JPH0131723B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0131723B2 JPH0131723B2 JP56113848A JP11384881A JPH0131723B2 JP H0131723 B2 JPH0131723 B2 JP H0131723B2 JP 56113848 A JP56113848 A JP 56113848A JP 11384881 A JP11384881 A JP 11384881A JP H0131723 B2 JPH0131723 B2 JP H0131723B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- differential amplifier
- circuit
- transistor
- emitter
- oscillation
- Prior art date
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- Expired
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 18
- 230000010356 wave oscillation Effects 0.000 claims description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical group OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C1/00—Amplitude modulation
- H03C1/36—Amplitude modulation by means of semiconductor device having at least three electrodes
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Amplitude Modulation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は振幅変調回路(以下「AM変調回路」
という)、特に変調度の一定なAM変調回路に関
するものである。
という)、特に変調度の一定なAM変調回路に関
するものである。
斯るAM変調回路は例えばVTRの音声多重出
力信号をテレビジヨン受像機に導びく際にVTR
出力を高周波変調して供給するエンコーダにおい
て、その音声多重信号の種類を識別するためのパ
イロ信号を変調波とした変調信号を形成するのに
使用される。
力信号をテレビジヨン受像機に導びく際にVTR
出力を高周波変調して供給するエンコーダにおい
て、その音声多重信号の種類を識別するためのパ
イロ信号を変調波とした変調信号を形成するのに
使用される。
従来のAM変調回路は第1図に示すように変調
波発振回路1、搬送波発振回路2、変調回路3の
3つのブロツクで構成されていた。変調波発振回
路1は抵抗R1′〜R6′,R11′、トランジスタT1,
T2、コンデンサC1′,C2′,C3′,C8′、リードフイ
ルタ4で構成され、その発振ループはトランジス
タT2′のベース→そのコレクタ→リードフイルタ
4→トランジスタT1′のベース→抵抗R3′→トラン
ジスタT2′のベースとなり、このループの利得が
1以上であれば発振する。発振周波数はリードフ
イルタ4の周波数選択性によつて決定され(例え
ば922.5Hz)、変調波の波形は第2図イに示すよう
に正弦波となる。搬送波発振回路2はトランジス
タT3′、抵抗R7′,R8′、コンデンサC4′,C5′,C6′
、
インダクタンスコイルL1′で構成され、その発振
ループはトランジスタT3′のエミツタ→コンデン
サC6′→トランジスタT3′のコレクタ→そのエミツ
タとなり、この系の利得が1以上あれば発振す
る。発振周波数はコンデンサC6′とインダクタン
スコイルL1′で形成される共振回路5の定数で決
定され搬送波発振周波数をF0とすると、 となる。発振波形は抵抗R8′とコンデンサC5′の充
放電によつてトランジスタT3′がスイツチングす
るので第2図ロに示すような波形となる。このま
までは高調波の発生、サイドバンドが他の回路に
影響を及ぼす場合がある。
波発振回路1、搬送波発振回路2、変調回路3の
3つのブロツクで構成されていた。変調波発振回
路1は抵抗R1′〜R6′,R11′、トランジスタT1,
T2、コンデンサC1′,C2′,C3′,C8′、リードフイ
ルタ4で構成され、その発振ループはトランジス
タT2′のベース→そのコレクタ→リードフイルタ
4→トランジスタT1′のベース→抵抗R3′→トラン
ジスタT2′のベースとなり、このループの利得が
1以上であれば発振する。発振周波数はリードフ
イルタ4の周波数選択性によつて決定され(例え
ば922.5Hz)、変調波の波形は第2図イに示すよう
に正弦波となる。搬送波発振回路2はトランジス
タT3′、抵抗R7′,R8′、コンデンサC4′,C5′,C6′
、
インダクタンスコイルL1′で構成され、その発振
