JPS6336832A - 反応装置 - Google Patents

反応装置

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JPS6336832A
JPS6336832A JP17577686A JP17577686A JPS6336832A JP S6336832 A JPS6336832 A JP S6336832A JP 17577686 A JP17577686 A JP 17577686A JP 17577686 A JP17577686 A JP 17577686A JP S6336832 A JPS6336832 A JP S6336832A
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JP
Japan
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plasma
gas
nozzle
heater
flow
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Pending
Application number
JP17577686A
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English (en)
Inventor
Noriko Kurihara
栗原 紀子
Masao Sugata
菅田 正夫
Hiroyuki Sugata
裕之 菅田
Toru Den
透 田
Kenji Ando
謙二 安藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Priority to JP17577686A priority Critical patent/JPS6336832A/ja
Publication of JPS6336832A publication Critical patent/JPS6336832A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/12Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
    • B01J19/122Incoherent waves
    • B01J19/126Microwaves
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J12/00Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
    • B01J12/002Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor carried out in the plasma state

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、反応装置に関するもので、特に、縮小拡大ノ
ズルを有する反応装置に関するものである。
本明細書において、縮小拡大ノズルとは、流入口側から
中間部に向って徐々に開口面積が絞られてのど部となり
、こののど部から流出口に向って徐々に開口面積が拡大
されているノズルをいう。
また、反応とは、化学反応だけでなく、気相、液相及び
固相間の原料の相変化、クラスターの生成、更には原料
の活性化等、化学反応は伴なわない物性変化をも含むも
のである。また、ビームとは、流れ方向に断面積がほぼ
一定の噴流のことをいい、その断面形状は問わないもの
である。また、非成膜ガスとは、それのみではIQ膜形
成能生じないカスをいう。成膜ガスとは、エネルギーの
付′j−によって膜形成能を生じるガス及び当該ガスと
非酸++qガスの混合ガスをいう。
[従来の技術] 従来より、プラズマ室と捕集室との間に末広ノズルを設
けた反応装置が知られている。この装置はに流側のプラ
ズマ室に非成膜ガスを導入し、プラズマを発生させ励起
活性種のプラズマガスをつくり出した後、末広ノズルに
よってこのプラズマガスを下流側の捕集室に移送すると
共に、捕集室内において成膜ガスと接触・反応させ、基
体」二においてfu膜形成を行うようにしたものである
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、このような装置にあっては、2室が分離
しているため、プラズマ室で生成された励起活性種のう
ち、特に寿命の短いものは基体に到達する前に活性化エ
ネルギーを失い、基体上において目的とする膜の生成が
上方に行なわれなくなるという欠点があった。
本発明は、」二連の従来技術の欠点を解決した新規な反
応装置を提供することを目的とするものである。
[問題点を解決するためのr′一段] に記問題点を解決するために講じられた手段を、本発明
の一実施例に対応する第1図を用いて説明すると、本発
明は流路に縮小拡大ノズルlを設け、この縮小拡大ノズ
ルlの下流側に金属線よりなるヒーター10を配置した
ことを特徴とする反応装置である。
なお、本発明における縮小拡大ノズルlとは、流入口1
aから中間部に向って徐々に開口面積が絞られてのど部
2となり、こののど部2から流出口1bに向って徐々に
開[1面積が拡大されているノズルをいう。第1図にお
いては、説明の便宜り、縮小拡大ノズル1の流入側と流
出側は、各々密閉系であるプラズマ室4と捕集室5に連
結されている。しかし、未発明における縮小拡大ノズル
1の流入側と流出側は、両者間に差圧を生じさせて、下
流側で排気しつつプラズマガスを流過させることができ
れば、密閉系であっても開放系であってもよい。
[作 川] 第1図に示されるように、供給管12からプラズマ発生
装置3に非成膜ガスを供給するー・方、捕集室5内の空
