JPS6339161B2 - - Google Patents
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- JPS6339161B2 JPS6339161B2 JP56011760A JP1176081A JPS6339161B2 JP S6339161 B2 JPS6339161 B2 JP S6339161B2 JP 56011760 A JP56011760 A JP 56011760A JP 1176081 A JP1176081 A JP 1176081A JP S6339161 B2 JPS6339161 B2 JP S6339161B2
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- current
- differential amplifier
- voltage
- circuit
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- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
- H03B5/1209—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier having two current paths operating in a differential manner and a current source or degeneration circuit in common to both paths, e.g. a long-tailed pair.
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/1271—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the frequency being controlled by a control current, i.e. current controlled oscillators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/1293—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator having means for achieving a desired tuning characteristic, e.g. linearising the frequency characteristic across the tuning voltage range
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、２つのエミツタ結合されたトランジ
スタを含んでおり、該トランジスタのエミツタが
制御可能な電流源に接続されている第１の差動増
幅器と、上記第１トランジスタのコレクタと給電
電位との間に接続されておりかつ上記差動増幅器
の少なくとも１つの入力側に帰還されている並列
振動回路とを備えた電流制御発振器に関する。
スタを含んでおり、該トランジスタのエミツタが
制御可能な電流源に接続されている第１の差動増
幅器と、上記第１トランジスタのコレクタと給電
電位との間に接続されておりかつ上記差動増幅器
の少なくとも１つの入力側に帰還されている並列
振動回路とを備えた電流制御発振器に関する。
制御および調整の目的のため主に電圧制御発振
器VCOが使用される。その殆んどの場合におい
て容量ダイオードを介して発振器周波数が変化さ
れる。
器VCOが使用される。その殆んどの場合におい
て容量ダイオードを介して発振器周波数が変化さ
れる。
ドイツ連邦共和国特許第2803400号明細書から
は、電流分配回路を介して、振動回路容量に付加
的な容量を付加接続する発振回路が公知である。
は、電流分配回路を介して、振動回路容量に付加
的な容量を付加接続する発振回路が公知である。
論文「インテグレーテド・サーキツト・フエー
ズ−ロツクト・ループス」（1976年、インターナ
シヨナル・コンフエレンス・オン・コミニユケー
ションの議事録からR.R.Cordellの発表。12th.
IEEE Intern.Conf.，Philadelphia，1976年６月
14〜16日、ページ10−12乃至10−16TIB−
RN272（12））においてページ10−13乃至10−15
には電流制御される発振器CCOが記載されてい
る。
ズ−ロツクト・ループス」（1976年、インターナ
シヨナル・コンフエレンス・オン・コミニユケー
ションの議事録からR.R.Cordellの発表。12th.
IEEE Intern.Conf.，Philadelphia，1976年６月
14〜16日、ページ10−12乃至10−16TIB−
RN272（12））においてページ10−13乃至10−15
には電流制御される発振器CCOが記載されてい
る。
上記の論文の第６図に示されているマルチバイ
ブレータの周波数はエミツタ電流を介して制御さ
れる。これにより周波数を決める容量は異なつた
速さで充・放電される。しかしこの回路はマルチ
バイブレータにおいて、不ぞろいな周波数スペク
トルおよび低い周波数安定性のような周知の欠点
を有する。使用可能な発振回路はその上、著しい
回路費用を必要とする。
ブレータの周波数はエミツタ電流を介して制御さ
れる。これにより周波数を決める容量は異なつた
速さで充・放電される。しかしこの回路はマルチ
バイブレータにおいて、不ぞろいな周波数スペク
トルおよび低い周波数安定性のような周知の欠点
を有する。使用可能な発振回路はその上、著しい
回路費用を必要とする。
実開昭53−140346号公報には、発振電圧がある
レベル以上になつた時に生じる可変容量ダイオー
ドの容量のずれにより周波数のずれを来たすこと