ループはトランジスタT3′のエミツタ→コンデン
サC6′→トランジスタT3′のコレクタ→そのエミツ
タとなり、この系の利得が1以上あれば発振す
る。発振周波数はコンデンサC6′とインダクタン
スコイルL1′で形成される共振回路5の定数で決
定され搬送波発振周波数をF0とすると、 となる。発振波形は抵抗R8′とコンデンサC5′の充
放電によつてトランジスタT3′がスイツチングす
るので第2図ロに示すような波形となる。このま
までは高調波の発生、サイドバンドが他の回路に
影響を及ぼす場合がある。
変調回路3は抵抗R9′,R10′、トランジスタ
T4′、インダクタンスコイルL2′、コンデンサ
C7′で構成され搬送波発振回路2から抵抗R9′を介
してトランジスタT4′に入力された搬送波はL2′,
C7′で形成される共振回路6で高調波やサイドバ
ンドを抑え波形を整形する。変調波発振回路1か
らコンデンサC2′を介してトランジスタT4′のエミ
ツタに入力された変調波によりトランジスタ
T4′のエミツタ電位が変調波によつて変化し、ト
ランジスタT4′を流れる電流が変化する。変調回
路3の利得はL2′,C7′で形成される共振回路6の
共振インピーダンスとトランジスタT4′を流れる
電流の積で決定されるので変調波によつてトラン
ジスタT4′を流れる電流が変化すると搬送波の振
幅が変化し、出力端子7の出力波形は第2図ハに
示すようにAM変調される。AM変調度mは第2
図ハの波形A,B値を用いて m=A−B/A+B×100(%) ……(2) で表わされる。しかしながら第1図ではAM変調
度は変調波のレベルによつて変化することにな
り、変調波発振回路1の発振レベルのバラツキ
が、そのままAM変調度のバラツキとして現われ
る。
T4′、インダクタンスコイルL2′、コンデンサ
C7′で構成され搬送波発振回路2から抵抗R9′を介
してトランジスタT4′に入力された搬送波はL2′,
C7′で形成される共振回路6で高調波やサイドバ
ンドを抑え波形を整形する。変調波発振回路1か
らコンデンサC2′を介してトランジスタT4′のエミ
ツタに入力された変調波によりトランジスタ
T4′のエミツタ電位が変調波によつて変化し、ト
ランジスタT4′を流れる電流が変化する。変調回
路3の利得はL2′,C7′で形成される共振回路6の
共振インピーダンスとトランジスタT4′を流れる
電流の積で決定されるので変調波によつてトラン
ジスタT4′を流れる電流が変化すると搬送波の振
幅が変化し、出力端子7の出力波形は第2図ハに
示すようにAM変調される。AM変調度mは第2
図ハの波形A,B値を用いて m=A−B/A+B×100(%) ……(2) で表わされる。しかしながら第1図ではAM変調
度は変調波のレベルによつて変化することにな
り、変調波発振回路1の発振レベルのバラツキ
が、そのままAM変調度のバラツキとして現われ
る。
これは変調度が固定のAM変調回路としては不
適当である。
適当である。
また、変調回路3ではL2′,C7′よりなる共振回
路6を設けなければならず、搬送波発振回路2の
共振回路5の存在と相俟つてIC化には不向きで
ある。
路6を設けなければならず、搬送波発振回路2の
共振回路5の存在と相俟つてIC化には不向きで
ある。
本発明は、これらの欠点を除去するように工夫
したAM変調回路を提案するものである。
したAM変調回路を提案するものである。
以下図面に示した実施例に従つて説明する。
本発明のAM変調回路は第3図に示すように変
調波発振回路8と、変調回路を兼ねた搬送波発振
回路9の2つのブロツクで構成される。変調波発
振回路8はトランジスタT1〜T6,T15と抵抗R1
〜R4,R10,R12,R14,R15リードフイルタ10
で構成される。そして、その発振ループはトラン
ジスタT6のベース→そのエミツタ→トランジス
タT5のエミツタ→そのコレクタからトランジス
タT1,T2,T3と抵抗R1,R2,R3,R4で形成さ
れるカレントミラー回路11を通つてトランジス
タT1のコレクタ→抵抗R14→リードフイルタ10
→抵抗R15→トランジスタT4のベース→そのエミ
ツタ→トランジスタT6のベースとなり、この系
の利得が1以上であれば発振する。発振周波数は
リードフイルタ10の周波数選択性によつて決定
される。リードフイルタ10は第1図と同一のも
ので、Qが高く922.5Hz±0.1Hzの周波数に共振す
る。変調回路を兼ねた搬送波発振回路9はトラン
ジスタT7〜T14,T16、インダクタンスコイルL1、
コンデンサC1、抵抗R5〜R9,R13で構成され発振
ループはトランジスタT13のベース→そのエミツ
タ→トランジスタT14のエミツタ→そのコレクタ
→抵抗R6→トランジスタT13のベースとなり、こ
の系の利得が1以上あれば発振する。発振周波数
はL1,C1よりなる共振回路12の定数で決定さ
れ搬送波の発振周波数をF0とすると、 となる。また発振強度は差動増幅器13を形成す
る差動対T13,T14に流れる電流I1と共振回路12
の共振インピーダンスの積で決定される。
調波発振回路8と、変調回路を兼ねた搬送波発振
回路9の2つのブロツクで構成される。変調波発
振回路8はトランジスタT1〜T6,T15と抵抗R1
