JPS6336601A - 高周波同軸スイッチ - Google Patents
高周波同軸スイッチInfo
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- JPS6336601A JPS6336601A JP62178147A JP17814787A JPS6336601A JP S6336601 A JPS6336601 A JP S6336601A JP 62178147 A JP62178147 A JP 62178147A JP 17814787 A JP17814787 A JP 17814787A JP S6336601 A JPS6336601 A JP S6336601A
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- Japan
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- switch
- frequency coaxial
- cavity
- high frequency
- microstrip
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Links
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/12—Auxiliary devices for switching or interrupting by mechanical chopper
- H01P1/125—Coaxial switches
Landscapes
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Rotary Switch, Piano Key Switch, And Lever Switch (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、同軸線とコネクタを用いた直流から高周波ま
でのスイッチに関し、特に同軸線からマイクロストリッ
プへの遷移をストリップラインに対して、またその逆の
遷移を補償した高周波同軸スイッチに関する。
でのスイッチに関し、特に同軸線からマイクロストリッ
プへの遷移をストリップラインに対して、またその逆の
遷移を補償した高周波同軸スイッチに関する。
〔従来の技術と発明が解決しようとする問題点〕ニュー
シャーシーのＲＬＣエレクトロニクス社にて作られたＳ
−２８１３型のような現在の高周波スイッチは、同軸中
央導体へ直接接触したストリップラインを使用している
。これらの装置は１８〜２６ＧＨ２まで有効であるが、
この技術により４０ＧＨｚ以上に適用範囲をひろげる試
みは、この周波数範囲では装置が小さすぎてうまくいっ
ていない。カリフォルニアのウィルトロン・オブ・マウ
ンテン・ビュー社により作られたに型コネクタのように
４０ＧＨｚ以上で使用できる設計の同軸コネクタがいく
つか存在する。このようなコネクタの中央導体は、約０
．０１２インチの直径であり、このためストリップライ
ン・スイッチに対して非常に小さい接触面積しかもてな
い結果になっている。
シャーシーのＲＬＣエレクトロニクス社にて作られたＳ
−２８１３型のような現在の高周波スイッチは、同軸中
央導体へ直接接触したストリップラインを使用している
。これらの装置は１８〜２６ＧＨ２まで有効であるが、
この技術により４０ＧＨｚ以上に適用範囲をひろげる試
みは、この周波数範囲では装置が小さすぎてうまくいっ
ていない。カリフォルニアのウィルトロン・オブ・マウ
ンテン・ビュー社により作られたに型コネクタのように
４０ＧＨｚ以上で使用できる設計の同軸コネクタがいく
つか存在する。このようなコネクタの中央導体は、約０
．０１２インチの直径であり、このためストリップライ
ン・スイッチに対して非常に小さい接触面積しかもてな
い結果になっている。
高周波スイッチのもう１つの型は、「集積バッド・スイ
ッチ」と称して本発明の発明者により１９８５年４月２
９日に出願された米国特許出願第７２８１３０号（特開
昭６１−２５９４１５号に対応）明細書に開示されてい
る。このスイッチには絶縁基板に埋め込まれた接触部が
をり、熱伝導係数が低いために大電力での減衰器として
の応用には不向きな研摩されたクォーツのようななめら
かなハイブリ、ド基板が必要となる。この絶縁基板は、
高周波においである程度の挿入損失（１ｎｓｅｒｔｉｏ
ｎ １ｏｓｓ）をまねく。
ッチ」と称して本発明の発明者により１９８５年４月２
９日に出願された米国特許出願第７２８１３０号（特開
昭６１−２５９４１５号に対応）明細書に開示されてい
る。このスイッチには絶縁基板に埋め込まれた接触部が
をり、熱伝導係数が低いために大電力での減衰器として
の応用には不向きな研摩されたクォーツのようななめら
かなハイブリ、ド基板が必要となる。この絶縁基板は、
高周波においである程度の挿入損失（１ｎｓｅｒｔｉｏ
ｎ １ｏｓｓ）をまねく。
これゆえ、本発明の目的は、信頼性があり、挿入損失が
低く、電力の取扱い能力が向上した高周波同軸スイッチ
を提供することにある。
低く、電力の取扱い能力が向上した高周波同軸スイッチ
を提供することにある。
