JPS6341131B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6341131B2 JPS6341131B2 JP15282584A JP15282584A JPS6341131B2 JP S6341131 B2 JPS6341131 B2 JP S6341131B2 JP 15282584 A JP15282584 A JP 15282584A JP 15282584 A JP15282584 A JP 15282584A JP S6341131 B2 JPS6341131 B2 JP S6341131B2
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- JP
- Japan
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- head
- slider
- medium
- magnetic
- ferrite
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は信頼性に優れた薄膜ヘツドの構造体に
係る。
係る。
磁気デイスク装置では、一般に第１図に示すご
とく媒体１の上にヘツド２が狭い間隙、例えば
0.3〜1.0μmで浮上しながら情報の書込み再生動作
を行う。ヘツド２の構造は支持アーム３と、負荷
バネ４およびスライダー５と薄膜ヘツド素子部６
（以下素子部と言う）とからなつている。スライ
ダー５と素子部６のみの形体を、媒体１に対向す
る側からみた正面図を第２図に示した。スライダ
ー５に媒体１が矢印７の方向に走行したときに浮
上力が発生し、これと負荷バネ４の力とが釣合つ
たところでヘツド２が浮上するように設計されて
いる。一方、媒体１が停止しているときは、ヘツ
ド２は負荷バネ４のバネ圧で媒体１に直接接触し
ている。そして媒体が徐々に回転し始めると、媒
体上の空気も一緒に回転し始めるためヘツド２の
スライダー５の空気流入端部に設けられているテ
ーパー部８に空気が流れ込み、スライダー５を持
ち上げる力が発生する。しばらく所定の回転数に
媒体１が達するまでは、媒体１とヘツド２とは互
いに機械的にこすりながら相対運動を行い、更に
回転が早くなるとヘツド２が第１図のごとく完全
に媒体１より浮き上がる。また媒体１が回転を停
止するに到る過度状態においても、前記起動時と
同様にヘツド２と媒体１の摺動現象が現出する。
従つてこの媒体の起動、停止動作における両者の
摺動が通常の顧客使用状態においても不可避的に
起るため、本装置の設計に当つては予めこの摺動
に充分耐えうるヘツド並びに媒体の材質と形状が
大きな技術課題となる。従来の薄膜ヘツドではこ
のスライダー材料として、たとえばアルミナ―チ
タン・カーバイト（Al2O3―TiC）やリチユウム
―珪酸塩結晶体（商品名「ホトセラム」）が用い
られている。これらはいづれも非磁性材料であ
る。両者は硬い材料でビツカース硬度で表わすと
略々2000〜2300である。素子部の摩耗を防ぐとい
う意味においてはすぐれたものであるが、実際に
ヘツドを製作し、上記起動、的止動作の繰返し耐
久試験を行つたところ、大略3000〜5000回の動作
で所謂ヘツド・クラシユ現象が発生し、媒体上の
磁性塗料が剥離して、当然そこに記録されている
情報も再生不可能となつた。この事故現象の原因
を調査してみた結果ヘツド２のスライダー５の材
料が媒体１に比して非常に硬いため、ヘツドの方
は殆んど損傷せず、媒体１が一方的に傷付けられ
たものと判明した。尚、ただひとつのヘツド２の
みを試験に供したこうした耐久試験では、顧客使
用状態での安全なる品質を保証するためには通常
繰返し回数100000回以下では情報品質に著しい損
傷が発生しないことが必要とされている。次にも
うひとつの従来形のホツドで使われている「ホト
セラム」のスライダー５の場合では、本材料がガ
ラス質であり空孔等が少くこの上に薄膜を形成す
るのに適している上に、加工性もよいという利点
がある。ビツカース硬度は約500前後である。し
かしこのスライダー上に薄膜ヘツド素子を形成
し、前記耐久試験を行つたところ同様に出力電圧
が約6000〜10000の繰返し回数時に減少をきたし、
安定なる情報処理動作が不可能になつた。この場
合はAl2O3―TiCのスライダーと異なり媒体１の
損傷というよりもヘツド２のスライダー５と素子
部６の摩耗により磁気回路が変化し初期の性能を
維持できないことが原因であることが判つた。
とく媒体１の上にヘツド２が狭い間隙、例えば
0.3〜1.0μmで浮上しながら情報の書込み再生動作
を行う。ヘツド２の構造は支持アーム３と、負荷
バネ４およびスライダー５と薄膜ヘツド素子部６
（以下素子部と言う）とからなつている。スライ
ダー５と素子部６のみの形体を、媒体１に対向す
る側からみた正面図を第２図に示した。スライダ
ー５に媒体１が矢印７の方向に走行したときに浮
