JPS6341837Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、高圧発生回路に係り、特にその出力
の安定化を計ることを目的とするものである。

まず、この考案が対象とする高圧発生回路の典
型的な従来例につき、第１図の要部回路図を参照
しつつ説明するに、ｔ１はベースバイアス抵抗Ｒ
１，Ｒ２及びエミツタ抵抗Ｒ３によつて動作点を
設定され、基本的にエミツタ接地接続で動作する
発振トランジスタにして、昇圧トランスＴの帰還
巻線Lfの出力を結合コンデンサＣ２及び制限抵
抗Ｒ４を介して、そのベースに受け、上記昇圧ト
ランスＴの入力巻線LiとコンデンサＣ１と相俟つ
て高Ｑの同調回路を形成するコレクタ負荷に発振
出力を供給する。

上記昇圧トランスＴの出力巻線Loからは、高
圧出力が取り出され、必要に応じ高圧整流ダイオ
ード（図示せず）による高圧整流出力として、空
気清浄器等の高圧電極に供給される。

このような従来例では、発振振巾が、上記発振
トランジスタｔ１の飽和レベルまで振れるため
に、電源電圧＋Ｂの変動によつて出力振巾が変動
する外、周囲温度或はトランジスタ自身の熱暴走
のために異常高圧を発生する、高圧負荷変動によ
つて昇圧トランスＴの出力が変動する等の諸欠点
を余儀なくされていた。

本考案は、このような従来例の諸欠点に鑑み工
夫されたものである。

以下、その詳細を一実施例を表わす第２図、及
び異る実施例を表わす第３図、第４図を参照しつ
つ説明する。

第２図に要部回路図を示す実施例の特徴とする
ところは、出力安定化回路Ｓの構成にある。従つ
て、第１図の従来例を示す回路図と対応し、同じ
構成を採る構成要素には、同じ図番を付し、その
説明を延用する。前記出力安定化回路Ｓの構成
は、前記帰還巻線LRの出力を整流平滑すべくダ
イオードD¹及びコンデンサC⁵で構成される整流
平滑回路Ｆと、この回路の整流平滑出力或は抵抗
分圧回路RBによる分電圧を入力とし、その出力
が一定値を越えた時、その値に応じて可変インピ
ーダンス制御信号を導出する参照電圧発生回路
Rf〔ツエナーダイオード（Dz）〕と、前記制御信
号をベース入力とするトランジスタｔ２で構成さ
れる可変インピーダンス回路Ｚ及びこの回路と相
俟つて上記発振トランジスタｔ１のベースを可変
バイアス制御し、その発振振巾を制御制限する可
変バイアス回路VBとで構成される。この実施例
では、前記可変バイアス回路VBを抵抗Ｒ５、ダ
イオードＤ２と、コンデンサＣ３及び前記トラン
ジスタｔ２のコレクタ・エミツタ路の並列接続と
を直列接続した構成を採つているが、上記帰還巻
線LRの出力振巾に応じてそのバイアス値が可変
制御される構成であれば、他の構成、接続として
もよいことは言を俟たない。

このような第２図に図示せる如き回路構成にお
いて、いま、上記整流平滑回路Ｆの出力の抵抗Ｒ
８，Ｒ９による分圧出力Vaが、Va＜Vz＋Vbe
（但しVzはツエナーダイオード（Dz）のツエナ
電圧、Vbeは上記トランジスタｔ２のベース・エ
ミツタ間立上り電圧）である間は、トランジスタ
ｔ２はオフ状態を維持し、バイアス回路に何の影
響も与えないので、上記発振トランジスタｔ１
は、許容される最大振巾で発振を継続する。

次に、前記分圧回路RBの出力VaがVa≧Vz＋
Vbeなる状態となると、上記トランジスタのコレ
クタ・エミツタ路インピーダンスが、Vaの値に
応じて変化し、上記発振トランジスタｔ１のベー
スバイアスを発振を抑制し、且つ略定発振振巾を
維持する様に制御する。この実施例では出力安定
化回路Ｓの応答速度を速くとるために、上記整流
平滑回路Ｆの時定数を、上記発振トランジスタｔ
１のコレクタ負荷を形成する同調回路の同調周波
数で決まる発振出力の周期（例えば0.04mSec）
に比して、少し長く設定（例えば0.1mSec）して
あるので、上記ツエナーダイオードDzには、鋸
歯状波状の整流平滑波形が加えられることにな
る。

従つて、上記トランジスタｔ２は、前記鋸歯状
波出力Vaのピーク値がVa＞Vz＋Vbeとなる期間
のみ導通し、上記バイアス回路を形成するコンデ
ンサＣ６にチヤージされた電荷を放電して、上記
発振トランジスタｔ１のベースバイアスを制御し
て、その出力の抑止及び安定化を計る。

