JPS6345192A - セラミツクスのメタライズ法 - Google Patents
セラミツクスのメタライズ法Info
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- Ceramic Products (AREA)
- Saccharide Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、銅化合物をセラミックス表面に焼付けるセラ
ミックスのメタライズ法に関するものである。
ミックスのメタライズ法に関するものである。
[従来技術]
一般に、セラミックスは、耐熱性、耐摩耗性、絶縁性等
に優れる反面、脆く衝撃に弱いために、構造材料として
用いられるときには、金属との接合体にして使用される
ことか多く、この場合には、金属とセラミックスとを接
合する前に、先ず、セラミックス表面をメタライズする
必要つくある。また、セラミックスを導電材料として用
いる場合には、セラミックス表面にメタライズを行って
使用されている。
に優れる反面、脆く衝撃に弱いために、構造材料として
用いられるときには、金属との接合体にして使用される
ことか多く、この場合には、金属とセラミックスとを接
合する前に、先ず、セラミックス表面をメタライズする
必要つくある。また、セラミックスを導電材料として用
いる場合には、セラミックス表面にメタライズを行って
使用されている。
セラミックスのメタライズ法としては、テレフンケン法
、活性金属法、水素化合物法、酸化物ソルダー法、炭酸
銅法等が知られているが、これらの内テレフンケン法以
外の方法は工程が複雑であるのに加えて、メタライズ層
の接合強度、耐熱衝撃性、耐化学薬品性等が充分でない
場合があるために、現在のところ、テレフンケン法によ
るのか一般的である。テレフンケン法は、セラミックス
表面にモリブデン−マンガンを被覆し、非酸化性雰囲気
中1400〜1700″Cという高lRで焼付け、その
上に金属メツキを行い、更に、波膜の安定化のために再
度非酸化性雰囲気中で加熱することによりメタライズし
、次いで必要に応じて金属をロウ接するものであり、作
業工捏が長く且つ煩雑であるという大きな欠点があるの
に加えて、加?)%温度が高いという欠点があった。
、活性金属法、水素化合物法、酸化物ソルダー法、炭酸
銅法等が知られているが、これらの内テレフンケン法以
外の方法は工程が複雑であるのに加えて、メタライズ層
の接合強度、耐熱衝撃性、耐化学薬品性等が充分でない
場合があるために、現在のところ、テレフンケン法によ
るのか一般的である。テレフンケン法は、セラミックス
表面にモリブデン−マンガンを被覆し、非酸化性雰囲気
中1400〜1700″Cという高lRで焼付け、その
上に金属メツキを行い、更に、波膜の安定化のために再
度非酸化性雰囲気中で加熱することによりメタライズし
、次いで必要に応じて金属をロウ接するものであり、作
業工捏が長く且つ煩雑であるという大きな欠点があるの
に加えて、加?)%温度が高いという欠点があった。
そこで、本発明者等は、上記欠点を解消するためのセラ
ミックスのメタライズ法として、すでに特願昭58−1
31575号(特開昭60−21888号)を出願して
おり、その発明の要旨は、炭酸銅、硫酸銅、硫化銅、酸
化銅及び塩化銅の少くとも一種と5iOzとの混合物を
lk 3層として用いるときには、空気等の酸化性雰囲
気中にて比較的低温で焼付けができ、次いで焼付は層を
還元処理すれば極めて簡便にメタライズできること、5
i02の併用によりメタライズ層の均−性特に表面の平
滑性および光沢か向上すること、得られたメタライズ層
は導電性に優れかつ常温における接合強度が向上するこ
と等の改良を行うことができた。
ミックスのメタライズ法として、すでに特願昭58−1
31575号(特開昭60−21888号)を出願して
おり、その発明の要旨は、炭酸銅、硫酸銅、硫化銅、酸
化銅及び塩化銅の少くとも一種と5iOzとの混合物を
