JP2003346629A - 液体金属マイクロスイッチを利用した高周波リレー - Google Patents
液体金属マイクロスイッチを利用した高周波リレーInfo
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- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Attenuators (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Thermally Actuated Switches (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高周波伝送特性のよい高周波リレーを提供す
る。 【解決手段】 上記課題は、移動極が高周波入出力端子
に接続されている複数の単極双投型の液体金属マイクロ
スイッチが、一致して動作するように連結されており、
両スイッチ間にそれぞれ高周波回路を挿入された高周波
リレーにより解決される。
る。 【解決手段】 上記課題は、移動極が高周波入出力端子
に接続されている複数の単極双投型の液体金属マイクロ
スイッチが、一致して動作するように連結されており、
両スイッチ間にそれぞれ高周波回路を挿入された高周波
リレーにより解決される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液体金属マイクロ
スイッチを利用した高周波減衰器に関する。
スイッチを利用した高周波減衰器に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明は、２００１年１１月２７日に発
行された「ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＯＮＴＡＣＴ Ｂ
ＲＥＡＫＥＲ ＳＷＩＴＣＨ，ＩＮＴＥＧＲＡＴＥＤ
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＯＮＴＡＣＴ ＢＲＥＡＫＥ
Ｒ ＳＷＩＴＣＨ，ＡＮＤ ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ Ｃ
ＯＮＴＡＣＴ ＳＷＩＴＣＨＩＮＧ ＭＥＴＨＯＤ」と
題する米国特許第６３２３４４７号明細書（特許文献
１）に開示されたものに関する。本発明は、特許文献１
の改良発明または応用技術である。このため、従来技術
説明の簡潔化のために、特許文献１を本出願の明細書に
引用する。
行された「ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＯＮＴＡＣＴ Ｂ
ＲＥＡＫＥＲ ＳＷＩＴＣＨ，ＩＮＴＥＧＲＡＴＥＤ
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＯＮＴＡＣＴ ＢＲＥＡＫＥ
Ｒ ＳＷＩＴＣＨ，ＡＮＤ ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ Ｃ
ＯＮＴＡＣＴ ＳＷＩＴＣＨＩＮＧ ＭＥＴＨＯＤ」と
題する米国特許第６３２３４４７号明細書（特許文献
１）に開示されたものに関する。本発明は、特許文献１
の改良発明または応用技術である。このため、従来技術
説明の簡潔化のために、特許文献１を本出願の明細書に
引用する。
【０００３】ＲＦステップ減衰器は、スペクトル分析
器、ネットワークアナライザ、Ｓパラメータテストセッ
ト、信号発生器、掃引発振器及び高周波オシロスコープ
のような多くの一般的用途の電子計器の重要な部品であ
る。無線通信装置をテストするために利用されるものの
ような特殊目的のテストセットでも、ＲＦステップ減衰
器は重要な部品である。数十年前、ＲＦステップ減衰器
は、手動で操作される装置であり、一般に人間がつまみ
を回して操作していた。コンピュータ制御による自動テ
ストシステムの出現や、近年では、内部にプロセッサを
有して多様なテスト能力や装置間通信能力を有する自動
テスト装置の出現とともに、電気制御減衰器の需要が増
大し続けている。このような従来の要求性能に加え、精
度及び高周波数駆動という性能の向上も望まれている。
さらにマイクロ波領域において独立の装置として利用可
能なプログラミング可能な（ソレノイド動作される）ス
テップ減衰器は、多くの回路が集積化される現在の設計
に対しては、サイズが大きすぎ、かつコストもかかりす
ぎる。
器、ネットワークアナライザ、Ｓパラメータテストセッ
ト、信号発生器、掃引発振器及び高周波オシロスコープ
のような多くの一般的用途の電子計器の重要な部品であ
る。無線通信装置をテストするために利用されるものの
ような特殊目的のテストセットでも、ＲＦステップ減衰
器は重要な部品である。数十年前、ＲＦステップ減衰器
は、手動で操作される装置であり、一般に人間がつまみ
を回して操作していた。コンピュータ制御による自動テ
ストシステムの出現や、近年では、内部にプロセッサを
有して多様なテスト能力や装置間通信能力を有する自動
テスト装置の出現とともに、電気制御減衰器の需要が増
大し続けている。このような従来の要求性能に加え、精
度及び高周波数駆動という性能の向上も望まれている。
さらにマイクロ波領域において独立の装置として利用可
能なプログラミング可能な（ソレノイド動作される）ス
テップ減衰器は、多くの回路が集積化される現在の設計
に対しては、サイズが大きすぎ、かつコストもかかりす
ぎる。
【０００４】この状況に対する従来の技術の１つの応答
は、テラダイン（ｗｗｗ．ｔｅｌｅｄｙｎｅｒｅｌａｙ
ｓ．ｃｏｍ−−１２５２５ Ｄａｐｈｎｅ Ａｖｅｎｕ
ｅ，Ｈａｗｔｈｏｒｎｅ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ，９０
２５０）による超小型減衰器リレーのＡ１５０ラインに
よって示されている。これらは小さく、ほぼ９．５ｍｍ
×１１．１ｍｍ（３／８インチ×７／１６インチ）の長
さ及び幅と８．５ｍｍ（１／３インチ）より小さい高さ
を有する。これらは、３ＧＨｚに利用でき、π、Ｔ又は
Ｌ型の減衰器において利用可能な内部整合した薄膜減衰
器（パッド）を有し、かつ１ｄＢから２０ｄＢまでの種
々の減衰において利用することができる。この種のリレ
ーは、パッドを所定の長さの導体に置き換えることによ
って、減衰量を調節する。このような機械的な構成は、
１９９４年５月２４日に発行されかつＡＴＴＥＮＵＡＴ
ＯＲ ＲＥＬＡＹと題する特許文献２に述べられてい
る。導体に置き換えられたパッド部分は、インピーダン
ス制御された伝送線の部分ではない。
は、テラダイン（ｗｗｗ．ｔｅｌｅｄｙｎｅｒｅｌａｙ
ｓ．ｃｏｍ−−１２５２５ Ｄａｐｈｎｅ Ａｖｅｎｕ
ｅ，Ｈａｗｔｈｏｒｎｅ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ，９０
２５０）による超小型減衰器リレーのＡ１５０ラインに
よって示されている。これらは小さく、ほぼ９．５ｍｍ
×１１．１ｍｍ（３／８インチ×７／１６インチ）の長
さ及び幅と８．５ｍｍ（１／３インチ）より小さい高さ
を有する。これらは、３ＧＨｚに利用でき、π、Ｔ又は
Ｌ型の減衰器において利用可能な内部整合した薄膜減衰
器（パッド）を有し、かつ１ｄＢから２０ｄＢまでの種
々の減衰において利用することができる。この種のリレ
ーは、パッドを所定の長さの導体に置き換えることによ
って、減衰量を調節する。このような機械的な構成は、
１９９４年５月２４日に発行されかつＡＴＴＥＮＵＡＴ
ＯＲ ＲＥＬＡＹと題する特許文献２に述べられてい
る。導体に置き換えられたパッド部分は、インピーダン
ス制御された伝送線の部分ではない。
【０００５】図１は、Ａ１５０減衰器リレーのような従
来の技術のステップ減衰器リレー１の一般化した表示で
