JPH0612615A

JPH0612615A - 磁気ヘッド及び磁気ディスク

Info

Publication number: JPH0612615A
Application number: JP4169690A
Authority: JP
Inventors: Takehiro Takojima; 武広蛸島; Yoshinobu Kakihara; 良亘柿原; Hiromi Ebi; 裕美海老; Toru Sumiya; 透角谷
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1992-06-26
Filing date: 1992-06-26
Publication date: 1994-01-21

Abstract

(57)【要約】【目的】ヘッド本体と保護膜、あるいは磁気ディスク
の保護膜と磁性層の密着性を高める。【構成】ヘッド本体の媒体対向面に形成された保護膜
の下地層又は磁気ディスクの上面に形成された保護膜の
下地層が、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｉ
Ｃｒからなる群から選ばれた１種又は２種以上の元素か
らなる。【効果】磁気ヘッドの媒体対向面又は磁気ディスクの
表面の耐摩耗性の向上を図り、かつ、それら相互の摺動
性を良好なものとするとともに、ＣＳＳ特性の向上を可
能にする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録再生装置に使
用する磁気ヘッド及び磁気ディスクに関し、特に磁気ヘ
ッドの磁気記録媒体対向面及び磁気ディスクの表面の改
良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気ヘッドは、ＶＴＲ用、音声用、計算
機用、さらには大型産業用等、その用途に応じて、要求
される条件は幾らか異なるが、磁気記録媒体を磁化する
ことで情報を記録し、磁気記録媒体の残留磁化を読み出
すことにより磁気記録再生を行なう原理は、どれも同様
である。

【０００３】つまり、デジタル・アナログ情報を電流の
変化に変えて、これを磁気ヘッドのコイルに加え、磁気
ギッャプの部分を磁気記録媒体に摺接摺動させ、又は前
記磁気記録媒体と一定の浮上量を保ちつつ浮上走行させ
ることで、磁気記録媒体上に、前記情報に対応した磁化
パターンを残し、情報の記録を行なうものである。ま
た、磁気記録媒体上に記録された信号である磁化パター
ンを読み出す場合も、前記磁気記録時と同様に、磁気ギ
ャップを前記磁気記録媒体に摺接摺動、又は磁気記録媒
体と一定浮上量を保ちつつ浮上走行させることで、磁気
記録媒体上に記録された磁化パターンが、これに沿った
磁束の一部として磁気コアを通り、電磁誘導の法則によ
って、この磁束の変化に比例した電圧がコイルに発生す
ることにより、磁気記録の再生が行なわれるのもであ
る。

【０００４】例えば、磁気テープを磁気記録媒体とする
場合の例として、図１３に示すメタルインギャップ（以
下ＭＩＧと略称する）型の磁気ヘッドを例に挙げると、
このＭＩＧ型の磁気ヘッドは、一対のフェライト製の磁
気コア半体１、１の側部に凸部１ａ、１ａを形成し、こ
の凸部１ａ、１ａを覆うようにメタル磁性膜２、２とギ
ャップ層２Ａを形成し、磁気コア半体１、１をガラス層
３で接合してなる構造である。

【０００５】しかし、このような磁気ヘッド装置を長時
間使用すると、磁気ヘッド本体のテープ摺接面４に機械
的摩耗が生じたり、また、磁気テープに含まれる化学成
分（例えば塩素）によって、テープ摺接面４に腐食が起
こり、これによりテープ摺接面４に摩耗現象が発生し、
磁気特性の劣化を生じる要因となっていた。

【０００６】またさらに、この磁気テープの摺動による
テープ摺接面４の摩耗量は、一定ではなく、テープ摺接
面４の磁気コア部分は摩耗量が少なく、その他の部分の
摩耗量が前記磁気コア部分よりも多いなど偏摩耗を生じ
易く、スペーシングロスが発生して磁気ヘッドの磁気特
性の劣化につながるといった問題を有していた。

【０００７】一方、磁気ディスクを磁気記録媒体とする
場合には、図１４に示すように、磁気ディスク５上を磁
気ヘッド６が浮上走行することによって、磁気ディスク
５の信号の読み取り書き取りを行なうものであり、この
磁気ヘッド６を浮動式磁気ヘッドと称しているが、この
磁気ヘッド６の停止状態と浮上走行状態は、磁気ディス
ク５の起動時において、磁気ヘッド６はそれ自体を支持
するばね板部材６ａのばね圧により磁気ディスク５表面
に押し付けられた状態になっている。この状態から磁気
ディスク５が回転を開始すると、前記磁気ヘッド６は回
転する磁気ディスク５に接触したまま摺動する。そし
て、磁気ディスク５の回転速度の向上に伴い、磁気ディ
スク５の表面に生じた気流による揚力が上昇し、この揚
力が磁気ヘッド６に対する前記ばね圧に打ち勝つと、前
記磁気ヘッド６は穏やかに磁気ディスク５表面から上昇
して、磁気ヘッド６の形状と、ばね圧と磁気ディスク５
の周速とにより決定される浮上高さを保ちつつ、磁気デ
ィスク５に対して浮上走行する。このような磁気ヘッド
６の浮上走行と停止接触状態の原理のことをＣＳＳ（コ
ンタクトスタートストップ）と称している。

【０００８】すなわち、磁気ヘッド６は、磁気ディスク
５の回転開始時点から磁気ヘッド６の浮上開始時点まで
は、ばね圧で押えつけられながら磁気ディスク５表面を
擦り付けることになる。このため従来、磁気ディスク５
表面あるいは磁気ヘッド６の媒体対向面が摩耗したり、
場合によっては摩擦力が異常に上昇して磁気ディスク５
の表面破壊（クラッシュ）を起こし、磁気ディスク５の
記録内容の書き取り読み出しができなくなる問題を有し
ていた。

【０００９】従って、以上説明したように、上述したよ
うな前記従来の各種の磁気ヘッドにおいては、磁気ヘッ
ドの磁気記録再生時における磁気記録媒体対向面との摺
動、又は浮動式ヘッドにおける浮上走行開始時までの摺
動により発生する磁気ヘッドの媒体対向面の摩耗による
磁気記録特性の劣化が問題視されていた。また一方、磁
気ディスク側においても、上述したように、磁気ヘッド
の回転開始時点から浮上開始時点までの間の、ばね圧で
押さえつけながらの摺り付け走行による、磁気ディスク
表面の摩耗が問題視されている。

