JPS5814604A - Ａｍ変調回路 - Google Patents
Ａｍ変調回路Info
- Publication number
- JPS5814604A JPS5814604A JP56113848A JP11384881A JPS5814604A JP S5814604 A JPS5814604 A JP S5814604A JP 56113848 A JP56113848 A JP 56113848A JP 11384881 A JP11384881 A JP 11384881A JP S5814604 A JPS5814604 A JP S5814604A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- carrier wave
- transistor
- modulation
- differential pair
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C1/00—Amplitude modulation
- H03C1/36—Amplitude modulation by means of semiconductor device having at least three electrodes
Landscapes
- Amplitude Modulation (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明に振幅変調回路（以下「ＡＭ変調回路」という）
、特に変調度の一定なＡＭ変調回路に関するものである
。
、特に変調度の一定なＡＭ変調回路に関するものである
。
斯るＡＭ変副回路ヰ例えばＶＴＲの音声多重出力信号を
テレビジョン受儂機に導び〈際ｒｃＶＴＲｃ力を高周波
変調して供給するエンコーダにおいて、その音声多重信
号の種類を識別するためのパイロ信号ｔ−変調波とした
変調信号を形成するのに使用される。
テレビジョン受儂機に導び〈際ｒｃＶＴＲｃ力を高周波
変調して供給するエンコーダにおいて、その音声多重信
号の種類を識別するためのパイロ信号ｔ−変調波とした
変調信号を形成するのに使用される。
従来のムＭ変調回路は第１図に示すようｒｃ変変波波発
振回路１）、搬送波発振回路１２１％変調回路１３）の
３つのブロックで構成されていた０変調波発振回（ＴＩ
’）（Ｔ２）、コンデンサ（０１）（０２）（Ｏ３）（
０口）リードフィルタ（４）で構成さｎ、、その発振ル
ープな−トランジスタ（Ｔ２）のベース→そのコレクタ
→リードフィルタ（４１→トランジスタ（Ｔ１）のベー
ス→このループの利得が１以上であれば発振する・発振
周波数σリードフィルタ（４）の周波数選択性によって
決定ざｎ（例えば９２２゜５Ｔｌｚ）、冒調波の波形に
萬２図（イ）に示すように正弦−となる。搬送波発振回
路（２１はトランジスタ（Ｔ５）、抵抗（Ｒ７）（Ｒｅ
）、 コンデンサ（ｃ４′）（ａｓ ）（ｃ６′）、イ
ンダクタンスコイル（Ｌ１’）でｌｆ放さｎ、その発振
ループげトランジスタ（Ｔ３）のエミッタ→コンデンサ
（Ｃ６）→トランジスタ（Ｔ ｓ’ ）のコレクターそ
のエミッタとなり、この糸の利得が１以上あれば発振す
る◎発振周波数はコンデンサ（Ｃ！ ； ＞ ’ｔイン
ダクタンスコイル（Ｌｌ）で形成さｎる共振回路（５）
の定数で決１！ざｎ搬送波発振周波数をＰＧとすると。
振回路１）、搬送波発振回路１２１％変調回路１３）の
３つのブロックで構成されていた０変調波発振回（ＴＩ
’）（Ｔ２）、コンデンサ（０１）（０２）（Ｏ３）（
０口）リードフィルタ（４）で構成さｎ、、その発振ル
ープな−トランジスタ（Ｔ２）のベース→そのコレクタ
→リードフィルタ（４１→トランジスタ（Ｔ１）のベー
ス→このループの利得が１以上であれば発振する・発振
周波数σリードフィルタ（４）の周波数選択性によって
決定ざｎ（例えば９２２゜５Ｔｌｚ）、冒調波の波形に
萬２図（イ）に示すように正弦−となる。搬送波発振回
路（２１はトランジスタ（Ｔ５）、抵抗（Ｒ７）（Ｒｅ
）、 コンデンサ（ｃ４′）（ａｓ ）（ｃ６′）、イ
ンダクタンスコイル（Ｌ１’）でｌｆ放さｎ、その発振
ループげトランジスタ（Ｔ３）のエミッタ→コンデンサ