ある。ＲＦ入力端子２は、ＳＰＤＴスイッチ４の移動極
に結合されており、かつＲＦ出力端子３は、ＳＰＤＴス
イッチ５の移動極に接続されている。スイッチ４及び５
は、リレーのソレノイド（図示せず）によって一緒に操
作され、減衰器部分６又は導体７のいずれかが、ＲＦ入
力端子２とＲＦ出力端子３との間に接続される効果を生
じる。この装置が不良になることはそれほど多くなく、
これは、幾何学的構造が回路の動作に重大な影響を与え
始めるある種の上側周波数まで動作する。それより高い
周波数において、漂遊結合容量１０及び１１（これらは
ほぼ１００フェムトファラッドである）は、導体７が減
衰器６に分路を形成し始めることを可能にし、かつＲＦ
電流は、減衰器自身にわたって生じる電圧降下によって
駆動されて、減衰器６を回って流れる。導体７内にわず
かな漂遊リアクタンスがあり、これらは、きわめて一般
的な方法で、直列インダクタンス８及び分路容量９によ
って表示した。さらに高い周波数において、漂遊結合容
量１０及び１１は、漂遊リアクタンス８及び９と結合し
て、共振回路を形成し、この共振回路は、リレー１によ
って挿入される減衰を妨害する。Ａ１５０の場合、この
ことは、ほぼ４ＧＨｚにおいて起こる。
来の技術のステップ減衰器リレー１の一般化した表示で
ある。ＲＦ入力端子２は、ＳＰＤＴスイッチ４の移動極
に結合されており、かつＲＦ出力端子３は、ＳＰＤＴス
イッチ５の移動極に接続されている。スイッチ４及び５
は、リレーのソレノイド（図示せず）によって一緒に操
作され、減衰器部分６又は導体７のいずれかが、ＲＦ入
力端子２とＲＦ出力端子３との間に接続される効果を生
じる。この装置が不良になることはそれほど多くなく、
これは、幾何学的構造が回路の動作に重大な影響を与え
始めるある種の上側周波数まで動作する。それより高い
周波数において、漂遊結合容量１０及び１１（これらは
ほぼ１００フェムトファラッドである）は、導体７が減
衰器６に分路を形成し始めることを可能にし、かつＲＦ
電流は、減衰器自身にわたって生じる電圧降下によって
駆動されて、減衰器６を回って流れる。導体７内にわず
かな漂遊リアクタンスがあり、これらは、きわめて一般
的な方法で、直列インダクタンス８及び分路容量９によ
って表示した。さらに高い周波数において、漂遊結合容
量１０及び１１は、漂遊リアクタンス８及び９と結合し
て、共振回路を形成し、この共振回路は、リレー１によ
って挿入される減衰を妨害する。Ａ１５０の場合、この
ことは、ほぼ４ＧＨｚにおいて起こる。
【０００６】近年、液体移動金属対金属接点を有するき
わめて小さいスイッチの分野において技術開発が進んで
いる。これらは、電気パルスによって動作する。すなわ
ちこれらは、実際に小さなラッチリレーであり、これら
のリレーは、個別的にＳＰＳＴ又はＳＰＤＴであるが、
これらのリレーは、ＤＰＤＴのようなその他のスイッチ
を形成するように組合せることができる。（今後、慣例
になっているように、このようなスイッチを液体金属マ
イクロスイッチ又はＬＩＭＭＳと称するものとする。）
図２から図５により、これらの技術思想を簡単に概略を
説明する。そして、このようなリレーの集合体を利用し
て高性能高周波ステップ減衰器をハイブリッド基板上に
製造するための技術について述べる。
わめて小さいスイッチの分野において技術開発が進んで
いる。これらは、電気パルスによって動作する。すなわ
ちこれらは、実際に小さなラッチリレーであり、これら
のリレーは、個別的にＳＰＳＴ又はＳＰＤＴであるが、
これらのリレーは、ＤＰＤＴのようなその他のスイッチ
を形成するように組合せることができる。（今後、慣例
になっているように、このようなスイッチを液体金属マ
イクロスイッチ又はＬＩＭＭＳと称するものとする。）
図２から図５により、これらの技術思想を簡単に概略を
説明する。そして、このようなリレーの集合体を利用し
て高性能高周波ステップ減衰器をハイブリッド基板上に
製造するための技術について述べる。
【０００７】ガラスのような適当な材料からなるカバー
ブロック１２内に配置すべき所定の素子の平面断面図で
ある図２Ａを参照されたい。カバーブロック１２は、そ
の中に端部の閉じた通路１８を有し、この通路内に、水
銀のような導体液体金属からなる２つの小さな可動の膨
張された液滴（２３、２４）がある。通路１８は比較的
小さく、水銀の液滴にとって毛管であるため、水銀の挙
動に表面張力が大きな影響を及ぼす。１つの液滴は長
く、かつ通路内に延びた隣接する２つの電気接点を短絡
するが、一方他方の液滴は短く、１つの電気接点だけに
接触している。２つの空胴１６及び１７が存在し、これ
らの空胴内に、それぞれのヒータ１４及び１５があり、
これらのヒータのそれぞれは、ＣＯ２のような不活性ガ
ス（２１、２２）によって囲まれている。空胴１６は、
小さな通過部１９によって通路１８に結合されており、
この通過部は、通路の端部から通路のほぼ１／３又は１
／４の長さの位置において通路１８内に接続されてい
る。通過部２０は同様に、空胴１７を通路の反対側の端
部に接続している。この考えは、一方のヒータによる温
度上昇によりそのヒータを囲むガスが膨張し、このガス
が、長い水銀液滴の部分を分割しかつ動かし、分離した
部分を強制的に短い液滴に結合することにある。このこ
とは、相補的な物理的構成（又は鏡像）を形成し、通路
の他方の端部に大きな液滴ができる。他方においてこの
ことは、３つの電気接点のうちいずれか２つが互いに短
絡されるかを係留する。変化の後に、ヒータを冷却する
ことができるが、別のヒータが加熱され、かつ新しい長
い液滴の一部を他方の方向に戻すように駆動するまで、
表面張力によって、水銀液滴は状態遷移後の新しい場所
に留まる。それぞれの構成要素は非常に小さいため、こ
のような状態変化はミリ秒のオーダで迅速に起こる。
ブロック１２内に配置すべき所定の素子の平面断面図で
ある図２Ａを参照されたい。カバーブロック１２は、そ
の中に端部の閉じた通路１８を有し、この通路内に、水
銀のような導体液体金属からなる２つの小さな可動の膨
張された液滴（２３、２４）がある。通路１８は比較的
小さく、水銀の液滴にとって毛管であるため、水銀の挙
動に表面張力が大きな影響を及ぼす。１つの液滴は長
く、かつ通路内に延びた隣接する２つの電気接点を短絡
するが、一方他方の液滴は短く、１つの電気接点だけに
接触している。２つの空胴１６及び１７が存在し、これ
らの空胴内に、それぞれのヒータ１４及び１５があり、
これらのヒータのそれぞれは、ＣＯ２のような不活性ガ
ス（２１、２２）によって囲まれている。空胴１６は、
小さな通過部１９によって通路１８に結合されており、
この通過部は、通路の端部から通路のほぼ１／３又は１
／４の長さの位置において通路１８内に接続されてい
る。通過部２０は同様に、空胴１７を通路の反対側の端
部に接続している。この考えは、一方のヒータによる温
度上昇によりそのヒータを囲むガスが膨張し、このガス
が、長い水銀液滴の部分を分割しかつ動かし、分離した
部分を強制的に短い液滴に結合することにある。このこ
とは、相補的な物理的構成（又は鏡像）を形成し、通路
の他方の端部に大きな液滴ができる。他方においてこの
ことは、３つの電気接点のうちいずれか２つが互いに短
絡されるかを係留する。変化の後に、ヒータを冷却する
ことができるが、別のヒータが加熱され、かつ新しい長
い液滴の一部を他方の方向に戻すように駆動するまで、
表面張力によって、水銀液滴は状態遷移後の新しい場所
に留まる。それぞれの構成要素は非常に小さいため、こ
のような状態変化はミリ秒のオーダで迅速に起こる。
【０００８】次に、ヒータ１４及び１５の中央を通して
示す図２Ａの側面断面図である図２Ｂを参照されたい。
この図において、この底部基板１３は、薄膜、厚膜又は
シリコン型部品を有するハイブリッド回路を製造する際