を回避するために、発振コイルの１次コイルに並
列に２つのダイオードを逆向きに接続し、該ダイ
オードの順方向電圧で可変容量ダイオードにかか
る発振交流電圧を抑えるようにした「発振回路」
が記載されている。ここでは電圧制御素子は可変
容量ダイオードの容量のずれを防ぐために設けら
れている。
レベル以上になつた時に生じる可変容量ダイオー
ドの容量のずれにより周波数のずれを来たすこと
を回避するために、発振コイルの１次コイルに並
列に２つのダイオードを逆向きに接続し、該ダイ
オードの順方向電圧で可変容量ダイオードにかか
る発振交流電圧を抑えるようにした「発振回路」
が記載されている。ここでは電圧制御素子は可変
容量ダイオードの容量のずれを防ぐために設けら
れている。
また、特開昭54−79547号公報には、可変電流
源の電流の大きさを変化させることによつて発振
周波数を変化する電流制御発振器が記載されてい
る。
源の電流の大きさを変化させることによつて発振
周波数を変化する電流制御発振器が記載されてい
る。
従来この種の発振器回路のいずれでも信号振幅
の制限が行なわれる。これにより周波数ずれが生
じる。この発振器はこの効果を周波数変化のため
に利用する。増幅器は、１つの電流源から給電さ
れる２つのエミツタ結合されたトランジスタから
成る。一方のトランジスタのベースはそれぞれ、
他方のトランジスタのコレクタに接続されてい
る。すなわち交叉帰還されている。並列振動回路
は両コレクタ間に交流電圧の形式に設けられてい
る。
の制限が行なわれる。これにより周波数ずれが生
じる。この発振器はこの効果を周波数変化のため
に利用する。増幅器は、１つの電流源から給電さ
れる２つのエミツタ結合されたトランジスタから
成る。一方のトランジスタのベースはそれぞれ、
他方のトランジスタのコレクタに接続されてい
る。すなわち交叉帰還されている。並列振動回路
は両コレクタ間に交流電圧の形式に設けられてい
る。
この回路においてトランジスタは飽和状態にお
いて差動される。この状態においてトランジスタ
は振動回路における電圧を制限する作用をする。
ここで増幅器の２つのトランジスタのコレクター
ベース間は振動回路に対して逆並列である。振動
回路電流はこの回路装置において最大の場合にの
み、定電流源から供給される値に達する。しかし
トランジスタの飽和状態により発振器はより高い
要求に答える精度に達しない。更に接続された負
荷は振動回路に直接作用する。
いて差動される。この状態においてトランジスタ
は振動回路における電圧を制限する作用をする。
ここで増幅器の２つのトランジスタのコレクター
ベース間は振動回路に対して逆並列である。振動
回路電流はこの回路装置において最大の場合にの
み、定電流源から供給される値に達する。しかし
トランジスタの飽和状態により発振器はより高い
要求に答える精度に達しない。更に接続された負
荷は振動回路に直接作用する。
本発明の課題は簡単な回路を有する制御可能な
発振器を提供することである。
発振器を提供することである。
冒頭に述べた形式の発振器から出発してこの課
題は次のようにして解決される。即ち上記並列振
動回路に電圧制限する付加的な素子を並列に接続
し、かつ第１差動増幅器の第２トランジスタのコ
レクタを抵抗を介して上記給電電位に接続し、か
つ上記第２トランジスタのコレクタは発振器回路
の出力側を形成しかつ制御可能な定電流源として
第２の差動増幅器を設けるのである。
題は次のようにして解決される。即ち上記並列振
動回路に電圧制限する付加的な素子を並列に接続
し、かつ第１差動増幅器の第２トランジスタのコ
レクタを抵抗を介して上記給電電位に接続し、か
つ上記第２トランジスタのコレクタは発振器回路
の出力側を形成しかつ制御可能な定電流源として
第２の差動増幅器を設けるのである。
本発明は、並列振動回路の電圧を制限すること
によつて発振器の周波数を変えることができると
いう認識に基づいている。電圧制限の作用点を制
御することによつて発振周波数も変えられる。電
圧制限の制御、即ち発振周波数の制御は有利に
は、発振回路の増幅器の出力電流を変えることに
よつて行なわれる。
によつて発振器の周波数を変えることができると
いう認識に基づいている。電圧制限の作用点を制
御することによつて発振周波数も変えられる。電
圧制限の制御、即ち発振周波数の制御は有利に
は、発振回路の増幅器の出力電流を変えることに
よつて行なわれる。
この回路の利点は、制御可能なリアクタンスを
必要としないことである。相応に本発明のLC発
振器の製作費は安くてすむ。この回路は、振動回
路は集積されない、モノリシツク部分集積化にも
適している。
必要としないことである。相応に本発明のLC発
振器の製作費は安くてすむ。この回路は、振動回
路は集積されない、モノリシツク部分集積化にも
適している。
この発振回路では振動回路は高抵抗に制御さ
れ、その共振特性のため高い周波数安定性が得ら
れる。第１差動増幅器の定電流源として使用され
る第２の差動増幅器によつて、発振器周波数は周
波数を決める定電流を直接制御する制御電圧によ
つて監視される。発振器の出力側は第２のトラン
ジスタを介して減結合されている。
れ、その共振特性のため高い周波数安定性が得ら
れる。第１差動増幅器の定電流源として使用され
る第２の差動増幅器によつて、発振器周波数は周
波数を決める定電流を直接制御する制御電圧によ
つて監視される。発振器の出力側は第２のトラン
ジスタを介して減結合されている。
電流制御される発振器は電圧制御される発振器
に代わつて使用可能である。
に代わつて使用可能である。
第２の差動増幅器が２つのエミツタ結合された
トランジスタを含んでおり、かつベースが固定電
位に接続されている一方のトランジスタのコレク
タを第１の差動増幅器の２つのトランジスタのエ
ミツタに接続し、かつ上記第２の差動増幅器の他
方のトランジスタのコレクタを給電電位に接続
し、かつ該他方のトランジスタのベースに周波数
