JPS6343910A - 光デイスク基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、光ディスク基板に関する。更に詳しくは、光
線透過率、吸水率および複屈折の優れたビニルシクロヘ
キサン系重合体（Ａ）を主成分とする非晶性熱可塑性樹
脂より構成され、光学式高密度情報記録媒体として使用
される光ディスク基板に関するものである。

「従来の技術」 コンピュータを利用した情報処理技術が進むに伴ない、
大容量のデノタルデータ記憶装置が必要となってきてお
り、産業用のファイルシステム等のデータ記録、民生用
の画像記録および音声記録等の記憶装置としては、光デ
ィスクが使用されるようになった。この光ディスクとは
レーザーの光ディスク面における光学反射または磁気効
果等による変化を利用して、光ディスク面からデノタル
信号を再生および／＊たは記録できるようにした、光学
式高密度情報記録媒体である。

これ迄、光ディスクとしては、フンバクトディスク、ビ
デオディスク、コンピュータ用光メモリディスク、光磁
気ディスクおよび光カード等のデノタルデータ記憶装置
が開発または使用されている。これら光ディスクは、光
ディスク基板およびメモリー８！能膜等から構成される
が、このうち光ディスク基板用材料としては、次のよう
な特性が要求されている。

■　光線透過率が高いこと ■　吸水率および吸水１法変化が小さいこと■　複屈折
が小さいこと ■　屈折率のバラツキが小さいこと ■　熱変形温度が高いこと ■　成形性が良好なこと 従来、光ディスク基板用材料としては、メチルメタクリ
レート樹脂、ポリカーボネート樹脂等の熱可塑性樹脂、
エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、ガラス等の無機材料が
使用されている。これらの光ディスク基板用材料は、上
記した要求特性について、各々いくつかの欠点を持って
いる。

メチルメタクリレート樹脂は、吸水率が大きく、吸水に
よって寸法が経時的に変化し、使用途中で尤ディスク基
板に反りを生じ、光ディスクとして重要な平面性が低下
したり、クラックが生じたり、また２枚貼り合せの光デ
ィスクとした場合には接着部が剥離したり、歪応力によ
り複屈折が現われ易い等の欠点があった。これらの欠点
を軽減するため、特開昭ｆ３０−２１７２１５に示され
るような疎水性単量体を共重合したり、または光ディス
クの表面に疎水性膜を形成させ、吸水率を減少させる試
みがなされているが、充分ではない、メチルメタクリレ
−１ｆｒｒ６の吸水率を大巾に減少させることは、分子
構造からみて、極めて困難である。

この樹脂は熱変形温度が低いのも、欠点の一つである。

ポリカーボネート樹脂は、複屈折が大きいので、複屈折
が小さくなる条件で光ディスク基板を成形する方法が採
用されているが、まだ充分には解決されていない、この
ため、複屈折の許容限度が比較的緩かな小口径で再生専
用の音楽用のコンパクトディスク等には、よく使用され
ている。また、ポリカーボネート樹脂は、表面硬度が低
いため、光ディスクの使用中に表面が傷つき易い。

エポキシ樹脂は、熱硬化性樹脂に特有な成形装置が必要
であり、熱可塑性樹脂と比べて、成形サイクルが長く成
形コストが高くなる。さらに、再生使用ができないとい
う欠点もある。

プラスを光ディスク基板として使用するときは、プラス
の密度が大きいので光ディスクが重くなる、　　という
欠点と、衝撃強度が小さいためガラス製の光ディスクの
使用および保存等の取扱いは、慎重にしなければならな
いという欠点がある。＊た、ガラスは、熱可塑性樹脂で
はないでの、大量生産システムである樹脂成形工程では
製造できない。

さらに、ガラス製の光ディスク基板は、表面樹脂加工と
後処理等の複雑なメモリー記録工程が必要になり、生産
性が低くコストが高くなる。

［発明が解決しようとする問題点」 本発明者らは、上記のような従来の光ディスク基板の諸
欠点を解決することを目的として、鋭意研究を重ねた結
果、本発明を完成するに至ったものである。すなわち、
光学式高密度情報記録媒体として使用される、光線透過
率、吸水率、および複屈折の優れたビニルシクロヘキサ
ン系重合体（Ａ）を主成分とする非晶性熱可塑性樹脂よ
りなる、光ディスク基板を提供しようとするものである
。