（Ｃ６）→トランジスタ（Ｔ ｓ’ ）のコレクターそ
のエミッタとなり、この糸の利得が１以上あれば発振す
る◎発振周波数はコンデンサ（Ｃ！ ； ＞ ’ｔイン
ダクタンスコイル（Ｌｌ）で形成さｎる共振回路（５）
の定数で決１！ざｎ搬送波発振周波数をＰＧとすると。
となる・見損波形は抵抗（ＲＩＩ’ ）とコンデンサ（
Ｃ５）の充放電によってトランジスタ（Ｔ５’）がスイ
ッチングするので第２図（＝＝）に示すようなざ形とな
る。このままでに高調波の発生、サイドバンドが他の回
路に影響を及ぼす場合がある◎す（Ｏｙ’）で構成され
搬送波発振回路（２）力・ら抵抗搬送波に（Ｌ２’）（
＋：！７’）で形成さｒする共振回路（６）で高調波や
サイドバンドを抑え波形を整形する。変調波発振回路（
１）からコンデンサ（０２’）（ｉ−介シテト〜２ンジ
スタ（Ｔ ４’ ）のエミッタに入力さｒした変調波に
よりトランジスタ（Ｔ４′）のエミッタ１を位が変調波
によって変化し、トランジスタ（Ｔ４ ）ｔ−ａｆｔ、
６電流が変化する・変調回路（３）の利？８ぼ（Ｌ２’
）（０７’１で形成さ几る共振回路（６）の共振インピ
ーダンスとトランジスタ（Ｔｊ）ｉｉｆＬる電流の積で
次回さ１Ｌるので変調練によってトランジスタ（Ｔ４’
）ｔ−ｆｆＬ几る電流が変化すると搬送波の振幅が変化
し、出方端子（７）の出力波形ｒＬ第２図４：Ｓ）に示
すようにＡＭ変調さ几る。ＡＭ変調度ｍは第２図ＰうＤ
波形（Ａ）■）値を用りて ｍ ＝Ａ ＋ ｓ ×１０ ｏ（＠ ・叩・１２１
で表わさ几るロ しかしながら第１−でにへＭ変調度に
変調波のレベルによって変化することになり、変調波発
振回路ｆｉ＋の発振レベルのバラツキが。
Ｃ５）の充放電によってトランジスタ（Ｔ５’）がスイ
ッチングするので第２図（＝＝）に示すようなざ形とな
る。このままでに高調波の発生、サイドバンドが他の回
路に影響を及ぼす場合がある◎す（Ｏｙ’）で構成され
搬送波発振回路（２）力・ら抵抗搬送波に（Ｌ２’）（
＋：！７’）で形成さｒする共振回路（６）で高調波や
サイドバンドを抑え波形を整形する。変調波発振回路（
１）からコンデンサ（０２’）（ｉ−介シテト〜２ンジ
スタ（Ｔ ４’ ）のエミッタに入力さｒした変調波に
よりトランジスタ（Ｔ４′）のエミッタ１を位が変調波
によって変化し、トランジスタ（Ｔ４ ）ｔ−ａｆｔ、
６電流が変化する・変調回路（３）の利？８ぼ（Ｌ２’
）（０７’１で形成さ几る共振回路（６）の共振インピ
ーダンスとトランジスタ（Ｔｊ）ｉｉｆＬる電流の積で
次回さ１Ｌるので変調練によってトランジスタ（Ｔ４’
）ｔ−ｆｆＬ几る電流が変化すると搬送波の振幅が変化
し、出方端子（７）の出力波形ｒＬ第２図４：Ｓ）に示
すようにＡＭ変調さ几る。ＡＭ変調度ｍは第２図ＰうＤ
波形（Ａ）■）値を用りて ｍ ＝Ａ ＋ ｓ ×１０ ｏ（＠ ・叩・１２１
で表わさ几るロ しかしながら第１−でにへＭ変調度に
変調波のレベルによって変化することになり、変調波発
振回路ｆｉ＋の発振レベルのバラツキが。
その’ｆｆＡＭ変調度のバラツキとして現われる。
こｆ′Ｌは変調度が固足のへＭ変調回路としてぼ不適当
である。
である。
また、変調回路（３）でｒｓ（Ｒ２）（０７）！りＬる
共振回路（６）を設けなければならず、搬送波発振回路
（２）の共振回路１５）の存在と相俟ってＩＣ化には不
向きである。
共振回路（６）を設けなければならず、搬送波発振回路
（２）の共振回路１５）の存在と相俟ってＩＣ化には不
向きである。
本発明は、こｎらの欠点を除去するように工夫したＡＭ
変調回路を提案するものである。
変調回路を提案するものである。
以下図面に示した実施例に従って脱明する。
本発明の五Ｍ変鯖回路に第３図に示すように変調波発振
回路１８）と、ｆｍ回路を兼ねた搬送波発振回路（９）
の２つのブロックで構成される・変調波発振回路（８）
はトランジスタ（Ｔ１）〜（Ｔ６）（Ｔｌｓ）と抵抗（
Ｒ１）〜（Ｒ４）（旦１ｏ）（Ｒ１２）（Ｒ１４）’（
ＩＮＳ）リードフィルタ叫で構成される・そして、その
発振ループはトランジスタ（Ｔ６）のベース→そのエミ
ッタートランジスタ（Ｔ５）のエミッタ→そのコレクタ
からトランジスタ（Ｔ１）（Ｔ２）（Ｔ５）と抵抗（Ｒ
１）（Ｒ２）（Ｒ１５）（Ｒ４１で形成されるカレント