を決める制御電圧を加え、かつ上記第２の差動増
幅器の２つのトランジスタの２つのエミツタに共
通のエミツタ抵抗をアース（第２の給電電位）に
接続すると有利である。
トランジスタを含んでおり、かつベースが固定電
位に接続されている一方のトランジスタのコレク
タを第１の差動増幅器の２つのトランジスタのエ
ミツタに接続し、かつ上記第２の差動増幅器の他
方のトランジスタのコレクタを給電電位に接続
し、かつ該他方のトランジスタのベースに周波数
を決める制御電圧を加え、かつ上記第２の差動増
幅器の２つのトランジスタの２つのエミツタに共
通のエミツタ抵抗をアース（第２の給電電位）に
接続すると有利である。
第２の差動増幅器の使用によつて非常に安定し
た定電流源が得られる。
た定電流源が得られる。
高い安定性を実現するために、振動回路に並列
に接続されている電圧制限素子と同じ相対温度特
性を有する制御可能な電流源を設けると有利であ
る。
に接続されている電圧制限素子と同じ相対温度特
性を有する制御可能な電流源を設けると有利であ
る。
制御可能な定電流源を、振動回路と並列である
電圧制限素子と同じ温度特性を有するように構成
すると、発振器は温度に無関係になる。
電圧制限素子と同じ温度特性を有するように構成
すると、発振器は温度に無関係になる。
本発明の別の有利な実施例はその他の実施態様
項に記載されている。
項に記載されている。
次に本発明を図示の実施例につき詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の発振器の基本回路図である。
増幅器Ｖ１の出力側Ａ１には並列振動回路LCが
接続されている。コイルＬのタツプを介してこの
並列振動回路は増幅器Ｖ１の入力側に帰還結合さ
れている。並列振動回路LCには並列に電圧を制
限する素子BUが接続されている。逆並列に接続
されたダイオード、Ｚ−ダイオードまたはトラン
ジスタが電圧を制限するのに適している。増幅器
の出力電流は制御入力側STを介して調整可能な
電流源SIによつて決められる。
増幅器Ｖ１の出力側Ａ１には並列振動回路LCが
接続されている。コイルＬのタツプを介してこの
並列振動回路は増幅器Ｖ１の入力側に帰還結合さ
れている。並列振動回路LCには並列に電圧を制
限する素子BUが接続されている。逆並列に接続
されたダイオード、Ｚ−ダイオードまたはトラン
ジスタが電圧を制限するのに適している。増幅器
の出力電流は制御入力側STを介して調整可能な
電流源SIによつて決められる。
第２図には本発明により制御可能な発振器の１
実施例が示されている。発振回路には２つのnpn
−トランジスタＴ１およびＴ２を有するエミツタ
結合された差動増幅器VD１が使用される。第１
のトランジスタＴ１のコレクタに通じる接続点Ａ
１には、インダクタンスＬと容量Ｃとから成る並
列振動回路が接続されている。並列振動回路の第
２の接続点ASは、給電電位＋UBに接続されて
いる。振動回路に並列に電圧制限回路BUが接続
されている。この回路は互いに反対方向に極性付
けられた２つのダイオードＤ１およびＤ２から成
る。並列振動回路のインダクタンスＬにはコイル
SPが結合されている。このコイルSPの端子はそ
れぞれ、トランジスタＴ１のベース並びにトラン
ジスタＴ２のベースに導かれている。トランジス
タＴ１およびＴ２に対するベースバイアス電圧
は、オーム抵抗RBおよび順方向に縦続接続され
た４つのダイオードＤ３乃至Ｄ６の直列回路によ
つて発生され、その際抵抗RBの１方の端子は給
電電位に、また最後のダイオードＤ６はアースに
接続されている。抵抗RBの、ダイオードＤ３に
接続されている第２の端子は、コイルSPの中間
タツプを介してトランジスタＴ１およびＴ２に対
するベースバイアス電圧を供給する。
実施例が示されている。発振回路には２つのnpn
−トランジスタＴ１およびＴ２を有するエミツタ
結合された差動増幅器VD１が使用される。第１
のトランジスタＴ１のコレクタに通じる接続点Ａ
１には、インダクタンスＬと容量Ｃとから成る並
列振動回路が接続されている。並列振動回路の第
２の接続点ASは、給電電位＋UBに接続されて
いる。振動回路に並列に電圧制限回路BUが接続
されている。この回路は互いに反対方向に極性付
けられた２つのダイオードＤ１およびＤ２から成
る。並列振動回路のインダクタンスＬにはコイル
SPが結合されている。このコイルSPの端子はそ
れぞれ、トランジスタＴ１のベース並びにトラン
ジスタＴ２のベースに導かれている。トランジス
タＴ１およびＴ２に対するベースバイアス電圧
は、オーム抵抗RBおよび順方向に縦続接続され
た４つのダイオードＤ３乃至Ｄ６の直列回路によ
つて発生され、その際抵抗RBの１方の端子は給
電電位に、また最後のダイオードＤ６はアースに
接続されている。抵抗RBの、ダイオードＤ３に
接続されている第２の端子は、コイルSPの中間
タツプを介してトランジスタＴ１およびＴ２に対
するベースバイアス電圧を供給する。
第２のトランジスタＴ２のコレクタは、オーム
抵抗RC２を介して給電電位＋UBに接続されて
いる。更にこの第２のトランジスタＴ２のコレク
タは接続点Ａ２、即ち発振回路の出力側に導かれ
ている。
抵抗RC２を介して給電電位＋UBに接続されて
いる。更にこの第２のトランジスタＴ２のコレク
タは接続点Ａ２、即ち発振回路の出力側に導かれ
ている。
制御可能な電流源SIとしては、２つのエミツタ
結合されてnpn−トランジスタＴ３およびＴ４を
有する第２の差動増幅器VD２が使用される。エ
ミツタはそれぞれ対称抵抗RE３もしくはRE４を
介して一緒に接続され、かつ共通のエミツタ抵抗
RGに導かれている。この抵抗の第２の端子はア
ースに接続されている。トランジスタＴ４のコレ
クタは第１の差動増幅器VD１の双方のエミツタ
に接続されている。このトランジスタＴ４のベー
スはダイオードＤ４およびＤ５の接続点に接続さ
れているので、そこには常時一定の電圧が加えら