ｃ問題点を解決するための手段及び作用）従って、本発
明は、同軸線からマイクロストリップへのｉ！１ｉＦｊ
をストリップラインに対して補（１イし、ストリップラ
インによって切り換える高周波同軸スイッチを提供する
。ひとつの高周波同軸コネクタには、モード発振を抑圧
するために、小さな空洞内に設けられたハイブリッド回
路基板上のマイクロストリップ導体に接続した中央導体
がある。
明は、同軸線からマイクロストリップへのｉ！１ｉＦｊ
をストリップラインに対して補（１イし、ストリップラ
インによって切り換える高周波同軸スイッチを提供する
。ひとつの高周波同軸コネクタには、モード発振を抑圧
するために、小さな空洞内に設けられたハイブリッド回
路基板上のマイクロストリップ導体に接続した中央導体
がある。
ひとつの可動接触ストリップラインは、スイッチ機能を
果たすため、マイクロストリップ導体と接触したり離れ
たりする。
果たすため、マイクロストリップ導体と接触したり離れ
たりする。
本発明の目的、利点及びその他の特徴は、図面を参照し
ての以下の詳細な説明により明らかとなろう。
ての以下の詳細な説明により明らかとなろう。
第１因は本発明に基づ（高周波同軸スイッチの、空洞の
覆いを取り去ったときの平面図、第２図は第１図におけ
る高周波同軸スイッチの線■−Ｈに沿う横断面図、第３
図はハイブリット回路基板上のマイクロストリップ導体
との接続の仲介をする高周波同軸コネクタの部分的な分
解断面図である。
覆いを取り去ったときの平面図、第２図は第１図におけ
る高周波同軸スイッチの線■−Ｈに沿う横断面図、第３
図はハイブリット回路基板上のマイクロストリップ導体
との接続の仲介をする高周波同軸コネクタの部分的な分
解断面図である。
これらの図において、ハウジング（１０）には中に空洞
（１２）がある。１個以上の高周波同軸コぶクク（１４
）が空７′１ｉｉＩ（１２）に対して電気的にアクセス
する。ウィルトロン社製に型コネクタと同等なコネクタ
（１４）には、絶縁ビー１”（２０）によって支持され
ている中央導体（１８）と共にスパークプラグ・アセン
ブリ （１６）がある。このスパークプラグ・アセンブ
リ （１６）は、ハウシング（１０）内のコネクタ空洞
（２２）の雌ねじとかみ合う雄ねじを有している。発射
ビード（２４）は、遷移中央導体（２６）を支持してお
り、コネクタ空洞（２２）をハウジング空洞（１２）と
結ぶためにハウジング（１０）内に設けられている。ス
パークプラグ・アセンブリ （１６）をコネクタ空洞（
２２）内にねじ込むと、遷移中央導体（２６）はコネク
タ中央導体（１８）と結合する。ハイブリッド回路基板
（２８）は空洞（１２）中に設けられており、その上に
マイクロストリップ導体（３０）がある。遷移中央導体
（２６）の一部は、空洞（１２）に延び、半田付は等の
なんらかの適当な方法によってマイクロストリップ導体
（３０）に電気的に接続している。これは、ハウジング
内のハイフリット電気回路に高周波同軸ケーブルが接続
する従来の方法である。
（１２）がある。１個以上の高周波同軸コぶクク（１４
）が空７′１ｉｉＩ（１２）に対して電気的にアクセス
する。ウィルトロン社製に型コネクタと同等なコネクタ
（１４）には、絶縁ビー１”（２０）によって支持され
ている中央導体（１８）と共にスパークプラグ・アセン
ブリ （１６）がある。このスパークプラグ・アセンブ
リ （１６）は、ハウシング（１０）内のコネクタ空洞
（２２）の雌ねじとかみ合う雄ねじを有している。発射
ビード（２４）は、遷移中央導体（２６）を支持してお
り、コネクタ空洞（２２）をハウジング空洞（１２）と
結ぶためにハウジング（１０）内に設けられている。ス
パークプラグ・アセンブリ （１６）をコネクタ空洞（
２２）内にねじ込むと、遷移中央導体（２６）はコネク
タ中央導体（１８）と結合する。ハイブリッド回路基板
（２８）は空洞（１２）中に設けられており、その上に
マイクロストリップ導体（３０）がある。遷移中央導体
（２６）の一部は、空洞（１２）に延び、半田付は等の
なんらかの適当な方法によってマイクロストリップ導体
（３０）に電気的に接続している。これは、ハウジング
内のハイフリット電気回路に高周波同軸ケーブルが接続
する従来の方法である。
適当な絶縁支柱（３４）に支持された補償ストリップラ
イン（３２）の一部は、マイクロストリップ導体（３０
）に電気的に接続している。空洞の一端から他端へと延
び、マイクロストリップ導体（３ｏ）を通して夫々の高
周波同軸コネクタ（１４）に接続している補償ストリッ
プライン（３２）と重複しているコンタクトストリップ
ライン（３６）が空洞（１２）内にある。このコンタク
トストリップライン（３６）は、棒（３８）のような適
当な手ｌ変によって、通常のブツシュ・プルソレノイＦ
であるアクチュエータ（４０）と連結している。このア
クチュエータ （４０）は、コンタクトストリップライ
ン（３６）が、？ｉＮ償ストストリップライン２）と触
れたり離れたりして空洞（１２）内で開回路又は閉回路
を構成できる。第１図と第２図は、減衰器パッドのよう
な電気回路（４２）が、空洞（１２）の端部におけるコ
ネクタ（１４）の間で高周波回路に切り替えられるよう
な実施例を示している。回路（４２）はハウジング空洞
（１２）と接続している補助空洞（４４）の中に収めら