〜R4,R10,R12,R14,R15リードフイルタ10
で構成される。そして、その発振ループはトラン
ジスタT6のベース→そのエミツタ→トランジス
タT5のエミツタ→そのコレクタからトランジス
タT1,T2,T3と抵抗R1,R2,R3,R4で形成さ
れるカレントミラー回路11を通つてトランジス
タT1のコレクタ→抵抗R14→リードフイルタ10
→抵抗R15→トランジスタT4のベース→そのエミ
ツタ→トランジスタT6のベースとなり、この系
の利得が1以上であれば発振する。発振周波数は
リードフイルタ10の周波数選択性によつて決定
される。リードフイルタ10は第1図と同一のも
ので、Qが高く922.5Hz±0.1Hzの周波数に共振す
る。変調回路を兼ねた搬送波発振回路9はトラン
ジスタT7〜T14,T16、インダクタンスコイルL1、
コンデンサC1、抵抗R5〜R9,R13で構成され発振
ループはトランジスタT13のベース→そのエミツ
タ→トランジスタT14のエミツタ→そのコレクタ
→抵抗R6→トランジスタT13のベースとなり、こ
の系の利得が1以上あれば発振する。発振周波数
はL1,C1よりなる共振回路12の定数で決定さ
れ搬送波の発振周波数をF0とすると、 となる。また発振強度は差動増幅器13を形成す
る差動対T13,T14に流れる電流I1と共振回路12
の共振インピーダンスの積で決定される。
前記差動対T13,T14に流れる電流I1の変化によ
る発振周波数F0の変化は第5図に示すように殆
んど無視できる程度である。差動増幅器13の定
電流源側にはトランジスタT16、抵抗R13、バイ
アス電源E2の他に差動対T13,T14とトランジス
タT16のコレクタとの間に定電流を可変する手段
14が設けられていて、この手段14を形成する
トランジスタT7,T8,T9のうちT7,T9は互いに
コレクタとエミツタが結合されている。一方トラ
ンジスタT8は、そのエミツタがT7,T9と結合さ
れるがコレクタは直接電源+Vccに接続されてい
る。差動増幅器13の抵抗R6,R8は帰還量を低
減するレベルシフト回路を形成する。バイアス電
源E4より一定電圧が与えられているトランジス
タT11,T12はAC(交流)成分をアースに流さな
い役目を成す。これはエネルギーの高いAC成分
が回路のアース部分を経て他の回路に不所望な影
響を与えるのを阻止するためである。E1,E3は
バイアス電源である。また15は出力端子であ
る。
る発振周波数F0の変化は第5図に示すように殆
んど無視できる程度である。差動増幅器13の定
電流源側にはトランジスタT16、抵抗R13、バイ
アス電源E2の他に差動対T13,T14とトランジス
タT16のコレクタとの間に定電流を可変する手段
14が設けられていて、この手段14を形成する
トランジスタT7,T8,T9のうちT7,T9は互いに
コレクタとエミツタが結合されている。一方トラ
ンジスタT8は、そのエミツタがT7,T9と結合さ
れるがコレクタは直接電源+Vccに接続されてい
る。差動増幅器13の抵抗R6,R8は帰還量を低
減するレベルシフト回路を形成する。バイアス電
源E4より一定電圧が与えられているトランジス
タT11,T12はAC(交流)成分をアースに流さな
い役目を成す。これはエネルギーの高いAC成分
が回路のアース部分を経て他の回路に不所望な影
響を与えるのを阻止するためである。E1,E3は
バイアス電源である。また15は出力端子であ
る。
そして、トランジスタT7のベースに所定レベ
ルの変調波が入力され、T7が完全にオン、T8,
T9が完全にオフになつた場合、差動対に流れる
電流I1はトランジスタT7,T8,T9に流れる全電
流をI0とすると、I1=I0となる。またT7の導通度
が低下すると共にT8,T9の導通度が増加すると
電流I1はI0に比べて減少する。更にT7の導通度が
低下し、完全にオフ、T8,T9が完全にオンする
と、I0はT8,T9で分流されI1=I0/2となる。上述 のように搬送波発振レベルは共振回路12の共振
インピーダンスと差動対T13,T14を流れる電流I1
の積で決定されるので第4図に示すように搬送
波F0が同図の変調波f1によつてAM変調された
ことになる。その際、トランジスタT8,T9の面
積比を可変することによつてAM変調度
(A−B/A+B×100)を可変できる。
ルの変調波が入力され、T7が完全にオン、T8,
T9が完全にオフになつた場合、差動対に流れる
電流I1はトランジスタT7,T8,T9に流れる全電
流をI0とすると、I1=I0となる。またT7の導通度
が低下すると共にT8,T9の導通度が増加すると
電流I1はI0に比べて減少する。更にT7の導通度が
低下し、完全にオフ、T8,T9が完全にオンする
と、I0はT8,T9で分流されI1=I0/2となる。上述 のように搬送波発振レベルは共振回路12の共振
インピーダンスと差動対T13,T14を流れる電流I1
の積で決定されるので第4図に示すように搬送
波F0が同図の変調波f1によつてAM変調された
ことになる。その際、トランジスタT8,T9の面
積比を可変することによつてAM変調度
(A−B/A+B×100)を可変できる。
本発明によれば変調回路と搬送波発振回路が一
体化できると共に、従来回路で必要であつた波形
