JPS61221377A - プラズマcvd装置 - Google Patents
プラズマcvd装置Info
- Publication number
- JPS61221377A JPS61221377A JP25484485A JP25484485A JPS61221377A JP S61221377 A JPS61221377 A JP S61221377A JP 25484485 A JP25484485 A JP 25484485A JP 25484485 A JP25484485 A JP 25484485A JP S61221377 A JPS61221377 A JP S61221377A
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- Japan
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- chamber
- plasma
- film
- contraction
- nozzle
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、薄膜形成に用いられるCVD (化学的気
相成長)装置に関し、特にプラズマCVD装置に関する
ものである。
相成長)装置に関し、特にプラズマCVD装置に関する
ものである。
本明細書において、粒子とは、ラジカル、イオン、原子
、分子、超微粒子等の励起活性種をいう。また、ビーム
とは、流れ方向に断面積がほぼ一定の噴流のことをいい
、その断面形状は問わないものである。また、非成膜ガ
スとは、それ自身では成膜能を有しないガス、例えば、
02. H2,Ar等をいう。
、分子、超微粒子等の励起活性種をいう。また、ビーム
とは、流れ方向に断面積がほぼ一定の噴流のことをいい
、その断面形状は問わないものである。また、非成膜ガ
スとは、それ自身では成膜能を有しないガス、例えば、
02. H2,Ar等をいう。
[従来の技術]
従来、薄膜形成に用いられてきた高周波プラズマCVD
装置は、反応室内に薄膜の元となる成膜ガス(原料ガス
)を送り込み、高周波放電によってプラズマを作り、原
料ガスを分解するとともに、活性化エネルギーを4えて
反応室内に配置された基体tに薄膜を形成するものであ
った。
装置は、反応室内に薄膜の元となる成膜ガス(原料ガス
)を送り込み、高周波放電によってプラズマを作り、原
料ガスを分解するとともに、活性化エネルギーを4えて
反応室内に配置された基体tに薄膜を形成するものであ
った。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、従来装置においては、装置の構造上、高
周波放電によるエネルギーを効率よく使うことができな
かった。このため、基体上での薄膜の生成率も悪く、外
部からの加熱を必要としていた。また、成膜反応がプラ
ズマの雰囲気中で行なわれるため、反応室の内壁面にも
不要な膜が付着してしまうという欠点があった。
周波放電によるエネルギーを効率よく使うことができな
かった。このため、基体上での薄膜の生成率も悪く、外
部からの加熱を必要としていた。また、成膜反応がプラ
ズマの雰囲気中で行なわれるため、反応室の内壁面にも
不要な膜が付着してしまうという欠点があった。
本発明は、エネルギー付学を効率化し、薄膜め生成率を
向上させたプラズマCVD装置を提供することを目的と
するものである。
向上させたプラズマCVD装置を提供することを目的と
するものである。
[問題点を解決するための手段]
本発明の基本原理を、実施例に対応する第1図を用いて
説明する。本発明は、空胴共振器5を備えた上流室3の
下流側に、減圧される下流室4を設け、この2つの室を
結ぶ流路に縮小拡大ノズル1を設けたものである。上記
構成において、プラズマ発生用の非成膜ガスは空胴共振
器5内に送り込まれ、反応ガスとなる成膜ガスは縮小拡
大ノズル1の直前で供給される。
説明する。本発明は、空胴共振器5を備えた上流室3の
下流側に、減圧される下流室4を設け、この2つの室を
結ぶ流路に縮小拡大ノズル1を設けたものである。上記
構成において、プラズマ発生用の非成膜ガスは空胴共振
器5内に送り込まれ、反応ガスとなる成膜ガスは縮小拡