れている。アルミナとか酸化へリリウムのような熱伝導
係数の比較的商い基板でつ（られたハイブリッド回路は
、大電力下の使用で減衰器パッドの性能を向上させるた
めに、研冴されたクォーツまたはこれと同等のものと対
立するものとして使用さｊ′ｖ、る。ハ・イバスコンタ
ク１−ストリップライン（４６）が回路（４２）の各端
部がら延びており、このバイパスコンタクトストリップ
ライン（４６）は、補助空洞（４４）内に収まるよう適
合すると共に各々の補償ストリップライン（３２）と回
路とを電気的に接続するよう適合する。
イン（３２）の一部は、マイクロストリップ導体（３０
）に電気的に接続している。空洞の一端から他端へと延
び、マイクロストリップ導体（３ｏ）を通して夫々の高
周波同軸コネクタ（１４）に接続している補償ストリッ
プライン（３２）と重複しているコンタクトストリップ
ライン（３６）が空洞（１２）内にある。このコンタク
トストリップライン（３６）は、棒（３８）のような適
当な手ｌ変によって、通常のブツシュ・プルソレノイＦ
であるアクチュエータ（４０）と連結している。このア
クチュエータ （４０）は、コンタクトストリップライ
ン（３６）が、？ｉＮ償ストストリップライン２）と触
れたり離れたりして空洞（１２）内で開回路又は閉回路
を構成できる。第１図と第２図は、減衰器パッドのよう
な電気回路（４２）が、空洞（１２）の端部におけるコ
ネクタ（１４）の間で高周波回路に切り替えられるよう
な実施例を示している。回路（４２）はハウジング空洞
（１２）と接続している補助空洞（４４）の中に収めら
れている。アルミナとか酸化へリリウムのような熱伝導
係数の比較的商い基板でつ（られたハイブリッド回路は
、大電力下の使用で減衰器パッドの性能を向上させるた
めに、研冴されたクォーツまたはこれと同等のものと対
立するものとして使用さｊ′ｖ、る。ハ・イバスコンタ
ク１−ストリップライン（４６）が回路（４２）の各端
部がら延びており、このバイパスコンタクトストリップ
ライン（４６）は、補助空洞（４４）内に収まるよう適
合すると共に各々の補償ストリップライン（３２）と回
路とを電気的に接続するよう適合する。
このバイパスコンタクトストリップライン（４６）は、
捧（４８）のような適当な方法でアクチュエータ（４０
）と連結し、コンタクトストリップライン（３６）と交
互に切り換えられ、スイッチ機能を果たす。絶縁ガイド
ピン（５０）は、コンタクトストリップライン（３Ｂ）
、 （４６）が適切に位置合せされ、ハウジングに
触れないようにする。
捧（４８）のような適当な方法でアクチュエータ（４０
）と連結し、コンタクトストリップライン（３６）と交
互に切り換えられ、スイッチ機能を果たす。絶縁ガイド
ピン（５０）は、コンタクトストリップライン（３Ｂ）
、 （４６）が適切に位置合せされ、ハウジングに
触れないようにする。
第４図は空洞（１２’）の１つの側面に並んだ３１固の
高周波同軸コネクタを用いた単極双投スイッチの実施例
を示した図である。各遷移中央導体（２６’）は、各ハ
イブリッド回路基板（２Ｂ’）のマイクロストリップ導
体（３０’）と接続している。２つのコンタクトストリ
ップライン（３６’）の各々は、マイクロストリップ導
体（３０’）のうちの２本と重複するように配置され、
両側のコネクタ（１４’）の一方又は両方が中央のコネ
クタ（１４’）に接続されるようにしている。
高周波同軸コネクタを用いた単極双投スイッチの実施例
を示した図である。各遷移中央導体（２６’）は、各ハ
イブリッド回路基板（２Ｂ’）のマイクロストリップ導
体（３０’）と接続している。２つのコンタクトストリ
ップライン（３６’）の各々は、マイクロストリップ導
体（３０’）のうちの２本と重複するように配置され、
両側のコネクタ（１４’）の一方又は両方が中央のコネ
クタ（１４’）に接続されるようにしている。
第５図は、コンタクトストリップライン（３６”）が隣
接するコネクタ（１４”）と接続するように適合した４
人力回転スイッチの実施例を示したものである。コンタ
クトストリップライン（３６”）は、回転アクチュエー
タに適当な手段で接続された中央絶縁体（５２”）によ
って相互に接続されている。ハイブリッド回路基板（２
８″）の中央部は、除去されている。
接するコネクタ（１４”）と接続するように適合した４
人力回転スイッチの実施例を示したものである。コンタ
クトストリップライン（３６”）は、回転アクチュエー
タに適当な手段で接続された中央絶縁体（５２”）によ
って相互に接続されている。ハイブリッド回路基板（２
８″）の中央部は、除去されている。
このように本発明は、同軸線からマイクロストリップへ
の遷移をストリップラインに対して補償することのでき
る高周波同軸スイッチを提供するものであり、接触面積
が広いために付随する挿入損失を減らし、電力取扱特性
を向上させたスイッチ機能を提供するものである。
の遷移をストリップラインに対して補償することのでき
る高周波同軸スイッチを提供するものであり、接触面積
が広いために付随する挿入損失を減らし、電力取扱特性
を向上させたスイッチ機能を提供するものである。
本発明により、同軸線からマイクロストリップ及びスト
リップラインへの遷移を補償することのできる高周波同