上力が発生し、これと負荷バネ４の力とが釣合つ
たところでヘツド２が浮上するように設計されて
いる。一方、媒体１が停止しているときは、ヘツ
ド２は負荷バネ４のバネ圧で媒体１に直接接触し
ている。そして媒体が徐々に回転し始めると、媒
体上の空気も一緒に回転し始めるためヘツド２の
スライダー５の空気流入端部に設けられているテ
ーパー部８に空気が流れ込み、スライダー５を持
ち上げる力が発生する。しばらく所定の回転数に
媒体１が達するまでは、媒体１とヘツド２とは互
いに機械的にこすりながら相対運動を行い、更に
回転が早くなるとヘツド２が第１図のごとく完全
に媒体１より浮き上がる。また媒体１が回転を停
止するに到る過度状態においても、前記起動時と
同様にヘツド２と媒体１の摺動現象が現出する。
従つてこの媒体の起動、停止動作における両者の
摺動が通常の顧客使用状態においても不可避的に
起るため、本装置の設計に当つては予めこの摺動
に充分耐えうるヘツド並びに媒体の材質と形状が
大きな技術課題となる。従来の薄膜ヘツドではこ
のスライダー材料として、たとえばアルミナ―チ
タン・カーバイト（Al2O3―TiC）やリチユウム
―珪酸塩結晶体（商品名「ホトセラム」）が用い
られている。これらはいづれも非磁性材料であ
る。両者は硬い材料でビツカース硬度で表わすと
略々2000〜2300である。素子部の摩耗を防ぐとい
う意味においてはすぐれたものであるが、実際に
ヘツドを製作し、上記起動、的止動作の繰返し耐
久試験を行つたところ、大略3000〜5000回の動作
で所謂ヘツド・クラシユ現象が発生し、媒体上の
磁性塗料が剥離して、当然そこに記録されている
情報も再生不可能となつた。この事故現象の原因
を調査してみた結果ヘツド２のスライダー５の材
料が媒体１に比して非常に硬いため、ヘツドの方
は殆んど損傷せず、媒体１が一方的に傷付けられ
たものと判明した。尚、ただひとつのヘツド２の
みを試験に供したこうした耐久試験では、顧客使
用状態での安全なる品質を保証するためには通常
繰返し回数100000回以下では情報品質に著しい損
傷が発生しないことが必要とされている。次にも
うひとつの従来形のホツドで使われている「ホト
セラム」のスライダー５の場合では、本材料がガ
ラス質であり空孔等が少くこの上に薄膜を形成す
るのに適している上に、加工性もよいという利点
がある。ビツカース硬度は約500前後である。し
かしこのスライダー上に薄膜ヘツド素子を形成
し、前記耐久試験を行つたところ同様に出力電圧
が約6000〜10000の繰返し回数時に減少をきたし、
安定なる情報処理動作が不可能になつた。この場
合はAl2O3―TiCのスライダーと異なり媒体１の
損傷というよりもヘツド２のスライダー５と素子
部６の摩耗により磁気回路が変化し初期の性能を
維持できないことが原因であることが判つた。
ところでスライダー材料として前記耐久試験の
結果も良好で、且つ実際に製品に広く用いられて
いるものにNi―ZnあるいはMn―Znのフエライ
ト材（ビツカース硬度500〜700）がある。この従
来の別の実施例では、スライダーと電磁変換素子
部（これもフエライト材で構成）が兼用されてい
る構造である。この考え方の延長上で薄膜ヘツド
を製作したもが第３図に断面図で示されるもので
ある。すなわち、スライダー９は前記フエライト
材で構成され、第２図の中で示されるスライダー
５のごとき形状を持つている。またこれは磁性材
料であるのでこれを電磁変換素子の閉磁路を構成
する一方のコア脚も同時に兼用している。素子部
の構造を更に詳しく説明すれば、第３図に示され
るように、一方のコア脚となるフエライトスライ
ダー９の上にギヤツプ材１０として絶縁膜を形成
する。次に導体層１１を蒸着後、所定の形状にパ
ターニングする。その上に再び絶縁層を形成した
後、もう一方のコア脚となり前記スライダー９と
ギヤツプ１０を介在した閉磁路を形成するところ
の磁性体層１２を形成する。尚、該磁性体層１２
を形成する前にギヤツプ用絶縁膜は、閉磁路を作
るためエリア１３の部分は予め除去される。また
外部回路への接続細線１４と該ヘツドの導体層１
１との接続を容易にするためのボンデイング、バ
ツト１５も同様に形成され、素子部の保護のため
に例えばアルミナのスパツタ膜とが別の保護用部
材が付着される。この第３図では前者の保護膜１
６が例示されている。この種の薄膜ヘツドは、ス
ライダーとしてすぐれた特性と磁性体としての特
性を積極的に利用したものであると言える。しか
しながらこの従来例においても欠点がある。それ
は媒体対向面１７において露出しているコアの寸
法l1，l2がアンバランスであり、且つ特に問題な
のはスライダー側の寸法l1が大きいことである。
すなわち、たとえば、蒸着、スパツタあるいはメ
ツキの手法で製作される薄膜磁性体層１２の厚さ
l2は１〜5μmであるのにたいし、l1はスライダー
９の媒体走行方向への長さに略々等しくl1＝３〜
４mm程度であるためl2に比べればl1は殆んど無限
大と考えてよい。このためギヤツプ１０から媒体