に一般に利用される適当なセラミック材料で構成され
る。シール粘着剤の層２５は、空胴１６及び１７、通過
部１９及び２０、及び通路１８が気密かつ耐水銀性の状
態で、カバーブロック１２を基板１３に結合する。層２
５は、ＣＹＴＯＰ（アサヒガラス社の登録商標、かつウ
イルミントン、デラウエア州のベレックス インターナ
ショナル社から入手することができる）と称する材料か
らなることができる。ビア２６、２７、２８、２９は、
気密であることの他に、ヒータ１４及び１５の端部に電
気的接続を提供するために、基板１３を通過している。
ビア２６及び２７の間に電圧を供給することによって、
ヒータ１４は、きわめて迅速にきわめて熱くなる。それ
によりガス２１の領域は、通過部１９を通って膨張し、
かつ図３に示すように、長い水銀液滴２３を強制的に分
離し始める。ヒータ１４を加熱し始める前には、長い水
銀液滴２３は、図２Ｃに示した様に、接点ビア３０及び
３１を物理的に橋絡し、かつ電気的に接続する。接点ビ
ア３２は、この時に小さな水銀液滴２４に物理的及び電
気的に接触しているが、液滴２３と２４との間のギャッ
プのために、ビア３１に電気的に接続されていない。
示す図２Ａの側面断面図である図２Ｂを参照されたい。
この図において、この底部基板１３は、薄膜、厚膜又は
シリコン型部品を有するハイブリッド回路を製造する際
に一般に利用される適当なセラミック材料で構成され
る。シール粘着剤の層２５は、空胴１６及び１７、通過
部１９及び２０、及び通路１８が気密かつ耐水銀性の状
態で、カバーブロック１２を基板１３に結合する。層２
５は、ＣＹＴＯＰ（アサヒガラス社の登録商標、かつウ
イルミントン、デラウエア州のベレックス インターナ
ショナル社から入手することができる）と称する材料か
らなることができる。ビア２６、２７、２８、２９は、
気密であることの他に、ヒータ１４及び１５の端部に電
気的接続を提供するために、基板１３を通過している。
ビア２６及び２７の間に電圧を供給することによって、
ヒータ１４は、きわめて迅速にきわめて熱くなる。それ
によりガス２１の領域は、通過部１９を通って膨張し、
かつ図３に示すように、長い水銀液滴２３を強制的に分
離し始める。ヒータ１４を加熱し始める前には、長い水
銀液滴２３は、図２Ｃに示した様に、接点ビア３０及び
３１を物理的に橋絡し、かつ電気的に接続する。接点ビ
ア３２は、この時に小さな水銀液滴２４に物理的及び電
気的に接触しているが、液滴２３と２４との間のギャッ
プのために、ビア３１に電気的に接続されていない。
【０００９】図４Ａでは、加熱されたガス２１によって
長い水銀液滴２３が２つの部分へ分離し、分離された水
銀の右側の部分（かつ主要部分）が、小さい方の液滴２
４であったものを結合している状態を示す。この場合、
液滴２４が大きい方の液滴であり、かつ液滴２３が小さ
い方となる。図４Ｂのように、接点ビア３１及び３２
が、互いに水銀によって物理的に橋絡され、電気的に接
続される。一方接点ビア３０は、電気的に絶縁される。
長い水銀液滴２３が２つの部分へ分離し、分離された水
銀の右側の部分（かつ主要部分）が、小さい方の液滴２
４であったものを結合している状態を示す。この場合、
液滴２４が大きい方の液滴であり、かつ液滴２３が小さ
い方となる。図４Ｂのように、接点ビア３１及び３２
が、互いに水銀によって物理的に橋絡され、電気的に接
続される。一方接点ビア３０は、電気的に絶縁される。
【００１０】図５は、ＬＩＭＭＳの構成図である。動作
はちょうど図２、及び図3、図４で説明したとうりであ
るが、一部のわずかに異なった構成となっている。この
構成においてヒータ（１４，１５）及びそれらの空胴
（１６、１７）が、それぞれ通路１８の反対側にあるこ
とに、とくに注意されたい。図５において接点電極９
１、９２及び９３は、ビア（それぞれ３０、３１及び３
２）に電気的に接続された薄い金属板または金属薄膜で
あり、かつ液体金属の液滴との導通を確実にするために
使われる。液体金属の液滴は、この図に示していない。
はちょうど図２、及び図3、図４で説明したとうりであ
るが、一部のわずかに異なった構成となっている。この
構成においてヒータ（１４，１５）及びそれらの空胴
（１６、１７）が、それぞれ通路１８の反対側にあるこ
とに、とくに注意されたい。図５において接点電極９
１、９２及び９３は、ビア（それぞれ３０、３１及び３
２）に電気的に接続された薄い金属板または金属薄膜で
あり、かつ液体金属の液滴との導通を確実にするために
使われる。液体金属の液滴は、この図に示していない。
【００１１】
【特許文献１】米国特許第６，３２３，４４７号明細書
【特許文献２】米国特許第５，３１５，７２３号明細書
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】前記のＬＩＭＭＳ技術
は、多数の興味ある特性を有し、そのうちいくつかを簡
単に説明する。これらは、表面張力が水銀液滴をその場
に保持するので、良好なラッチリレーとなる。これら
は、あらゆる姿勢において動作し、かつ実用的な耐衝撃
性を有する。また、低消費電力であり、サイズも小さい
（幅は２．５ｍｍ（１／１０インチ）より小さく、かつ
ＬＩＭＭＳの多くは、高さ０．５１ｍｍ（２０／１００
０インチ）から０．７６ｍｍ（３０／１０００インチ）
である）。これらは、かなりの絶縁を有し、バウンスが
小さいため、高速動作する。加熱されかつ膨張するガス
の代わりに、圧電素子により容積変化をおこす変形が存
在する。通路又は通過部における膨らみ又は収縮のよう
に、使用態様にあわせた改良技術も存在する。これらの
改良技術については、例えば組込まれた特許文献１を参
照されたい。
は、多数の興味ある特性を有し、そのうちいくつかを簡
単に説明する。これらは、表面張力が水銀液滴をその場
に保持するので、良好なラッチリレーとなる。これら
は、あらゆる姿勢において動作し、かつ実用的な耐衝撃
性を有する。また、低消費電力であり、サイズも小さい
（幅は２．５ｍｍ（１／１０インチ）より小さく、かつ
ＬＩＭＭＳの多くは、高さ０．５１ｍｍ（２０／１００
０インチ）から０．７６ｍｍ（３０／１０００インチ）
である）。これらは、かなりの絶縁を有し、バウンスが
小さいため、高速動作する。加熱されかつ膨張するガス
の代わりに、圧電素子により容積変化をおこす変形が存
在する。通路又は通過部における膨らみ又は収縮のよう
に、使用態様にあわせた改良技術も存在する。これらの
改良技術については、例えば組込まれた特許文献１を参
照されたい。
【００１３】このような小さなサイズほかのＬＩＭＭＳ
リレーの特性を、８〜１０ギガヘルツまで利用すること
ができる計器の減衰器リレーとして利用することが望ま
れている。
リレーの特性を、８〜１０ギガヘルツまで利用すること
ができる計器の減衰器リレーとして利用することが望ま
れている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】減衰器部分に置き換える
スイッチされた導体内の漂遊結合容量及び漂遊リアクタ
ンスによって引起こされる減衰器リレー内の共振の問題
に対する解決策は、漂遊結合容量ができるだけ小さな値
に減少することを確実にすること、及び導体が減衰器リ
レーを配置したシステムに整合する制御されたインピー
ダンスの伝送線の部分であることを確実にすることにあ
る。そのすべてが基板上に製造されたスイッチされる伝
送線セグメント及びその関連する減衰器のいずれかの側
にＳＰＤＴ ＬＩＭＭＳスイッチを有する基板は、減衰
器セグメントが利用されているとき、スイッチの開いた
部分にわたる著しく小さな漂遊結合容量を有する。この
ことは、減衰器にわたるＲＦ電圧降下によって駆動され
る共振周波数を上昇させる。共振の振幅の減少は、基板
上において伝送線セグメントのそれぞれの端部に、追加