【００１０】そこで、上記のような問題を解決するため
に、様々な研究が行なわれ、以下に示すような工夫が図
られていた。例えば、磁気ヘッドの磁気記録媒体対向面
に、炭素原子層からなる保護膜を形成する技術（特公昭
５３−３４８９８）により、又は、前記媒体対向面に非
結晶質炭素層からなる保護膜を形成する技術（特公昭６
１−５８６１２３）により、さらには、前記媒体対向面
に炭素を主成分とするダイヤモンドに近い結晶構造と高
硬度を有する保護膜を設ける技術（特公昭６１−６１１
６３）により、それぞれ磁気ヘッドの磁気記録媒体対向
面の耐摩耗性の向上を図ることが行なわれている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述したよう
な磁気ヘッドの媒体対向面に、高硬度の素材からなる保
護膜を薄膜形成技術によって設け、その媒体対向面の耐
摩耗性の改善を試みた磁気ヘッドは、前記保護膜が非常
に大きな硬度を有する素材より形成されていることか
ら、その内部に大きな内部応力が発生し、前記磁気ヘッ
ド本体の媒体対向面と前記保護膜との密着性が良好では
ないという問題を有していた。

【００１２】そしてまた、媒体対向面に保護膜を設けた
磁気ヘッドにおいて、以下に説明する構造が、保護膜と
媒体対向面との間の密着性不良の原因ではないかという
ことを本願発明者らは推定している。それは、本願発明
者らが、前記従来の磁気ヘッドおける保護膜の下地基板
となる媒体対向面の表面硬度について、ＮＥＣ薄膜硬度
計（ＭＨＡ−４００）を使って以下に示す測定を行なっ
た結果、前記磁気ヘッドの媒体対向面に著しく低硬度の
層が存在していることを知見したことから推察がなされ
たものである。そこで、まず、この薄膜硬度計による測
定方法及びその原理について図１５を基にして簡単に説
明する。

【００１３】この薄膜硬度計は、押し込み深さと押し込
み荷重をパラメータとして用いるもので、電子天秤７に
より０．０１ｍｇの精度で押し込み荷重と試料８との接
触を検知し、高精度の高強度型変位計で押し込み深さを
測定するものである。そして、このＮＥＣ薄膜硬度計の
測定原理は、荷重検出計Ｃに用いる電子天秤７に試料８
と鏡９が置かれており、鏡９は変位検出計Ｂに用いる光
強度型変位計１０からの光を反射するものであり、一
方、押し込み駆動系Ａに組み込まれた圧電アクチュエー
ター１１により圧子１２は、設定荷重まで試料８に押し
付けられた際に、圧子１２と変位計プローブ１３は一体
動作し、圧子１２と試料８の接触と同時に変位量は、押
し込み深さデータとして取り込まれている。そして、そ
の荷重データと押し込み深さデータとの演算により硬さ
が求められるものである。

【００１４】上記のような測定装置により確認された磁
気ヘッドの媒体対向面の低硬度層の生成理由は、磁気ヘ
ッドの媒体対向面の摺動性を良好にするために行なわれ
る鏡面加工によって生じるものであって、この鏡面加工
により生じた低硬度層（加工変質層）は、磁気ヘッド媒
体対向面の表面から数十μm程度の深さに存在するとい
うことが明かとなっている。

【００１５】従って、前述したような磁気ヘッドの媒体
対向の耐摩耗性を図るために設けられた保護膜は、前述
したその内部応力の影響のみならず、この形成基板とな
る磁気ヘッドの媒体対向面の表面に生成した加工変質層
の存在によっても、その密着性が損なわれる。つまり、
こうした低硬度の前記加工変質層上に、前記高硬度の保
護膜を薄く形成することは困難であるとともに、成膜さ
れた後も剥離し易い状態にあるのである。そしてまた、
こうした低硬度の加工変質層の介在は、磁気ヘッドがＣ
ＳＳを行なう際の安定性を損なうために、ＣＳＳ特性を
低下させる要因ともなる。

【００１６】また一方、前記磁気ヘッドの磁気記録媒体
の一つである従来の磁気ディスクは、図１６（ａ）及び
１６（ｂ）に示すような構成からなっており、図１６
（ａ）に示すように透孔１４が形成されたＡｌ、Ａｌ合
金あるいはガラスなどからなる円盤状の基板１５と、こ
の基板１５の全面に被膜されたＮｉ−Ｐメッキ層１６と
からなる磁気ディスク基板Ｄが主体となり、磁気ディス
ク基板１５の前記Ｎｉ−Ｐメッキ層１６上には、図１６
（ｂ）に示す積層膜が形成されている。

【００１７】図１６（ｂ）に示す積層膜は、厚さ１５０
０Å程度のＣｒ膜１７と、Ｃｒ層１６上に形成された厚
さ７００Å程度のＣｏ−Ｎｉ系、Ｃｏ−Ｃｒ系等からな
る磁性層１８と、前記磁性１８上に積層された厚さ３０
０Å程度の炭素からなる保護膜１９と、保護膜１９上に
積層された潤滑膜２０とから構成されている。

【００１８】そして、上述したような構成からなる前記
従来の磁気ディスクは、保護膜１９にグラファイト状カ
ーボンなどを用いたものが広く使用されていたが、この
グラファイト状カーボンは、硬度が低いために、これを
保護膜１９に使用した場合、磁気ヘッドとの接触に耐え
得るだけの耐クラッシュ性を与えるため、その厚さを厚
くしなければならず、この膜厚を厚くすれば、必然的に
磁気記録密度の低下をきたし、精密な磁気記録装置には
適さないといった問題を有していた。

【００１９】そこで、膜厚が薄くとも充分な硬度を有す
るダイヤモンド状カーボンが、前記保護膜１９に使用さ
れることが考え出されたが、前記グラファイト状カーボ
ンやダイヤモンド状カーボン等の炭素からなる保護膜１
９は、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ
ｒ層などからなる磁性層１８との密着性が充分でなく、
経時変化等により剥離しやすいため、磁気ディスクの耐
クラッシュ性及び耐候性を充分に高めることが困難であ
り、特に前記ダイヤモンド状カーボンは、その硬度が大
きく、その内部に大きな応力が発生するために、その下
地となる前記磁性層１８との密着性が良好ではなかっ
た。