れる。エミツタ結合されたトランジスタＴ３のコ
レクタは直接、給電電位＋UBに接続されてい
る。トランジスタＴ３のベースは制御入力側ST
に導き出されている。発振回路全体に対する給電
部としては、給電電位＋UBを供給するバツテリ
ーUBが用いられる。バツテリーの第２の端子は
アースに接続されている。
結合されてnpn−トランジスタＴ３およびＴ４を
有する第２の差動増幅器VD２が使用される。エ
ミツタはそれぞれ対称抵抗RE３もしくはRE４を
介して一緒に接続され、かつ共通のエミツタ抵抗
RGに導かれている。この抵抗の第２の端子はア
ースに接続されている。トランジスタＴ４のコレ
クタは第１の差動増幅器VD１の双方のエミツタ
に接続されている。このトランジスタＴ４のベー
スはダイオードＤ４およびＤ５の接続点に接続さ
れているので、そこには常時一定の電圧が加えら
れる。エミツタ結合されたトランジスタＴ３のコ
レクタは直接、給電電位＋UBに接続されてい
る。トランジスタＴ３のベースは制御入力側ST
に導き出されている。発振回路全体に対する給電
部としては、給電電位＋UBを供給するバツテリ
ーUBが用いられる。バツテリーの第２の端子は
アースに接続されている。
この回路図では発振器の動作を説明するにはわ
かりにくいので、第２図の発振器の基本回路図が
別に第３図に示されている。その際エミツタ結合
されたトランジスタＴ１およびＴ２を有する第１
の差動増幅器VD１はそのまゝである。第１のト
ランジスタＴ１のコレクタに接続されている、イ
ンダクタンスＬ、キヤパシタンスＣを有する並列
振動回路およびこの回路に並列に接続されている
ダイオードＤ１並びにこのダイオードに逆並列に
接続されているダイオードＤ２も同様に図示して
ある。トランジスタＴ１のコレクタは電圧源Ub2
を介してトランジスタＴ２のベースに帰還結合さ
れており、トランジスタＴ１のベースは電圧源
Ub1を介してインダクタンスＬのタツプに導かれ
ている。電圧源Ub1およびUb2はそれぞれ、両ト
ランジスタに対するベースバイアス電圧を発生す
る。トランジスタＴ２のコレクタは１方で抵抗
RC２を介して給電電位＋UBに接続されており、
他方で出力端子Ａ２に導かれている。
かりにくいので、第２図の発振器の基本回路図が
別に第３図に示されている。その際エミツタ結合
されたトランジスタＴ１およびＴ２を有する第１
の差動増幅器VD１はそのまゝである。第１のト
ランジスタＴ１のコレクタに接続されている、イ
ンダクタンスＬ、キヤパシタンスＣを有する並列
振動回路およびこの回路に並列に接続されている
ダイオードＤ１並びにこのダイオードに逆並列に
接続されているダイオードＤ２も同様に図示して
ある。トランジスタＴ１のコレクタは電圧源Ub2
を介してトランジスタＴ２のベースに帰還結合さ
れており、トランジスタＴ１のベースは電圧源
Ub1を介してインダクタンスＬのタツプに導かれ
ている。電圧源Ub1およびUb2はそれぞれ、両ト
ランジスタに対するベースバイアス電圧を発生す
る。トランジスタＴ２のコレクタは１方で抵抗
RC２を介して給電電位＋UBに接続されており、
他方で出力端子Ａ２に導かれている。
制御入力側STを有する制御可能な電流源SIは
象徴的に示されているにすぎない。この電流源は
一方では、第１の差動増幅器VD１のトランジス
タＴ１およびＴ２のエミツタに接続されており、
また第２の接続点はアースに接続されている。発
振回路はこの場合もバツテリー電圧UBによつて
給電される。
象徴的に示されているにすぎない。この電流源は
一方では、第１の差動増幅器VD１のトランジス
タＴ１およびＴ２のエミツタに接続されており、
また第２の接続点はアースに接続されている。発
振回路はこの場合もバツテリー電圧UBによつて
給電される。
電流源SIを介して電流IKが流れるが、その値は
接続点STに加えられる制御電圧に依存している。
いずれの場合にも正の電位から負の電位への計算
上の電流の流れる方向が示されている。インダク
タンスＬを介して流れる電流はiLで示されてい
る。振動回路に加えられる電圧はuCで示されてお
り、またトランジスタＴ１を介して流れる電流は
iKで示されている。
接続点STに加えられる制御電圧に依存している。
いずれの場合にも正の電位から負の電位への計算
上の電流の流れる方向が示されている。インダク
タンスＬを介して流れる電流はiLで示されてい
る。振動回路に加えられる電圧はuCで示されてお
り、またトランジスタＴ１を介して流れる電流は
iKで示されている。
第２図は、振動回路周波数が差動増幅器の入力
側に帰還結合されている発振回路を示している。
制限が行なわれなければ、この発振器は周波数0
＝１／2π√で振動する。
側に帰還結合されている発振回路を示している。
制限が行なわれなければ、この発振器は周波数0
＝１／2π√で振動する。
しかし振動回路電圧の制限がダイオードＤ１お
よびＤ２を介して行なわれれば、発振器の周波数
は低減される。所定の制限電圧に電圧制限を行な
うかは振動回路電圧uCによつて決められる。この
電圧はこの場合もトランジスタＴ１を流れる電流
iK、従つて制御可能な電流源SIを流れる印加電流
IKに依存している。
よびＤ２を介して行なわれれば、発振器の周波数
は低減される。所定の制限電圧に電圧制限を行な
うかは振動回路電圧uCによつて決められる。この
電圧はこの場合もトランジスタＴ１を流れる電流
iK、従つて制御可能な電流源SIを流れる印加電流
IKに依存している。
発振回路は、トランジスタＴ１かまたはトラン
ジスタＴ２が完全に導通接続されているように設
計されている。このことは印加電流IKがトランジ
スタＴ１かまたはトランジスタＴ２を流れること
を意味する。
ジスタＴ２が完全に導通接続されているように設
計されている。このことは印加電流IKがトランジ
スタＴ１かまたはトランジスタＴ２を流れること
を意味する。
制御可能な印加電流源SIの機能をもう１度第２
図を用いて説明する。制御可能な印加電流源は差