的な対のＳＰＳＴ又はＳＰＤＴ ＬＩＭＭＳ減衰スイッ
チを含むことによって得ることができる。これらの減衰
スイッチは各々、減衰器部分が利用されているとき、伝
送線セグメントの端部に終端抵抗を接続する。このこと
は、共振器に負荷をかけ、共振の振幅を減少する。１つ
の減衰スイッチ及びその終端抵抗を伝送線の中心の近く
に（しかし望ましくは正確にそこにではなく）配置する
ことによって、さらにそれ以上の改善を得ることができ
る。
スイッチされた導体内の漂遊結合容量及び漂遊リアクタ
ンスによって引起こされる減衰器リレー内の共振の問題
に対する解決策は、漂遊結合容量ができるだけ小さな値
に減少することを確実にすること、及び導体が減衰器リ
レーを配置したシステムに整合する制御されたインピー
ダンスの伝送線の部分であることを確実にすることにあ
る。そのすべてが基板上に製造されたスイッチされる伝
送線セグメント及びその関連する減衰器のいずれかの側
にＳＰＤＴ ＬＩＭＭＳスイッチを有する基板は、減衰
器セグメントが利用されているとき、スイッチの開いた
部分にわたる著しく小さな漂遊結合容量を有する。この
ことは、減衰器にわたるＲＦ電圧降下によって駆動され
る共振周波数を上昇させる。共振の振幅の減少は、基板
上において伝送線セグメントのそれぞれの端部に、追加
的な対のＳＰＳＴ又はＳＰＤＴ ＬＩＭＭＳ減衰スイッ
チを含むことによって得ることができる。これらの減衰
スイッチは各々、減衰器部分が利用されているとき、伝
送線セグメントの端部に終端抵抗を接続する。このこと
は、共振器に負荷をかけ、共振の振幅を減少する。１つ
の減衰スイッチ及びその終端抵抗を伝送線の中心の近く
に（しかし望ましくは正確にそこにではなく）配置する
ことによって、さらにそれ以上の改善を得ることができ
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】図６は、減衰器部分３８、又は本
当の制御されたインピーダンスの伝送線３９の部分又は
セグメントの、いずれかを通してＲＦ出力端子３５に結
合されたＲＦ入力端子３４を有するステップ減衰器リレ
ー３３の簡単化された概略図である。伝送線セグメント
３９の特性インピーダンスＺｏは、ＲＦ入力端子３４に
接続されたＲＦ信号のインピーダンスや、ＲＦ出力端子
３５側のインピーダンスと同じであり、かつ７５Ω及び
１００Ωのようなその他の値ももちろん可能であるが、
典型的には５０Ωである。ＲＦ入力端子からＲＦ出力端
子への経路（３８又は３９のいずれかを介する）は、リ
レー３６及び３７によって選択され、これらのリレー
は、望ましくは基板（図示せず−−図６の全体が基板上
にある）上に製造されたＳＰＤＴ ＬＩＭＭＳであり、
この基板は、減衰器３８及び伝送線セグメント３９も支
持している。本実施形態では、減衰器３８は、“π”接
続となっているが、 “π”部分の代わりに、“Ｌ”及
び“Ｔ”のようなその他の減衰器も利用可能であること
は、容易に理解されるであろう。ＬＩＭＭＳスイッチ又
はリレー３６及び３７が、機械的な結合によって物理的
に互いに連結されていないが、それにもかかわらず一致
して一緒に動作し、かつ減衰器３８に接続するように両
方とも投入され、又は伝送線セグメント３９に接続する
ように両方とも投入される。同様にステップ減衰器リレ
ー３３の全体的な動作は明確である。これは、伝送線セ
グメント３９によって切離された減衰器部分３８をバイ
パスし、又は伝送線の代わりに減衰器部分３８を挿入す
る。
当の制御されたインピーダンスの伝送線３９の部分又は
セグメントの、いずれかを通してＲＦ出力端子３５に結
合されたＲＦ入力端子３４を有するステップ減衰器リレ
ー３３の簡単化された概略図である。伝送線セグメント
３９の特性インピーダンスＺｏは、ＲＦ入力端子３４に
接続されたＲＦ信号のインピーダンスや、ＲＦ出力端子
３５側のインピーダンスと同じであり、かつ７５Ω及び
１００Ωのようなその他の値ももちろん可能であるが、
典型的には５０Ωである。ＲＦ入力端子からＲＦ出力端
子への経路（３８又は３９のいずれかを介する）は、リ
レー３６及び３７によって選択され、これらのリレー
は、望ましくは基板（図示せず−−図６の全体が基板上
にある）上に製造されたＳＰＤＴ ＬＩＭＭＳであり、
この基板は、減衰器３８及び伝送線セグメント３９も支
持している。本実施形態では、減衰器３８は、“π”接
続となっているが、 “π”部分の代わりに、“Ｌ”及
び“Ｔ”のようなその他の減衰器も利用可能であること
は、容易に理解されるであろう。ＬＩＭＭＳスイッチ又
はリレー３６及び３７が、機械的な結合によって物理的
に互いに連結されていないが、それにもかかわらず一致
して一緒に動作し、かつ減衰器３８に接続するように両
方とも投入され、又は伝送線セグメント３９に接続する
ように両方とも投入される。同様にステップ減衰器リレ
ー３３の全体的な動作は明確である。これは、伝送線セ
グメント３９によって切離された減衰器部分３８をバイ
パスし、又は伝送線の代わりに減衰器部分３８を挿入す
る。
【００１６】この時、図６の技術（基板上に形成された
ＲＦ回路の間においてスイッチするために基板上のＬＩ
ＭＭＳリレーを利用する）は、多くの用途に対して良好
な特性を実現できる。しかしながらテラダインによる従
来の技術のＡ１５０減衰器リレーで述べたような故障が
まったくないわけではない。減衰の間に（スイッチ３６
及び３７が図６のような状態にあるとき）、減衰器部分
３８に現われる電圧が、伝送線セグメント３９内にエネ
ルギーを結合する漂遊容量４０及び４１がいぜんとして
存在するためである。２つの漂遊容量４０及び４１の間
の経路に対するなんらかのインピーダンスは、減衰器に
対して並列に接続されている。これが十分大きいなら
ば、問題ではない。しかし直列共振に対しては、小さい
ことがあり、かつ周波数によっては減衰器に分路を形成
する。このことは、減衰器の動作を妨害することがあ
り、影響する周波数範囲内にこのことが起こる場合、不
具合が生じることがある。もっとも、これらの漂遊容量
はＡ１５０において存在するものよりきわめて大幅に減
少される（ほぼ１００ｆＦからほぼ３０ｆＦにまで下が
る）。その減少は、ＬＩＭＭＳの利用によって実現され
る。さらに利用する周波数範囲にわたって、均一なＺｏ
の伝送線（３９及び裸の導体に沿った漂遊リアクタンス
の集合体に反する場合）により、伝送線の共振を予測す
ることができる。共振が起こったとき、漂遊容量４０及
び４１が大きい場合、かつ裸の導体に沿って漂遊リアク
タンスが存在する場合には、より高い周波数に共振があ
ることも予測できる。したがって図６の回路は良好なも
のである。しかしこれは、おおいに漂遊容量の減少に頼
っており、これらの容量は、現在ではＬＩＭＭＳの利用
によって減少したにもかかわらず、まったく無視するた
めにはいぜんとして大きすぎる量で存在する。他方にお
いてＬＩＭＭＳの技術開発は、それらの開放接点に対す
るきわめて小さな漂遊容量を有するユニットを提供する
ことにある。
ＲＦ回路の間においてスイッチするために基板上のＬＩ
ＭＭＳリレーを利用する）は、多くの用途に対して良好
な特性を実現できる。しかしながらテラダインによる従
来の技術のＡ１５０減衰器リレーで述べたような故障が
まったくないわけではない。減衰の間に（スイッチ３６
及び３７が図６のような状態にあるとき）、減衰器部分
３８に現われる電圧が、伝送線セグメント３９内にエネ
ルギーを結合する漂遊容量４０及び４１がいぜんとして
存在するためである。２つの漂遊容量４０及び４１の間
の経路に対するなんらかのインピーダンスは、減衰器に
対して並列に接続されている。これが十分大きいなら
ば、問題ではない。しかし直列共振に対しては、小さい
ことがあり、かつ周波数によっては減衰器に分路を形成
する。このことは、減衰器の動作を妨害することがあ