lk 3層として用いるときには、空気等の酸化性雰囲
気中にて比較的低温で焼付けができ、次いで焼付は層を
還元処理すれば極めて簡便にメタライズできること、5
i02の併用によりメタライズ層の均−性特に表面の平
滑性および光沢か向上すること、得られたメタライズ層
は導電性に優れかつ常温における接合強度が向上するこ
と等の改良を行うことができた。
[発明が解決しようとする問題点]
前述した本発明者等の発明は、SiO2を混合したこと
によって、メタライズしたセラミックスと金属とを接合
した場合に、常温における接合強度をある程度向上させ
ることには成功した。しかし、セラミックスと金属とを
接合した接合体を常温で使用する場合、さらに500
℃乃至1000℃の高温中で使用する場合に、接合強度
か不足する欠点かあった。
によって、メタライズしたセラミックスと金属とを接合
した場合に、常温における接合強度をある程度向上させ
ることには成功した。しかし、セラミックスと金属とを
接合した接合体を常温で使用する場合、さらに500
℃乃至1000℃の高温中で使用する場合に、接合強度
か不足する欠点かあった。
[間居点を解決するための手段]
本発明者等は、セラミックスと金属との接合体の高温度
における強度を向上させるためには、熱膨張係数がセラ
ミックスと金属との中間であって、金属の熱膨脹とセラ
ミックスの熱膨脹との差の緩衝材として働くとともに熱
衝撃に強く1000℃での連続使用に耐える結晶化ガラ
スの成分を有する粉末と銅化合物の粉末との混合物をセ
ラミックスの波接合面に被覆し、大気等の酸化性雰囲気
中900〜1400℃で加熱して焼付けた後、焼付は層
を還元処理するセラミックスのメタライズ法を提案する
。
における強度を向上させるためには、熱膨張係数がセラ
ミックスと金属との中間であって、金属の熱膨脹とセラ
ミックスの熱膨脹との差の緩衝材として働くとともに熱
衝撃に強く1000℃での連続使用に耐える結晶化ガラ
スの成分を有する粉末と銅化合物の粉末との混合物をセ
ラミックスの波接合面に被覆し、大気等の酸化性雰囲気
中900〜1400℃で加熱して焼付けた後、焼付は層
を還元処理するセラミックスのメタライズ法を提案する
。
[作 用コ
本発明において被覆層として用いる炭酸銅、硫酸銅、硫
化銅、酸化銅及び塩化銅等の銅化物は、いずれも通常粉
末状のものを使用する。
化銅、酸化銅及び塩化銅等の銅化物は、いずれも通常粉
末状のものを使用する。
さらに上記の銅化物の粉末と、5i02゜Al2O3,
Li2OおよびM g OまたはZnOの一方もしくは
両者に、T i OzまたはZ r 02の一方もしく
は両者を3乃至5重−%を添加した結晶化ガラスの粉末
とを混合する。
Li2OおよびM g OまたはZnOの一方もしくは
両者に、T i OzまたはZ r 02の一方もしく
は両者を3乃至5重−%を添加した結晶化ガラスの粉末
とを混合する。
上記の混合物は、粉末状のまま使用してもよいし、適当
なバインダーおよびその溶剤、例えばスクリーンオイル
等の印刷用インキ、バルサム等を適量用いてペースト状
にして使用してもよい。
なバインダーおよびその溶剤、例えばスクリーンオイル
等の印刷用インキ、バルサム等を適量用いてペースト状
にして使用してもよい。
粉末状またはペースト状の混合物をメタライズが必要な
でラミックス表面に散布または塗布して被覆する。被覆
する量は、特に限定されず、所望のメタライズ層の厚さ
に応じて、適宜決定される。次に、上記で被覆されたセ
ラミックスを酸化性雰囲気中にて加熱して被覆層を焼付
ける。酸化性雰囲気としては、特殊なものを使用する必
要はなく、空気、空気と窒素との混合気等を使用すれば
充分である。また、加熱条件としては、セラミックスの
形状、大きさや用いた被覆層の種類、被覆量等により変
化するが、通常900〜1300 ℃の温度で5〜60
分間程分間熱する。この加熱により炭酸銅、硫酸銅、硫
化銅又は塩化銅は、酸化されて酸化銅になり、酸化銅を
主体とする被覆がでラミソクスに密着する。この際、酸