動増幅器VD２によつて形成される。制御入力側
STを介して、制御電圧Ufはこの差動増幅器VD
２の１方のトランジスタＴ３のベースに加えられ
る。トランジスタＴ３は制御電圧Ufによつて遮
断されているものとする。その際全体の電流IKは
トランジスタＴ４および抵抗RE４およびRGを介
して流れる。トランジスタＴ４のベースに加えら
れる、ダイオードＤ４とＤ５との接続点で取出さ
れる電圧およびエミツタ抵抗RG＋RE４が、差動
増幅器VD２の印加電流IKO値を決める。
図を用いて説明する。制御可能な印加電流源は差
動増幅器VD２によつて形成される。制御入力側
STを介して、制御電圧Ufはこの差動増幅器VD
２の１方のトランジスタＴ３のベースに加えられ
る。トランジスタＴ３は制御電圧Ufによつて遮
断されているものとする。その際全体の電流IKは
トランジスタＴ４および抵抗RE４およびRGを介
して流れる。トランジスタＴ４のベースに加えら
れる、ダイオードＤ４とＤ５との接続点で取出さ
れる電圧およびエミツタ抵抗RG＋RE４が、差動
増幅器VD２の印加電流IKO値を決める。
しかしトランジスタＴ３のベースに加えられる
制御電圧Ufが変わると、抵抗RGを介して流れる
印加電流IKOの１部が抵抗RE３を介してトランジ
スタＴ３のエミツタ線に導出される。従つてトラ
ンジスタＴ４を介して相応に小さな電流IKが流れ
る。これは差動増幅器VD１の印加電流である。
制御電圧Ufが変わると、抵抗RGを介して流れる
印加電流IKOの１部が抵抗RE３を介してトランジ
スタＴ３のエミツタ線に導出される。従つてトラ
ンジスタＴ４を介して相応に小さな電流IKが流れ
る。これは差動増幅器VD１の印加電流である。
第４図の時間ダイヤグラムには、発振状態にあ
る発振振動回路LCの電流および電圧経過の１周
期が示されている。実線で示されているのは、コ
イルを流れる電流iLの曲線である。振動回路の電
圧経過uCは、破線として示されており、またトラ
ンジスタＴ１を流れる電流iKは細かい鎖線として
示されている。
る発振振動回路LCの電流および電圧経過の１周
期が示されている。実線で示されているのは、コ
イルを流れる電流iLの曲線である。振動回路の電
圧経過uCは、破線として示されており、またトラ
ンジスタＴ１を流れる電流iKは細かい鎖線として
示されている。
時間軸上には、特徴のある時点がt1，t2，t3…
…で示されている。図示の周期の開始はt0で示さ
れており、この周期の終了はＴで示されている。
時点t0ではまだダイオードＤ１およびＤ２の電圧
制限作用は生じていない。振動回路の電圧経過uC
は、角周波数ω0＝１／√を有する自由振動の
電圧経過である。時点t1ではトランジスタＴ１は
遮断されるので、この結果トランジスタを流れる
電流iKは零になる。振動回路の電圧経過は更に同
じ角周波数ω0で行なわれるが、その際電圧経過
の振幅は、電流iKの遮断によつて変化した。時点
t2でダイオードＤ１，Ｄ２の制限作用が始まる。
これにより振動回路の電圧はそれ以上上昇できな
くなる。コイルを流れる電流iLは一段と僅かにな
る。
…で示されている。図示の周期の開始はt0で示さ
れており、この周期の終了はＴで示されている。
時点t0ではまだダイオードＤ１およびＤ２の電圧
制限作用は生じていない。振動回路の電圧経過uC
は、角周波数ω0＝１／√を有する自由振動の
電圧経過である。時点t1ではトランジスタＴ１は
遮断されるので、この結果トランジスタを流れる
電流iKは零になる。振動回路の電圧経過は更に同
じ角周波数ω0で行なわれるが、その際電圧経過
の振幅は、電流iKの遮断によつて変化した。時点
t2でダイオードＤ１，Ｄ２の制限作用が始まる。
これにより振動回路の電圧はそれ以上上昇できな
くなる。コイルを流れる電流iLは一段と僅かにな
る。
時点t3でダイオードＤ１，Ｄ２の電圧を制限す
る作用は再び取除かれる。振動回路の電圧経過は
再び、時点t4まで自由振動の経過に相応する。時
点t4でトランジスタＴ１は再び導通切換される。
振動回路の電圧経過は自由振動の周波数で続く
が、電流変化iKによつて規定されて、振幅が大き
くなる。
る作用は再び取除かれる。振動回路の電圧経過は
再び、時点t4まで自由振動の経過に相応する。時
点t4でトランジスタＴ１は再び導通切換される。
振動回路の電圧経過は自由振動の周波数で続く
が、電流変化iKによつて規定されて、振幅が大き
くなる。
時点t5でダイオードＤ１，Ｄ２の電圧制限作用
が新たに始まり、一方コイルを流れる電流iLは更
に上昇する。時点ＴでダイオードＤ１，Ｄ２の電
圧制限作用が終了し、これにより１振動周期は終
わつて、電圧経過は繰返される。振動の周期持続
時間は、時間間隔t2乃至t3およびt5乃至Ｔの周辺
で自由振動の周期持続時間に比べて延長があつ
た。
が新たに始まり、一方コイルを流れる電流iLは更
に上昇する。時点ＴでダイオードＤ１，Ｄ２の電
圧制限作用が終了し、これにより１振動周期は終
わつて、電圧経過は繰返される。振動の周期持続
時間は、時間間隔t2乃至t3およびt5乃至Ｔの周辺
で自由振動の周期持続時間に比べて延長があつ
た。
つまり差動増幅器VD１の印加電流IKの増大に
よつて、ダイオードＤ１，Ｄ２の制限作用が行な
われる時間空間t2乃至t3およびt5乃至Ｔが同じよ
うに拡大される。即ち発振周波数は印加電流IKに
依存している。
よつて、ダイオードＤ１，Ｄ２の制限作用が行な
われる時間空間t2乃至t3およびt5乃至Ｔが同じよ
うに拡大される。即ち発振周波数は印加電流IKに
依存している。
発振器−振動回路の電流および電圧経過を計算
により求めることができる。時間間隔t0乃至t1，
t1乃至t2……において次の微分方程式DGがあて
はまる。
により求めることができる。時間間隔t0乃至t1，
t1乃至t2……において次の微分方程式DGがあて
はまる。
t0−t1：DG1.1CduC／dt＋iL＝IK，
DG1.2LdiL／dt＝uC
