JPS6316043A - 微粒子の捕集方法 - Google Patents

微粒子の捕集方法

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JPS6316043A
JPS6316043A JP15873086A JP15873086A JPS6316043A JP S6316043 A JPS6316043 A JP S6316043A JP 15873086 A JP15873086 A JP 15873086A JP 15873086 A JP15873086 A JP 15873086A JP S6316043 A JPS6316043 A JP S6316043A
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JP
Japan
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fine particles
substrate
flow
stream
chamber
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Pending
Application number
JP15873086A
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English (en)
Inventor
Masao Sugata
菅田 正夫
Hiroyuki Sugata
裕之 菅田
Toshiaki Kimura
木村 稔章
Noriko Kurihara
栗原 紀子
Toru Den
透 田
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F3/00Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
    • B22F3/10Sintering only
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/12Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying

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  • Organic Chemistry (AREA)
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  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、微粒子の捕集方法に関し、更に詳しくは、所
望の微粒子を選択的に捕集する方法に関する。
本明細書において、微粒子とは、原子、分子、超微粒子
及び一般微粒子をいう、ここで超微粒子とは、例えば、
気相反応を利用した、ガス中蒸発法、プラズマ蒸発法、
気相化学反応法、更には液相反応を利用した、コロイド
学的な沈殿法、溶液噴霧熱分解法等によって得られる。
超微細な(一般には0.5 p、m以下)粒子をいう、
一般微粒子とは、機械的粉砕や析出沈殿処理等の一般的
手法によって得られる微細粒子をいう。
[従来の技術] 従来、微粒子の捕集方法としては、例えばプラズマCV
D 法、 w−フィラメント法、イオンビーム法、イオ
ン化蒸着法、スパッター法等として知られているように
、原料を活性化して、これを基体面に成膜状態で捕集す
る方法が行われている。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、従来の方法で原料を活性化して捕集して
も、目的の生成物が得られなかったり。
生成物の均一性が悪くなる等の問題がある。これは、活
性化して原料中に、中性励起種、ラジカル、正負のイオ
ン等の様々な化学種が生成されることや、複数の生成物
を生じ得る場合に、生成されやすい順位に応じて生成物
が生成されることになるためである。
[問題点を解決するための手段] 上記問題点を解決するための手段を説明すると、本発明
は、微粒子をビーム流とし、基体lを動かしながらこの
ビーム流を受けるという手段を講じているものである。
微粒子のビーム流化は、第1図に示される。ように、縮
小拡大ノズル2を介して微粒子を噴出させ−ることによ
って容易に行うことができる。この縮小拡大ノズル2と
は、流入口2aから中間部に向って徐々に開口面積が絞
られてのど部2bとなり、こののど部2bから流出口2
Cに向って徐々に開口面積が拡大されているノズルをい
う、また、ビーム流とは、断面積がほぼ一定の流れをい
い、その断面形状は問わないものである。
上記縮小拡大ノズル2を用いた微粒子の供給について更
に説明すると、第1図に示されるように、上流室3内に
微粒子を供給する一方、下流室4内を排気すると、上流
室3と下流室4間に圧力差を生じる。従って、供給され
た微粒子は、上流室3から縮小拡大ノズル2を流過して
下流室4へと流入することになる。
縮小拡大ノズル2は、上流室3の圧力Poと下、流室4
の圧力Pの圧力比P/PGを、のど部2bの開口面接A
傘と流出口2Cの開口面積Aとの比A/A”に応じて7
JRf!nすることによって、噴出する微粒子の流れを
超音速にまで高速化できる。
ここで、微粒子流の速度をU、その点における音速をa
、微粒子流の比熱比をγとし、微粒子流を圧縮性の一次
元流で断熱膨張すると仮定すれば、微粒子流の到達マツ
ハ数Mは、上流室3の圧力Paと下流室4の圧力Pとか
ら次式で定まり、特にP/Poが臨界圧力比以下の場合
1Mは1以上となる。
尚、音速aは局所温度をT、気体定数をRとすると、次
式で求めることができる。
a=F711r また、流出ロ2C開ロ面積A及びのど部2bの開口面積
A拳とマツハ数Mには次の関係がある。
従って、開口面積比A/A”によって(2)式から定ま
るMに応じて圧力比P/Poを調整することによって、
拡大縮小ノズル2から噴出する微粒子を超音速の適正膨
張流として噴出させることができる。
このときの微粒子流の速度Uは、上流室3の温度をto
とすると、次の(3)式によって求めることができる。
上述のような超音速の適正膨張流として微粒子を一定方
向へ噴出させると、微粒子は噴出直後の噴流断面をほぼ
保ちながら直進し、ビーム化される。従って、微粒子の
流れはビーム化され、微粒子は、最小限の拡散で下流室
4内の空間中を、下流室4の壁面との干渉のない空間的
に独立状態で、かつ超音速で移送されることになる。こ
こで適正膨張流とは、流出口2Cにおける微粒子流の圧
力と下流室4の圧力が等しい流れをいう。
このようなことから、縮小拡大ノズル2内又はその付近
で微粒子を活性化して、これをそのままビーム化移送す
れば、超音速による。しかも空間的に独立状態にあるビ
ームとして移送することができ1例えば下流室4内に設