軸スイッチが提供され、挿入損失が減り、電力取扱特性
が向上する。
リップラインへの遷移を補償することのできる高周波同
軸スイッチが提供され、挿入損失が減り、電力取扱特性
が向上する。
第１図は、本発明に基づく高周波同軸スイッチの空洞の
覆いを取り去ったときの平面図、第２図は第１図におけ
る高周波同軸スイッチの線■−Ｈに沿う横断面図、第３
図はハイブリッド回路基板上のマイクロストリップ導体
との接続の仲介をする高周波同軸コネクタの部分的分解
断面図、第４図は本発明に基づく単極双投高周波同軸ス
イッチの平面図、第５図は本発明に基づく４人力回転高
周波同軸スイッチの平面図である。 これらの図において、（１０）はハウジング、（１２）
はハウンンク空洞、（１４）は同軸コネクタ、（２８）
はハイブリッド回路基板、（３ｏ）はマイクロストリッ
プ導体、（３６）は接触ストリップライン、（３８）
、 （４０） 、 （４８）は切換手段である。
覆いを取り去ったときの平面図、第２図は第１図におけ
る高周波同軸スイッチの線■−Ｈに沿う横断面図、第３
図はハイブリッド回路基板上のマイクロストリップ導体
との接続の仲介をする高周波同軸コネクタの部分的分解
断面図、第４図は本発明に基づく単極双投高周波同軸ス
イッチの平面図、第５図は本発明に基づく４人力回転高
周波同軸スイッチの平面図である。 これらの図において、（１０）はハウジング、（１２）
はハウンンク空洞、（１４）は同軸コネクタ、（２８）
はハイブリッド回路基板、（３ｏ）はマイクロストリッ
プ導体、（３６）は接触ストリップライン、（３８）
、 （４０） 、 （４８）は切換手段である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 空洞を有するハウジングと、 上記空洞内に設けられ、マイクロストリップ導体を有す
る回路基板と、 上記ハウジング外面に設けられ、上記マイクロストリッ
プ導体と接続している同軸コネクタと、上記空洞内に設
けられ、上記マイクロストリップ導体と接触可能な接触
ストリップラインと、該接触ストリップラインを上記マ
イクロストリップ導体と選択的に接触させる切換手段と
を具えた高周波同軸スイッチ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US890044 | 1986-07-28 | ||
| US06/890,044 US4695811A (en) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | High frequency coaxial switch |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6336601A true JPS6336601A (ja) | 1988-02-17 |
Family
ID=25396160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62178147A Pending JPS6336601A (ja) | 1986-07-28 | 1987-07-16 | 高周波同軸スイッチ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4695811A (ja) |
| JP (1) | JPS6336601A (ja) |
| DE (1) | DE3724445A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1101288C (zh) * | 1999-01-21 | 2003-02-12 | 中国科学技术大学 | 一种纳米金属粉的制备方法 |
| CN1101289C (zh) * | 1999-07-08 | 2003-02-12 | 中国科学技术大学 | 一种纳米金属粉的化学制备方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2628893B1 (fr) * | 1988-03-18 | 1990-03-23 | Thomson Csf | Interrupteur hyperfrequence |
| CA2147410A1 (en) * | 1995-04-20 | 1996-10-21 | Robert L. Romerein | Circuitry for use with coaxial cable distribution networks |
| US5712603A (en) * | 1996-08-09 | 1998-01-27 | Kmw Usa, Inc. | Multipole multiposition microwave switch with a common redundancy |
| US6133812A (en) * | 1998-05-21 | 2000-10-17 | Relcomm Technologies, Inc. | Switching relay with magnetically resettable actuator mechanism |