大ノズル1の直前で供給される。
本発明における空胴共振器5とは、導波管の両端を導体
で短絡したものであり、石英板7を介してマイクロ波を
付与することによって内部を共振状態とし、プラズマを
発生するようにしたものである。
で短絡したものであり、石英板7を介してマイクロ波を
付与することによって内部を共振状態とし、プラズマを
発生するようにしたものである。
また、本発明における縮小拡大ノズルlとは、流入口1
aから中間部に向って徐々に開口面積が絞られてのど部
2となり、こののど部2から流出口1bに向って徐々に
開口面積が拡大されているノズルをいう。
aから中間部に向って徐々に開口面積が絞られてのど部
2となり、こののど部2から流出口1bに向って徐々に
開口面積が拡大されているノズルをいう。
[作 用]
空胴共振器5内に送り込まれた非成膜ガスは、マイクロ
波によって励起されプラズマとなる。このプラズマガス
は、減圧された下流室4との差圧によって縮小拡大ノズ
ルを通って下流室4に流れ込む。この時、縮小拡大ノズ
ル1の手前から成膜ガスが供給されると、成膜ガスは活
性化したプラズマガスと接触して分解する。この状態で
さらに高速のビーム状となり基体7に衝突するため、成
膜ガスは基体上で再結合して薄膜が堆積する。
波によって励起されプラズマとなる。このプラズマガス
は、減圧された下流室4との差圧によって縮小拡大ノズ
ルを通って下流室4に流れ込む。この時、縮小拡大ノズ
ル1の手前から成膜ガスが供給されると、成膜ガスは活
性化したプラズマガスと接触して分解する。この状態で
さらに高速のビーム状となり基体7に衝突するため、成
膜ガスは基体上で再結合して薄膜が堆積する。
ところで縮小拡大ノズルlは、上流室3の圧力POと下
流室4の圧力Pの圧力比P/Poと、のど部2の開口面
積A・と流出r]lbの開口面積Aとの比A/A・とを
調節することによって、非成膜ガスと共に噴出する粒子
の流れを高速化できる。そして、上流室3と下流室4内
の圧力比P/Poが臨界圧力比より大きければ、縮小拡
大ノズル1の出口流速が亜音速以下の流れとなり、非成
膜ガスと共に粒子は減速噴出される。また、上記圧力比
が臨界圧力比以下であれば、縮小拡大ノズルlの出口流
速は超音速流となり、非成膜ガスと共に粒子を超高速に
て噴出させることができる。
流室4の圧力Pの圧力比P/Poと、のど部2の開口面
積A・と流出r]lbの開口面積Aとの比A/A・とを
調節することによって、非成膜ガスと共に噴出する粒子
の流れを高速化できる。そして、上流室3と下流室4内
の圧力比P/Poが臨界圧力比より大きければ、縮小拡
大ノズル1の出口流速が亜音速以下の流れとなり、非成
膜ガスと共に粒子は減速噴出される。また、上記圧力比
が臨界圧力比以下であれば、縮小拡大ノズルlの出口流
速は超音速流となり、非成膜ガスと共に粒子を超高速に
て噴出させることができる。
ここで、粒子流の速度をU、その点における音速をa、
粒子流の比熱比をγとし、粒子流を圧縮性の一次元流で
断熱膨張すると仮定すれば、粒子流の到達マーツバ数M
は、上流室の圧力P。と下流室の圧力Pとから次式で定
まり、特にP/P、が臨界圧力比以下の場合、Mは1以
上となる。
粒子流の比熱比をγとし、粒子流を圧縮性の一次元流で
断熱膨張すると仮定すれば、粒子流の到達マーツバ数M
は、上流室の圧力P。と下流室の圧力Pとから次式で定
まり、特にP/P、が臨界圧力比以下の場合、Mは1以
上となる。
尚、音速aは局所温度をT、気体定数をRとすると、次
式で求めることができる。
式で求めることができる。
a=「71で1
また、流出ロ1b開ロ面積A及びのど部2の開口面1i
IA”とマツハ数Mには次の関係がある。
IA”とマツハ数Mには次の関係がある。
従って、上流室3の圧力P。と下流室4の圧力Pの圧力
比P/Poによって(1)式から定まるマツハ数Mに応
じて開口面積比A/A”を定めたり、A/A−によって
(2)式から定まるMに応じてP/POを調整すること
によって、拡大縮小ノズル1から噴出する粒子流の流速
をyA整できる。このときの粒子流の速度Uは、次の(
3)式によって求めることができる。
比P/Poによって(1)式から定まるマツハ数Mに応
じて開口面積比A/A”を定めたり、A/A−によって