ミラー回路ｑｕｔ通ってトランジスタ（Ｔ１）のコレク
タ→抵抗（Ｈｔ４）→リードフィルタ（１（１→抵抗（
Ｒ１５°）→ トランジスタ（Ｔ４）のベース−◆その
エミッタートランジスタ（Ｔ６）のベースとなり、この
系の利得が１以上であれば発振する。発振周波数はリー
ドフィルタ（１（Ｌの周波数選択性によって決定さルる
・リードフィルタαｅは第１図と同一のもので、Ｑが高
（９２２，５Ｈｚ±０．Ｉ Ｈｌｌ（Ｆ）周波数に共振
する。変調回路を兼、ねた搬送波発振回路（９）にトラ
ンジスタ（Ｔ７）〜（Ｔ１４）（Ｔ１４）、インダクタ
ンスコイル１Ｌ１）、コンデン−ｒ（ｃｌ）、抵Ｋ（Ｒ
５）〜（Ｒ９）（Ｒ１５）で構成され発振ループにトラ
ンジスタ（Ｔ１３）のベース→そのエミンタ→トランジ
スタ（Ｔ１４）のエミッタ→そのコレクタ→抵抗（Ｒ６
）→トランジスタ（Ｔｌｓ）のベースとな９、この系の
利得が１以上あれば発振する。発振周波数は（Ｌ“１）
（Ｃ１）よりなる共畿回路（１３の定数で決定され搬送
波の発振周波数ｆＦＯとすると。
回路１８）と、ｆｍ回路を兼ねた搬送波発振回路（９）
の２つのブロックで構成される・変調波発振回路（８）
はトランジスタ（Ｔ１）〜（Ｔ６）（Ｔｌｓ）と抵抗（
Ｒ１）〜（Ｒ４）（旦１ｏ）（Ｒ１２）（Ｒ１４）’（
ＩＮＳ）リードフィルタ叫で構成される・そして、その
発振ループはトランジスタ（Ｔ６）のベース→そのエミ
ッタートランジスタ（Ｔ５）のエミッタ→そのコレクタ
からトランジスタ（Ｔ１）（Ｔ２）（Ｔ５）と抵抗（Ｒ
１）（Ｒ２）（Ｒ１５）（Ｒ４１で形成されるカレント
ミラー回路ｑｕｔ通ってトランジスタ（Ｔ１）のコレク
タ→抵抗（Ｈｔ４）→リードフィルタ（１（１→抵抗（
Ｒ１５°）→ トランジスタ（Ｔ４）のベース−◆その
エミッタートランジスタ（Ｔ６）のベースとなり、この
系の利得が１以上であれば発振する。発振周波数はリー
ドフィルタ（１（Ｌの周波数選択性によって決定さルる
・リードフィルタαｅは第１図と同一のもので、Ｑが高
（９２２，５Ｈｚ±０．Ｉ Ｈｌｌ（Ｆ）周波数に共振
する。変調回路を兼、ねた搬送波発振回路（９）にトラ
ンジスタ（Ｔ７）〜（Ｔ１４）（Ｔ１４）、インダクタ
ンスコイル１Ｌ１）、コンデン−ｒ（ｃｌ）、抵Ｋ（Ｒ
５）〜（Ｒ９）（Ｒ１５）で構成され発振ループにトラ
ンジスタ（Ｔ１３）のベース→そのエミンタ→トランジ
スタ（Ｔ１４）のエミッタ→そのコレクタ→抵抗（Ｒ６
）→トランジスタ（Ｔｌｓ）のベースとな９、この系の
利得が１以上あれば発振する。発振周波数は（Ｌ“１）
（Ｃ１）よりなる共畿回路（１３の定数で決定され搬送
波の発振周波数ｆＦＯとすると。
となる−また発振強度は差動増幅器α３を形成する差動
対（７１５）（ＴＩ４１ｔＣ［ｆＬる電流工１と共振回
路α３の共振インピーダンスの積で決定される・前記差
動対Ｂ１５）（ＴＩ４）に流れる電流工１の変化による
発振周波数ＦＯの変化に第５図に示すように殆んど無視
できる程度である・差動増幅器０の定電流源側ＶＣはト
ランジスタ（Ｔ１４）、抵抗（Ｒｔｉ）、バイアス電源
（Ｒ２）の他に差動対（Ｔｌｇ）（Ｔ１４）とトランジ
スタ（Ｔ１４）のコレクタとの間九定電ｔｉ／Ｌを可髪
する手段Ｉが設けられていて、この手段ａ４１ｔ形成す
るトランジスタ（７ｙ）（Ｔｅ）（Ｔ９）のうち（Ｔ７
）（ＴＩ）＊互いにコレクタとエミッタが結合されてい
る。一方トランジスタ（Ｔ８）に、そのエミッタが（Ｔ
ｙ）（ｒｔ）と結合されるがコレクタは直接電源＋ＶＣ
（！に：接続さｎている。差動増幅器（１３の抵抗（Ｒ
４）（Ｒ８）は帰還量を低減するレベルシフト回路を形
成する。バイアス電源（Ｒ４）より一定電圧が与えら１
１−＋１いるトランジスタ（Ｔ１１）（’ｌ’１２）に
ＡＣ（交Ｒ）成分をアースに流さない役目を成す・これ
はエネ・ルギーの菖いムＣ成分が回路のアース部分を経
て他の回路に不所望な影響を与えるのを阻止するためで
ある。（Ｅｌ）（Ｅｓ）Ｈバイアス電源である。また１
５１Ｈ出力端子である。ｆｇｉｌ波発振回路（８）から
差動増幅器ｕ３を構成する定電流源Ｉの差動対を形成す
るトランジスタ（ｒｙ）（Ｔｓ）（Ｔｙ）のうち（Ｔ７
）のベースに差動対（Ｔ７）（Ｔ８）（Ｔ９）をスイッ
チングするに十分なレベルをもった変幽波が入力される
