JPS6344989Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6344989Y2 JPS6344989Y2 JP1981133863U JP13386381U JPS6344989Y2 JP S6344989 Y2 JPS6344989 Y2 JP S6344989Y2 JP 1981133863 U JP1981133863 U JP 1981133863U JP 13386381 U JP13386381 U JP 13386381U JP S6344989 Y2 JPS6344989 Y2 JP S6344989Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waste liquid
- cup
- liquid cup
- wall
- rotating shaft
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 28
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims description 22
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 15
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は半導体ウエハーの表面にフオトレジス
ト膜を塗布する場合に用いる塗布装置の改良に関
するものである。
ト膜を塗布する場合に用いる塗布装置の改良に関
するものである。
この目的で使用する塗布装置は、第１図イ，ロ
に示すように半導体ウエハー１を廃液カツプ３内
の載置台２の上面に真空吸着させ、半導体ウエハ
ー１の上面にフオトレジストを滴下した後、載置
台２を高速回転させてフオトレジスト膜を半導体
ウエハー１の上面に均一に形成させるものであ
る。
に示すように半導体ウエハー１を廃液カツプ３内
の載置台２の上面に真空吸着させ、半導体ウエハ
ー１の上面にフオトレジストを滴下した後、載置
台２を高速回転させてフオトレジスト膜を半導体
ウエハー１の上面に均一に形成させるものであ
る。
ところが、半導体ウエハー１の回転により振り
切られた余剰のフオトレジストは廃液カツプ３内
に飛散し、その底部５にためられるがフオトレジ
ストの粘性が高いためフオトレジストは廃液カツ
プの底部にたまつたままで廃液ホース４から流れ
出にくく、この状態のまま使用すると、半導体ウ
エハーの下面や上面に、飛散したフオトレジスト
が付着することがあり、従つて適当な頻度でカツ
プの洗浄を行う必要があつた。
切られた余剰のフオトレジストは廃液カツプ３内
に飛散し、その底部５にためられるがフオトレジ
ストの粘性が高いためフオトレジストは廃液カツ
プの底部にたまつたままで廃液ホース４から流れ
出にくく、この状態のまま使用すると、半導体ウ
エハーの下面や上面に、飛散したフオトレジスト
が付着することがあり、従つて適当な頻度でカツ
プの洗浄を行う必要があつた。
本考案の目的は前記問題点を解消するもので、
飛散したフオトレジストを洗浄液に溶解させなが
らカツプ内を払拭して有効な洗浄を行う装置を提
供することにある。
飛散したフオトレジストを洗浄液に溶解させなが
らカツプ内を払拭して有効な洗浄を行う装置を提
供することにある。
本案は廃液カツプ内で半導体ウエハーに感光溶
剤を塗布する塗布装置において、該廃液カツプの
底面を中高の円錐形として、中高の中央にウエハ
ーの載置台を備えた回転軸を設置し、底面の外縁
に排液溝を設け、廃液カツプの底面および外壁の
内面に向けて洗浄液を噴出するノズルを備えた洗
浄パイプを配管し、前記回転軸に廃液カツプの底
面および外壁内面を払拭するブラシアームを装着
したことを特徴とする塗布装置である。
剤を塗布する塗布装置において、該廃液カツプの
底面を中高の円錐形として、中高の中央にウエハ
ーの載置台を備えた回転軸を設置し、底面の外縁
に排液溝を設け、廃液カツプの底面および外壁の
内面に向けて洗浄液を噴出するノズルを備えた洗
浄パイプを配管し、前記回転軸に廃液カツプの底
面および外壁内面を払拭するブラシアームを装着
したことを特徴とする塗布装置である。
次に本考案の実施例を図面によつて説明する。
第２図において、廃液カツプ１０の底面１１を
円錐形としてその表面に傾斜面を付し、中高の中
央部分を貫通して回転軸１３を垂直に設置し、そ
の上端に半導体ウエハーの載置台７を取付ける。
底面１１の外縁には、最高位置１４より互いに逆
方向に向けて円周方向に下傾した排液溝１１ａを
設け、その最低位置１５に送出口１２を開口す
る。また、底面１１の内縁を回転軸１３の周囲に
立ち上がらせて内壁１１ｂを形成し、該内壁１１
ｂの外周に、洗浄液を底面１１の傾斜面に向けて
噴出するノズルを備えた洗浄パイプ９を配管し、
また、洗浄カツプ１０の外壁１０ａの側には、洗
浄液を外壁１０ａの内面に沿つて噴出するノズル
を備えた洗浄パイプ８を配置する。
円錐形としてその表面に傾斜面を付し、中高の中
央部分を貫通して回転軸１３を垂直に設置し、そ
の上端に半導体ウエハーの載置台７を取付ける。
底面１１の外縁には、最高位置１４より互いに逆
方向に向けて円周方向に下傾した排液溝１１ａを
設け、その最低位置１５に送出口１２を開口す
る。また、底面１１の内縁を回転軸１３の周囲に
立ち上がらせて内壁１１ｂを形成し、該内壁１１
ｂの外周に、洗浄液を底面１１の傾斜面に向けて
噴出するノズルを備えた洗浄パイプ９を配管し、
また、洗浄カツプ１０の外壁１０ａの側には、洗
浄液を外壁１０ａの内面に沿つて噴出するノズル
を備えた洗浄パイプ８を配置する。
一方、前記回転軸１３にはブラシアーム１６を
装着する。ブラシアーム１６の一例を第３図イ，
ロに示す。第３図イ，ロにおいて、ブラシアーム
１６は廃液カツプ１０の底面１１および外壁１０
の内面を払拭する刷子１８を備え、本体中央に取
付孔１７を設けたものである。この取付孔１７を
回転軸１３に嵌め合せてブラシアーム１６を回転
軸１３に装着する。
装着する。ブラシアーム１６の一例を第３図イ，
ロに示す。第３図イ，ロにおいて、ブラシアーム
１６は廃液カツプ１０の底面１１および外壁１０
の内面を払拭する刷子１８を備え、本体中央に取
付孔１７を設けたものである。この取付孔１７を