けた基体1上に付着捕集することができる。従って、良
好な活性状態のまま微粒子を捕集することが可能となる
。また、噴流断面が流れ方向にほぼ一定のビームとして
微粒子が基体1上に吹き付けられるので、この吹き付は
望域を容易に制御できるものである。
縮小拡大ノズル2としては、第2図(a)に示されるよ
うに、流出口2c位置で内周面が中心軸に対してほぼ平
行になっていることが好ましい、これは、噴出される原
料の流れ方向が、流出口2c内周面の方向によって影響
を受けるので、できるだけ平行流にさせやすくするため
である。しかし、第2図(b)に示されるように、のど
部2bから流出口2Cへ至る内周面の中心軸に対する角
度αを、7゜以下好ましくは5°以下とすれば、剥離現
象を生じに<<、噴出する原料の流れはほぼ均一に維持
されるので、この場合はことさら上記のように平行にし
なくともよい、平行部の形成を省略することにより、縮
小拡大ノズル2の作製が容易となる。また、縮小拡大ノ
ズル2を第2図(C)に示されるような矩形のものとす
れば、スリット状に原料を噴出させることができる。
ここで、前記剥離現象とは縮小拡大ノズル2の内面に突
起物等があった場合に、縮小拡大ノズル2の内面と流過
流体間の境界層が大きくなって、流れが不均一になる現
象をいい、噴出流が高速になるほど生じやすい、前述の
角度αは、この剥離現象防止のために、縮小拡大ノズル
2の内面仕上げ精度が劣るものほど小さくすることが好
ましい、縮小拡大ノズル2の内面は、 JIS B H
OIに定められる、表面仕上げ精度を表わす逆三角形マ
ークで三つ以上、最適には四つ以上が好ましい、特に、
縮小拡大ノズル2の拡大部における剥離現象が、その後
の原料の流れに大きく影響するので、上記仕上げ精度を
、この拡大部を重点にして定めることによって、縮小拡
大ノズル2の作製を容易にできる。また、やはり剥離現
象の発生防止のため、のど部2bは滑らかな湾曲面とし
、断面積変化率における微係数がψとならないようにす
る必要がある。
縮小拡大ノズル2の材質としては、例えば鉄。
ステンレススチールその他の金属の他、アクリル樹脂、
ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプ
ロピレン等の合成樹脂、セラミック材料1右英、ガラス
等、広く用いることができる。この材質の選択は、原料
との非反応性、加工性、真空系内におけるガス放出性等
を考慮して行えばよい、また、縮小拡大ノズル2の内面
に、原料の付着・反応を生じにくい材料をメッキ又はコ
ートすることもできる。具体例としては、ポリフッ化エ
チレンのコート等を挙げることができる。
縮小拡大ノズル2の長さは、装置の大きさ等によって任
意に定めることができる。ところで、縮小拡大ノズル2
を流過するときに、原料は、保有する熱エネルギーが運
動エネルギーに変換される。そして、特に超音速で噴出
される場合、熱エネルギーは著しく小さくなって過冷却
状態とすることもできる。このような低温状態を利用し
て、原料のエネルギーを固定化して噴出させることも可
能である。
基体1は、微粒子のビーム流を受けて微粒子を捕集する
ためのもので、ビーム流を受けながら動かされるもので
ある。この基体lの動きとしては1回転、上下や左右へ
の直線移動、更にはこれらの組合わせ等を挙げることが
できる。基体lの移動は、基体lの同一地点が、以下に
述べる所要の時間だけ連続的にビーム流を受けることに
なるよう行われるもので、連続移動でも断続移動でもよ
い。
例えば、二種の同素体AI、A2の生成が可能な微粒子
のビーム流を考える。同素体A、、A2の結晶生長速度
をkl、に2とし、kl > k2と仮定する。また、
与えられた温度及び圧力下ではA2はA】より安定で、
AIがA2に変化するためには大きな活性化エネルギー
が必要であると仮定する。
kl>k2であるから、A1の結晶核は生成されるが、
A2の核生成は無視できるような時間tがある。そこで
基体1をこの時間tよりも速いタイミングで動かせば、
AIのみの結晶核生成、それに続く結晶の成長が生じ、
AIのみを得ることができる。
また、A2の核生成に必要な時間ビーム流を基体1の同
一位置で受けると、A2とAIの両方の核生成が生ずる
。しかし、A2はA1より安定であるので、A2は結晶
核生成に引き続き結晶化が進行する。そして、上記AI
取得時の非平衡下でのAI結晶生長と異なり、平衡条件
下での結晶成長でA2が取得される。
上述の原理を利用することによって、ビーム流の反応で
数種の化合物が生成される時に目的物のみを取出すこと
もできる。更には、結晶核生成速度の差を利用して、結
晶あるいは非結晶質の選択が可1@になる。
以上のように、基体1への微粒子の吹き付は時間によっ
て生成物が変化する場合に、目的の生成物が生成される
時間に応じて基体1を動かすことによって、目的の生成
物を生成させることができる。具体的には、ダイヤモン
ドと石墨の核生長速度の相違を利用して、ダイヤモンド
のみを生成させる場合等が挙げられる。即ち、ダイヤモ
ンドの一核生長速度は石墨のそれより短かいので、ダイ
ヤモンドの核生長は生じるが石墨の核生長はおきない短
時間(約10−25 )だけ基体1の同一点がビーム流
を受けるよう基体1を動かしつつ原料微粒子(例えばメ
タンガスと水素の混合物)を供給すれば、ダイヤモンド
を選択的に生成させら得る。
[発明の効果] 本発明によれば、微粒子の捕集に際し、目的の生成物を
選択的に生成捕集することができ、微粒子による複合材
料開発、新素材開発等への応用範囲の拡大が図れるもの
である。
[実施例] 第1図に示されるような装置を用いて、ダイヤモンド薄
膜の形成を行った。
メタンガス29CCM、水素ガス2009CCMを上流
室3に導入し、マイクロ波(200〜400 W)でプ
ラズマを上流室3に発生させた。このプラズマを縮小拡
大ノズル2を通して下流室4へ引き出し、ビーム化して
基体1へ吹き付けつつ基体1を動かした。基体1は5〜
50m5ec間だけ同一地点がビーム流を受けるよう動
かした。これを4時間継続したところ、薄黄色の膜が基
体1表面に形成され。
X線回折を行ったところ、膜中にダイヤモンド構造が含
まれていることが確認された。
【図面の簡単な説明】
第1図は縮小拡大ノズルを用いた微粒子の供給方法の説
明図、第2図(a)〜(C)は縮小拡大ノズルの説明図
である。 1:基体、2:縮小拡大ノズル、2a:流入口、2b:
のど部、2C:流出口、3:上流室、4:下流室。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)微粒子をビーム流とし、基体を動かしながらこのビ
    ーム流を受けることを特徴とする微粒子の捕集方法。
JP15873086A 1986-07-08 1986-07-08 微粒子の捕集方法 Pending JPS6316043A (ja)