と変調波によってトランジスタ（Ｔ７）がオン、−（Ｔ
８）（Ｔｐ）がオフになった場合、搬送波発振回路（９
）の差動対（管１ｇ）（Ｔ１４）に流れる電流工１ばト
ランジスタ（Ｔ７）（ＴＩ）（Ｔ９）に流れる全ｔｔＩ
／ｌ、を工０とすると、工１；ＩＯとなる。オた。トラ
ンジスタ（Ｔ７）がオフ、 （’ｒａ）（’ｒｔ）がオ
ン状態になった場合には、工Ｏぼトランジスタ（Ｔ８
）（ＴＩ ）で分流さｎ工０ 工１＝□ どなる。上述のように搬送波発振レベルに共
振回路α２の共振インピーダンスと差動対（Ｔｌｇ）（
Ｔ１４）をｆｉ詐る電流工１の積で決定さｎるので＠４
図（１１）に示すように搬送波ＦＯが同図（１）の変調
波（ｆｌ）によってムＭダ調されたことになる・その際
、トランジスタ（ＴＩ ）（ＴＩ ）の面積比を可変す
ることによってＡＭ変調度（τｉＸ １００）を可変で
きる。
対（７１５）（ＴＩ４１ｔＣ［ｆＬる電流工１と共振回
路α３の共振インピーダンスの積で決定される・前記差
動対Ｂ１５）（ＴＩ４）に流れる電流工１の変化による
発振周波数ＦＯの変化に第５図に示すように殆んど無視
できる程度である・差動増幅器０の定電流源側ＶＣはト
ランジスタ（Ｔ１４）、抵抗（Ｒｔｉ）、バイアス電源
（Ｒ２）の他に差動対（Ｔｌｇ）（Ｔ１４）とトランジ
スタ（Ｔ１４）のコレクタとの間九定電ｔｉ／Ｌを可髪
する手段Ｉが設けられていて、この手段ａ４１ｔ形成す
るトランジスタ（７ｙ）（Ｔｅ）（Ｔ９）のうち（Ｔ７
）（ＴＩ）＊互いにコレクタとエミッタが結合されてい
る。一方トランジスタ（Ｔ８）に、そのエミッタが（Ｔ
ｙ）（ｒｔ）と結合されるがコレクタは直接電源＋ＶＣ
（！に：接続さｎている。差動増幅器（１３の抵抗（Ｒ
４）（Ｒ８）は帰還量を低減するレベルシフト回路を形
成する。バイアス電源（Ｒ４）より一定電圧が与えら１
１−＋１いるトランジスタ（Ｔ１１）（’ｌ’１２）に
ＡＣ（交Ｒ）成分をアースに流さない役目を成す・これ
はエネ・ルギーの菖いムＣ成分が回路のアース部分を経
て他の回路に不所望な影響を与えるのを阻止するためで
ある。（Ｅｌ）（Ｅｓ）Ｈバイアス電源である。また１
５１Ｈ出力端子である。ｆｇｉｌ波発振回路（８）から
差動増幅器ｕ３を構成する定電流源Ｉの差動対を形成す
るトランジスタ（ｒｙ）（Ｔｓ）（Ｔｙ）のうち（Ｔ７
）のベースに差動対（Ｔ７）（Ｔ８）（Ｔ９）をスイッ
チングするに十分なレベルをもった変幽波が入力される
と変調波によってトランジスタ（Ｔ７）がオン、−（Ｔ
８）（Ｔｐ）がオフになった場合、搬送波発振回路（９
）の差動対（管１ｇ）（Ｔ１４）に流れる電流工１ばト
ランジスタ（Ｔ７）（ＴＩ）（Ｔ９）に流れる全ｔｔＩ
／ｌ、を工０とすると、工１；ＩＯとなる。オた。トラ
ンジスタ（Ｔ７）がオフ、 （’ｒａ）（’ｒｔ）がオ
ン状態になった場合には、工Ｏぼトランジスタ（Ｔ８
）（ＴＩ ）で分流さｎ工０ 工１＝□ どなる。上述のように搬送波発振レベルに共
振回路α２の共振インピーダンスと差動対（Ｔｌｇ）（
Ｔ１４）をｆｉ詐る電流工１の積で決定さｎるので＠４
図（１１）に示すように搬送波ＦＯが同図（１）の変調
波（ｆｌ）によってムＭダ調されたことになる・その際
、トランジスタ（ＴＩ ）（ＴＩ ）の面積比を可変す
ることによってＡＭ変調度（τｉＸ １００）を可変で
きる。
本発明によれば変調回路と搬送波発振回路が一体化でき
ると共Ｉ／ｃ、従来回路で必要であった波形整形用のＬ
Ｏ共振回路が不要となる効果がある。
ると共Ｉ／ｃ、従来回路で必要であった波形整形用のＬ
Ｏ共振回路が不要となる効果がある。
また１本発明では差動増幅器の定電鷹を変えることによ
ってムＭｆｌｌｌｌするようにして−るので安定な特性
を得ることができる。特に定電流路に挿入さｔ′Ｌ７２
差動的に作動するトランジスタをｆｍ波でスイッチング
することによって定電Ｒ’に可変するようにできるので
変ｍ披のレベルのバラツキによってｆｉｌ［が影響さｆ
Ｌないとｈう効果を得ることができる・
ってムＭｆｌｌｌｌするようにして−るので安定な特性
を得ることができる。特に定電流路に挿入さｔ′Ｌ７２
差動的に作動するトランジスタをｆｍ波でスイッチング
することによって定電Ｒ’に可変するようにできるので