【００２０】従って、本発明は上記事情に鑑みてなされ
たもので、磁気ヘッド本体と保護膜との密着性あるい
は、磁気ディスクの保護膜と磁性層の密着性を高め、剥
離し難い保護膜を有する磁気ヘッドと磁気ディスクを提
供することを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の磁気ヘ
ッドは上記課題を解決するために、磁気ヘッド本体の磁
気記録媒体対向面に、炭素を主成分とするアモルファス
層からなる保護膜を具備してなる磁気ヘッドであって、
前記保護膜の下地層がＳｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、ＮｉＣｒからなる群から選ばれた１種又は、２種以上の元素から
なることを特徴とするものである。

【００２２】請求項２に記載の磁気ヘッドは上記課題を
解決するために、請求項１に記載の磁気ヘッドの下地層
と保護膜との間に、Ｓｉもしくは、Ｓｉの合金、あるい
は化合物からなる中間層が介在してなることを特徴とす
るものである。

【００２３】請求項３に記載の磁気ディスクは上記課題
を解決するために、磁気ディスク本体の磁性層上面に炭
素を主成分とするアモルファス層からなる保護膜を具備
してなる磁気ディスクであって、前記保護膜の下地層がＳｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、ＮｉＣｒからなる群から選ばれた１種又は、２種以上の元素から
なることを特徴とするものである。

【００２４】請求項４に記載の磁気ディスクは上記課題
を解決するために、請求項３に記載の磁気ディスクの下
地層と保護膜との間に、Ｓｉもしくは、Ｓｉの合金、あ
るいは化合物からなる中間層が介在してなることを特徴
とするものである。

【００２５】

【作用】従って、本発明による磁気ヘッドは、その媒体
対向面の耐摩耗性を図るために、炭素を主成分とするア
モルファス層からなる保護膜を形成する際に、前記保護
膜とも密着性が良く、かつ表面がパーマロイ等の磁性材
料やエポキシ樹脂等の高分子材料からなる前記磁気ヘッ
ドの表面とも密着性の良好なＳｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｔａ、Ｈｆ、ＮｉＣｒからなる群から選ばれた１種又は
２種以上の元素からなる下地層を介在されることによっ
て、磁気ヘッドの保護膜が媒体との摺動などにより剥離
するのを防止できるとともに、浮動式の磁気ヘッドにお
いては、摺動やゴミなどにより磁気ヘッドと媒体が衝撃
的に接触してもヘッドクラッシュが生じるのを防止でき
る。さらに、本発明による磁気ヘッドは前記下地層と保
護膜との間にＳｉもしくはＳｉの合金あるいは化合物か
らなる中間層を介在させることにより、上記作用をより
顕著なものとすることができる。

【００２６】また、本発明の磁気ディスクにおいては、
磁気ディスクを構成する磁性膜と炭素を主成分とするア
モルファス層からなる保護膜との間に、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、ＮｉＣｒからなる群から選ばれ
た１種又は、２種以上の元素からなる下地層を設けるこ
とによって、前記磁性層と下地層及び、下地層と前記Ｃ
を主成分とするアモルファス層からなる保護膜の密着性
を向上させ、磁気ヘッドの浮上走行における安定性を確
保し、ＣＳＳ特性の向上を図ることができる。さらに、
本発明の磁気ディスクは前記下地層と保護膜との間にＳ
ｉもしくはＳｉの合金あるいは化合物からなる中間層を
介在させることにより、上記作用をより顕著なものとす
ることができる。

【００２７】

【実施例】以下に、本実施例の磁気ヘッドについて図面
を参照しながら詳細に説明する。（実施例１）図１及び図２は、本実施例１の３レールタ
イプのモノリシックタイプの浮動式ヘッドを示す図であ
る。図１に示すヘッド本体４０は、セラミック材あるい
はＭｎ−Ｚｎフェライト材等からなるスライダー４０ａ
の一端部に、フェライト等の磁性材料からなる磁気コア
３８を、充填ガラス３９でガラス溶着することにより形
成されている。そして、こうした構成からなるヘッド本
体４０の媒体対向面４０Ａに、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｔａ、Ｈｆ、ＮｉＣｒからなる群から選ばれた１種
又は、２種以上の元素からなる下地層４３が設けられ、
さらに、その上面にＣを主成分とするアモルファス層か
らなる保護膜４４が成膜されいる。

【００２８】上述した構成からなる本実施例１の浮動式
ヘッドの特徴は、その媒体対向面４０Ａに、前記組成か
らなる下地層４３を介して保護膜４４を設けたところで
あり、これらの下地層４３及び保護膜４４はＩＶＤ法
（イオン蒸着薄膜形成法）などにより成膜されるもので
ある。そこで、前記下地層４３及び保護膜４４の形成に
用いたＩＶＤ法について、以下に説明する。ＩＶＤ法と
は、電子ビームによる加熱あるいはスパッタリグなどに
よって金属等を蒸発させ、基板上に蒸着膜を体積させる
と同時に、適切なエネルギーに設定されたイオンを基板
に照射させて薄膜を形成する手法である。この際、イオ
ン種として窒素イオンや酸素イオンを用いれば、イオン
のエネルギーのみを使用した薄膜形成ができるものてあ
る。

【００２９】これまで、ＣＶＤ法（化学気相反応法）や
イオンプレーティング法などによって、窒化チタン（Ｔ
ｉＮ）薄膜をはじめとする各種耐摩耗性コーティングが
工業的に広く応用されてきたのは周知の通りである。Ｉ
ＶＤ法は、これらの薄膜形成法に比べ以下の特徴を有す
る。照射イオンと蒸発金属原子の衝突・反跳により、両
者の混合相からなる混合層が基板／薄膜界面に形成さ
れ、薄膜は強固な密着性を有する。照射イオンと蒸発金属の原子及び電子との衝突によ
って、蒸発金属の励起・移動が引き起こされる。その結
果、拡散、固溶という熱力学に支配される要因に関わり
無く、新物質の合成を設計することができる。低温下で薄膜形成を行なうため用いる基板種が限定
されない。金属の蒸発とイオン照射とは独立して制御されるた
め、薄膜の組織化、イオン分布等を任意にコントロール
することができる。

【００３０】よって、ＩＶＤ法により形成されるＣを主
成分とするアモルファス層からなる前記保護膜４４は、
高硬度を有し、化学的安定性が高いため耐摩耗材として
有用である。特に、これまで高温・高圧相である炭素原
子集団からなる薄膜合成を実現できた例が極めて少ない
中で、ＩＶＤ法は、Ｃを主成分とするアモルファス層を
密着性良く形成することができる。