(2)式から定まるMに応じてP/POを調整すること
によって、拡大縮小ノズル1から噴出する粒子流の流速
をyA整できる。このときの粒子流の速度Uは、次の(
3)式によって求めることができる。
u = M ラ]〒(1+千M2)’ ・(3)上記粒
子−流の流れ状態は、上流室3内の温度が−・定であれ
ば上流室3の圧力Poと下流室4の圧力Pの圧力比P/
Paを一定に保つことにより、開口面積比A/A”で定
まる一定の状態を維持することになる。
子−流の流れ状態は、上流室3内の温度が−・定であれ
ば上流室3の圧力Poと下流室4の圧力Pの圧力比P/
Paを一定に保つことにより、開口面積比A/A”で定
まる一定の状態を維持することになる。
前述のような圧力比が臨界圧力比未満の噴出においては
、噴出される非成膜ガスと粒子は均一な拡散流となり、
比較的広い範囲に亘って一度に均一に粒子を吹き付ける
ことが可能となる。
、噴出される非成膜ガスと粒子は均一な拡散流となり、
比較的広い範囲に亘って一度に均一に粒子を吹き付ける
ことが可能となる。
一方、前述のような超音速の流れとして非成膜ガスと共
に粒子を一定方向へ噴出させると、非成膜ガスと粒子は
噴出直後の噴流断面をほぼ保ちながら直進し、ビーム化
される。従って、この非成膜ガスによって運ばれる粒子
の流れもビーム化され、最小限の拡散で下流室4内の空
間中を、下流室4の壁面との干渉のない空間的に独立状
態で。
に粒子を一定方向へ噴出させると、非成膜ガスと粒子は
噴出直後の噴流断面をほぼ保ちながら直進し、ビーム化
される。従って、この非成膜ガスによって運ばれる粒子
の流れもビーム化され、最小限の拡散で下流室4内の空
間中を、下流室4の壁面との干渉のない空間的に独立状
態で。
かつ超音速で移送されることになる。
従って、良好な活性状態のまま粒子を捕集することが可
能となる。また、噴流断面が流れ方向にほぼ一定のビー
ムとして粒子が基体6上に吹き付けられるので、この吹
き付は領域を容易に制御できるものである。
能となる。また、噴流断面が流れ方向にほぼ一定のビー
ムとして粒子が基体6上に吹き付けられるので、この吹
き付は領域を容易に制御できるものである。
[実施例]
第1図は本発明の一実施例を示すプラズマCVD装置の
概略構成図である。図中、lは縮小拡大ノズル、3は上
流室、4は下流室、5は空胴共振器、6は基体、9は磁
場発生器となる磁場コイ°ルである。
概略構成図である。図中、lは縮小拡大ノズル、3は上
流室、4は下流室、5は空胴共振器、6は基体、9は磁
場発生器となる磁場コイ°ルである。
空胴共振器5及び磁気コイル9を内設した上流室3と下
流室4は、縮小拡大ノズルlによって接続され、成膜ガ
スは縮小ノズル1の直前で供給されるよう構成されてい
る。また、空胴共振器5には非成膜ガスの供給口が設け
られ、マイクロ波は導波管10により匝ばれ、石英板7
を介して内部に送られる。・方、下流室4内の空気は、
真空ポンプ8よって排気され、上流室3よりも減圧され
た状y島に保たれている。
流室4は、縮小拡大ノズルlによって接続され、成膜ガ
スは縮小ノズル1の直前で供給されるよう構成されてい
る。また、空胴共振器5には非成膜ガスの供給口が設け
られ、マイクロ波は導波管10により匝ばれ、石英板7
を介して内部に送られる。・方、下流室4内の空気は、
真空ポンプ8よって排気され、上流室3よりも減圧され
た状y島に保たれている。
本実施例における磁場発生器は、外部電源により励磁さ
れる磁気コイルであるが、その他に永久磁石等を用いる
ことができる。この磁気コイルは、空胴共振器5内で発
生したプラズマを発散磁へ 界により引き出すCめに用いられる。
れる磁気コイルであるが、その他に永久磁石等を用いる
ことができる。この磁気コイルは、空胴共振器5内で発
生したプラズマを発散磁へ 界により引き出すCめに用いられる。
縮小拡大ノズル1としては、前述のように、流入口1a
から徐々に開口面積が絞られてのど部2となり、再び徐
々に開口面積が拡大して流出口1bとなっているもので
あればよいが、そののど部2の開口面積が、真空ポンプ
8の排気流量より、所要の上流室3の圧力及び温度下に
おけるノズル流量が小さくなるよう定められている。こ
れによって流出口1bは適正膨張となり、流出口1bで