変ｍ披のレベルのバラツキによってｆｉｌ［が影響さｆ
Ｌないとｈう効果を得ることができる・
第１図に従来のＡＭ変調回路を示す回路図であり、第２
図はその説明図である。第３図は本発明を実施したＡＭ
変調回路を示す回路図であり、第４図及びｍｓ図σその
説明図である・ （８）・・・変調波発振回路、 １９）−搬送波発振回
路、αり・・・搬送波周波数決定用共振回路、 （１３
ｉ・・・差動増幅器。 αル・・・電電流可変手段、（Ｔｔｓ）（ＴＩ４）・・
・差動対。 （Ｒｄ）（Ｒ８）・・・レベルシフト用抵抗。
図はその説明図である。第３図は本発明を実施したＡＭ
変調回路を示す回路図であり、第４図及びｍｓ図σその
説明図である・ （８）・・・変調波発振回路、 １９）−搬送波発振回
路、αり・・・搬送波周波数決定用共振回路、 （１３
ｉ・・・差動増幅器。 αル・・・電電流可変手段、（Ｔｔｓ）（ＴＩ４）・・
・差動対。 （Ｒｄ）（Ｒ８）・・・レベルシフト用抵抗。
Claims (1)
- １１１ 搬送波発振回路を差動増幅器で構成し、その
差動対を構成する一方のトランジスタのコレクタに搬送
波周波数決定用共振回路を付加し、前記共振回路出力端
からレベルシフト回路を通して差動対を構成する他方の
トランジスタのベースに正帰Ｉｉｔ〃・け、且つ前記差
動増幅器の電電流源の電ＩＩｔｔ−変調波によって可変
することＬよって発振レベルシフトざぜることを特徴と
するＡＭ変調回路０（２１前記電電Ｉｌｔをコレクタと
エミッタが互いにを統さ几、そｎらのコレクタが前記差
動増幅器の差動対ｒｃ接続さｆ′した複数のトランジス
タと・前記複数のトランジスタのエミッタにエミッタが
結合さｎコレクタが酩源ラインに接続されたトランジス
タとを設は前記複数のトランジスタの一方のベースに変
調波を加えることによって可変するようにしたことを特
徴とする特許請求の範囲１ｇ１項記載のＡＭ変調回路。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113848A JPS5814604A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | Ａｍ変調回路 |
| KR2019820005675U KR860000897Y1 (ko) | 1981-07-20 | 1982-07-19 | Am 변조회로 |
| PCT/JP1982/000280 WO1983000411A1 (en) | 1981-07-20 | 1982-07-20 | Amplitude modulation circuit |
| EP82902204A EP0083664B1 (en) | 1981-07-20 | 1982-07-20 | Amplitude modulation circuit |
| DE8282902204T DE3270757D1 (en) | 1981-07-20 | 1982-07-20 | Amplitude modulation circuit |
| US06/479,069 US4520328A (en) | 1981-07-20 | 1982-07-20 | Amplitude modulation circuit having stable modulation characteristics |
| AU86869/82A AU560361B2 (en) | 1981-07-20 | 1982-07-20 | Amplitude modulation circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113848A JPS5814604A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | Ａｍ変調回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814604A true JPS5814604A (ja) | 1983-01-27 |
| JPH0131723B2 JPH0131723B2 (ja) | 1989-06-27 |
Family