Ｅ問題点を解決するための手段」 しかして本発明の要旨とするところは、分子鎖中にビニ
ルシクロヘキサン成分を８０重量％以上含有するビニル
シクロヘキサン系重合体（Ａ）１００〜８０重量％、お
よびビニル芳香族系重合体（Ｂ）θ〜２０重景％重量な
り、かつ、光線透過率が８５％以上、吸水率が０．１重
量％以下、および複屈折が５（）ｎｍ以下の非晶性熱可
塑性樹脂よりなることを特徴とする光ディスク基板に存
する。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明に係る光ディスク基板は、非晶性熱可塑性樹脂に
よって構成される。

本発明において、非晶性熱可塑性樹脂とは、立体規則性
または結晶性のものを大質的に含まない熱可塑性樹脂を
いう、光ディスク基板の構成樹脂を非晶性熱可塑性樹脂
とするのは、内部構造に立体規則性または結晶性がある
と、光学的に不均質となり濁りまたはゆらぎ等の原因と
なるからである。内部構造の立体規則性または結晶性が
実質的に無視でき非晶性と考えられる場合には、上記の
非晶性熱可塑性樹脂は、光学的に均質で透明となり、光
ディスク基板に好適なものとなる。

上記の非晶性熱可塑性樹脂は、それ自体で成形可能なも
のがよい。成形可能なものとは、通常の押出成形、射出
成形、圧縮成形等の成形法によって、実用的な強度を６
つな製品が得られることを意味し、特に低分子量のもの
または超高分子量のものではないことを意味している。

本発明に係る光ディスク基板は、分子鎖中にビニルシク
ロヘキサン成分を８０重量％以上含有するビニルシクロ
ヘキサン系重合体（Ａ）１００〜８０重量％、およびビ
ニル芳香族系重合体（Ｂ）０〜２０重世％よりなる非晶
性熱可塑性樹脂によってｖｔ成される。

本発明に係る光ディスク基板用としてのビニルシクロヘ
キサン系重合体（Ａ）は、分子鎖中にビニルシクロヘキ
サン成分を８０重量％以上含有する重合体でなければな
らない、ビニルシクロヘキサン成分を８０重量％以上含
有していないと、光ディスク基板として重要な物性であ
る光線透過率、吸水率、複屈折等が不良となり、諸物性
間のパラン又が悪化するからである。

ビニルシクロヘキサン系重合体（Ａ）とビニル芳香族系
重合体（Ｂ）とを混合する際には、ビニル芳香族系重合
体（Ｂ）を２０＠ｆ１％まで混合することができる。ビ
ニル芳香族系重合体（Ｂ）を混合すると、上記の非晶性
熱可塑性樹脂の成形加工性を向上し、耐衝撃性等の諸物
性の向上を図ることができるので好ましい、しかし、ビ
ニル芳香族系重合体（Ｂ）を２０重量％以下にしないと
、光ディスク基板において特に重要な複屈折が規格を超
え、混合物が相溶性を失って濁りを生じ光線透過率が低
下するので好ましくない。

ビニルシクロヘキサン系重合体（Ａ）は、次の二つの方
法によって容易に製造することができる。

■　ビニル芳香族系重合体（Ｂ）を水素化して、ビニル
シクロヘキサン系重合体（Ａ）とする方法。

■　ビニルシクロヘキサン類等の化合物を原料として、
重合反応により、ビニルシクロヘキサン系重合体（Ａ）
とする方法。

本発明でビニル芳香族系重合体（Ｂ）とは、ビニル芳香
族化合物の非晶性の重合体、およびビニル芳香族化合物
を主成分とし、ビニル芳香族化合物と共重合しうる少量
の他のビニル化合物を含む非晶性の共重合体をいう、共
重合体の場合は、他のビニル化合物を２０重量％まで含
んでいてもよい。

２０重量％を超えると、ビニル芳香族系重合体（Ｂ）の
光線透過率、成形加工性、耐熱性、耐衝撃性または表面
硬度等の性質が低下するおそれがでてくるので、好まし
くない、ビニル芳香族系重合体（Ｂ）が非晶性であると
、これを水素化して得られるビニルシクロヘキサン系重
合体（Ａ）も非晶性となり光ディスク基板構成材料とし
て好適である。