気を真空ポンプ等(図示せず)で排気1115から排気
すると、プラズマ室4と捕集室5間に圧力差を生じる。
従って、プラズマ発生装置3において発生するプラズマ
ガスは、プラズマ室4から縮小拡大ノズル1を流過して
捕集室5へと流入することになる。一方、縮小拡大ノズ
ルエの流を二 出口近傍峠はヒーター10が配置され、約2000℃程
度に加熱されている。この加熱によってヒーター10か
らは熱電子が放出されることになり、ヒーター10を通
過するプラズマガスはこの熟′准子放出によって再び活
性化される。この後プラズマガスは成膜ガスと接触し、
基体上に膜が堆桔される。
縮小拡大ノズルlは、」二流側であるプラズマ室4の圧
力Paと下流側である捕集室5の圧力Pの圧力比P/P
oと、のど部2の開[]面面積°と流出口1bの開口面
積Aとの比A/A ’とを調節することによって、噴出
するプラズマカスの流れを高速化できる。そして、プラ
ズマ室4と捕集室5内の圧力比P/P0が臨界圧力比よ
り大きければ、縮小拡大ノズルlの出口流速が亜音速以
下の流れとなり、プラズマガスは減速噴出される。また
、上記圧力比が臨界圧力比以下であれば、縮小拡大ノズ
ル1の出口流速は超音速流となり、プラズマガスをIt
flt速にて噴出させることができる。
ここで、流れの速度をU、その点における音速をa、流
れの比熱比をγとし、流れを圧縮性の一次元流で断熱膨
張すると仮定すれば、流れの到達マツハGMは、プラズ
マ室4の圧力P0と捕集室5の圧力Pとから次式で定ま
り、特にP/Poが臨界圧力比以下の場合、Mは1以上
となる。
尚、1″f速aは局所温度をT、気体定数をRとすると
、次式で求めることができる。
a=「7112 また、流出口1bの開11面積A及びのど部2の開口面
積A・とマツハ数Mには次の関係がある。
従って、開口面積比A/A”によって(2)式から定ま
るMに応じて圧力比P/P、を調整することによって、
縮小拡大ノズルlから噴出するプラズマガスを超音速の
適正膨・玉流として噴出させることができる。この適正
1膨張流とは、流出[11bにおけるプラズマガスの圧
力と下流側の圧力Pとが等しい流れで、このときのプラ
ズマガスの速度Uは、上流側の温度をToとすると、次
の(3)式によって求めることができる。
上述のようなa音速の適正膨張流としてプラズマガスを
一定方向へ噴出させると、プラズマガスは噴出直後の噴
流断面をほぼ保ちながら直進し、ビーム化される。これ
によってプラズマガスは、最小限の拡散で捕集室5内の
空間中を、捕集室5の壁面との干渉のない空間的に独立
状態で、かつ超音速で噴出されることになる。
[実施例] 第1図は本発明の一実施例を示す反応装置の概略構成図
である。第1図に示されるように1反応装置100はプ
ラズマ室4と捕集室5が縮小拡大ノズル(以下、ノズル
と称す)1を介して連通されている。
プラズマ室4内には、ノズル1の流入口1aと対向する
位置に、プラズマ発生装置3が設けられている。本実施
例におけるプラズマ発生装置3は、電子サイクロトロン
共鳴(ECR)を使ってプラズマを形成する空+r1共
振器6を有するものとなっている。この空胴共振器6は
、プラズマを効率良く形成できるよう、ECR条件を満
すものであることが好ましい。
空胴共振器6の後壁部には、例えば石英等のマイクロ波
の透過を許容する材料で形成されたマイクロ波導入窓7
を介して導波管8が接続されている。また、空胴共振器
6内には、非成膜ガスが供給されるようになっている。
ここで非成膜ガスとは、マイクロ波放電によってプラズ
マ化されるガスであって、それ自身のみでは成膜能を生
じないガスをいう、具体的には、例えばH2,N7. 
Ar等のガスである。
ノズル1は、その流入口1aをプラズマ室4内に開口さ
せ、流出口1bを捕集室5内に開口させて両室4,5を
連通させている。
ノズルlとしては、前述のように、流入口1dから徐々
に開口面積が絞られてのど部2となり、再び徐々に開口
面積が拡大して流出口1bとなっているものであればよ
いが、第2図(a)に拡大して示しであるように、流出
口1b付近の内周面が、中心軸に対してほぼ平行である
ことが好ましい。これは、ガスの流れ方向が ある程度
流出口lb付近の内周面の方向によって影響を受けるの
で、できるだけ平行流にさせやすくするためである。し
かし、第2図(b)に示されるように、のど部2かも流
出口1bへ至る内周面の中心軸に対する角度αを、7°
以下好ましくは5°以下とするば、剥離現象を生じに<
<、噴出するガスの流れはほぼ均一に維持されるので、
この場合はことさら上記平行部を形成しなくともよい。
平行部の形成を省略することにより、ノズルlの作製が
容易となる。また、ノズルlを第2図(C)に示される
ような矩形のものとすれば、スリット状に原料を噴出さ
せることができる。
ここで、前記剥離現象とはノズル1の内面に突起物等が
あった場合に、ノズルlの内面と流過流体間の境界層が
大きくなって、流れが不均一になる現象をいい、噴出流
が高速になるほど生じゃすい。前述の角度αは、この剥
離現象防止のために、ノズルlの内面仕」二げ精度が劣
るものほど小さくすることが好ましい。ノズル1の内面
は、JIS B 0601に定められる、表面仕北げ精
度を表わす逆三角形マークで三つ以」二、最適には四つ
以りが好ましい。特に、ノズルlの拡大部における剥離
現象が、その後の原料の流れに大きく影響するので、上
記仕上げ精度を、この拡大部を上点にして定めることに
よって、ノズル1の作製を容易にできる。また、やはり
剥離現象の発生防止のため、のど部2は滑らかな湾曲面
とし、断面積変化率における微係数が(資)とならない
ようにする必要がある。
ノズル1の材質としては、例えば鉄、ステンレススチー
ルその他の金属の他、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、
ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン等の合成
樹脂、セラミンク材料、石英、ガラス等、広く用いるこ
とができる。この材質の選択は、生成される物質との非
反応性、加工性、真空系内におけるガス放出性等を考慮
して行えばよい。また、ノズル1の内面に、原料の付着
・反応を生じにくい材料をメツキ又はコートすることも
できる。具体例としては、ポリフッ化エチレンのコート
笠を挙げることができる。他方、ノズル内面において化
学反応を起こさせる材料を形成することもできる。具体
例としては、担持触媒、バイコールガラス等の多孔質物
質による触媒作用を用いる方法、あるいは反応性物質を
塗布する方法などが挙げられる。
ノズル1の長さは、装置の大きさ等によって任意に定め
ることができる。
一方、捕集室5内には、ノズルlの流出口1bの近傍に
、ヒーター10が設けられている。ヒーター10はタン
グステン、トリエイテッドタングステン、白金、モリブ
デン等の発熱体を、図に示すように巻線状に形成したも
ので、外部に設けられた電源11によって1500〜2
000°C程度まで加熱される。このヒーター10の巻
線の直径は、ノズルlの直径で決まるプラズマガスのビ
ーム流の直径よりわずかに大きな径に設定すればよい。
また、ヒーターの長さは熱電子がビーム流にP分出たる
ように10cm以上とする事が望ましい。
ヒーターIOの出口近傍には、成膜ガスを供給するため
の供給環13が設けられている。供給環13は、多数の
小孔を有する環状のパイプで、前記ヒーター10を通過
したプラズマガスに向って成膜ガスを供給するものであ
る。なお、ここで成膜ガスとは、活性化されたプラズマ
ガスに触れて分解し、基体上で反応して成膜能を生じる
ガスのことで1例えばジシランガス等である。
さらに捕集室5内には、ノズルlの流出口1bと相対向
する位置に基体14が設けられている。ノズル1から噴
出し、前述したヒーターlO1供給環13を通過したガ
スはこの基体14に衝突し、基体14上に成膜される。
また捕集室5は、例えば真空ポンプ等(図示せず)で排
気されており、余剰ガスや反応ガス茅は直に排出される
ト記構成において、空調共振器6内に非成膜ガスを供給
すると共に、マイクロ波導入窓7を介してマイクロ波を
導入すると、空胴共振器6内にプラズマが形成され、こ
れが前面の開口9から引き出されることになる。プラズ
マ発生装置3で形成されたプラズマガスは、縮小拡大ノ
ズルlによって移送され、下流室5に流入する。流入し
たプラズマガスは、ヒーターlOから放出された熱電子
によって励起され、プラズマ中の活性種の寿命の短いも
のは再び活性化される。次に、ヒーター10を通過した
プラズマガスに供給環13から成膜ガスを導入すると、
成膜ガスはこの活性化されたプラズマガスに触れて分解
し、基体表面で反応して膜が堆積する。
[発明の効果] 本発明によれば、プラズマガスを均一な分散状態の超音
速のビームとして、最小限の拡散状態で移送することが
できるため、原料の利用効率及び生成物の歩留りを向上
させることができる。また、捕集室壁面への不要な膜の
付着による汚れを防止することもできる。さらに、ノズ
ル後方に配置したヒーターにより、ビーム流を乱すこと
なくプラズマガスを再度活性化することができ、CHa
やH2′3の比較的寿命の短い活性種を原料とした場合
でも、良好な活性状7.Tiのまま反応場まで導くこと
がij丁能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す説明図、第2図(a)
〜(C)は各々縮小拡大ノズルの形状例を示す図である
。 1:縮小拡大ノズル、3:プラズマ発生装置、4:プラ
ズマ室、5:捕集室、lOニヒーター、13:供給環、
14:基体、100:反応装置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)流路に縮小拡大ノズルを設け、この縮小拡大ノズ
    ルの下流側に金属線よりなるヒーターを配置したことを
    特徴とする反応装置。
JP17577686A 1986-07-28 1986-07-28 反応装置 Pending JPS6336832A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17577686A JPS6336832A (ja) 1986-07-28 1986-07-28 反応装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17577686A JPS6336832A (ja) 1986-07-28 1986-07-28 反応装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6336832A true JPS6336832A (ja) 1988-02-17

Family

ID=16002065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17577686A Pending JPS6336832A (ja) 1986-07-28 1986-07-28 反応装置

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JP (1) JPS6336832A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100700655B1 (ko) 2005-04-12 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 증착 장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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