ID=14622570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56113848A Granted JPS5814604A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | Ａｍ変調回路 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4520328A (ja) |
| EP (1) | EP0083664B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5814604A (ja) |
| KR (1) | KR860000897Y1 (ja) |
| AU (1) | AU560361B2 (ja) |
| DE (1) | DE3270757D1 (ja) |
| WO (1) | WO1983000411A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5055804A (en) * | 1989-06-21 | 1991-10-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Oscillator |
| US5291154A (en) * | 1992-03-27 | 1994-03-01 | Sconce Freddie O | Synchronous single cycle sample and control amplitude modulator |
| JP3891421B2 (ja) * | 2002-10-16 | 2007-03-14 | ソニー株式会社 | 電子回路、変調方法、並びに、情報処理装置および方法 |
| US7884680B2 (en) * | 2008-06-30 | 2011-02-08 | Infineon Technologies Ag | Dynamically adjustable Q-factors |
| CN102497175A (zh) * | 2011-11-28 | 2012-06-13 | 苏州工业职业技术学院 | 一种简易调频装置 |
| CN102655393B (zh) * | 2012-05-21 | 2015-03-04 | 无锡中科微电子工业技术研究院有限责任公司 | 具有自校准功能的ask调制器 |
| RU192630U9 (ru) * | 2019-06-18 | 2019-12-04 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) | Амплитудный модулятор |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3649929A (en) * | 1970-11-30 | 1972-03-14 | Motorola Inc | Sinusoidal and square wave oscillator with automatic gain control |
| US3870971A (en) * | 1973-03-17 | 1975-03-11 | Victor Company Of Japan | Circuit arrangement of voltage controlled oscillator |
| US3963996A (en) * | 1974-09-05 | 1976-06-15 | Zenith Radio Corporation | Oscillation system for integrated circuit |
| JPS6022845B2 (ja) * | 1977-12-07 | 1985-06-04 | 日本電気株式会社 | 電圧制御発振器 |
| DE3003302C2 (de) * | 1980-01-30 | 1982-12-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Stromgesteuerter Oszillator |
-
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