り、影響する周波数範囲内にこのことが起こる場合、不
具合が生じることがある。もっとも、これらの漂遊容量
はＡ１５０において存在するものよりきわめて大幅に減
少される（ほぼ１００ｆＦからほぼ３０ｆＦにまで下が
る）。その減少は、ＬＩＭＭＳの利用によって実現され
る。さらに利用する周波数範囲にわたって、均一なＺｏ
の伝送線（３９及び裸の導体に沿った漂遊リアクタンス
の集合体に反する場合）により、伝送線の共振を予測す
ることができる。共振が起こったとき、漂遊容量４０及
び４１が大きい場合、かつ裸の導体に沿って漂遊リアク
タンスが存在する場合には、より高い周波数に共振があ
ることも予測できる。したがって図６の回路は良好なも
のである。しかしこれは、おおいに漂遊容量の減少に頼
っており、これらの容量は、現在ではＬＩＭＭＳの利用
によって減少したにもかかわらず、まったく無視するた
めにはいぜんとして大きすぎる量で存在する。他方にお
いてＬＩＭＭＳの技術開発は、それらの開放接点に対す
るきわめて小さな漂遊容量を有するユニットを提供する
ことにある。
【００１７】伝送線セグメント３９は、基板上に（もっ
とも適当にはセラミック基板上に）、周知の技術を利用
して製造され、これらの技術は、ストリップ線路、共平
面線路及び準同軸伝送線を含むが、これらに限定される
わけではない（２００１年７月３日に刊行されかつＡＮ
ＩＮＴＥＧＲＡＴＥＤ ＬＯＷ ＣＯＳＴ ＴＨＩＣ
Ｋ ＦＩＬＭ ＭＯＤＵＬＥと題された米国特許第６，
２５５，７３０号明細書参照）。
とも適当にはセラミック基板上に）、周知の技術を利用
して製造され、これらの技術は、ストリップ線路、共平
面線路及び準同軸伝送線を含むが、これらに限定される
わけではない（２００１年７月３日に刊行されかつＡＮ
ＩＮＴＥＧＲＡＴＥＤ ＬＯＷ ＣＯＳＴ ＴＨＩＣ
Ｋ ＦＩＬＭ ＭＯＤＵＬＥと題された米国特許第６，
２５５，７３０号明細書参照）。
【００１８】最後に、図６の実施態様では伝送線セグメ
ント及び減衰器部分を示したが、次のＲＦ回路の組合
せ、すなわち２つの減衰器部分、フィルタ部分と伝送線
部分、又は２つのフィルタのいずれかを利用することも
できることは当業者に容易に理解されるであろう。
ント及び減衰器部分を示したが、次のＲＦ回路の組合
せ、すなわち２つの減衰器部分、フィルタ部分と伝送線
部分、又は２つのフィルタのいずれかを利用することも
できることは当業者に容易に理解されるであろう。
【００１９】図７は、改善されたステップ減衰器リレー
４２の簡単化された概略図である。図６のリレー３３に
ように、これも、ＲＦ入力端子４３及びＲＦ出力端子４
４を有し、これらの端子の間に減衰器部分４７及び伝送
線セグメント５０があり、これらのうちの一方が、リレ
ー４２を通る経路であるように、ＬＩＭＭＳ４５及び４
６によって選択される。５３及び５４は、図６における
漂遊容量４０、４１であり、ほぼ３０ｆＦである。この
実施態様においては、ステップ減衰器リレー４２の利用
可能な帯域幅を最大化することが課題となる。また、そ
の他に伝送線セグメント５０における共振の効果を減少
するという課題もある。
４２の簡単化された概略図である。図６のリレー３３に
ように、これも、ＲＦ入力端子４３及びＲＦ出力端子４
４を有し、これらの端子の間に減衰器部分４７及び伝送
線セグメント５０があり、これらのうちの一方が、リレ
ー４２を通る経路であるように、ＬＩＭＭＳ４５及び４
６によって選択される。５３及び５４は、図６における
漂遊容量４０、４１であり、ほぼ３０ｆＦである。この
実施態様においては、ステップ減衰器リレー４２の利用
可能な帯域幅を最大化することが課題となる。また、そ
の他に伝送線セグメント５０における共振の効果を減少
するという課題もある。
【００２０】伝送線５０の共振振幅の減少は（減衰器４
７が通過経路として選択されたとき）、ＬＩＭＭＳスイ
ッチ（リレー）４８及び４９を設けることによって達成
することができる。これらは、ＬＩＭＭＳスイッチ４５
及び４６がそうであるように、図示したように一緒に投
入されるように構成されており、かつスイッチ４５及び
４６が図示されたようになっているとき、スイッチ４
８、４９も図示した状態となる。図示した場合（部分４
７による減衰器が選択されたとき）、終端抵抗Ｒ１（５
１）及びＲ２（５２）が、伝送線セグメント５０の外側
端部に接続される。４つすべてのスイッチ（４５、４
６、４８、４９）は、一致して投入されるので、通過経
路として伝送線セグメント５０が選ばれたとき、終端抵
抗５１及び５２は、伝送線セグメント５０の端部に接続
されない。終端抵抗を設けることにより、伝送線セグメ
ント５０の共振振動が減衰する。終端抵抗Ｒ１及びＲ２
の抵抗値は、伝送線セグメント５０の特性インピーダン
スＺｏに等しいものである。これは、共振ピークを広
げ、かつ減衰器部分４７に分路を形成しようとする共振
におけるインピーダンスを増加する。その結果、ＲＦ入
力端子４３からＲＦ出力端子４４に見た場合、減衰器の
動作に対する妨害は減少する。
７が通過経路として選択されたとき）、ＬＩＭＭＳスイ
ッチ（リレー）４８及び４９を設けることによって達成
することができる。これらは、ＬＩＭＭＳスイッチ４５
及び４６がそうであるように、図示したように一緒に投
入されるように構成されており、かつスイッチ４５及び
４６が図示されたようになっているとき、スイッチ４
８、４９も図示した状態となる。図示した場合（部分４
７による減衰器が選択されたとき）、終端抵抗Ｒ１（５
１）及びＲ２（５２）が、伝送線セグメント５０の外側
端部に接続される。４つすべてのスイッチ（４５、４
６、４８、４９）は、一致して投入されるので、通過経
路として伝送線セグメント５０が選ばれたとき、終端抵
抗５１及び５２は、伝送線セグメント５０の端部に接続
されない。終端抵抗を設けることにより、伝送線セグメ
ント５０の共振振動が減衰する。終端抵抗Ｒ１及びＲ２
の抵抗値は、伝送線セグメント５０の特性インピーダン
スＺｏに等しいものである。これは、共振ピークを広
げ、かつ減衰器部分４７に分路を形成しようとする共振
におけるインピーダンスを増加する。その結果、ＲＦ入
力端子４３からＲＦ出力端子４４に見た場合、減衰器の
動作に対する妨害は減少する。
【００２１】図６に対する場合のように、図７のステッ
プ減衰器リレー４２全体が基板上に製造できる（かつ製
造することが望ましい）ことは理解されるであろう。
プ減衰器リレー４２全体が基板上に製造できる（かつ製
造することが望ましい）ことは理解されるであろう。
【００２２】図８は、図７のステップ減衰器回路４２を
実現するために、基板（図示せず）上に形成された簡単
化されたマスク線図５５である。図７および図８におい
て類似の項目には、同じ参照符号を有する。概して構成
は、図２から図５におけるＬＩＭＭＳについて述べたも
のとほとんど一致しており、かつ図７に正確に対応する
ものとして容易に理解されるであろう。
実現するために、基板（図示せず）上に形成された簡単
化されたマスク線図５５である。図７および図８におい
て類似の項目には、同じ参照符号を有する。概して構成
は、図２から図５におけるＬＩＭＭＳについて述べたも
のとほとんど一致しており、かつ図７に正確に対応する
ものとして容易に理解されるであろう。
【００２３】図８の全回路５５が単一の基板上に製造さ
れ、かつ単一のカバーブロック（図示せず）があり、そ
の内部通路が図８における素子に整合し、同様にカバー
ブロック１２が図５の基板１３における素子に整合して
いることは望ましい。これは、さらに複雑であるが、伝
送線セグメント５０をカバーするところにおいて、その
誘電率がどのようにしてＺｏが得られるかに現われる
（すなわち基板の厚さ及び誘電率に行なうように、伝送
線５０の“中心導体”（９９）の幅に影響を及ぼす）こ
とを除いて、ちょうどまったく同一である。素子５０