Priority Applications (1)

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JP15873086A JPS6316043A (ja) 1986-07-08 1986-07-08 微粒子の捕集方法

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JP15873086A JPS6316043A (ja) 1986-07-08 1986-07-08 微粒子の捕集方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6316043A true JPS6316043A (ja) 1988-01-23

Family

ID=15678077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15873086A Pending JPS6316043A (ja) 1986-07-08 1986-07-08 微粒子の捕集方法

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JP (1) JPS6316043A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997008361A1 (fr) * 1995-08-29 1997-03-06 Komatsu Ltd. Appareil pour traitement de surface utilisant un jet de gaz
WO1998005803A1 (fr) * 1996-08-05 1998-02-12 Komatsu Ltd. Appareil de traitement de surface, procede de traitement de surface utilisant cet appareil, et buse de traitement de surface s'utilisant avec cet appareil pour ce procede
WO2005085354A1 (en) * 2004-03-10 2005-09-15 Nippon Shokubai Co., Ltd. Polyether composition
JP2014527123A (ja) * 2011-08-01 2014-10-09 ザ ユニバーシティ オブ バーミンガム 粒子集合体の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO1997008361A1 (fr) * 1995-08-29 1997-03-06 Komatsu Ltd. Appareil pour traitement de surface utilisant un jet de gaz
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US10233545B2 (en) 2011-08-01 2019-03-19 The University Of Birmingham Method for producing particulate clusters

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