【００３１】なお、前記従来の浮動式ヘッドの媒体対向
面４０Ａに下地層４３を形成する場合、前記ヘッド本体
４０の媒体対向面４０Ａは、鏡面加工による加工変質層
が生成されており、不動態化しているため、この加工変
質層上に、上述したようなＩＶＤ法によって直接、前記
下地層４３を形成する場合、前記下地層が付着しずら
く、形成時間がかかるという欠点を有する。そこで、前
記加工変質層上に、直接下地層を形成する場合には、予
め前記加工変質層上面をイオンクリーニング処理してお
くと、前記下地層の形成時間の短縮化を図ることが可能
である。

【００３２】続いて、上記実施例１の保護膜４４のＩＶ
Ｄ法による実際の作製過程について説明する。まず、高
真空中容器内でのグラファイト電極への電子ビーム照射
により行ない炭素原子イオンを生成し、この炭素原子イ
オンと炭素原子を所定の加速エネルギーで、前記ヘッド
本体４０の媒体対向面４０Ａに設けられた下地層４３上
面に照射し、上記炭素を主成分とするアモルファス層か
らなる保護膜４４を作製するものである。

【００３３】上述したような構成からなる本実施例１の
磁気ヘッドの例に示した浮動式ヘッドは、磁気ディスク
に対して記録再生を行なう場合、図３、図４に示すよう
に、磁気ディスク４５に対して微小間隔をあけて浮上走
行しており、この浮上量は磁気記録の性能に大きな影響
を与える。つまり、この浮上量が大きければ大きいほど
浮動式ヘッドのギャップ部４２と磁気ディスク４５の磁
性層との距離が大きくなって、磁気記録再生性能の低下
をもたらすものである。

【００３４】よって、本実施例１のように、浮動式ヘッ
ドの媒体対向面４０Ａに下地層４３及び保護膜４４を形
成すると、この下地層４３と保護膜４４分の厚さだけ、
前記ギャップ部４２と磁気ディスク４５の磁性層との距
離を大きくし、磁気記録性能の低下につながりかねな
い。従って、前記下地層４３の厚さは１０〜１００Å程
度の範囲で、さらには２０〜５０Å程度とすることが好
ましい。また、前記保護膜４４の膜厚は５０Å〜１５０
Å程度の範囲で、さらには１００Å〜１３０Å程度とす
ることが望ましい。

【００３５】そしてさらに、前記浮動式ヘッドの下地層
４３及び保護膜４４の厚さ分と、磁気ディスク４５の磁
性層上面に被膜された保護膜４４等の膜厚を合わせて約
３００Å程度とすることが好ましい。なお、前記磁気ヘ
ッドの浮上量をさらに微小間隔にすれば、その間隔が小
さいほど、磁気記録性能を向上させることができるが、
例えば現在では前記浮動式ヘッド４６の浮上量は、１０
００Å程度であり、前記浮動式ヘッド４６の浮上量の微
小間隔は、現在の技術レベルにおいては、ある程度の限
界が存在する。

【００３６】よって、本実施例１の浮動式ヘッドのよう
に、その媒体対向面に前記下地層４３を介して前記保護
膜４４を設け、本実施例４の浮動式ヘッド４６と磁気デ
ィスク４５の間に、ある一定間隔に決められた浮上量範
囲を維持し、かつ前記浮動式ヘッド４６のギャップ部４
２と磁気ディスク４５の磁性層の間隔を確保することに
よって、浮動式ヘッドにおけるスライダー表面の耐摩耗
性の向上を図り、前記浮動式ヘッドの浮上安定性を確保
し、ＣＳＳ特性の向上を図ることにより、磁気記録特性
の向上を可能することができる。

【００３７】さらにまた、本実施例１の浮動式ヘッドに
おける前記下地層４３そして保護膜４４の各膜厚は、最
低でも１０Å〜５０Å程度の範囲でないと、上記方法に
よって形成される膜が、不均一になり易く、さらに薄い
とアイランド状に形成されてしまうことが推測される。
そこで、前記保護層４４は最低でも１００Å以上である
ことが望ましいが、その下地層４３は１０Å〜５０Å程
度として、多少アイランド状に形成されることを目的と
して、その上面に成膜される保護層４４の内部応力の緩
和を図る手段とすることも考えられる。

【００３８】従って、以上説明したように、本実施例１
の浮動式ヘッドは、ヘッド本体４０の媒体対向面４０Ａ
に、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、ＮｉＣｒか
らなる群から選ばれた１種又は２種以上の元素からなる
下地層４３を形成し、この上面にダイヤモンド状カーボ
ンやグラファイト状カーボン等のＣを主成分とするアモ
ルファス層からなる保護膜４４を設けることによって、
ヘッド本体４０の媒体対向面４０Ａと前記下地層４３の
密着性、そして前記下地層４３と保護膜４４の密着性を
確保することができ、前記ヘッド本体４０の媒体対向面
の耐摩耗性の向上を図り、磁気記録特性を良好なものと
するとともに、前記浮動式ヘッドの長寿命化を図ること
を可能としたものである。

【００３９】なお、前記ヘッド本体４０を形成するＭｎ
−ＺｎフェライトとＳｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈ
ｆ、ＮｉＣｒからなる群から選ばれた１種又２種以上の
元素からなる下地層４３との密着性が良好な理由は、こ
のＭｎ−Ｚｎフェライトを形成しているＭｎＯやＺｎＯ
及びＦｅ₂Ｏ₃の酸素とＳｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、
Ｈｆ、ＮｉＣｒ等が結び付き酸化物を作り易いためであ
り、さらに、前記下地層４３と前記保護膜４４の密着性
が良好な理由は、前記下地層４３のＳｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、ＮｉＣｒ等とＣが結合し炭化物を作
り易いためである。そして、さらに、前記Ｍｎ−Ｚｎフ
ェライトからなるヘッド本体４０の媒体対向面４０Ａと
前記下地層４３の密着強度と、前記下地層４３と前記保
護膜４４の密着強度のバランスが良好であることが、本
実施例１のヘッド本体４０の媒体対向面４０Ａに形成さ
れた下地層４３及び保護膜４４の密着性の強度の確保を
確実なものとしている。