回転軸１３に嵌め合せてブラシアーム１６を回転
軸１３に装着する。
上記構成において、半導体ウエハー６を載置台
７上に真空吸着させ、フオトレジストを半導体ウ
エハー６の上面に滴下した後、載置台７を高速回
転させると、余剰のフオトレジストは振り切られ
て半導体ウエハー６の上面に均一なフオトレジス
ト膜が形成される。この時振り切られたフオトレ
ジストは廃液カツプ１０の外壁１０ａの内面、底
面１１の傾斜面などに付着する。そこで、フオト
レジストの塗布中に、洗浄パイプ８，９より、洗
浄剤として有機溶剤を流し続けるとともに回転軸
１３の回転によつてブラシアーム１６を回転させ
る。廃液カツプ１０の各部に付着したフオトレジ
ストは洗浄剤に溶解し、さらに刷子１８で払拭さ
れて排液溝１１ａ中に集められ、その最高位置１
４より最低位置１５に向けて流れ、送出口より外
部へ排出される。
７上に真空吸着させ、フオトレジストを半導体ウ
エハー６の上面に滴下した後、載置台７を高速回
転させると、余剰のフオトレジストは振り切られ
て半導体ウエハー６の上面に均一なフオトレジス
ト膜が形成される。この時振り切られたフオトレ
ジストは廃液カツプ１０の外壁１０ａの内面、底
面１１の傾斜面などに付着する。そこで、フオト
レジストの塗布中に、洗浄パイプ８，９より、洗
浄剤として有機溶剤を流し続けるとともに回転軸
１３の回転によつてブラシアーム１６を回転させ
る。廃液カツプ１０の各部に付着したフオトレジ
ストは洗浄剤に溶解し、さらに刷子１８で払拭さ
れて排液溝１１ａ中に集められ、その最高位置１
４より最低位置１５に向けて流れ、送出口より外
部へ排出される。
以上のように本考案によれば廃液カツプ内に有
機溶剤を流し続け、かつ、ブラシアームを回転さ
せて廃液カツプの外壁面および底部に傾斜面を払
拭するため、振り切られたフオトレジストがカツ
プ底部や内側部にたまることがなく、常時カツプ
内を清浄に保ち、あわせて、半導体ウエハー表面
や裏面へのフオトレジストの再付着を防止するこ
とができ、飛散レジストの除去効果を高め、あわ
せて廃液カツプの洗浄作業の頻度を減らして作業
性を向上できる効果を有する。
機溶剤を流し続け、かつ、ブラシアームを回転さ
せて廃液カツプの外壁面および底部に傾斜面を払
拭するため、振り切られたフオトレジストがカツ
プ底部や内側部にたまることがなく、常時カツプ
内を清浄に保ち、あわせて、半導体ウエハー表面
や裏面へのフオトレジストの再付着を防止するこ
とができ、飛散レジストの除去効果を高め、あわ
せて廃液カツプの洗浄作業の頻度を減らして作業
性を向上できる効果を有する。
第１図イ，ロは従来の塗布装置を示すもので、
第１図イは半断面平面図、第１図ロは同中央縦断
面図、第２図イ，ロは本考案に係る塗布装置を示
すもので、第２図イは半断面平面図、第２図ロは
同中央縦断面図、第３図イはブラシアームの平面
図、第３図ロは同中央縦断面図である。 ８，９……洗浄パイプ、１０……廃液カツプ、
１１……廃液カツプの底面、１６……ブラシアー
ム。
第１図イは半断面平面図、第１図ロは同中央縦断
面図、第２図イ，ロは本考案に係る塗布装置を示
すもので、第２図イは半断面平面図、第２図ロは
同中央縦断面図、第３図イはブラシアームの平面
図、第３図ロは同中央縦断面図である。 ８，９……洗浄パイプ、１０……廃液カツプ、
１１……廃液カツプの底面、１６……ブラシアー
ム。
Claims (1)
- 廃液カツプ内で半導体ウエハーに感光溶剤を塗
布する塗布装置において、該廃液カツプの底面を
中高の円錐形として、中高の中央にウエハーの載
置台を備えた回転軸を設置し、底面の外縁に排液
溝を設け、廃液カツプの底面および外壁の内面に
向けて洗浄液を噴出するノズルを備えた洗浄パイ
プを配管し、前記回転軸に廃液カツプの底面およ
び外壁内面を払拭するブラシアームを装着したこ
とを特徴とする塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13386381U JPS5840275U (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13386381U JPS5840275U (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5840275U JPS5840275U (ja) | 1983-03-16 |
| JPS6344989Y2 true JPS6344989Y2 (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=29927308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13386381U Granted JPS5840275U (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5840275U (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6481223A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Nec Corp | Coater for multi-layer film |
| JP5265943B2 (ja) * | 2008-02-28 | 2013-08-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP5461236B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2014-04-02 | 株式会社高田工業所 | 半導体基板の処理装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57197069U (ja) * | 1981-06-11 | 1982-12-14 |
-
1981
- 1981-09-09 JP JP13386381U patent/JPS5840275U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5840275U (ja) | 1983-03-16 |
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