤
としてメチル・エチル・ケトンを用いて泥漿を作
成し、厚さ50μmのグリーンシートを作成した。
内部電極ペーストも実施例１と同じバインダ、分
散剤で溶剤を変えたペーストを作成した。この内
部電極ペーストの溶剤は蒸発速度が速く上記グリ
ーンシートをなるべく侵さないものを用いた。 そして前記グリーンシートに前記内部電極ペー
ストを印刷し乾燥したものを21枚積み重ね、その
上下に内部電極ペーストを印刷してないグリーン
シートを５枚づつ重ね、100℃、100Kg／cm2におい
て積層し、これをチツプに切断後実施例１と同じ
方法でチツプコンデンサとなし、表面割れとデラ
ミネーシヨンの有無及び特性測定を行なつた。そ
の結果は実施例１と全く同様であつた。 以上説明した如く本発明の多層セラミツクコン
デンサの製造方法は誘電体と内部電極ペーストの
バインダに同じものを使用するため積層時にある
いは印刷時に内部電極ペーストが誘電体によく接
着し剥離を生ずることはない。また内部電極ペー
ストのバインダ量を誘電体のそれの50〜80％に規
定することによりデラミネーシヨン及び表面割れ
を防止することができた。 なお容量がでるでないは誘電体の焼成収縮率と
内部電極ペーストの焼成収縮率に左右され、内部
電極ペーストの焼成収縮率が誘電体のそれよりも
大きい場合に容量がでなくなる。上記焼成収縮率
は誘電体に用いられているセラミツク粉末の粒径
および内部電極ペーストに用いられるPd―Ag粉
末の粒径に影響されるがセラミツク粉末の平均粒
粒径が0.5〜3μm、Pd―Ag粉末の平均粒径が0.5
〜3μmの間では容量のでなくなるバインダ量およ
びデラミネーシヨン、表面割れの発生するバイン
ダ量は殆んど同じである。従つて本発明の範囲内
であれば安全である。
Claims (1)
- １ 積層法又は印刷法を用いる多層セラミツクコ
ンデンサの製造方法において、グリーンシート又
は誘電体ペーストと内部電極ペーストのバインダ
は全べて同じ組成のものを用い、且つそれぞれの
バインダ添加量は、グリーンシート及び誘電体ペ
ーストを等しくし、内部電極ペーストはグリーン
シート又は誘電体ペーストの50〜80％としたこと
を特徴とする多層セラミツクコンデンサの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56119316A JPS5821813A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 多層セラミックコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56119316A JPS5821813A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 多層セラミックコンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821813A JPS5821813A (ja) | 1983-02-08 |
| JPS6347134B2 true JPS6347134B2 (ja) | 1988-09-20 |
Family
ID=14758425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56119316A Granted JPS5821813A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 多層セラミックコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821813A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6949822B2 (en) * | 2000-03-17 | 2005-09-27 | International Rectifier Corporation | Semiconductor multichip module package with improved thermal performance; reduced size and improved moisture resistance |
| JP7231340B2 (ja) * | 2018-06-05 | 2023-03-01 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP56119316A patent/JPS5821813A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5821813A (ja) | 1983-02-08 |
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