整形用のLC共振回路が不要となる効果がある。
体化できると共に、従来回路で必要であつた波形
整形用のLC共振回路が不要となる効果がある。
また、本発明では差動増幅器の定電流を変える
ことによつてAM変調するようにしているので安
定な特性を得ることができる。特に定電流路に挿
入された差動的に作動するトランジスタを変調波
でスイツチングすることによつて定電流を可変す
るようにできるので変調波のレベルのバラツキに
よつて変調度が影響されないという効果を得るこ
とができる。
ことによつてAM変調するようにしているので安
定な特性を得ることができる。特に定電流路に挿
入された差動的に作動するトランジスタを変調波
でスイツチングすることによつて定電流を可変す
るようにできるので変調波のレベルのバラツキに
よつて変調度が影響されないという効果を得るこ
とができる。
第1図は従来のAM変調回路を示す回路図であ
り、第2図はその説明図である。第3図は本発明
を実施したAM変調回路を示す回路図であり、第
4図及び第5図はその説明図である。 8……変調波発振回路、9……搬送波発振回
路、12……搬送波周波数決定用共振回路、13
……差動増幅器、14……定電流可変手段、
T13,T14……差動対、R6,R8……レベルシフト
用抵抗。
り、第2図はその説明図である。第3図は本発明
を実施したAM変調回路を示す回路図であり、第
4図及び第5図はその説明図である。 8……変調波発振回路、9……搬送波発振回
路、12……搬送波周波数決定用共振回路、13
……差動増幅器、14……定電流可変手段、
T13,T14……差動対、R6,R8……レベルシフト
用抵抗。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 搬送波発振回路を第1の差動増幅器で構成
し、その差動対を構成する一方のトランジスタの
コレクタに搬送波決定用共振回路を付加し、前記
共振回路出力端からレベルシフト回路を通して差
動対を構成する他方のトランジスタのベースに正
帰還をかけ、且つ前記第1の差動増幅器の定電流
源の電流を変調波によつて可変することによつて
発振レベルを変化させることを特徴とするAM変
調回路において コレクタとエミツタが互いに接続され、それら
のコレクタが前記第1の差動増幅器の共通エミツ
タに接続された第2の差動増幅器と、そのエミツ
タが前記第2の差動増幅器の共通エミツタに接続
され、そのコレクタが電源ラインに接続されると
共に、そのベースが前記第2の差動増幅器の一方
のトランジスタのベースに接続された第1のトラ
ンジスタと、そのコレクタが前記第2の差動増幅
器の共通エミツタに接続され、そのエミツタがア
ースに接続された第2のトランジスタとで前記定
電流源を構成し、前記第2の差動増幅器の他方の
トランジスタのベースに前記変調波を加えること
により前記定電流源の電流を可変するようにした
ことを特徴とするAM変調回路。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56113848A JPS5814604A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | Am変調回路 |
KR2019820005675U KR860000897Y1 (ko) | 1981-07-20 | 1982-07-19 | Am 변조회로 |
DE8282902204T DE3270757D1 (en) | 1981-07-20 | 1982-07-20 | Amplitude modulation circuit |
EP82902204A EP0083664B1 (en) | 1981-07-20 | 1982-07-20 | Amplitude modulation circuit |
AU86869/82A AU560361B2 (en) | 1981-07-20 | 1982-07-20 | Amplitude modulation circuit |
PCT/JP1982/000280 WO1983000411A1 (en) | 1981-07-20 | 1982-07-20 | Amplitude modulation circuit |
US06/479,069 US4520328A (en) | 1981-07-20 | 1982-07-20 | Amplitude modulation circuit having stable modulation characteristics |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56113848A JPS5814604A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | Am変調回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5814604A JPS5814604A (ja) | 1983-01-27 |
JPH0131723B2 true JPH0131723B2 (ja) | 1989-06-27 |