ビニル芳香族化合物としては、スチレン、α−メチルス
チレン、ｐ−メチルスチレン、ｔ−ブチルスチレンまた
はビニルナフタレン等があげられる。

これらは、１種または２種以上の混合物であってもよい
。

他のビニル化合物としては、ブタジェン、イソプレン等
のジエン系化合物、メチルメタクリレート、シクロヘキ
シルメタクリレート等のメタクリル酸エステル類、メチ
ル７クリレート、ブチルアクリレート等のアクリル酸エ
ステル類、メタクリル酸、アクリル酸、イタコン酸また
はアクリロニトリル等があげられる。これらは、１種ま
たは２種以上の混合物であってもよい。

ビニル芳香族系重合体（Ｂ）の製法は、特に制限がない
、ビニル芳香族系重合体（Ｂ）は、上記化合物を原料と
し、既存の合Ｊ＆樹脂または合成ゴムの製造で使用して
いるラジカル重合触媒または７ニオン重合触媒を用い、
塊状、溶液、懸濁、または乳化等の重合方法により、！
！遣することができる。

前記■の方法によって、ビニル芳香族系重合体（Ｂ）を
水素化して、ビニルシクロヘキサン系重合体（Ａ）を得
るには、次のような手順によることができる。

この■の方法によるときは、重合体分子ａｕｒｔ中の芳
香族環を構成する炭素に水素を付加するので、通常のオ
レフィン化合物の水素化の場合と較べて、過酷な水素化
条件が必要である。

すなわち、水素化触媒としては、触媒活性および触媒選
択性が高いものを、選択し使用するのが好ましい、これ
以外の水素化触媒を使用すると、水素化に時間がかかる
ばかりでなく、水素化されるビニル芳香族系重合体（Ｂ
）の分子鎖が切断するという副反応が起き、ビニルシク
ロヘキサン系重合体（Ａ）の分子量低下の原因となる。

前記■の方法において使用でさる水素化触媒の形態とし
ては、固体状および液状の触媒があげられる。固体状の
触媒の具体例としては、ルテニウム、ロジウム、パラジ
ウム、白金、ニッケル等の貴金属の微粉末、またはこれ
ら貴金属類を活性炭等の担体上に担持した触媒、等があ
げられる６液状の水素化触媒の具体例としては、クロム
またはコバルト等の遷移金属元素の有機溶媒に可溶化し
た錯体をアルキル金属化合物により還元して得られる溶
液型の触媒等があげられる。

前記■の方法によるときは、水素化反応を溶液中で行う
のがよい、この際、使用しうる溶媒としでは、ビニル芳
香ｔｌＸ系重合体（Ｂ）および生成するビニルシクロヘ
キサン系重合体（Ａ）を溶解でさる溶ｌ１５ｃ系で、触
媒毒とならない溶媒がよい、溶媒の具体例としては、シ
クロヘキサン等のシクロアルカン類、およびｎ−ヘキサ
ン等のアルカン類等があげられる。水素化条件を１１ｇ
するために、前記溶媒系にアルコール類等の極性化合物
を、若干量添加してもよい。

水素化反応条件は、ビニル芳香族系重合体（Ｂ）の種類
、濃度、触媒の種類、濃度、および使用する溶媒等に応
じて、反応温度、反応圧力および反応時間等、これまで
通常採用されている水素化反応の条件を、適宜組み合せ
選択することができる。

前記■の方法によるときは、水素化反応を終えた後、反
応溶液からの触媒の除去等後処理をするのが好ましい、
これは、触媒の除去が不充分だと、得られるビニルシク
ロヘキサン系重合体（Ａ）の光線透過率の低下、および
異物混入等の原因となるからである。

水素化触媒を除去した反応溶液から、ス）　ＩＪッピン
グまたは再沈澱等の方法により溶媒を除き、乾燥するこ
とによって、ビニルシクロヘキサン系重合体（Ａ）を得
ることができる。