化銅の融液がセラミックス内に一部浸透することにより
接合強度が高められる。加熱温度が900℃より低い場
合は上記d透が起こらず接合強度が不充分になり、また
1400″Cより高い場合は被覆層の粘性が低下して流
出することがあるので好ましくない。
でラミックス表面に散布または塗布して被覆する。被覆
する量は、特に限定されず、所望のメタライズ層の厚さ
に応じて、適宜決定される。次に、上記で被覆されたセ
ラミックスを酸化性雰囲気中にて加熱して被覆層を焼付
ける。酸化性雰囲気としては、特殊なものを使用する必
要はなく、空気、空気と窒素との混合気等を使用すれば
充分である。また、加熱条件としては、セラミックスの
形状、大きさや用いた被覆層の種類、被覆量等により変
化するが、通常900〜1300 ℃の温度で5〜60
分間程分間熱する。この加熱により炭酸銅、硫酸銅、硫
化銅又は塩化銅は、酸化されて酸化銅になり、酸化銅を
主体とする被覆がでラミソクスに密着する。この際、酸
化銅の融液がセラミックス内に一部浸透することにより
接合強度が高められる。加熱温度が900℃より低い場
合は上記d透が起こらず接合強度が不充分になり、また
1400″Cより高い場合は被覆層の粘性が低下して流
出することがあるので好ましくない。
次に、上記により焼付は層が施されたセラミックスを還
元処理する。還元方法としては、特に限定されず、酸化
銅が金属銅に還元されるならばどんな方法でもよく、例
えば水素雰囲気、−酸化炭素雰囲気等の還元性雰囲気中
での加熱、エタノール、メタノール、プロパツール等の
アルコール類、ベンジン、ホルマリン等の還元性溶媒へ
の浸イ古等を挙げることができる。還元性雰囲気中てυ
oi11する場合の温度は、焼付は層の分解、変質等を
防ぐために前記焼付は温度よりも低いことが好ましく、
通常200〜900°C程度とし、時間は通常5〜60
分間程分間色する。また還元性溶媒への浸漬による場合
は、セラミックスを通常200〜500℃程度好ましく
は300°C程度に加熱後、上記還元性溶媒に10〜6
0秒間程、度浸漬すればよい。
元処理する。還元方法としては、特に限定されず、酸化
銅が金属銅に還元されるならばどんな方法でもよく、例
えば水素雰囲気、−酸化炭素雰囲気等の還元性雰囲気中
での加熱、エタノール、メタノール、プロパツール等の
アルコール類、ベンジン、ホルマリン等の還元性溶媒へ
の浸イ古等を挙げることができる。還元性雰囲気中てυ
oi11する場合の温度は、焼付は層の分解、変質等を
防ぐために前記焼付は温度よりも低いことが好ましく、
通常200〜900°C程度とし、時間は通常5〜60
分間程分間色する。また還元性溶媒への浸漬による場合
は、セラミックスを通常200〜500℃程度好ましく
は300°C程度に加熱後、上記還元性溶媒に10〜6
0秒間程、度浸漬すればよい。
上記還元処理により、極めて優れた導電性を有する銅メ
タライズ層かセラミックス表面に形成される。
タライズ層かセラミックス表面に形成される。
このようにしてメタライズされたセラミックスには、必
要に応じて、常法、例えばロウ接等により、各種金属を
容易に接合することができる。
要に応じて、常法、例えばロウ接等により、各種金属を
容易に接合することができる。
本発明によりメタライズできるセラミックスとしでは、
特に限定されず、例えば窒化ケイ素、サイアロン、炭化
ケイ素、窒化アルミニウム等の非酸化物系セラミックス
、アルミナ、ジルコニア、ムライト、ベリリア、マグネ
シア、コージライト等の酸化物系セラミックスを挙げる
ことができる。
特に限定されず、例えば窒化ケイ素、サイアロン、炭化
ケイ素、窒化アルミニウム等の非酸化物系セラミックス
、アルミナ、ジルコニア、ムライト、ベリリア、マグネ
シア、コージライト等の酸化物系セラミックスを挙げる
ことができる。
[実 施 例]
実施例1
酸化銅粉末と第1表に示す結晶化ガラスの成分の粉末と
をそれぞれ第2表に示す重量%の比率で混合したちの1
50[mgl に、スクリーンオイル0. 04〜0.