は、伝送線であるはずであり、かつ一般に良好な電気的
なシールドのためのものなので、ほとんど確実に（かつ
望ましくは）基板の下側にアース平面が存在する。アー
ス面は、相互接続のためにビアがあるところを除いてど
こにもあるので、特に図示しない。
れ、かつ単一のカバーブロック（図示せず）があり、そ
の内部通路が図８における素子に整合し、同様にカバー
ブロック１２が図５の基板１３における素子に整合して
いることは望ましい。これは、さらに複雑であるが、伝
送線セグメント５０をカバーするところにおいて、その
誘電率がどのようにしてＺｏが得られるかに現われる
（すなわち基板の厚さ及び誘電率に行なうように、伝送
線５０の“中心導体”（９９）の幅に影響を及ぼす）こ
とを除いて、ちょうどまったく同一である。素子５０
は、伝送線であるはずであり、かつ一般に良好な電気的
なシールドのためのものなので、ほとんど確実に（かつ
望ましくは）基板の下側にアース平面が存在する。アー
ス面は、相互接続のためにビアがあるところを除いてど
こにもあるので、特に図示しない。
【００２４】図８において、小さな長方形の斜めハッチ
ングした領域（例えば６３、６４、９７、・・・）は、
ＬＩＭＭＳ構造の通路における液体金属に接触するため
の電極である。電極の下には、それぞれ黒点９４−９６
によって示されたようなビアである（これらの項目が対
応する図５における素子３０、３１、３２及び９１、９
２、９３に匹敵する）。接点電極６３と６４との間にあ
りかつ接点電極９７に延びた通路６０に注意されたい。
この図における通路６０は、前後に連続往復する場合に
水銀液滴が利用する経路を表わしている。これは、ＣＹ
ＴＯＰシール（図示せず）を持たない基板上の領域であ
り、かつカバーブロックにも対応する通路の位置や相対
的な幅も表わしている。接点電極（６３、６４、９７、
・・・）は、組立の間に、カバーブロックのある種のわ
ずかな位置ずれがあった場合でも、確実に動作させるた
めに、通路６０よりわずかに広くなっている。
ングした領域（例えば６３、６４、９７、・・・）は、
ＬＩＭＭＳ構造の通路における液体金属に接触するため
の電極である。電極の下には、それぞれ黒点９４−９６
によって示されたようなビアである（これらの項目が対
応する図５における素子３０、３１、３２及び９１、９
２、９３に匹敵する）。接点電極６３と６４との間にあ
りかつ接点電極９７に延びた通路６０に注意されたい。
この図における通路６０は、前後に連続往復する場合に
水銀液滴が利用する経路を表わしている。これは、ＣＹ
ＴＯＰシール（図示せず）を持たない基板上の領域であ
り、かつカバーブロックにも対応する通路の位置や相対
的な幅も表わしている。接点電極（６３、６４、９７、
・・・）は、組立の間に、カバーブロックのある種のわ
ずかな位置ずれがあった場合でも、確実に動作させるた
めに、通路６０よりわずかに広くなっている。
【００２５】また、図８の特長は、減衰器部分４７が選
択されているときに、伝送線セグメント５０への妨害を
最小にするためにどのように配置されているかにある。
これは、スイッチ４５における接点電極１００及び１０
１が接続されており、かつスイッチ４６における接点電
極１０２及び１０３が接続されている場合である。この
時、導体経路９８、９９、１０４は、減衰器４７の置き
換えである。セグメント９８及び９９は、制御されたイ
ンピーダンスの伝送線５０の一部であってもよく、この
伝送線は、少なくとも導体９９を含む。前記の状況（減
衰なし）においても、スイッチ４８内における大きな水
銀液滴は、導体電極６３及び６４を橋絡するが、６４と
９７を橋絡しない。しかしながら小さな水銀液滴は、電
極９７に接触したままである。その物理的な存在が断片
又はその他の不連続を形成しないようにするために、接
点電極９７の形、及びその電極の近くにおける水銀通路
（６０）の形状は、伝送線の構造にあわせて構成されて
いる。すまり、通路６０が、導体９８と９９との間にお
ける方向の変化に順応するように、その中に曲がりを有
することを意味する。すなわち小さな液滴は、伝送線５
０の一部であり、かつ断片内において終る“Ｔ”として
作用しない。すなわち小さな液滴は、十分に小さく、す
べて曲がりの電極９６の側に収まる。他方において、大
きな液滴がその位置にある場合には、曲がりの回りに延
びていることになるが、電極６４に接触しなければなら
ない以上、そのように構成することはまったく適当であ
る。スイッチ４９も同様な構成をとり、このスイッチは
伝送線５０に接続する。
択されているときに、伝送線セグメント５０への妨害を
最小にするためにどのように配置されているかにある。
これは、スイッチ４５における接点電極１００及び１０
１が接続されており、かつスイッチ４６における接点電
極１０２及び１０３が接続されている場合である。この
時、導体経路９８、９９、１０４は、減衰器４７の置き
換えである。セグメント９８及び９９は、制御されたイ
ンピーダンスの伝送線５０の一部であってもよく、この
伝送線は、少なくとも導体９９を含む。前記の状況（減
衰なし）においても、スイッチ４８内における大きな水
銀液滴は、導体電極６３及び６４を橋絡するが、６４と
９７を橋絡しない。しかしながら小さな水銀液滴は、電
極９７に接触したままである。その物理的な存在が断片
又はその他の不連続を形成しないようにするために、接
点電極９７の形、及びその電極の近くにおける水銀通路
（６０）の形状は、伝送線の構造にあわせて構成されて
いる。すまり、通路６０が、導体９８と９９との間にお
ける方向の変化に順応するように、その中に曲がりを有
することを意味する。すなわち小さな液滴は、伝送線５
０の一部であり、かつ断片内において終る“Ｔ”として
作用しない。すなわち小さな液滴は、十分に小さく、す
べて曲がりの電極９６の側に収まる。他方において、大
きな液滴がその位置にある場合には、曲がりの回りに延
びていることになるが、電極６４に接触しなければなら
ない以上、そのように構成することはまったく適当であ
る。スイッチ４９も同様な構成をとり、このスイッチは
伝送線５０に接続する。
【００２６】実験の結果、接触電極９７上にある小さな
水銀液滴によって生じる伝送線セグメントの中心導体の
横段面におけるわずかな局所的な増大は、８ないし１０
ギガヘルツの周波数まで、誘導性の不連続を生じないこ
とがわかった。このことは、水銀液滴の直径がきわめて
小さいためと思われる。さらに高い周波数における特性
は不明であるが、均一特性インピーダンスを維持するた
めに、伝送線の幾何学的／電気的な補償が必要であろ
う。
水銀液滴によって生じる伝送線セグメントの中心導体の
横段面におけるわずかな局所的な増大は、８ないし１０
ギガヘルツの周波数まで、誘導性の不連続を生じないこ
とがわかった。このことは、水銀液滴の直径がきわめて
小さいためと思われる。さらに高い周波数における特性
は不明であるが、均一特性インピーダンスを維持するた
めに、伝送線の幾何学的／電気的な補償が必要であろ
う。
【００２７】最後に素子５６及び５７に注意されたい。
スイッチ４８を操作しかつ平行なハッチングによって示
されたヒータが存在する。残りのスイッチのためのその
他のヒータは、同様に示されている。点５８及び５９
は、ヒータに接続するビアを表わしている。素子６１及
び６２は、カバーブロックにおける空胴を通路６０に接
続するガス通過部である。
スイッチ４８を操作しかつ平行なハッチングによって示
されたヒータが存在する。残りのスイッチのためのその
他のヒータは、同様に示されている。点５８及び５９
は、ヒータに接続するビアを表わしている。素子６１及
び６２は、カバーブロックにおける空胴を通路６０に接
続するガス通過部である。
【００２８】図９は、図７に示したステップ減衰器リレ
ーの変形例６５の概略図である。配置は、図９において