１の存在する場所に漏洩する磁界の強さHxの分
布は第４図のごとく、ギヤツプの中心（ｘ＝０）
にたいし、左右非対称となり、且つ、スライダー
９側のHxの分布は磁性体層１２の側のそれに比
べて広がつてしまう。このため高密度記録におい
ては隣接パルス同志の干渉が生じ、分解能の低下
を招来する。換言すれば、薄膜ヘツドのもつ、形
状が微小なるが故の急峻な磁界分布と高分解能が
生かしきれていないことになる。
結果も良好で、且つ実際に製品に広く用いられて
いるものにNi―ZnあるいはMn―Znのフエライ
ト材（ビツカース硬度500〜700）がある。この従
来の別の実施例では、スライダーと電磁変換素子
部（これもフエライト材で構成）が兼用されてい
る構造である。この考え方の延長上で薄膜ヘツド
を製作したもが第３図に断面図で示されるもので
ある。すなわち、スライダー９は前記フエライト
材で構成され、第２図の中で示されるスライダー
５のごとき形状を持つている。またこれは磁性材
料であるのでこれを電磁変換素子の閉磁路を構成
する一方のコア脚も同時に兼用している。素子部
の構造を更に詳しく説明すれば、第３図に示され
るように、一方のコア脚となるフエライトスライ
ダー９の上にギヤツプ材１０として絶縁膜を形成
する。次に導体層１１を蒸着後、所定の形状にパ
ターニングする。その上に再び絶縁層を形成した
後、もう一方のコア脚となり前記スライダー９と
ギヤツプ１０を介在した閉磁路を形成するところ
の磁性体層１２を形成する。尚、該磁性体層１２
を形成する前にギヤツプ用絶縁膜は、閉磁路を作
るためエリア１３の部分は予め除去される。また
外部回路への接続細線１４と該ヘツドの導体層１
１との接続を容易にするためのボンデイング、バ
ツト１５も同様に形成され、素子部の保護のため
に例えばアルミナのスパツタ膜とが別の保護用部
材が付着される。この第３図では前者の保護膜１
６が例示されている。この種の薄膜ヘツドは、ス
ライダーとしてすぐれた特性と磁性体としての特
性を積極的に利用したものであると言える。しか
しながらこの従来例においても欠点がある。それ
は媒体対向面１７において露出しているコアの寸
法l1，l2がアンバランスであり、且つ特に問題な
のはスライダー側の寸法l1が大きいことである。
すなわち、たとえば、蒸着、スパツタあるいはメ
ツキの手法で製作される薄膜磁性体層１２の厚さ
l2は１〜5μmであるのにたいし、l1はスライダー
９の媒体走行方向への長さに略々等しくl1＝３〜
４mm程度であるためl2に比べればl1は殆んど無限
大と考えてよい。このためギヤツプ１０から媒体
１の存在する場所に漏洩する磁界の強さHxの分
布は第４図のごとく、ギヤツプの中心（ｘ＝０）
にたいし、左右非対称となり、且つ、スライダー
９側のHxの分布は磁性体層１２の側のそれに比
べて広がつてしまう。このため高密度記録におい
ては隣接パルス同志の干渉が生じ、分解能の低下
を招来する。換言すれば、薄膜ヘツドのもつ、形
状が微小なるが故の急峻な磁界分布と高分解能が
生かしきれていないことになる。
本発明の目的は従来ヘツドの以上の欠点を改善
し薄膜ヘツドとしての電磁変換特性の優秀さを生
かし且つ、媒体との摺動における耐久性も兼ね備
えた新規なヘツドを提供することにある。
し薄膜ヘツドとしての電磁変換特性の優秀さを生
かし且つ、媒体との摺動における耐久性も兼ね備
えた新規なヘツドを提供することにある。
本発明の特徴とするところは、媒体の走行起動
ならびに停止動作時に、媒体とヘツドが互いに接
触する磁気記憶装置において、ヘツドの浮上力を
発生させるスライダー材料としてNi―Znあるい
はMn―Znフエライトを用い、この上に磁気的相
互干渉を防ぐに足る厚さを有する非磁性材料を介
在させた状態にて電磁変換素子部を設置すること
にある。
ならびに停止動作時に、媒体とヘツドが互いに接
触する磁気記憶装置において、ヘツドの浮上力を
発生させるスライダー材料としてNi―Znあるい
はMn―Znフエライトを用い、この上に磁気的相
互干渉を防ぐに足る厚さを有する非磁性材料を介
在させた状態にて電磁変換素子部を設置すること
にある。
第５図は本発明の一実施例を示す断面図であ
る。スライダー１８はNi―ZnあるいはMn―Zn
フエライトで作り、媒体との摺動耐久性を持たせ
るようになつている。そして第３図に示す従来の
ヘツドとの違いは、これを一方のコア脚として使
用せず、もつぱらスライダーとしてのみ利用する
ことである。このため、フエライト１８の上に
Al2O3（アルミナ）膜１９などの非磁性材料を所
定の厚さだけスパツタ法により形成し、しかる
後、この膜の上に薄膜ヘツド素子部を製作する。
フエライトを一方のコア脚として用いていないた
め、この場合の薄膜ヘツド素子は下部磁性体層２
０を形成し閉磁路を構成する。アルミナ膜１９は
素子部の保護やスライダー材としてのフエライト
の空孔を理め滑めらかな面を素子部形成のために
与えると共、磁性体であるフエライトと素子部と