t1−t2：DG2.1CduC／dt＋iL＝０，
DG2.2LdiL／dt＝uC
t2−t3：DG3.1iD＋iL＝０，
DG3.2LdiL／dt＝UD
t3−t4：DG4.1CduC／dt＋iL＝０，
DG4.2LdiL／dt＝uC
t4−t5：DG5.1CduC／dt＋iL＝IK，
DG5.2LdiL／dt＝uC
t5−Ｔ：DG5.1iD＋iL＝IK，
DG6.2LdiL／dt＝UD
ダイオードＤ１，Ｄ２を理想的な制限器とみな
せば、微分方程式系に対して解は次のように求め
られる。つまり周期内の各間隔に対して、間隔の
開始および終了時に徐々に隣接間隔の特殊な解に
移行する特殊な解を示すことができる。すべての
このように得られた解が全部で、発振状態におけ
る電流および電圧経過に対する解を形成する。解
のグラフ図は第４図に示されている。
せば、微分方程式系に対して解は次のように求め
られる。つまり周期内の各間隔に対して、間隔の
開始および終了時に徐々に隣接間隔の特殊な解に
移行する特殊な解を示すことができる。すべての
このように得られた解が全部で、発振状態におけ
る電流および電圧経過に対する解を形成する。解
のグラフ図は第４図に示されている。
間隔ｏｔt2およびt3ｔt5において次の
ような一般解が得られる。
ような一般解が得られる。
uC（ｔ）＝UCO cosωO（ｔ−tK）ｔ＋iK（ｔ）−ILO
゜ iL（ｔ）＝ILO−iK（ｔ）cosωO（ｔ−tX）＋UCO゜ その際UCO，LLOは、間隔限界値tX＝t0，t1，t3，
t4におけるuC，iLのそれぞれの初期値である。
゜ iL（ｔ）＝ILO−iK（ｔ）cosωO（ｔ−tX）＋UCO゜ その際UCO，LLOは、間隔限界値tX＝t0，t1，t3，
t4におけるuC，iLのそれぞれの初期値である。
時間間隔t2ｔt3およびt5ｔＴに対して
は次の式が当てはまる。
は次の式が当てはまる。
uC（ｔ）＝UCO＝UD
iL（ｔ）＝−UCO／Ｌ（ｔ−tX）＋ILO
その際UCO，ILOは、間隔限界値tX＝t2，t5にお
けるuC，iLのそれぞれの初期値である。
けるuC，iLのそれぞれの初期値である。
これにより解は次のようになる。即ち微分方程
式DG1.1乃至DG6.2は式GL1.1乃至6.2に…… これらの解に基づいて周期持続時間および印加
電流IKへの依存度が計算される。この関係は第５
図にグラフ表示されている。
式DG1.1乃至DG6.2は式GL1.1乃至6.2に…… これらの解に基づいて周期持続時間および印加
電流IKへの依存度が計算される。この関係は第５
図にグラフ表示されている。
第４図のグラフ図を補足して更に次のことが言
える。つまり発振回路において値±IKの電流が並
列振動回路Ｌ，Ｃに切換えられると、振動回路の
電流および対称形の経過が生じる。
える。つまり発振回路において値±IKの電流が並
列振動回路Ｌ，Ｃに切換えられると、振動回路の
電流および対称形の経過が生じる。
第６図に示された集積可能なLC発振器は、第
２図の実施例において既に説明したように発振回
路における第１の差動増幅器VD１および制御可
能な定電流源としての第２の差動増幅器VD２を
含んでいる。
２図の実施例において既に説明したように発振回
路における第１の差動増幅器VD１および制御可
能な定電流源としての第２の差動増幅器VD２を
含んでいる。
接続点Ａ１１を介して並列振動回路Ｌ，Ｃは、
第１の差動増幅器VD１のトランジスタＴ１のコ
レクタに接続される。第２の振動回路端子は給電
電位＋UBに接続される。振動回路電圧の制限の
ために用いられるダイオードＤ１およびＤ２は集
積回路の構成要素である。
第１の差動増幅器VD１のトランジスタＴ１のコ
レクタに接続される。第２の振動回路端子は給電
電位＋UBに接続される。振動回路電圧の制限の
ために用いられるダイオードＤ１およびＤ２は集
積回路の構成要素である。
定電流源として動作する差動増幅器VD２にお
いてトランジスタＴ４のベースとアース端子点Ｍ
との間に位置するダイオードＤ５およびＤ６は抵
抗RBを介して給電電位＋UBに接続されている。
いてトランジスタＴ４のベースとアース端子点Ｍ
との間に位置するダイオードＤ５およびＤ６は抵
抗RBを介して給電電位＋UBに接続されている。
電位差の整合は、エミツタホロワが後置接続さ
れている２つの別の定電流源を介して行なわれ
る。
れている２つの別の定電流源を介して行なわれ
る。
第１の付加的な定電流源は、エミツタが抵抗
RE５を介してアースＭに接続されているトラン
ジスタＴ５から成る。コレクタは抵抗RC５を介
して給電電位＋UBに接続されている。更にトラ
ンジスタＴ５のコレクタにエミツタホロワＴ７の
ベースが接続されている。このトランジスタのエ
ミツタは第１の差動増幅器のトランジスタＴ１の
ベースに接続されており、また抵抗RE７を介し
てアースに接続されている。またコレクタは給電
電位＋UBに接続されている。
RE５を介してアースＭに接続されているトラン
ジスタＴ５から成る。コレクタは抵抗RC５を介
して給電電位＋UBに接続されている。更にトラ
ンジスタＴ５のコレクタにエミツタホロワＴ７の
ベースが接続されている。このトランジスタのエ
ミツタは第１の差動増幅器のトランジスタＴ１の
ベースに接続されており、また抵抗RE７を介し
てアースに接続されている。またコレクタは給電
電位＋UBに接続されている。
定電流源として接続されているトランジスタＴ
５のベースは、第２の差動増幅器のトランジスタ
Ｔ４のベース並びに第２の付加的な定電流源であ
るトランジスタＴ６のベースに接続されている。
５のベースは、第２の差動増幅器のトランジスタ
Ｔ４のベース並びに第２の付加的な定電流源であ
るトランジスタＴ６のベースに接続されている。
トランジスタＴ６のエミツタは抵抗RE６を介
してアースに接続されており、一方コレクタは抵
抗RC６を介して並列振動回路Ｌ，Ｃの接続点Ａ
１１に接続されている。