前記■の方法によるときは、ビニル芳香族系重合体（Ｂ
）の分子ｆＩＩＩｌｊ中のランダムな芳香族環に水素が
付加したものが得られる１通常は、一つの芳香族環を構
成する全ての炭素について、−斉に水素の付加反応がお
こる。

この■の方法に従って、分子鎖中にビニルシクロヘキサ
ン成分を８０重量％以上含有するビニルシクロヘキサン
系重合体（Ａ）を得るには、ビニル芳香族系重合体ＣＢ
）の分子ｇＡ鎖中の芳香族環の８０重量％以上を水素化
する条件を選択すればよい。ビニル芳香族系重合体（Ｂ
）が他のビニル化合物を含む共重合体であるときは、分
子側鎖中の芳香族環の水素化率を高める条件を選択すれ
ばよい。

前記■の方法によってビニルシクロヘキサン系重合体（
Ａ）を得るには、カチオン重合方法とチーグラー型触媒
を用いて配位アニオン重合による方法がある。

この■の方法によるときは、ビニルシクロヘキサン類化
合物の重合体、またはビニルシクロヘキサン類化合物を
主成分とし、ビニルシクロヘキサン類化合物と共重合し
うる少量の他のビニル化合物との共重合体が得られる。

共重合体の場合には、他のビニル化合物を２０重重量以
下に１１ｇすれば、分子鎖中にビニルシクロヘキサン成
分を８０重量％以上含有するビニルシクロヘキサン系重
合体（Ａ）を容易に得ることができる。

ビニルシクロヘキサン類化合物としては、ビニルシクロ
ヘキサン、ａ−メチルビニルシクロヘキサン、ビニルブ
チルシクロヘキサンおよびビニルブチルシクロヘキサン
等があげられる。これらは１種または２種以」二の混合
物であってもよい。

他のビニル化合物としては、先きにビニル芳香族化合物
と共重合しうるちのとして例示した化合物のほか、エチ
レン、プロピレン、４−メチル−１−ペンテン等のａ−
才しフィン類等があげられる。これらは１種または２種
以上の混合物であってもよい、これら化合物は、目的と
するビニルシクロヘキサン系重合体（Ａ）の性質、採用
する重合方式および重合触媒等に応じて、適宜選択組み
合せることができる。

前記■の方法のうち、カチオン重合による方法では、通
常のカチオン重合技術をそのまま使用してよい０例えば
、上記化合物を用い、三臭化アルミニウム等のカチオン
重合触媒を使用して、０℃以下の重合温度で、溶液重合
により、ビニルシクロヘキサン系重合体（Ａ）を得るこ
とができる。カチオン重合においては、低分子量のビニ
ルシクロヘキサン系重合体（Ａ）が生成し易いので、重
合温度を低くして、重合における連鎖移動を小さくする
のが好ましい。

前記■の方法において、チーグラー型触媒を用いた配位
アニオン重合による方法では、通常の配位アニオン重合
による技術をそのまま用いてよい。

例えば、前記化合物の単量体を用い、三塩化バナノウム
ートリエチルアルミニウム等の遷移金属化合物とアルキ
ル金属化合物による錯体のチーグラー型触媒を使用して
、０℃〜１５０℃で重合することにより、ビニルシクロ
ヘキサン系重合体（Ａ）を得ることができる。チーグラ
ー型触媒は、生成する重合体の内部構造に立体規則性や
結晶性を付与する傾向があるので、非晶性のビニルシク
ロヘキサン系重合体＜Ａ）を得るためには、チーグラー
型触媒の種類および使用する単量体化合物の種類に応じ
て、適宜、重合系に添加剤または助触媒として、ラング
マイザー、アタクチック化剤、または遷移金属化合物の
複合使用等を行うのが好ましν１゜ 上記ビニルシクロヘキサン系重合体（Ａ）に混合するこ
とができるビニル芳香族系重合体（Ｂ）は、ビニルシク
ロヘキサン系重合体（Ａ）の製造方法■の記載部分にお
けるビニル芳香族系重合体ＣＢ）の内容と同一である。

本発明に係る光ディスク基板は、前記の非晶性熱可塑性
樹脂を原料として、コンパクトディスクまたは光ディス
ク成形用の射出成形８！または圧縮成形８１等を用いた
、成形によって得られる。光ディスク基板の成形には、
光ディスクの精微な凹凸に対応した金型と、成形歪を小
さくするための成形条件の選択が必要である。光ディス
ク基板の成形途中での異物の混入を防ぐため、クリーン
ルームのような清浄な雰囲気で作業するのが必要である
。