の磁気的カツプリングを実使用状態で問題になら
ない程度に厚くすることが必要である。
る。スライダー１８はNi―ZnあるいはMn―Zn
フエライトで作り、媒体との摺動耐久性を持たせ
るようになつている。そして第３図に示す従来の
ヘツドとの違いは、これを一方のコア脚として使
用せず、もつぱらスライダーとしてのみ利用する
ことである。このため、フエライト１８の上に
Al2O3（アルミナ）膜１９などの非磁性材料を所
定の厚さだけスパツタ法により形成し、しかる
後、この膜の上に薄膜ヘツド素子部を製作する。
フエライトを一方のコア脚として用いていないた
め、この場合の薄膜ヘツド素子は下部磁性体層２
０を形成し閉磁路を構成する。アルミナ膜１９は
素子部の保護やスライダー材としてのフエライト
の空孔を理め滑めらかな面を素子部形成のために
与えると共、磁性体であるフエライトと素子部と
の磁気的カツプリングを実使用状態で問題になら
ない程度に厚くすることが必要である。
このような構造をとれば前記の目的とする機能
が同時に生ずることになり、電磁変換特性上も、
機械特性も良好なヘツドを得ることができる。
が同時に生ずることになり、電磁変換特性上も、
機械特性も良好なヘツドを得ることができる。
尚、別の実施例として、スパツタ法によるアル
ミナ膜１９の代りに、別の非磁性基板１９の上に
素子部を形成した後、スライダー１８と基板１９
とをガラス溶着することも可能である。
ミナ膜１９の代りに、別の非磁性基板１９の上に
素子部を形成した後、スライダー１８と基板１９
とをガラス溶着することも可能である。
第１図および第２図は磁気デイスク用ヘツドの
使用状態と構造を示す側面図と平面図、第３図は
従来の薄膜ヘツドの構造を示す素子部付近の拡大
断面図、第４図は第３図のヘツドから発生する漏
洩磁界分布を示す波形図、第５図は本発明の一実
施例を示すヘツドの断面図である。 １……媒体、２……ヘツド、１８……フエライ
ト（スライダー）、１９……アルミナ膜、２０…
…下部磁性体層。
使用状態と構造を示す側面図と平面図、第３図は
従来の薄膜ヘツドの構造を示す素子部付近の拡大
断面図、第４図は第３図のヘツドから発生する漏
洩磁界分布を示す波形図、第５図は本発明の一実
施例を示すヘツドの断面図である。 １……媒体、２……ヘツド、１８……フエライ
ト（スライダー）、１９……アルミナ膜、２０…
…下部磁性体層。
Claims (1)
- １ 媒体の走行起動ならび停止動作時に、媒体と
ヘツドが互いに接触する磁気記憶装置において、
ヘツドの浮上力を発生させるスライダー材料とし
てNi―ZnあるいはMn―Znフエライトを用い、
この上に磁気的相互干渉を防ぐに足る厚さを有す
る非磁性材料を介在させた状態にて電磁変換素子
部を設置してなることを特徴とする磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15282584A JPS6045931A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15282584A JPS6045931A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045931A JPS6045931A (ja) | 1985-03-12 |
| JPS6341131B2 true JPS6341131B2 (ja) | 1988-08-16 |
Family
ID=15548963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15282584A Granted JPS6045931A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045931A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04366411A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-18 | Ngk Insulators Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| US5621594A (en) * | 1995-02-17 | 1997-04-15 | Aiwa Research And Development, Inc. | Electroplated thin film conductor coil assembly |
-
1984
- 1984-07-25 JP JP15282584A patent/JPS6045931A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6045931A (ja) | 1985-03-12 |
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