してアースに接続されており、一方コレクタは抵
抗RC６を介して並列振動回路Ｌ，Ｃの接続点Ａ
１１に接続されている。
トランジスタＴ６のコレクタには第２のエミツ
タホロワＴ８のベースが接続されている。トラン
ジスタＴ８のエミツタは、第１の差動増幅器VD
１のトランジスタＴ２のベース並びに抵抗RE８
を介してアースに接続されている。トランジスタ
Ｔ８のコレクタは、給電電位＋UBに接続されて
いる。
タホロワＴ８のベースが接続されている。トラン
ジスタＴ８のエミツタは、第１の差動増幅器VD
１のトランジスタＴ２のベース並びに抵抗RE８
を介してアースに接続されている。トランジスタ
Ｔ８のコレクタは、給電電位＋UBに接続されて
いる。
回路の動作は、第１の実施例の動作に相応す
る。振動回路電圧の帰還結合は、振動回路の接続
点Ａ１１から抵抗RC６およびトランジスタＴ８
を介して第１の差動増幅器VD１のトランジスタ
Ｔ２のベースの第２の入力側に行なわれる。電位
の整合は、２つの付加的な定電流源によつて定電
流源によつて発生される定電流およびトランジス
タＴ５およびＴ６のコレクタ回路の抵抗RC５お
よびRC６によつて行なわれる。この実施例にお
いてもnpn−トランジスタのみが使用される。
る。振動回路電圧の帰還結合は、振動回路の接続
点Ａ１１から抵抗RC６およびトランジスタＴ８
を介して第１の差動増幅器VD１のトランジスタ
Ｔ２のベースの第２の入力側に行なわれる。電位
の整合は、２つの付加的な定電流源によつて定電
流源によつて発生される定電流およびトランジス
タＴ５およびＴ６のコレクタ回路の抵抗RC５お
よびRC６によつて行なわれる。この実施例にお
いてもnpn−トランジスタのみが使用される。
発振器をモノリシツクに集積する場合給電電圧
端子の他には、並列振動回路用の接続点と制御入
力側の接続点である２つの端子しか必要でない。
端子の他には、並列振動回路用の接続点と制御入
力側の接続点である２つの端子しか必要でない。
第７図において制御可能なLC発振器のデユア
ルな実施例が示されている。LC発振器は増幅器
Ｖ２から成り、この増幅器の出力側には電流制限
器BIとインダクタンスLSとキヤパシタンスCSと
の並列回路が接続されている。振動回路は増幅器
Ｖ２の入力側に帰還結合されている。増幅器Ｖ２
の出力電圧は制御入力側STUを介して調整可能
である。
ルな実施例が示されている。LC発振器は増幅器
Ｖ２から成り、この増幅器の出力側には電流制限
器BIとインダクタンスLSとキヤパシタンスCSと
の並列回路が接続されている。振動回路は増幅器
Ｖ２の入力側に帰還結合されている。増幅器Ｖ２
の出力電圧は制御入力側STUを介して調整可能
である。
制限作用が行なわれなければ、発振器は角周波
数ωO＝１√で振動する。しかし増幅器Ｖ２の
出力電圧が上昇すると、振動回路の電流は電流制
限器BIによつて制限される。並列振動回路を有
する発振回路に相応してこの場合も変化される振
動周期が生じる。第６図の発振回路において電流
制限を始めるかについての決定は、制御入力側
STIを介した電流制限器BIの制御によつて行なわ
れる。
数ωO＝１√で振動する。しかし増幅器Ｖ２の
出力電圧が上昇すると、振動回路の電流は電流制
限器BIによつて制限される。並列振動回路を有
する発振回路に相応してこの場合も変化される振
動周期が生じる。第６図の発振回路において電流
制限を始めるかについての決定は、制御入力側
STIを介した電流制限器BIの制御によつて行なわ
れる。
電流制限器としてはこの場合も既述の印加電流
源が使用される。
源が使用される。
増幅器Ｖ２の出力電圧はその給電電位を介して
制御することができる。
制御することができる。
第１図は、本発明の発振器の原理を示す回路図
であり、第２図は本発明の発振器の第１の実施例
の回路図であり、第３図は第２図の発振器の原理
を示す回路図であり、第４図は第２図の回路図に
対応する、発振回路の電圧および電流経過を示す
時間ダイヤグラムであり、第５図は制御電流の働
きである、発振器の周波数経過の１部を示すグラ
フ図、第６図はモノリシツク集積に適したLC発
振器の回路図、第７図は本発明の発振器のデユア
ルな実施例の原理を示す回路図である。 Ｖ１，Ｖ２……増幅器、Ｌ，Ｃ……並列振動回
路、BU……電圧制限器、SI……制御可能な定電
流源、iK……増幅器Ｖ１の出力電流、VD１，VD
２……差動増幅器、＋UB……給電電位、Ｍ……
アース電位、LS，LC……直列振動回路、ST……
制御入力側、Ａ１……接続点、Ａ２……出力端
子、BI……電流制限素子、SU……電圧源、Uf…
…制御電圧、IK……制御電流。
であり、第２図は本発明の発振器の第１の実施例
の回路図であり、第３図は第２図の発振器の原理
を示す回路図であり、第４図は第２図の回路図に
対応する、発振回路の電圧および電流経過を示す
時間ダイヤグラムであり、第５図は制御電流の働
きである、発振器の周波数経過の１部を示すグラ
フ図、第６図はモノリシツク集積に適したLC発
振器の回路図、第７図は本発明の発振器のデユア
ルな実施例の原理を示す回路図である。 Ｖ１，Ｖ２……増幅器、Ｌ，Ｃ……並列振動回
路、BU……電圧制限器、SI……制御可能な定電
流源、iK……増幅器Ｖ１の出力電流、VD１，VD
２……差動増幅器、＋UB……給電電位、Ｍ……
アース電位、LS，LC……直列振動回路、ST……
制御入力側、Ａ１……接続点、Ａ２……出力端
子、BI……電流制限素子、SU……電圧源、Uf…
…制御電圧、IK……制御電流。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ２つのエミツタ結合されたトランジスタＴ
１，Ｔ２を含んでおり、該両トランジスタのエミ
ツタが制御可能な定電流源に接続されている差動
増幅器VD１と、上記第１トランジスタＴ１のコ
レクタと給電電位＋UBとの間に接続されており
かつ上記差動増幅器の少なくとも一方の入力側に
帰還接続されている並列振動回路Ｌ，Ｃとを備え