の減速等を防止できる。また、第2図(a)に拡大して
示しであるように、流出口lb付近の内周面が、中心軸
に対してほぼ平行であることが好ましい。これは、噴出
される非成膜ガス及び粒子の流れ方向が、ある程度流出
口lb付近の内周面の方向によって影響を受けるので、
できるだけ平行流にさせやすくするためである。しかし
、第2図(b)に示されるように、のど部2から流出口
1bへ至る内周面の中心軸に対する角度αを、7°以下
好ましくは5°以下とすれば、剥離現象を生じにくく、
噴出する非成膜ガス及び粒子の流れはほぼ均一に維持さ
れるので、この場合はことさら上記平行部を形成しなく
ともよい。平行部の形成を省略することにより、縮小拡
大ノズル1の作製が容易となる。
から徐々に開口面積が絞られてのど部2となり、再び徐
々に開口面積が拡大して流出口1bとなっているもので
あればよいが、そののど部2の開口面積が、真空ポンプ
8の排気流量より、所要の上流室3の圧力及び温度下に
おけるノズル流量が小さくなるよう定められている。こ
れによって流出口1bは適正膨張となり、流出口1bで
の減速等を防止できる。また、第2図(a)に拡大して
示しであるように、流出口lb付近の内周面が、中心軸
に対してほぼ平行であることが好ましい。これは、噴出
される非成膜ガス及び粒子の流れ方向が、ある程度流出
口lb付近の内周面の方向によって影響を受けるので、
できるだけ平行流にさせやすくするためである。しかし
、第2図(b)に示されるように、のど部2から流出口
1bへ至る内周面の中心軸に対する角度αを、7°以下
好ましくは5°以下とすれば、剥離現象を生じにくく、
噴出する非成膜ガス及び粒子の流れはほぼ均一に維持さ
れるので、この場合はことさら上記平行部を形成しなく
ともよい。平行部の形成を省略することにより、縮小拡
大ノズル1の作製が容易となる。
また、縮小拡大ノズルlを第2図(C)に示されるよう
な矩形のものとすれば1、スリット状に非成膜ガス及び
粒子を噴出させることができる。
な矩形のものとすれば1、スリット状に非成膜ガス及び
粒子を噴出させることができる。
ここで、前記剥離現象とは縮小拡大ノズル1の内面に突
起物等があった場合に、縮小拡大ノズル1の内面と流過
流体間の境界層が大きくなって。
起物等があった場合に、縮小拡大ノズル1の内面と流過
流体間の境界層が大きくなって。
流れが不均一になる現象をいい、噴出流が高速になるほ
ど生じやすい。前述の角度αは、この剥離現象防止のた
めに、縮小拡大ノズルlの内面仕」−げ精度が劣るもの
ほど小さくすることが好ましい。縮小拡大ノズル1の内
面は、JIS B 0801に定められる、表面仕上げ
精度を表わす逆三角形マークで二つ以上、最適には四つ
以りが好ましい。特に、縮小拡大ノズルlの拡大部にお
ける剥離現象が、その後の非成膜ガス及び粒子の流れに
大きく影響するので、上記仕上げ精度を、この拡大部を
重点にして定めることによって、縮小拡大ノズルlの作
製を容易にできる。また、やはり剥離現象の発生防止の
ため、のど部2は滑らかな湾曲面とし、断面積変化率に
おける微係数が美とならないようにする必要がある。
ど生じやすい。前述の角度αは、この剥離現象防止のた
めに、縮小拡大ノズルlの内面仕」−げ精度が劣るもの
ほど小さくすることが好ましい。縮小拡大ノズル1の内
面は、JIS B 0801に定められる、表面仕上げ
精度を表わす逆三角形マークで二つ以上、最適には四つ
以りが好ましい。特に、縮小拡大ノズルlの拡大部にお
ける剥離現象が、その後の非成膜ガス及び粒子の流れに
大きく影響するので、上記仕上げ精度を、この拡大部を
重点にして定めることによって、縮小拡大ノズルlの作
製を容易にできる。また、やはり剥離現象の発生防止の
ため、のど部2は滑らかな湾曲面とし、断面積変化率に
おける微係数が美とならないようにする必要がある。
縮小拡大ノズル1の材質としては、例えば鉄。
ステンレススチールその他の金属の他、アクリル樹脂、
ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプ
ロピレン等の合成樹脂、セラミック材料、石英、ガラス
等、広く用いることができる。この材質の選択は、粒子
との非反応性、加工性、減圧系内におけるガス放出性等