【００４０】また、上述した本実施例１の磁気ヘッド
は、Ｍｎ−Ｚｎフェライトからなる浮動式ヘッドについ
て示したが、Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ（アルチック）からなる
浮動式ヘッドにおいても、本実施例１と同様に、前記組
成からなる下地層４３及び保護膜４４を形成すること
で、前記Ｍｎ−Ｚｎフェライトからなる磁気ヘッドと同
様な効果を得ることが可能である。

【００４１】Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣからなる浮動式ヘッドの
場合に、前記Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣと前記組成からなる下地
層４３、そして前記下地層４３と保護膜４４の密着性を
確保できる理由は、前記下地層４３の組成Ｓｉ、Ｃｒ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、ＮｉＣｒと、この下地層４３
成分と前記Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣは、Ａｌ₂Ｏ₃の酸素と結び
付いて酸化物を形成し易く、又、ＴｉＣのＴｉ又はＣと
結び付いて、チタン化物又は炭化物を形成し易いため
に、前記Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣと前記下地層４３の密着性を
確保できるものであり、そして、前記下地層４３と保護
膜４４は、上述したＭｎ−Ｚｎフェライトの例で説明し
た理由と同じ理由で、その密着性を確保することができ
るものである。そして、このＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣからなる
浮動式ヘッドの場合も、前記ヘッド本体４０の媒体対向
面４０ＡのＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣと下地層４３の密着強度、
そして前記下地層４３と保護膜４４の密着強度のバラン
スが良好であることにより、ヘッド本体４０の媒体対向
面４０Ａに形成された下地層４３及び保護膜４４の密着
性強度の確保を確実なものとしている。

【００４２】さらに、本実施例１において前記下地層４
３と保護膜４４との間に、ＳｉもしくはＳｉの合金ある
いは化合物、具体的にはＳｉＮ_xなどのシリコン窒化物
やＳｉＣ_xなどのシリコン炭化物、ＳｉＯ_xＮ_yなどのシ
リコン窒素酸化物を形成すると、さらに高い密着性を確
保できることがわかった。

【００４３】（実施例２）本実施例２の浮動式ヘッド
は、そのスライダ４０ａに下地層３６を形成する前に、
加工変質層の除去処理を行ない、これに前記下地層４３
及び保護膜４４を設けた構成からなる。

【００４４】本実施例２の磁気ヘッドの製造工程は、図
１に示す実施例１の磁気ヘッドのＭｎ−Ｚｎフェライト
等からなる媒体対向面４０Ａのスライダ４０ａを、鏡面
加工した後に、この鏡面加工によって形成されたスライ
ダ４０ａの加工変質層をエッチングなどにより除去し、
この上面に前記実施例１と同様に下地層４３、そしてこ
の下地層４３の上面に保護膜４４を設ける。

【００４５】よって、本実施例２の磁気ヘッドにおいて
は、浮動式ヘッドのスライダ４０ａの表面に形成された
加工変質層を除去することによって、前記ヘッド本体４
０を形成するＭｎ−Ｚｎフェライトと下地層４３との密
着性を上記実施例１よりもさらに確実なものとすること
ができるとともに、このスライダ４０ａ表面と下地層４
３との密着強度及び前記下地層４３と保護膜４４との密
着強度の向上を図り、その媒体対向面の耐摩耗性の向上
を図るとともに、磁気記録特性を良好なものとし、磁気
ヘッドの長寿命化を図ることが可能である。

【００４６】なお、上述した本実施例２の浮動式ヘッド
においても、上述した実施例１の浮動式ヘッドと同様
に、Ｍｎ−Ｚｎフェライトからなる浮動式ヘッド及びＡ
ｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣからなる浮動式ヘッドに同様に実施する
ことができる。

【００４７】（実施例３）図５、図６及び図７は、本実
施例３の薄膜磁気ヘッドを示すものである。この薄膜磁
気ヘッドは、磁気ディスク等の媒体に向けて配されるス
ライダ４８の背面部４８ｂに、フォトリソグラフィ技術
により薄膜磁気ヘッド素子４７を設けてなるものであ
る。そして、この薄膜磁気ヘッド素子４７は、図７に示
すように、上記スライダ４８基板として、その表面に非
磁性体の絶縁層５２、下部磁極層（下部コア）５３、ギ
ャップ層５７、絶縁層５５で被包されたコイル導体５
６、上部磁極層５４（上部コア）を順次積層してなるも
のであって、各磁極層の先端部をギャップ層５７を介し
て重ね合わせることで、それら磁極層の先端部を対の磁
極となして、それらの相互間にギャップを形成するとと
もに、各磁極の先端面をスライダ４８の底面側に露出さ
せた構成となっている。

【００４８】そして、本実施例３の薄膜磁気ヘッドの特
徴は、上述した構成からなるその媒体対向面４８Ａに、
Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、ＮｉＣｒからな
群から選ばれた１種又２種以上の元素からなる下地層４
９を介して、ダイヤモンド状カーボンやグラファイト状
カーボン等のＣを主成分とするアモルファス層からなる
保護膜５０がＩＶＤ法等により成膜されているところで
ある。

【００４９】薄膜磁気ヘッドは、半導体プロセスに使用
される薄膜形成技術を利用することによって製造開発さ
れた磁気ヘッドであって、半導体プロセスレベルのパタ
ーン精度で形成されるために、その記録密度を極めて高
くできる特徴を持っている。しかし、前記従来の薄膜磁
気ヘッドの媒体対向面は、複数の層が露出しており、こ
れらの各層は、その硬度、そして耐摩耗性等の機械的特
性が、それぞれ異っているために、前記媒体対向面にお
ける摩耗の状態が不均一になり、偏摩耗を生じる問題が
ある。

【００５０】そこで、上記のような問題の解決を図るべ
く、本実施例３の薄膜磁気ヘッドは、図６に示すように
その媒体対向面４８Ａに、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔ
ａ、Ｈｆ、ＮｉＣｒからな群から選ばれた１種又２種以
上の元素からなる下地層４９を介して、ダイヤモンド状
カーボンやグラファイト状カーボン等のＣを主成分とす
るアモルファス層からなる保護層５０をＩＶＤ法により
成膜することにより、前記従来の薄膜磁気ヘッド本体４
８の媒体対向面４８Ａと前記下地層４９の密着性、そし
て前記下地層４９と保護層５０の密着性を確保し、前記
磁気ヘッド本体４８の媒体対向面４８Ａの耐摩耗性の向
上を図り、さらにその偏摩耗を回避することにより、磁
気記録特性を良好なものとし、薄膜磁気ヘッドの長寿命
化を図ることが可能である。