| US7198491B2 (en) * | 2005-01-18 | 2007-04-03 | Lockheed Martin Corporation | Multi-pin RF field replaceable coaxial mounting flange structure |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5986305A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-18 | Anritsu Corp | 伝送線路切換装置 |
| JPS59501650A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-09-13 | ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | マイクロウェ−ブ可変減衰器 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2854543A (en) * | 1956-01-26 | 1958-09-30 | Sanders Associates Inc | Transmission-line switch |
| US3114887A (en) * | 1959-05-04 | 1963-12-17 | Microdot Inc | High frequency coaxial switch employing strip-line techniques |
| US3319194A (en) * | 1965-10-08 | 1967-05-09 | Hewlett Packard Co | Variable attenuator employing internal switching |
| US4070637A (en) * | 1976-03-25 | 1978-01-24 | Communications Satellite Corporation | Redundant microwave configuration |
| US4317972A (en) * | 1980-06-09 | 1982-03-02 | Transco Products, Inc. | RF Transfer switch |
| US4496806A (en) * | 1981-01-30 | 1985-01-29 | Omron Tateisi Electronics Co. | Electric contact switching device |
| GB2143678B (en) * | 1983-05-24 | 1987-02-18 | Adret Electronique | A microwave transmission line element comprising one or more incorporated swithching members for inserting one or more quadripoles |
| US4831222A (en) * | 1985-04-29 | 1989-05-16 | Tektronix, Inc. | Integrated pad switch |
-
1986
- 1986-07-28 US US06/890,044 patent/US4695811A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-07-16 JP JP62178147A patent/JPS6336601A/ja active Pending
- 1987-07-23 DE DE19873724445 patent/DE3724445A1/de active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59501650A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-09-13 | ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | マイクロウェ−ブ可変減衰器 |
| JPS5986305A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-18 | Anritsu Corp | 伝送線路切換装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1101288C (zh) * | 1999-01-21 | 2003-02-12 | 中国科学技术大学 | 一种纳米金属粉的制备方法 |
| CN1101289C (zh) * | 1999-07-08 | 2003-02-12 | 中国科学技术大学 | 一种纳米金属粉的化学制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4695811A (en) | 1987-09-22 |
| DE3724445A1 (de) | 1988-02-11 |
| DE3724445C2 (ja) | 1991-08-22 |
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