Family
ID=14622570
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56113848A Granted JPS5814604A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | Am変調回路 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4520328A (ja) |
EP (1) | EP0083664B1 (ja) |
JP (1) | JPS5814604A (ja) |
KR (1) | KR860000897Y1 (ja) |
AU (1) | AU560361B2 (ja) |
DE (1) | DE3270757D1 (ja) |
WO (1) | WO1983000411A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5055804A (en) * | 1989-06-21 | 1991-10-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Oscillator |
US5291154A (en) * | 1992-03-27 | 1994-03-01 | Sconce Freddie O | Synchronous single cycle sample and control amplitude modulator |
JP3891421B2 (ja) * | 2002-10-16 | 2007-03-14 | ソニー株式会社 | 電子回路、変調方法、並びに、情報処理装置および方法 |
US7884680B2 (en) * | 2008-06-30 | 2011-02-08 | Infineon Technologies Ag | Dynamically adjustable Q-factors |
CN102497175A (zh) * | 2011-11-28 | 2012-06-13 | 苏州工业职业技术学院 | 一种简易调频装置 |
CN102655393B (zh) * | 2012-05-21 | 2015-03-04 | 无锡中科微电子工业技术研究院有限责任公司 | 具有自校准功能的ask调制器 |
RU192630U9 (ru) * | 2019-06-18 | 2019-12-04 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) | Амплитудный модулятор |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3649929A (en) * | 1970-11-30 | 1972-03-14 | Motorola Inc | Sinusoidal and square wave oscillator with automatic gain control |
US3870971A (en) * | 1973-03-17 | 1975-03-11 | Victor Company Of Japan | Circuit arrangement of voltage controlled oscillator |
US3963996A (en) * | 1974-09-05 | 1976-06-15 | Zenith Radio Corporation | Oscillation system for integrated circuit |
JPS6022845B2 (ja) * | 1977-12-07 | 1985-06-04 | 日本電気株式会社 | 電圧制御発振器 |
DE3003302C2 (de) * | 1980-01-30 | 1982-12-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Stromgesteuerter Oszillator |
-
1981
- 1981-07-20 JP JP56113848A patent/JPS5814604A/ja active Granted
-
1982
- 1982-07-19 KR KR2019820005675U patent/KR860000897Y1/ko active
- 1982-07-20 AU AU86869/82A patent/AU560361B2/en not_active Expired
- 1982-07-20 DE DE8282902204T patent/DE3270757D1/de not_active Expired
- 1982-07-20 US US06/479,069 patent/US4520328A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-07-20 EP EP82902204A patent/EP0083664B1/en not_active Expired
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