【００５１】また、本実施例３の薄膜磁気ヘッドは、磁
気ディスクに対して記録再生を行なう場合、図７に示す
ように磁気ディスク５８に対して微小間隔をあけて浮上
走行しており、この浮上量は磁気記録の性能に大きな影
響を与える。つまり、この浮上量が大きければ大きいほ
ど磁気ヘッドのギャップと磁気ディスク５８の磁性層と
の距離が大きくなって、磁気記録再生性能の低下につな
がる。

【００５２】よって、本実施例３の上述した構成からな
る薄膜磁気ヘッドのスライダー４８の表面に下地層４９
及び保護膜５０を形成すると、この下地層４９と保護膜
５０分の厚さだけ、前記ギャップと磁気ディスク５８の
磁性層との距離が大きくなるために、磁気記録性能の低
下につながる。従って、前記下地層４９の厚さ及び保護
膜５０の膜厚は、上述した実施例１と同様な範囲で形成
することが好ましい。

【００５３】従って、本実施例３の薄膜磁気ヘッドは、
その媒体対向面に、前記下地層４９を介して前記保護膜
５０を設け、さらに本実施例の薄膜磁気ヘッドと前記磁
気ディスク５８との間に、ある一定間隔に決められた浮
上量範囲を維持し、かつ前記薄膜磁気ヘッドのギャップ
と磁気ディスクの磁性層の間隔を確保することにより、
本実施例５の薄膜磁気ヘッド本体４８のスライダー４８
ａの表面の耐摩耗性の向上を図るとともに、その浮上走
行の安定性を確保し、ＣＳＳ特性の向上を図るととも
に、磁気記録性能の向上を可能にするものである。

【００５４】なお、前記下地層４９そして保護膜５０の
各膜厚は、上述した実施例１及び、実施例２の磁気ヘッ
ドと同様に、最低でも１０Å〜５０Å程度の範囲にない
と、上記方法によって形成される膜が、不均一になり易
く、さらに薄いとアイランド状に形成されてしまうこと
が推測される。そこで、前記保護層４９は最低でも１０
０Å以上であることが望ましいが、その下地層４９は１
０Å〜５０Å程度として、故意にアイランド状に形成さ
れることを目的として、その上面に成膜される保護層４
９の内部応力の緩和を図る手段とすることも一つの構成
例として考えられる。

【００５５】また、前記薄膜磁気ヘッド本体を形成する
Ｍｎ−ＺｎフェライトとＳｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔ
ａ、Ｈｆ、ＮｉＣｒからなる群から選ばれた１種又２種
以上の元素からなる下地層４９との密着性が良好な理由
は、上記実施例１の磁気ヘッドで述べたものと同様であ
る。なお、本実施例３の薄膜磁気ヘッドをＡｌ₂Ｏ₃−Ｔ
ｉＣから形成した場合も上記実施例１で述べた理由によ
り、前記Ｍｎ−Ｚｎフェライトからなる磁気ヘッドと同
様な効果を得ることができる。

【００５６】また、前記薄膜磁気ヘッドのスライダ４８
ａ表面は、その摺動性を良好にするために鏡面加工がさ
れているが、上述した本実施例３の薄膜磁気ヘッドは、
この鏡面加工により生成された加工変質層を除去するこ
となく、下地層４９及び保護膜５０が形成された構成か
らなるが、上記実施例２に示した方法と同様に、前記薄
膜磁気ヘッドのスライダ４８ａに下地層４９を形成する
前に、加工変質層の除去処理を行ない、これに前記下地
層４９及び保護膜５０を設けた構成からなる薄膜磁気ヘ
ッドは、本実施例３の薄膜磁気ヘッドよりも、さらに、
前記媒体対向面４８Ａと下地層４９の密着強度を確実な
ものとし、前記磁気媒体対向面４８Ａと下地層４９の密
着強度、及び前記下地層４９と保護膜５０の密着強度の
バランスを良好なものとし、薄膜磁気ヘッドの媒体対向
面の耐摩耗性の向上を図り、磁気記録特性を向上させる
ことができる。

【００５７】（実施例４）図８及び図９に示す本実施例
４の磁気ヘッドは、ＶＴＲ映像用、固定磁気ディスク用
等に使用されるＭＩＧ型の磁気ヘッドの例を示してい
る。図８に示されるＭＩＧ型の磁気ヘッドは、Ｍｎ−Ｚ
ｎフェライトからなる一対の磁気コア半体２２、２２の
各々の対向端面に、例えばＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金（セ
ンダスト）、パーマロイ、アモルファス金属等の金属磁
性層２３、２３を設けるとともに、この金属磁性層２
３、２３を設けた磁気コアの対向端面との間にＳｉＯ₂
等の非磁性体からなるギャップ層２４を設けることによ
って主ギャップＲを形成し、上記のように成膜された磁
気コア半体２２、２２をガラス層２５で接合することに
より形成された磁気ヘッド本体２８の媒体対向面２８ａ
に、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、ＮｉＣｒか
らなる群から選ばれた１種又は、２種以上の元素からな
る下地層２６が設けられ、さらに、その上面にダイヤモ
ンド状カーボンやグラファイト状カーボンのようなＣを
主成分とするアモルファス層からなる保護膜２７が成膜
されてなるものである。

【００５８】そして、上述したような構成からなる本実
施例４の磁気ヘッドの特徴は、前記磁気ヘッド本体２８
の媒体対向面２８ａに下地層２６を介して保護膜２７を
設けたところであり、これらの下地層２６及び保護膜２
７は、上述した実施例１において説明したＩＶＤ法（イ
オン蒸着薄膜形成法）により成膜されたものである。

【００５９】前記ＩＶＤ法による前記保護膜２７の成膜
方法について説明すると、高真空中容器内でのグラファ
イト電極への電子ビーム照射により炭素原子イオンを生
成する。そして、この炭素原子イオンと炭素原子を、所
定の加速エネルギーで前記磁気ヘッド本体２８の媒体対
向面２８ａに設けた下地層２６上面に照射することによ
り、前記下地層２６上面にダイヤモンド状カーボンや、
グラファイト状カーボン等のＣを主成分とするアモルフ
ァス層からなる保護膜２７を形成するものである。

【００６０】よって、上記方法により本実施例４の磁気
ヘッド本体の媒体対向面２８に前記下地層２６及び保護
膜２７を形成した場合、形成された下地層２６及び保護
膜２７の厚さ分のスペーシングロスが発生するが、この
下地層２６及び保護膜２７の厚さは１０００Å以下に抑
えることにより、通常使用するには無視できる程度のロ
スにとどめることができ、実用上での問題はなくなる。