減衰抵抗Ｒ２（７６）及びその関連するスイッチ７２
が、伝送線セグメントの中心の近くに（しかし望ましく
は正確に中心ではなく）配置されており、この伝送線セ
グメントが、この時、部分７３及び７４に分割されてい
ることを除いて、ほとんどの関係において同一である。
中心を外れた配置が望ましい理由は、共振の際に、両方
の端部に最大値があり、かつ伝送線セグメントの真の中
心にゼロがあることにある。したがって正確な中心にお
ける終端は、効果的でなく、かつその代わりに中心から
離れたどこかに配置することが必要である。伝送線共振
器を熟知した専門家は、伝送線のこの内部終端が、伝送
線の端部に負荷をかけるだけによって得られるものより
高次のモードの発振を直接減衰する効果を有することを
認めるであろう。
ーの変形例６５の概略図である。配置は、図９において
減衰抵抗Ｒ２（７６）及びその関連するスイッチ７２
が、伝送線セグメントの中心の近くに（しかし望ましく
は正確に中心ではなく）配置されており、この伝送線セ
グメントが、この時、部分７３及び７４に分割されてい
ることを除いて、ほとんどの関係において同一である。
中心を外れた配置が望ましい理由は、共振の際に、両方
の端部に最大値があり、かつ伝送線セグメントの真の中
心にゼロがあることにある。したがって正確な中心にお
ける終端は、効果的でなく、かつその代わりに中心から
離れたどこかに配置することが必要である。伝送線共振
器を熟知した専門家は、伝送線のこの内部終端が、伝送
線の端部に負荷をかけるだけによって得られるものより
高次のモードの発振を直接減衰する効果を有することを
認めるであろう。
【００２９】図９に関しては、その図７との対応はまっ
たく明らかである。ＲＦ入力端子４３及び６６は、ＲＦ
出力端子６７及び４４と同様に対応している。減衰器部
分４７及び７０は、スイッチ４５及び６８、スイッチ４
６及び６９、及びスイッチ４８及び７１と同様に対応し
ている。容量５３及び５４は７７及び７８に対応してい
る。
たく明らかである。ＲＦ入力端子４３及び６６は、ＲＦ
出力端子６７及び４４と同様に対応している。減衰器部
分４７及び７０は、スイッチ４５及び６８、スイッチ４
６及び６９、及びスイッチ４８及び７１と同様に対応し
ている。容量５３及び５４は７７及び７８に対応してい
る。
【００３０】図１０は、図９のステップ減衰器リレー６
５の回路に相当する簡単化したマスク線図７９である。
これは、図８と同様な標記を行っており、特段の説明は
必要ないであろう。
５の回路に相当する簡単化したマスク線図７９である。
これは、図８と同様な標記を行っており、特段の説明は
必要ないであろう。
【００３１】最後に図１１は、図８、図９及び図１０に
示された構造に対するさらに別の改善の簡単化されたマ
スク線図８０である。図１１は、その回路構成が図９及
び図１０に近いが、標記に関しては図８と同じである。
スイッチ８１及び８２が減衰器７０又は伝送線セグメン
ト７３及び７４を利用する経路の選択手段であることに
注意する。相違点は、スイッチ８３及び８４がヒータ抵
抗８５を共有し、かつスイッチ８６及び８７がヒータ抵
抗９０を共有する点にある。ヒータ抵抗は、基本的にこ
れらが共通の抵抗に置き換えることができることは明ら
かであるが、抵抗８８及び８９を分離すると同様に、分
離したままである。ヒータ抵抗のこの共有は、この用途
におけるＬＩＭＭＳスイッチが“連結”されており、所
定のパターンにおいて一緒に投入するために可能にな
る。
示された構造に対するさらに別の改善の簡単化されたマ
スク線図８０である。図１１は、その回路構成が図９及
び図１０に近いが、標記に関しては図８と同じである。
スイッチ８１及び８２が減衰器７０又は伝送線セグメン
ト７３及び７４を利用する経路の選択手段であることに
注意する。相違点は、スイッチ８３及び８４がヒータ抵
抗８５を共有し、かつスイッチ８６及び８７がヒータ抵
抗９０を共有する点にある。ヒータ抵抗は、基本的にこ
れらが共通の抵抗に置き換えることができることは明ら
かであるが、抵抗８８及び８９を分離すると同様に、分
離したままである。ヒータ抵抗のこの共有は、この用途
におけるＬＩＭＭＳスイッチが“連結”されており、所
定のパターンにおいて一緒に投入するために可能にな
る。
【００３２】最後に、本発明の実施態様の一部をまとめ
て以下に示す。 （実施態様１）基板と、前記基板上に形成されておりか
つその移動極が高周波入力端子である第１の単極双投型
の液体金属マイクロスイッチと、前記基板上に形成され
ておりかつその移動極が高周波出力端子である第２の単
極双投型の液体金属マイクロスイッチとを含み、前記第
１及び第２の液体金属マイクロスイッチが、一致して動
作するように連結されており、第１の動作状態のときに
は、それぞれの液体金属マイクロスイッチが、第１の投
入部と接触し、かつ、第２の動作状態のときには、それ
ぞれの液体金属マイクロスイッチの前記移動極が、第２
の投入部と接触し、さらに、前記第１の液体金属マイク
ロスイッチの前記第１の投入部と、前記第２の液体金属
マイクロスイッチの前記第１の投入部との間に結合され
た、前記基板上に形成された第１の高周波回路と、前記
第１の液体金属マイクロスイッチの前記第２の投入部
と、前記第２の液体金属マイクロスイッチの前記第２の
投入部との間に結合された、前記基板上に形成された第
２の高周波回路を含む高周波リレー。
て以下に示す。 （実施態様１）基板と、前記基板上に形成されておりか
つその移動極が高周波入力端子である第１の単極双投型
の液体金属マイクロスイッチと、前記基板上に形成され
ておりかつその移動極が高周波出力端子である第２の単
極双投型の液体金属マイクロスイッチとを含み、前記第
１及び第２の液体金属マイクロスイッチが、一致して動
作するように連結されており、第１の動作状態のときに
は、それぞれの液体金属マイクロスイッチが、第１の投
入部と接触し、かつ、第２の動作状態のときには、それ
ぞれの液体金属マイクロスイッチの前記移動極が、第２
の投入部と接触し、さらに、前記第１の液体金属マイク
ロスイッチの前記第１の投入部と、前記第２の液体金属
マイクロスイッチの前記第１の投入部との間に結合され
た、前記基板上に形成された第１の高周波回路と、前記
第１の液体金属マイクロスイッチの前記第２の投入部
と、前記第２の液体金属マイクロスイッチの前記第２の
投入部との間に結合された、前記基板上に形成された第
２の高周波回路を含む高周波リレー。
【００３３】（実施態様２）前記第１及び第２の高周波
回路のうちの１つが、減衰器であることを特徴とする、
実施態様１に記載の高周波リレー。
回路のうちの１つが、減衰器であることを特徴とする、
実施態様１に記載の高周波リレー。
【００３４】（実施態様３）前記第１及び第２の高周波
回路のうちの１つが、所定の長さに制御されたインピー
ダンスの伝送線であることを特徴とする、実施態様１に
記載の高周波リレー。
回路のうちの１つが、所定の長さに制御されたインピー
ダンスの伝送線であることを特徴とする、実施態様１に
記載の高周波リレー。
【００３５】（実施態様４）前記第１の高周波回路が減
衰器であり、かつ前記第２の高周波回路が所定の長さに
制御されたインピーダンスの伝送線であることを特徴と
する、実施態様１に記載の高周波リレー。
衰器であり、かつ前記第２の高周波回路が所定の長さに
制御されたインピーダンスの伝送線であることを特徴と
する、実施態様１に記載の高周波リレー。
【００３６】（実施態様５）前記第１及び第２の高周波
回路両方が、減衰器であることを特徴とする、実施態様
１に記載の高周波リレー。
回路両方が、減衰器であることを特徴とする、実施態様
１に記載の高周波リレー。
【００３７】（実施態様６）前記第１及び第２の高周波
回路のうちの１つが、フィルタであることを特徴とす
る、実施態様１に記載の高周波リレー。