た電流制御発振器において、上記並列振動回路
Ｌ，Ｃに電圧制限する付加的な素子BUが並列に
接続されており、かつ上記第２トランジスタＴ２
のコレクタが抵抗RC２を介して上記給電電位＋
UBに接続されており、かつ上記第２トランジス
タＴ２のコレクタは発振器回路の出力側Ａ２を形
成しかつ制御可能な定電流源として第２の差動増
幅器VD２が設けられていることを特徴とする電
流制御発振器。 ２ 第２の差動増幅器VD２は、２つのエミツタ
結合されたトランジスタＴ３，Ｔ４を含んでお
り、かつベースが固定電位に接続されている一方
のトランジスタＴ４のコレクタは第１の差動増幅
器VD１の２つのトランジスタＴ１，Ｔ２のエミ
ツタに接続されており、かつ上記第２の差動増幅
器VD２の他方のトランジスタＴ３のコレクタは
給電電位＋UBに接続されており、かつ該他方の
トランジスタＴ３のベースには周波数を決める制
御電圧Ufが加えられ、かつ上記第２の差動増幅
器VD２の２つのトランジスタＴ３，Ｔ４の２つ
のエミツタに共通のエミツタ抵抗RGはアース
（第２の給電電位）に接続されている特許請求の
範囲第１項記載の電流制御発振器。 ３ 電圧を制限する素子BUとして逆並列に接続
されたダイオードＤ１，Ｄ２が設けられている特
許請求の範囲第１項または第２項記載の電流制御
発振器。 ４ 振動回路Ｌ，Ｃに並列に接続された電圧を制
限する素子BUと同じ相対温度特性を有する制御
可能な電流源SIが設けられている特許請求の範囲
第１項から第３項までのいずれか１項記載の電流
制御発振器。 ５ 振動回路電圧と、第１の差動増幅器VD１の
入力側との電位差の整合並びに第１の差動増幅器
VD１の動作点の決定は、エミツタホロワＴ７，
Ｔ８が後置接続されている２つの同じに構成され
た定電流源Ｔ５，Ｔ６によつて行なわれる特許請
求の範囲第２項から第４項までのいずれか１項記
載の電流制御発振器。 ６ 発振器はモノリシツクに部分集積されている
特許請求の範囲第５項記載の電流制御発振器。 ７ 帰還結合路に、発振器の周波数特性を直線化
するための位相回転素子が設けられている特許請
求の範囲第１項から第６項までのいずれか１項記
載の電流制御発振器。 ８ 帰還結合路に設けられた位相回転素子は、発
振器の周波数特性が制御電流IKに依存して平坦な
最大値を有するように回路定数を定められている
特許請求の範囲第１項から第６項までのいずれか
１項記載の電流制御発振器。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3003302A DE3003302C2 (de) | 1980-01-30 | 1980-01-30 | Stromgesteuerter Oszillator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56120203A JPS56120203A (en) | 1981-09-21 |
| JPS6339161B2 true JPS6339161B2 (ja) | 1988-08-03 |
Family
ID=6093277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1176081A Granted JPS56120203A (en) | 1980-01-30 | 1981-01-30 | Controllable oscillator in frequency by current change |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4419634A (ja) |
| EP (1) | EP0033473B1 (ja) |
| JP (1) | JPS56120203A (ja) |
| AT (1) | ATE6329T1 (ja) |
| DE (2) | DE3003302C2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814604A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-27 | Sanyo Electric Co Ltd | Ａｍ変調回路 |
| JPS60125004A (ja) * | 1983-12-10 | 1985-07-04 | Sony Corp | 発振回路 |
| US4580109A (en) * | 1984-11-23 | 1986-04-01 | Tektronix, Inc. | Low noise oscillator |
| US4816779A (en) * | 1986-09-09 | 1989-03-28 | U.S. Philips Corp. | Amplitude stabilized oscillator having positive and negative feedback |
| GB2234643B (en) * | 1989-08-02 | 1993-07-14 | Plessey Co Plc | Frequency modulator |
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| DE3162189D1 (en) | 1984-03-22 |
| EP0033473B1 (de) | 1984-02-15 |
| DE3003302C2 (de) | 1982-12-23 |
| ATE6329T1 (de) | 1984-03-15 |
| EP0033473A3 (en) | 1981-12-30 |
| JPS56120203A (en) | 1981-09-21 |
| US4419634A (en) | 1983-12-06 |
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