【００６１】しかし、前記下地層２６そして保護膜２７
の各々は、最低でも膜厚が１０Å〜５０Å程度でない
と、上記方法によって形成された膜は、不均一になり易
く、さらに薄いとアイランド状に形成されてしまうこと
が推測される。そこで、前記保護膜２７は最低でも１０
０Å以上であることが望ましいが、その下地層２６は１
０Å〜５０Å程度として、故意にアイランド状に形成さ
れることを目的とし、その上面に成膜される保護膜２７
の内部応力の緩和を図る手段とすることも一つの構成例
として考えられる。

【００６２】よって、本実施例４の磁気ヘッドは、前記
磁気ヘッド本体２８の媒体対向面２８ａに、Ｓｉ、Ｃ
ｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、ＮｉＣｒからなる群から
選ばれた１種又は２種以上の元素からなる下地層２６を
形成した上面にダイヤモンド状カーボンやグラファイト
状カーボンなどのＣを主成分とするアモルファス層から
なる保護膜２７を形成することによって、磁気ヘッド本
体２８の媒体対向面２８ａと前記下地層２６の密着性、
そして前記下地層２６と保護膜２７の密着性を確保する
ことができ、前記磁気ヘッドの媒体対向面の耐摩耗性の
向上を図り、磁気記録再生特性を良好なものとするとと
もに、磁気ヘッドの長寿命化を図ることが可能である。

【００６３】また、前記磁気ヘッドの本体を形成するＭ
ｎ−ＺｎフェライトとＳｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、
Ｈｆ、ＮｉＣｒからなる群から選ばれた１種又は２種以
上の元素からなる下地層２６との密着性が良好な理由
は、上記実施例１の磁気ヘッドで述べたものと同様であ
る。なお、本実施例４の磁気ヘッドをＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ
から形成した場合も、上記実施例１で述べた理由によ
り、前記Ｍｎ−Ｚｎフェライトからなる磁気ヘッドと同
様な効果を得ることができる。

【００６４】（実施例５）図１０及び図１１は、本実施
例５の磁気ヘッドを示すものである。図１０に示す磁気
ヘッドは、カセットテープレコーダー等に組み込まれて
いる磁気ヘッドの一例である。この磁気ヘッドは、パー
マロイ等からなる略直方体箱状のシールドケース２９の
内部にＲチャンネル（右チャンネル）コア３０ａと、Ｌ
ｃｈ（左チャンネル）コア３０ｂとからなる磁気コア３
０が挿入されるとともに、シールドケース２９内部の空
間部に樹脂材が充填され、さらに電気回路が接続されて
なるものである。また、上記磁気コア３０のテープ摺接
面３１には、それぞれギャップ層３２が形成され、隣接
する磁気コアの間にはシールド板３３が設けられてい
る。そして、この磁気ヘッド３４の上面のテープ摺接面
３１は、磁気テープ３５と当接する方向に膨らんだ形状
となっている。さらに、このテープ摺接面上にはエポキ
シ樹脂が露出している。

【００６５】一般に、磁気テープと摺動関係となる形式
の磁気ヘッドは、コイルの巻回された磁気コア３１の先
端が、シールドケース２９に形成されている孔部からテ
ープ摺接面３１に露出することで概略構成されている。

【００６６】そして、本実施例５の磁気ヘッドにおいて
は、前記磁気テープ摺接面３１の全面又は、少なくとも
磁気テープ接触部αに、ＩＶＤ法によりＳｉ、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、ＮｉＣｒからなる群から選ばれ
た１種又は２種以上の元素からなる下地層３６を形成
し、この上面にダイヤモンド状カーボンやグラファイト
状カーボンなどのＣを主成分とするアモルファス層から
なる保護膜３７を形成することによって目的を達成して
いる。

【００６７】（実施例６）図１２（ａ）及び図１２
（ｂ）は、本実施例６の磁気ディスクの構成を示す図で
ある。図１２（ａ）に示すように本実施例６の磁気ディ
スクは、中央部に透孔５９が形成されたＡｌ、Ａｌ合金
あるいはガラスなどからなる円盤状の基板６０と、この
基板６０の全面に被膜されたＮｉ−Ｐメッキ層６１とか
らなる磁気ディスク基板Ｅが主体となり、磁気ディスク
基板ＥのＮｉ−Ｐメッキ層６１上に、図１２（ｂ）のよ
うな積層膜が形成されている。

【００６８】図１２（ｂ）に示す積層膜は、厚さ千数百
Å程度のＣｒ膜６３と、Ｃｒ膜６３上に形成された厚さ
数百Å程度のＣｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ合金、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金等Ｃｏ系合金からなる磁性膜６４
と磁性層６４上に積層されたＳｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｔａ、Ｈｆ、ＮｉＣｒからな群から選ばれた１種又２種
以上の元素からなる下地層６５と、この下地層６５上
に、ダイヤモンド状カーボンやグラファイト状カーボン
等のＣを主成分とするアモルファス層からなる保護層６
６が上述したＩＶＤ法により成膜されている。

【００６９】前記従来の磁気ディスクにおいては、Ｃか
らなる保護層６６とＣｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等か
らなる磁性層６４との密着性が良好でなく、前記保護層
６６が剥離し易いために、磁気ディスクの耐クラッシュ
性及び耐候性を充分に高めることが困難であったが、本
実施例６の磁気ディスクは、前記磁性層６４との密着強
度の高い、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｉ
Ｃｒからな群から選ばれた１種又２種以上の元素からな
る下地層６５を介して、さらに、この下地層６５との密
着強度の高い、ダイヤモンド状カーボンやグラファイト
状カーボン等のＣを主成分とするアモルファス層からな
る保護層６６を形成するとともに、前記磁性層６４と下
地層６５の密着強度そして前記下地層６５と保護層６６
の密着強度のバランスを図ることにより、本実施例６の
磁気ディスク表面の耐摩耗性を向上させ、磁気記録特性
の向上を図ることができる。