を考慮して行えばよい。また、縮小拡大ノズルlの内面
に、粒子の付着・反応を生じにくい材料をメッキ又はコ
ートすることもできる。具体例としては、ポリフン化エ
チレンのコート等を挙げることができる。
ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプ
ロピレン等の合成樹脂、セラミック材料、石英、ガラス
等、広く用いることができる。この材質の選択は、粒子
との非反応性、加工性、減圧系内におけるガス放出性等
を考慮して行えばよい。また、縮小拡大ノズルlの内面
に、粒子の付着・反応を生じにくい材料をメッキ又はコ
ートすることもできる。具体例としては、ポリフン化エ
チレンのコート等を挙げることができる。
−1−流室3の圧力POと上流室4の圧力Pの圧力比P
/Poと、のど部2の開口面積A中と流出口1bの開口
面積との比A/A・との関係を適宜に調整して、上記縮
小拡大ノズル1内を流過させることにより、粒子を含む
非成膜ガスはビーム化され、第一下流室4aから第二上
流室4bへと超音速で流れることになる。
/Poと、のど部2の開口面積A中と流出口1bの開口
面積との比A/A・との関係を適宜に調整して、上記縮
小拡大ノズル1内を流過させることにより、粒子を含む
非成膜ガスはビーム化され、第一下流室4aから第二上
流室4bへと超音速で流れることになる。
上記構成において、非成膜ガスを空胴共振器5内に送り
込むとともにマイクロ波を与えると、非成膜ガスはプラ
ズマとなる。ここで、磁気コイ゛ル9の発散磁界によっ
てプラズマ中の電子は加速され、基体に向う。この電子
の動きに伴ってイオンも引きずられるように基体に向う
。一方、下流室4は前述したように減圧状態となってい
るので、プラズマガスはその差圧によって下流室側に引
っばられる。この2つの作用によって、プラズマガスは
縮小拡大ノズル1を通って下流室2へ流入する。この時
、成膜ガスを縮小拡大ノズルlの直前から供給すると、
成膜ガスは活性化したプラズマガスと接触して分解する
。同時に成膜ガスはプラズマガスとともに高速のビーム
流となって基体に衝突する。この基体上において、分解
された成膜ガスは(1■結合し、薄膜となって堆積する
。
込むとともにマイクロ波を与えると、非成膜ガスはプラ
ズマとなる。ここで、磁気コイ゛ル9の発散磁界によっ
てプラズマ中の電子は加速され、基体に向う。この電子
の動きに伴ってイオンも引きずられるように基体に向う
。一方、下流室4は前述したように減圧状態となってい
るので、プラズマガスはその差圧によって下流室側に引
っばられる。この2つの作用によって、プラズマガスは
縮小拡大ノズル1を通って下流室2へ流入する。この時
、成膜ガスを縮小拡大ノズルlの直前から供給すると、
成膜ガスは活性化したプラズマガスと接触して分解する
。同時に成膜ガスはプラズマガスとともに高速のビーム
流となって基体に衝突する。この基体上において、分解
された成膜ガスは(1■結合し、薄膜となって堆積する
。
第3図は、本発明の他の実施例を示す概略構成図である
。第3図において、空胴共振器15はm銘板21が移動
可能となるように構成されている。それ以外の構成は第
1図に示したものと同様である。前記空胴共振器15の
短絡板21は、図に示すようにチョーク構造となってい
る。これは、短絡板21を移動可能とした場合、短絡板
21と空胴共振器15との接続部に壁面電流が流れ、損
失が大きくなるためであり、このようなチョーク構造と
することによって、壁面電流による損失をできるだけ少
なくすることができる。
。第3図において、空胴共振器15はm銘板21が移動
可能となるように構成されている。それ以外の構成は第
1図に示したものと同様である。前記空胴共振器15の
短絡板21は、図に示すようにチョーク構造となってい
る。これは、短絡板21を移動可能とした場合、短絡板
21と空胴共振器15との接続部に壁面電流が流れ、損
失が大きくなるためであり、このようなチョーク構造と
することによって、壁面電流による損失をできるだけ少
なくすることができる。
この実施例においては、空胴共振器15の短絡板21を
]二下に移動することによって、導波管と空洞共振器と
のインピーダンス整合を常に最適状態となるよう制御す
ることができる。