本発明の目的を効果的に達成するためには、前記の非晶
性熱可塑性樹脂は、光線透過率が８５％以上、吸水率が
０．１重量％以下、および複屈折が５０ｎｍ以下でなけ
ればならない。

本発明において「光線透過率」とは、ＪＩＳ　　Ｋ７１
０５−１９８１（測定法Ａ）に従い、積分球式光線透過
率測定装置を使用して、厚さ２．５±０．２ｍｍ／）成
形板の全光線透過率を測定した６つをいう。熱可塑性樹
Ｔの光線透過率が、８５％未満の場合には、光ディスク
基板内にレーザーが吸収され、光ディスクのデジタル信
号の再生お上り／または記録が困難となるので、好まし
くない。

本発明において「吸水率」とは、ＪＩＳ　　Ｋ　　７２
０９−１９８４（Ａ法）に従い、厚さ２．５±０．２−
１の成形板を所定の正方形にａ断し、蒸留水に２４±１
時間浸漬して、測定した吸水率をいう。

熱可塑性ム（脂の吸水率が０．１重量％を超える場合に
は、光ディスク基板の吸水または吸湿により、光ディス
ク使用途中で反りを生じたり、メモリー機能膜を劣化さ
せ、耐用年限を低下させるおそれがあるので、好ましく
ない。

本発明において「複屈折」とは、日本光学工業（株）製
ニコンの偏光顕微鏡を使用して、光線波長５４６０論で
セナルモンコンペンセーター法（二上り、コンパクトデ
ィスク基板成形品の情報記録部の中央部分を基準として
、１パスのりターデーシランを測定したものをいう、基
板の複屈折が５０ｒ＋ａ＋を超える場合には、光ディス
クのメモリー８！能膜の情報記録部分へ、レーザーを集
中することが困難となるので、好ましくない。

非晶性熱可塑性樹脂には、必要に応じて、離型剤、流動
性改良剤、熱安定剤、耐光性安定剤、帯電防止剤、およ
び着色剤のような助剤を、適宜組み合せ加えてもよい。

本発明に係る光ディスク基板を光ディスクとする際には
、その表面に金属蒸着による金属被覆膜または有機系記
録媒体の塗布膜等のメモリー機能膜を設け、その上に保
護膜等を施す等の手順により、目的の光ディスクに組み
立てられる。この光ディスクは、コンパクトディスク、
ビデオディスク、フンビエータ用光メモリディスク、光
磁気ディスク、および光カード等の光学式高密度情報記
録媒体として使用される。

「発明の効果」 本発明は、以上詳細に説明したとおりであり、次のよう
に特別に顕著な効果を奏し、その産業上の利用価値は極
めて大である。

（１）　本発明に係る光ディスク基板は、メチルメタク
リレート樹脂よりなる光ディスク基板に比較して、吸水
による変形が小さく、吸水に伴なうメモリー８！能膜の
劣化が少な（、耐熱性が優れている。

（２）本発明に係る光ディスク基板は、ポリカーボネー
ト樹脂よりなる光ディスク基板に比較して、吸水による
変形が小さく、表面が硬く、表面に傷がつき難い。

（３）本発明に係る光ディスク基板は、〃テス製の光デ
ィスク基板に比較して、密度が小さく軽量で、大量生産
工程で製造可能であり生産性が優れている。

「実施例」 次に、本発明を製造例および実施例に基づいて、更に詳
細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以
下の例に限定されるものではない。