勿論、上記整流平滑回路Ｆの時定数を長くと
り、上記トランジスタｔ２に可変インピーダンス
特性を持たしめ、前記コンデンサＣ６、抵抗Ｒ５
及びダイオードＤ２と相俟つて可変バイアス回路
を形成してもよい。

従つて、その原因が何であれ、即ち電源電圧の
変動に起因するものであつても、又発振トランジ
スタの熱暴走に基づくものであれ更には高圧負荷
変動に依るものであつても、昇圧トランスＴの出
力は略一定に保たれる。また、上記帰還巻線LR
の一端若しくは途中を接地せしめるようにしてい
るので、この巻線LRの出力を整流平滑する回路
は上述のようにダイオードＤ１とコンデンサＣ５
から成る半波整流回路で構成できる。

第３図の実施例では、高圧出力電圧の値を可変
設定し得るように、上記分圧回路RBを構成する
抵抗Ｒ８，Ｒ９の間に、ボリユームRvを接続し、
可変分圧回路とすることによつて、出力安定化回
路Ｓの動作点を可変としている。なおＲ１０はツ
エナーダイオードの動作安定化のための抵抗であ
る。

次に第４図の実施例について説明する。

この実施例の特徴とするところは、昇圧トラン
スＴの帰還巻線LRの中点をアースし、その一端
子ａを帰還出力として抽出し、コンデンサＣ４及
び制限抵抗Ｒ４を介して上記発振トランジスタｔ
２のベースに供給し、一方前記帰還出力とは逆極
性の出力を生じる帰還巻線LRの他端子ｂに生ず
る出力を、整流平滑回路Ｆに加える構成にある。

他の構成は、基本的に第２図の構成と同じであ
るからその図番を付して、説明を延用する。

このような構成に依れば、上記発振トランジス
タｔ１の出力の負の半サイクル中に、可変バイア
ス回路VBを制御することが出来る。即ち、発振
トランジスタｔ１がオフの時に上記トランジスタ
ｔ２がオンとなり、コンデンサｃ６の電位を制御
するように構成することが出来る。

以上のように本考案に依れば、帰還巻線に発生
する出力を検出するようにしているので、別途検
出巻線を必要とせず、しかも、帰還巻線の一端若
しくは途中を接地せしめているので、この巻線の
出力を整流平滑する回路は半波整流回路でよく、
従つて、簡単な構成で昇圧出力トランスの出力を
略一定に保つことのできる高圧発生回路を提供し
得る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来の高圧発生回路の要部回路図で
ある。第２図乃至第４図は、本考案の高圧発生回
路に係り、第２図は一実施例の要部回路図、第３
図は、第２図の回路の一部を修正した図、第４図
は他の実施例の要部回路図である。 Ｔ……昇圧トランス、L_i……入力巻線、L_p……
出力巻線、LR……帰還巻線、ｔ１……発振トラ
ンジスタ、Ｆ……整流平滑回路、Ｓ……出力安定
化回路、VB……可変バイアス回路。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 昇圧トランスの入力巻線を同調インダクタとす
   る同調回路をコレクタ負荷とし、前記昇圧トラン
   スの帰還巻線LRからの出力を直流カツト用の結
   合コンデンサＣ４及び制限抵抗Ｒ４を介してベー
   スに入力するエミツタ接地接続の発振トランジス
   タｔ１を備え、前記制限抵抗Ｒ４と前記発振トラ
   ンジスタｔ１のエミツタ抵抗Ｒ６とに依り前記ベ
   ースに交流バイアスを与え、前記エミツタ抵抗Ｒ
   ６と前記ベースと電源電圧＋Ｂ間に配置された第
   １の抵抗Ｒ５とにより前記ベースに直流バイアス
   を与えた状態で上記昇圧トランスの出力巻線Lo
   に高圧出力を発生する高圧発生回路において、 一端若しくは途中が接地された前記帰還巻線出
   力を半波整流する整流平滑回路Ｆと、 この整流平滑回路Ｆの出力が一定値を越えたと
   き、その値に応じて可変インピーダンス制御信号
   を導出する定電圧ダイオードDZ及び前記可変イ
   ンピーダンス制御信号をベース入力とするべく前
   記定電圧ダイオードDZがベースに接続されたト
   ランジスタｔ２からなる可変インピーダンス回路
   Ｚと、 前記第１の抵抗Ｒ５の前記ベース側と接地電位
   点Ｇ間に挿入された直列接続のダイオードＤ２と
   第１のコンデンサＣ６とより成り、前記トランジ
   スタｔ２のコレクタ・エミツタ路が前記第１のコ
   ンデンサＣ６に並列接続されることにより前記可
   変インピーダンス回路Ｚによつて上記発振トラン
   ジスタｔ１の交流ベースバイアスを可変調整する
   可変バイアス回路VBとを、 備えた高圧発生回路。