]二下に移動することによって、導波管と空洞共振器と
のインピーダンス整合を常に最適状態となるよう制御す
ることができる。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば空胴共振器、磁場
発生器及び縮小拡大ノズルを用いることにより、マイク
ロ波のエネルギーを効率よく与えることができ、外部か
ら熱を加えることなく低温で膜の生成を行うことができ
る。また、成膜ガスが縮小拡大ノズルの直前で供給され
、かつ磁場発生器と差圧による引き出し作用によって、
より多くの粒子(ラジカル、イオン、原子1分子等)を
基体上に集めることができる。さらに、プラズマガスが
拡散せずにビーム状で移送されるので、従来装置におけ
る室内雰囲気中での成膜に比べて生成室の内壁面への不
必要な付着を抑えることができ、基板上での成膜収率を
向上させることができる。
発生器及び縮小拡大ノズルを用いることにより、マイク
ロ波のエネルギーを効率よく与えることができ、外部か
ら熱を加えることなく低温で膜の生成を行うことができ
る。また、成膜ガスが縮小拡大ノズルの直前で供給され
、かつ磁場発生器と差圧による引き出し作用によって、
より多くの粒子(ラジカル、イオン、原子1分子等)を
基体上に集めることができる。さらに、プラズマガスが
拡散せずにビーム状で移送されるので、従来装置におけ
る室内雰囲気中での成膜に比べて生成室の内壁面への不
必要な付着を抑えることができ、基板上での成膜収率を
向上させることができる。
第1図は本発明の一実施例を示す装置の概略構成図、第
2図(a)〜(C)は縮小拡大ノズルの形状例を示す図
、第3図は本発明の他の実施例を示す概略構成図である
。 1.11・・・縮小拡大ノズル、3,13・・・ト流室
、4.14・・・上流室、5,15・・・空胴共振器、
6.16・・・基体。
2図(a)〜(C)は縮小拡大ノズルの形状例を示す図
、第3図は本発明の他の実施例を示す概略構成図である
。 1.11・・・縮小拡大ノズル、3,13・・・ト流室
、4.14・・・上流室、5,15・・・空胴共振器、
6.16・・・基体。
Claims (1)
- 1)空胴共振器と縮小拡大ノズルを有することを特徴と
するプラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25484485A JPS61221377A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | プラズマcvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25484485A JPS61221377A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | プラズマcvd装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60059619A Division JPS61218810A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 微粒子流の流れ制御装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61221377A true JPS61221377A (ja) | 1986-10-01 |
Family
ID=17270634
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25484485A Pending JPS61221377A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | プラズマcvd装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61221377A (ja) |
-
1985
- 1985-11-15 JP JP25484485A patent/JPS61221377A/ja active Pending
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