なお、以下の例における各種物性は、次に記載の方法に
よって測定したものである。

屈折率： ＪＩＳ　　Ｋ　　７１０５−１９８１に従い、アツベ屈
折計を使用して、厚さ２．５±０．２１の成形板の屈折
率を測定した。

密度： ＪＩＳ　　Ｋ　　７１１２−１９８０（Ａ法）に従い、
蒸留水に浸漬して、厚さ２．５±０．２Ｉ＊ＩＩの成形
板の密度を測定した。

ロックウェル硬さ： ＪＩＳ　　Ｋ　　７２０２−１９８２に従い、厚さ１０
±０．５−一の成形品のロックウェル硬さくＭスケール
・ＨＲＭ）を測定した。

荷重たわみ温度： ＪＩＳ　　Ｋ　　７２０７−１９８３（Ａ法）に従い、
７二−リングなしの荷重たわみ温度を測定した。

水素化率： 核磁気共鳴装置（ＮＭＲ・日本電子（株）製Ｇ−２７０
型）を使用して、ビニルシクロヘキサン系重合体の重水
素化クロロホルム溶液の１３０分析値から、水素化率を
算出した。

分子１ｉニ ゲル・パーミエーシａン・クロマトグラフィー（ＧＰＣ
）法により、ポリスチレンの分子量測定方法に準拠して
、ビニルシクロヘキサン系ｍ合体ａ＞分子量を測定した
。Ｍｗはポリスチレン換算重量平均分子量、Ｍｎはポリ
スチレン換算数平均分子量およびＭ　ｗ　／　Ｍ　ｎは
ＭｗとＭｎの比を意味する。

製造例１ 内容積が５リツトルの、水素化反応温度を調節するため
の電熱加熱装置、および電磁攪拌装置を備えた、ステン
レス鋼製オートクレーブを準備した。このオートクレー
ブに汎用ポリスチレン（三菱モンサント化成（株）製造
・ダイヤレックスＨＨ−１０２）３００ｇ、シクロヘキ
サン（試薬特級）２１００ｇ、ルテニウム水素化触媒（
日本エンデルハルト（株）Ｓｌ造・活性炭担体・５重量
％ルテニウム担持・含水品）１００．およびイソプロピ
ルアルコール（試薬特級）１５０．をそれぞれ秤量し、
予め混合した混合物として、オートクレーブ内に仕込ん
だ、仕込み終了後、オートクレーブ内雰囲気を窒素ガス
で置換した。オートクレーブ内容物を、攪拌翼毎分１０
００回の速度で撹拌しながら、第１表に示す所定水素化
反応温度まで昇温し、水・素〃スを４５　ｋｇ／　ｅｔ
ａ２の圧力で自動圧力３！！ｇ器から導入した。水素化
反応条件（温度および時間）を、第１表に示すように設
定し、設定した条件に沿って昇温、維持させるとともに
、オートクレーブ内圧力を４５　ｋｇ／　ａｍ”に維持
するように、水素ガスの導入を続けた。

その後、水素化反応を終了し、オートクレーブ内温を室
温まで冷却し、残存水素ガスをオートクレープから除去
した後、内容物のシクロヘキサン溶液を取り出した。こ
のシクロヘキサン溶液にあらたにシクロヘキサン約２　
、ＯＯＯ，を追加し、遠心分離およびｆ過を行い、ルテ
ニウム触媒および不溶性異物を除去した。無色透明とな
ったシクロヘキサン溶液をメチルフルコール（試薬−級
）１０リツトル中に注ぎ、ビニルシクロヘキサン重合体
を析出させた。ビニルシクロヘキサン重合体を傾瀉法に
より分離し、メチルアルコールで洗浄した後、減圧乾燥
機により乾燥し、ビニルシクロヘキサン重合体を得た。

得られたビニルシクロヘキサン重合体の収量および各物
性を測定し、結果を第２表に示した。

製造例２ 製造例１において使用したと同一のオートクレーブを用
い、同一の手順で原料、溶媒、触媒を仕込んだ。水素化
条件を第１表に示すように変更した以外は、同例におけ
ると同様の手順により、水素化反応を続けた。反応を終
了した後、ポリスチレン５ｇをシクロヘキサン反応溶液
に加え、溶解させた。その後、製造例１におけると同様
に、触媒除去、析出、洗浄後、乾燥の各工程を経て、ビ
ニルシクロヘキサン重合体を主成分とするポリマーを得
た。