05 [cc]を混合してペースト状とし、これを平
板正方形の窒化ケイ素(Si3N4)の焼結体の波接合
面に、厚さ30〜80[μm]の薄膜をスクリーン印刷
によって塗布した。
をそれぞれ第2表に示す重量%の比率で混合したちの1
50[mgl に、スクリーンオイル0. 04〜0.
05 [cc]を混合してペースト状とし、これを平
板正方形の窒化ケイ素(Si3N4)の焼結体の波接合
面に、厚さ30〜80[μm]の薄膜をスクリーン印刷
によって塗布した。
つぎに、電気炉を用いて常温から約1200℃まで40
分間で昇温した後、1200℃で60分間焼成して焼付
は被覆層を形成した。
分間で昇温した後、1200℃で60分間焼成して焼付
は被覆層を形成した。
さらに、焼成したものを、ジメチルアミンボランr (
CH3)HN : BH3J 5 [g]を水100
[cc]に混入した液体中に常温で30分間浸漬し、つ
づいて水素13 [JL/win ]とアルゴンガスO
18[i/min ]との混合ガスを使用した還元炉に
、500[”C]、60分間保持して還元処理をして、
金属銅のメタライズ層が形成された。
CH3)HN : BH3J 5 [g]を水100
[cc]に混入した液体中に常温で30分間浸漬し、つ
づいて水素13 [JL/win ]とアルゴンガスO
18[i/min ]との混合ガスを使用した還元炉に
、500[”C]、60分間保持して還元処理をして、
金属銅のメタライズ層が形成された。
還元後のメタライズ層は、酸化銅粉末と結晶化ガラス成
分の粉末との混合比率によって第2表に示す抵抗値[Ω
/ cj Eを有している。
分の粉末との混合比率によって第2表に示す抵抗値[Ω
/ cj Eを有している。
また、上記の方法によってメタライズ層を形成したセラ
ミックスと銅片とを銀ロウを用いてロウ接し、メタライ
ズ層の常温における接合強度を測定した結果を第2表に
示す。
ミックスと銅片とを銀ロウを用いてロウ接し、メタライ
ズ層の常温における接合強度を測定した結果を第2表に
示す。
第2表から判明するように、結晶化ガラス成分の重量%
比が大になるほど接合強度が向上する反面、電気抵抗値
が大になっている。
比が大になるほど接合強度が向上する反面、電気抵抗値
が大になっている。
第 1 表
単位 重量%
第 2 表
実施例2
酸化銅粉末70乃至50重】?6と第1表に示す結晶化
ガラス成分30乃至50重重量との比率で、昆合したち
の150[mg]に、スクリーンオイル0.04〜0.
05 [cc]を混合してペースト状とし、これを平
板正方形の窒化ケイ素(Si3N4)、サイアロン、炭
化ケイ素(S i C) 、アルミナ(A1203)又
はジルコニア(ZrOz)の焼結体の被接合面に、厚さ
30〜80[μm]の薄膜をスクリーン印刷によって塗
布した。以後の処理は実施例1と同様である。
ガラス成分30乃至50重重量との比率で、昆合したち
の150[mg]に、スクリーンオイル0.04〜0.