【００７０】そして、上述した構成からなる本実施例６
の磁気ディスクは、下地層６５及び保護層６６の厚さを
数１００Å以下に抑えることが好ましい。しかし、前記
下地層６５そして保護層６６の各膜厚は、最低でも１０
Å〜５０Å程度でないと、上記方法によって形成される
膜が、不均一になり易く、さらに薄いとアイランド状に
形成されてしまうことが推測される。そこで、前記保護
層６６は、最低でも１００Å以上であることが望ましい
が、その下地層６５は１０Å〜５０Å程度として、故意
にアイランド状に形成されることを目的として、その上
面に成膜される保護層６５の内部応力の緩和を図ること
も考えられる。

【００７１】従って、本実施例６の磁気ディスクは、前
記従来の磁気ディスクの全面に、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｔａ、Ｈｆ、ＮｉＣｒからなる群から選ばれた１種
又は２種以上の元素からなる下地層６５を形成し、この
上面にＣを主成分とするアモルファス層からなる保護層
６６を形成することによって、磁気ヘッドの媒体対向面
と前記下地層６５の密着性、そして前記下地層６５と保
護層６６の密着性を確保することができ、前記従来の磁
気ディスクの媒体対向面の耐摩耗性の向上を図り、磁気
記録特性を良好なものとするとともに、磁気ヘッドの長
寿命化を図ることが可能である。

【００７２】なお、実施例２から実施例５において下地
層と保護層とが直接隣接積層されてなる構造を示した
が、実施例１と同様に中間層を介在させることにより、
保護膜をより強固に形成できることはいうまでもない。
また、実施例６においても同様である。

【００７３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明による磁気
ヘッドは、その磁気記録媒体対向面の耐摩耗性を図るた
めに、炭素を主成分とするアモルファス層からなる保護
膜を形成する際に、前記保護膜とも密着性が良く、かつ
表面がパーマロイ等の磁性材料やエポキシ樹脂等の高分
子材料からなる前記磁気ヘッドの表面とも密着性の良好
なＳｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、ＮｉＣｒから
なる群から選ばれた１種又は２種以上の元素からなる下
地層を介在させることによって、磁気ヘッドの保護膜が
媒体との摺動などにより剥離するのを防止できるととも
に浮動式ヘッドにおいては、摺動やゴミなどにより磁気
ヘッドと媒体が衝撃的に接触してもヘッドクラッシュが
生じるのを防止できる。さらに、本発明による磁気ヘッ
ドは前記下地層と保護膜との間にＳｉもしくはＳｉの合
金あるいは化合物からなる中間層を介在させることによ
り、上記作用をより顕著なものとすることができる。

【００７４】また、本発明の磁気ディスクにおいては、
磁気ディスクを構成する磁性膜とＣを主成分とするアモ
ルファス層からなる保護膜との間に、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、ＮｉＣｒからなる群から選ばれ
た１種又は、２種以上の元素からなる下地層を設けるこ
とによって前記磁性層と下地層及び、下地層と前記Ｃを
主成分とするアモルファス層からなる保護膜の密着性を
向上させ、磁気ヘッドの浮上走行における安定性を確保
し、安定したＣＳＳ特性を得ることができる。さらに、
本発明の磁気ディスクは前記下地層と保護膜との間にＳ
ｉもしくはＳｉの合金あるいは化合物からなる中間層を
介在させることによって、上記作用をより顕著なものと
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本実施例１のモノリシック型の３レー
ル浮動ヘッドを示す斜視図である。

【図２】図２は、図１の浮動式ヘッドの正面図である。

【図３】図３は、図１に示す浮動式ヘッドが磁気ディス
ク上を浮上走行している状態を説明するための図であ
る。

【図４】図４は、図３の側面図である。

【図５】図５は、本実施例３の薄膜磁気ヘッドを示す斜
視図である。

【図６】図６は、図５の薄膜磁気ヘッドの正面図であ
る。

【図７】図７は、図５に示す薄膜磁気ヘッドの断面図で
ある。

【図８】図８は、本実施例４の磁気ヘッドを示す斜視図
である。

【図９】図９は、図８の磁気ヘッドの正面図である。

【図１０】図１０は、本実施例５の磁気ヘッドを示す斜
視図である。

【図１１】図１１は、図１０に示す磁気ヘッドのＡ−
Ａ’面の断面図である。

【図１２】図１２（ａ）は、本実施例６の磁気ディスク
における磁気ディスク基板の断面図である。図１２
（ｂ）は、本実施例６の磁気ディスクにおける磁気ディ
スク基板に積層された積層膜の断面構造を示す図であ
る。

【図１３】図１３は、従来のＭＩＧ型磁気ヘッドを示す
斜視図である。

【図１４】図１４は、磁気ヘッドが磁気ディスクを浮上
走行する状態を示す図である。

【図１５】図１５は、ＮＥＣ薄膜硬度計（ＭＨＡ−４０
０）の測定方法及び原理を説明するための図である。

【図１６】図１６（ａ）は、従来の磁気デイスクにおけ
る磁気ディスク基板の断面図である。図１６（ｂ）は、
従来の磁気ディスクにおける磁気ディスク基板ら積層さ
れた積層膜の断面構造を示す図である。

【符号の説明】

５磁気ディスク６磁気ヘッド１７Ｃｒ層１８磁性層１９保護膜２３磁性層２６下地層２７保護膜２８磁気ヘッド本体３６下地層３７保護膜４０ヘッド本体４０Ａ媒体対向面４３下地層４４保護膜４８Ａ媒体対向面４９下地層５０保護膜６３Ｃｒ層６４磁性層６５下地層６６保護膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者角谷透東京都大田区雪谷大塚町１番７号アルプス電気株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気ヘッド本体の磁気記録媒体対向面
に、炭素を主成分とするアモルファス層からなる保護膜
を具備してなる磁気ヘッドであって、前記保護膜の下地
層がＳｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、ＮｉＣｒからなる群から選ばれた１種又は、２種以上の元素から
なることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】前記下地層と保護膜との間に、Ｓｉもし
くは、Ｓｉの合金、あるいは化合物からなる中間層が介
在してなることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッ
ド。
【請求項３】磁気ディスク本体の磁性層上面に炭素を
主成分とするアモルファス層からなる保護膜を具備して
なる磁気ディスクであって、前記保護膜の下地層がＳｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、ＮｉＣｒからなる群から選ばれた１種又は、２種以上の元素から
なることを特徴とする磁気ディスク。
【請求項４】前記下地層と保護膜との間に、Ｓｉもし
くは、Ｓｉの合金、あるいは化合物からなる中間層が介
在してなることを特徴とする請求項３に記載の磁気ディ
スク。