収量および各物性を測定し、結果を第２表に示した。

製造例３ 製造例１において使用したと同一のオートクレーブを用
い、同例における汎用ポリスチレン３００ｇに代えて、
水中懸濁重合により製造したパラ・ターシャリ−・ブチ
ルスチレン・ポリマー（Ｍｗ＝２０，４Ｘ１０’、Ｍｎ
＝１１．２Ｘ１０’、Ｍｗ／Ｍｎ＝　１．８２）３００
ｇ　を佳込んだ。水素化条件を第１表に示すように変更
した以外は、製造例１におけると同様の手順により、水
素化反応および後処理を行い、ポリ・ビニル・パラ・タ
ーシャリ−・ブチル・シクロヘキサンを得た。

収量および各物性を測定し、結果をｆｉＳ２表に示した
。

比較製造例１ ｇｌ造例１において使用したと同一のオートクレーブを
用い、同例におけると同一の仕込処方に従って原料、溶
媒、触媒等を仕込んだ。水素化条件を第１表に示すよう
に変更した以外は、同例におけると同様の手順により、
水素化反応および後処理を行い、水素化ポリスチレンを
得た。

収量および各物性を測定し、結果を第２表に示した。

実施例１〜３ 製造例１〜３で製造した３種類のビニルシクロヘキサン
系重合体（Ａ）を押出機でペレット化し、実施例１〜３
の成形用ベレットとした。各ベレットを原料としディス
ク成形用射出成形磯（名８！製作所（株）製造・グイナ
メルタＭ−１００Ａ　　ＤＭ）を使用し、コンパクトデ
ィスク基板を製造した。

このようにして得られたコンパクトディスク基板につい
て複屈折を測定し、結果を第３表に示した。

また、３種のベレットを原料とし射出成形法により、物
性ＦＪ、！９片を作成し、この試験片について諸物性を
測定し、結果を第３表に示した。

比較例１〜３ 比較製造例１で製造した水素化ポリスチレン（比較例１
）、ポリカーボネー）ａ４ｒｒｆＩ（三菱化成工業（株
）製造・／バレックス　７０２ＯＡ）（比較例２）、お
よびメチルメタクリレ−）　ａ（脂（協和ガス化学工業
（株）ｖ！造・パラベット　Ｆ−１０（’）Ｏ）（比較
例３）を準備した。これら３種の樹脂から実施例１にお
けると同様に、射出成形法によりコンパクトディスク基
板および物性試験片をＳｔ造した。

得られたコンパクトディスク基板および物性試験片につ
いて諸物性を測定し、結果を第３表に示した。

＼、 第３表より、次のことが明らかとなる。

（１）本発明に係るビニルシクロヘキサン系重合体（Ａ
）を主成分とする光ディスク基板は、光線透過率が高い
。

（２）　ビニルシクロヘキサン系重合体（Ａ）を主成分
とする光ディスク基板は、ポリカーボネート樹脂または
メチルメタクリレート樹脂よりなる光ディスク基板と較
べて、吸水率が小さい、従って、メモリー機能膜を劣化
させず、光ディスクにも反りを発生させるおそれが少な
い。

（３）　ビニルシクロヘキサン系重合体（Ａ）を主成分
とする光ディスク基板は、水素化率が低い水素化ポリス
チレンまたはポリカーボネート樹脂よりなる光ディスク
基板と較べて、複屈折が小さいことから、光ディスクに
好適である。

（４）　ビニルシクロヘキサン系重合体（Ａ）を主成分
とする光ディスク基板は、光線透過率が商い、複屈折が
小さい、屈折率が小さい、吸水率が小さい、荷重たわみ
温度が高い、ロックウェル硬さが大きい、密度が小さい
等の特徴を有し、諸性質のバランスが優れ、光ディスク
として好適なものである。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）分子鎖中にビニルシクロヘキサン成分を８０重量
   ％以上含有するビニルシクロヘキサン系重合体（Ａ）１
   ００〜８０重量％、およびビニル芳香族系重合体（Ｂ）
   ０〜２０重量％よりなり、かつ、光線透過率が８５％以
   上、吸水率が０．１重量％以下、および複屈折が５０ｎ
   ｍ以下の非晶性熱可塑性樹脂よりなることを特徴とする
   光ディスク基板。
2. （２）ビニルシクロヘキサン系重合体（Ａ）が、ビニル
   芳香族系重合体（Ｂ）の芳香族環を水素化されたもので
   あることを特徴とする、特許請求の範囲第（１）項記載
   の光ディスク基板。