05 [cc]を混合してペースト状とし、これを平
板正方形の窒化ケイ素(Si3N4)、サイアロン、炭
化ケイ素(S i C) 、アルミナ(A1203)又
はジルコニア(ZrOz)の焼結体の被接合面に、厚さ
30〜80[μm]の薄膜をスクリーン印刷によって塗
布した。以後の処理は実施例1と同様である。
上記の方法によってメタライズ層を形成したセラミック
スのメタライズ層の電気抵抗値、およびメタライズした
セラミックスと銅片とを銀ロウを用いてロウ接した接合
体の、常温、500[”C]の高;R度における接合強
度を第3表に示す。なお、()内は前述した特開昭60
−21888号公報に記載された発明を実施したときの
接合強度である。
スのメタライズ層の電気抵抗値、およびメタライズした
セラミックスと銅片とを銀ロウを用いてロウ接した接合
体の、常温、500[”C]の高;R度における接合強
度を第3表に示す。なお、()内は前述した特開昭60
−21888号公報に記載された発明を実施したときの
接合強度である。
第 3 表
()内は特開昭60−21888の
5iOzだけの場合
結晶化ガラス成分を混入することによって、高温度にお
ける接合強度を保持するとともに、結晶化ガラス成分の
熱膨張係数がセラミックス(例えば窒化ケイ素の場合3
.3 X 10−6/°C)と金属(例えば銅の場合1
6. 6 X 10’/℃)との中間にあるので、セラ
ミックスと金属との熱膨張の相違による歪を緩和するこ
とができるものと考えられる。
ける接合強度を保持するとともに、結晶化ガラス成分の
熱膨張係数がセラミックス(例えば窒化ケイ素の場合3
.3 X 10−6/°C)と金属(例えば銅の場合1
6. 6 X 10’/℃)との中間にあるので、セラ
ミックスと金属との熱膨張の相違による歪を緩和するこ
とができるものと考えられる。
[発明の効果]
本発明によれば、従来法に比べて低温で焼付は後、還元
処理するという極めて簡便な操作で、セラミックス表面
にメタライズ層が形成でき、得られたメタライズ層は導
電性に優れ、またメタライズ層の均一性、特に表面の平
滑性及び光沢に優れているので商品価値が高いという効
果の他に、常温で使用する場合、さらに500″C以上
の高温で使用する場合ても、接合強度を向上させること
ができる。
処理するという極めて簡便な操作で、セラミックス表面
にメタライズ層が形成でき、得られたメタライズ層は導
電性に優れ、またメタライズ層の均一性、特に表面の平
滑性及び光沢に優れているので商品価値が高いという効
果の他に、常温で使用する場合、さらに500″C以上
の高温で使用する場合ても、接合強度を向上させること
ができる。
本発明によりメタライズされたセラミックスは、上記の
如き性能を有するので、セラミックスパッケージ等の電
子部品、セラミックスを用いた耐摩耗性部品、耐熱性部
品等に好適に使用できる。
如き性能を有するので、セラミックスパッケージ等の電
子部品、セラミックスを用いた耐摩耗性部品、耐熱性部
品等に好適に使用できる。
復代理人
Claims (1)
- 酸化銅、硫化銅、炭酸銅、塩化銅等の銅化合物の粉末
と、SiO_2、Al_2O_3、Li_2OおよびM
gO又はZnOの一方もしくは両者にTiO_2又はZ
rO_2の一方もしくは両者を3乃至5重量%を添加し
た結晶化ガラスの粉末とを混合してセラミックス表面に
被覆し、酸化性雰囲気中900乃至1400[℃]で加
熱して焼付けた後、還元処理するセラミックスのメタラ
イズ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19015286A JPS6345192A (ja) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | セラミツクスのメタライズ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19015286A JPS6345192A (ja) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | セラミツクスのメタライズ法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6345192A true JPS6345192A (ja) | 1988-02-26 |
| JPH0336793B2 JPH0336793B2 (ja) | 1991-06-03 |
Family
ID=16253280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19015286A Granted JPS6345192A (ja) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | セラミツクスのメタライズ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6345192A (ja) |
-
1986
- 1986-08-12 JP JP19015286A patent/JPS6345192A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0336793B2 (ja) | 1991-06-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |