JPS6337658A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6337658A JPS6337658A JP18130686A JP18130686A JPS6337658A JP S6337658 A JPS6337658 A JP S6337658A JP 18130686 A JP18130686 A JP 18130686A JP 18130686 A JP18130686 A JP 18130686A JP S6337658 A JPS6337658 A JP S6337658A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- emitter
- collectors
- collector
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 241000238557 Decapoda Species 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】
本発明は横型トランジスタに関し、特に高精度のｈ Ｆ
Ｅを必要とする横型トランジスタに関する。 〔従来の技術〕 従来、この種の横型トランジスタは第２図−（ｎ）、（
（へ）に示す通りＰ型絶縁層２で分離されたＮ−型エピ
層３にＰ型拡散層５を設はエミッタを中心としその周囲
をコレクタとしＮ−型エピ層３をベースとして構成され
ている。 またこの横型トランジスタのｈ ＦＥは種々のパラメー
タで決定されるが特にコレクタ・エミッタ間距離、エミ
ッタの不純物ｌ８度で支配される〔発明が解決しようと
する問題点〕 上述した従来の横型トランジスタは、製造上のバラツキ
によりコレクタ・ベース間距離エミッタ不純物７０度が
一定しておらずある程度のバラツキのあるｈＦＥＬか得
られないという欠点がある。上述した従来の横型トラン
ジスタに対し本発明は、複数個のコレクタの任意のコレ
クタをベースと接続することで高精度ｈ ＦＥを得る独
創的内容を有する。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の横型トランジスタは、コレクタをエミッタの周
囲に複数個設け、任意のコレクタをベースと１妾続しで
ある。 〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する第１図（Ｑ
）は本発明の一実施例のＰＮＰ横型トランジスタの平面
図、第１図（（へ）は第１図（２）のＡ−Ａ−断面図で
ある。 Ｐ型サブストレート１上にＮ−型エピ層３を形成し、Ｐ
型絶縁層２でＮ−型エピ層３を分離しＮ−型エビ層にＰ
型拡散層５を設け、中心のＰ型拡散層５をエミッタとし
、その周囲の複数個のＰ型拡散層５をコレクタとし任意
のコレクタを、Ｎ−エビ層３をベースとしたＮ−エピ層
３にコレクタ・ベース短絡用ＡＩ２配線７で短絡してい
る。 こうすることによりこの横型トランジスタのｈ ＦＥは
、エミッタに対向するコレクタの形状を同一とじ一個の
コレクタの場合のｈ ＦＥをある程度高いものにしさえ
すれば、次式の様に求めることが出きコレクタ・エミッ
タ間距離エミッタの不純物１１度に支配されず高精度の
ｈ ＦＥを得ることが出来る。 ｈｐｃ＝ベースに接続されていないコレクタ数／ベース
に接続されているコレクタ数【発明の効果〕 以上説明したように本発明は、横方向トランジスタにお
いてコレクタをエミッタ周囲に複数個設け、任意のコレ
クタをベースと接続することにより高精度のｈ ＦＥを
得ることが出来る効果がある。
Ｅを必要とする横型トランジスタに関する。 〔従来の技術〕 従来、この種の横型トランジスタは第２図−（ｎ）、（
（へ）に示す通りＰ型絶縁層２で分離されたＮ−型エピ
層３にＰ型拡散層５を設はエミッタを中心としその周囲
をコレクタとしＮ−型エピ層３をベースとして構成され
ている。 またこの横型トランジスタのｈ ＦＥは種々のパラメー
タで決定されるが特にコレクタ・エミッタ間距離、エミ
ッタの不純物ｌ８度で支配される〔発明が解決しようと
する問題点〕 上述した従来の横型トランジスタは、製造上のバラツキ
によりコレクタ・ベース間距離エミッタ不純物７０度が
一定しておらずある程度のバラツキのあるｈＦＥＬか得
られないという欠点がある。上述した従来の横型トラン
ジスタに対し本発明は、複数個のコレクタの任意のコレ
クタをベースと接続することで高精度ｈ ＦＥを得る独
創的内容を有する。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の横型トランジスタは、コレクタをエミッタの周
囲に複数個設け、任意のコレクタをベースと１妾続しで
ある。 〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する第１図（Ｑ
）は本発明の一実施例のＰＮＰ横型トランジスタの平面
図、第１図（（へ）は第１図（２）のＡ−Ａ−断面図で
ある。 Ｐ型サブストレート１上にＮ−型エピ層３を形成し、Ｐ
型絶縁層２でＮ−型エピ層３を分離しＮ−型エビ層にＰ
型拡散層５を設け、中心のＰ型拡散層５をエミッタとし
、その周囲の複数個のＰ型拡散層５をコレクタとし任意
のコレクタを、Ｎ−エビ層３をベースとしたＮ−エピ層
３にコレクタ・ベース短絡用ＡＩ２配線７で短絡してい
る。 こうすることによりこの横型トランジスタのｈ ＦＥは
、エミッタに対向するコレクタの形状を同一とじ一個の
コレクタの場合のｈ ＦＥをある程度高いものにしさえ
すれば、次式の様に求めることが出きコレクタ・エミッ
タ間距離エミッタの不純物１１度に支配されず高精度の
ｈ ＦＥを得ることが出来る。 ｈｐｃ＝ベースに接続されていないコレクタ数／ベース
に接続されているコレクタ数【発明の効果〕 以上説明したように本発明は、横方向トランジスタにお
いてコレクタをエミッタ周囲に複数個設け、任意のコレ
クタをベースと接続することにより高精度のｈ ＦＥを
得ることが出来る効果がある。
第１図（１１）は本発明の一実施例のＰＮＰ横型トラン
ジスタの平面図。 第１図（しは第１図（ωのＡ−Ａ−線断面図、第２図（
ａ）は従来のＰＮＰ横型トランジスタ平面図、第２図（
υは第２図（ωのＢ−Ｂ−線断面図１・・・Ｐ型サブス
トレート。 ２・・・Ｐ型絶縁層。 ３・・・Ｎ−型エビ層。 ４・・・絶縁膜。 ５・・・Ｐ型拡散層。 ６・・・Ｎ十拡散層。 ７・・・任意のコレクタとベース短絡用ＡＱ配線。 ８・・・エミッタＡＱ配線。 ９・・・コレクタＡＲ配線。 １０・・・ベースＡｎ配線。
ジスタの平面図。 第１図（しは第１図（ωのＡ−Ａ−線断面図、第２図（
ａ）は従来のＰＮＰ横型トランジスタ平面図、第２図（
υは第２図（ωのＢ−Ｂ−線断面図１・・・Ｐ型サブス
トレート。 ２・・・Ｐ型絶縁層。 ３・・・Ｎ−型エビ層。 ４・・・絶縁膜。 ５・・・Ｐ型拡散層。 ６・・・Ｎ十拡散層。 ７・・・任意のコレクタとベース短絡用ＡＱ配線。 ８・・・エミッタＡＱ配線。 ９・・・コレクタＡＲ配線。 １０・・・ベースＡｎ配線。
Claims (1)
- 横型トランジスタにおいてコレクタをエミッタの周囲に
複数個設け、任意のコレクタをベースと接続することを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18130686A JPS6337658A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18130686A JPS6337658A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6337658A true JPS6337658A (ja) | 1988-02-18 |
Family
ID=16098368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18130686A Pending JPS6337658A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6337658A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59219960A (ja) * | 1983-05-30 | 1984-12-11 | Sanyo Electric Co Ltd | ラテラル型トランジスタ |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP18130686A patent/JPS6337658A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59219960A (ja) * | 1983-05-30 | 1984-12-11 | Sanyo Electric Co Ltd | ラテラル型トランジスタ |
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