回路のうちの１つが、フィルタであることを特徴とす
る、実施態様１に記載の高周波リレー。
【００３８】（実施態様７）基板と、前記基板上に形成
されておりかつその移動極が高周波入力端子である第１
の単極双投型の液体金属マイクロスイッチと、前記基板
上に形成されておりかつその移動極が高周波出力端子で
ある第２の単極双投型の液体金属マイクロスイッチとを
含み、前記第１及び第２の液体金属マイクロスイッチ
が、一致して動作するように連結されており、第１の動
作状態のときには、それぞれの液体金属マイクロスイッ
チの移動極が、第１の投入部と接触し、かつ、第２の動
作状態のときには、それぞれの液体金属マイクロスイッ
チの前記移動極が、第２の投入部と接触し、さらに、前
記第１の液体金属マイクロスイッチの前記第１の投入部
と、前記第２の液体金属マイクロスイッチの前記第１の
投入部との間に結合された、前記基板上に形成された高
周波回路と、前記基板上に形成されており、かつ、移動
極が前記第１の液体金属マイクロスイッチの前記第２の
投入部に結合された第３の液体金属マイクロスイッチ
と、前記基板上に形成されており、かつ、移動極が前記
第２の液体金属マイクロスイッチの前記第２の投入部に
結合された第４の液体金属マイクロスイッチとを含み、
前記第３及び第４の液体金属マイクロスイッチが、一致
して動作するように連結されており、前記第１の動作状
態のときには、それぞれの前記移動極が第１の投入部と
接触し、かつ、前記第２の動作状態のときには、それぞ
れの前記移動極が前記各第１の投入部と接触しないよう
になっており、さらに、前記第３の液体金属マイクロス
イッチの前記移動極と、前記第４の液体金属マイクロス
イッチの前記移動極との間に結合された所定の長さの制
御されたインピーダンスの伝送線と、高周波アースと前
記第３の液体金属マイクロスイッチの前記第１の投入部
との間に結合された第１の終端抵抗と、高周波アースと
前記第４の液体金属マイクロスイッチの前記第１の投入
部との間に結合された第２の終端抵抗とを含む高周波リ
レー。
されておりかつその移動極が高周波入力端子である第１
の単極双投型の液体金属マイクロスイッチと、前記基板
上に形成されておりかつその移動極が高周波出力端子で
ある第２の単極双投型の液体金属マイクロスイッチとを
含み、前記第１及び第２の液体金属マイクロスイッチ
が、一致して動作するように連結されており、第１の動
作状態のときには、それぞれの液体金属マイクロスイッ
チの移動極が、第１の投入部と接触し、かつ、第２の動
作状態のときには、それぞれの液体金属マイクロスイッ
チの前記移動極が、第２の投入部と接触し、さらに、前
記第１の液体金属マイクロスイッチの前記第１の投入部
と、前記第２の液体金属マイクロスイッチの前記第１の
投入部との間に結合された、前記基板上に形成された高
周波回路と、前記基板上に形成されており、かつ、移動
極が前記第１の液体金属マイクロスイッチの前記第２の
投入部に結合された第３の液体金属マイクロスイッチ
と、前記基板上に形成されており、かつ、移動極が前記
第２の液体金属マイクロスイッチの前記第２の投入部に
結合された第４の液体金属マイクロスイッチとを含み、
前記第３及び第４の液体金属マイクロスイッチが、一致
して動作するように連結されており、前記第１の動作状
態のときには、それぞれの前記移動極が第１の投入部と
接触し、かつ、前記第２の動作状態のときには、それぞ
れの前記移動極が前記各第１の投入部と接触しないよう
になっており、さらに、前記第３の液体金属マイクロス
イッチの前記移動極と、前記第４の液体金属マイクロス
イッチの前記移動極との間に結合された所定の長さの制
御されたインピーダンスの伝送線と、高周波アースと前
記第３の液体金属マイクロスイッチの前記第１の投入部
との間に結合された第１の終端抵抗と、高周波アースと
前記第４の液体金属マイクロスイッチの前記第１の投入
部との間に結合された第２の終端抵抗とを含む高周波リ
レー。
【００３９】（実施態様８）前記高周波回路が、減衰器
であることを特徴とする、実施態様７に記載の高周波リ
レー。
であることを特徴とする、実施態様７に記載の高周波リ
レー。
【００４０】（実施態様９）基板と、前記基板上に形成
されておりかつその移動極が高周波入力端子である第１
の単極双投型の液体金属マイクロスイッチと、前記基板
上に形成されておりかつその移動極が高周波出力端子で
ある第２の単極双投型の液体金属マイクロスイッチとを
含み、前記第１及び第２の液体金属マイクロスイッチ
が、一致して動作するように連結されており、第１の動
作状態のときには、それぞれの液体金属マイクロスイッ
チの移動極が、第１の投入部と接触し、かつ、第２の動
作状態のときには、それぞれの液体金属マイクロスイッ
チの前記移動極が、第２の投入部と接触し、さらに、前
記第１の液体金属マイクロスイッチの前記第１の投入部
と、前記第２の液体金属マイクロスイッチの前記第１の
投入部との間に結合された、前記基板上に形成された高
周波回路と、前記基板上に形成され、かつ、一致して動
作するように連結されている第３及び第４の液体金属マ
イクロスイッチであって、前記第１の動作状態のときに
は、それぞれの液体金属マイクロスイッチの前記移動極
が、第１の投入部と接触し、かつ、前記第２の動作状態
のときには、それぞれの液体金属マイクロスイッチの前
記移動極が、第１の投入部と接触しないようになってい
る前記第３及び第４の液体金属マイクロスイッチとを含
み、前記第１の液体金属マイクロスイッチの前記第２の
投入部が、前記第３の液体金属マイクロスイッチの前記
移動極に結合されており、さらに、前記第３の液体金属
マイクロスイッチの前記移動極と前記第４の液体金属マ
イクロスイッチの前記移動極との間に結合された第１の
長さの制御されたインピーダンスの伝送線と、前記第４
の液体金属マイクロスイッチの前記移動極と前記第２の
液体金属マイクロスイッチの前記第２の投入部との間に
結合された第２の長さの制御されたインピーダンスの伝
送線とを含み、前記第１及び第２の液体金属マイクロス
イッチのうちの１つの前記移動極が、そのそれぞれの第
１の投入部を接触させたとき、前記第３及び第４の液体
金属マイクロスイッチの前記移動極が、それぞれそれら
の第１の投入部を接触させるように動作するように、前
記第１及び第２の液体金属マイクロスイッチが、前記第
３及び第４の液体金属マイクロスイッチに連結されてお
り、さらに、高周波アースと前記第３の液体金属マイク
ロスイッチの前記第１の投入部との間に結合された第１
の終端抵抗と、高周波アースと前記第４の液体金属マイ
クロスイッチの前記第１の投入部との間に結合された第
２の終端抵抗とを含む高周波リレー。
されておりかつその移動極が高周波入力端子である第１
の単極双投型の液体金属マイクロスイッチと、前記基板
上に形成されておりかつその移動極が高周波出力端子で
ある第２の単極双投型の液体金属マイクロスイッチとを
含み、前記第１及び第２の液体金属マイクロスイッチ
が、一致して動作するように連結されており、第１の動
作状態のときには、それぞれの液体金属マイクロスイッ
チの移動極が、第１の投入部と接触し、かつ、第２の動
作状態のときには、それぞれの液体金属マイクロスイッ
チの前記移動極が、第２の投入部と接触し、さらに、前
記第１の液体金属マイクロスイッチの前記第１の投入部
と、前記第２の液体金属マイクロスイッチの前記第１の
投入部との間に結合された、前記基板上に形成された高
周波回路と、前記基板上に形成され、かつ、一致して動
作するように連結されている第３及び第４の液体金属マ
イクロスイッチであって、前記第１の動作状態のときに
は、それぞれの液体金属マイクロスイッチの前記移動極
が、第１の投入部と接触し、かつ、前記第２の動作状態
のときには、それぞれの液体金属マイクロスイッチの前
記移動極が、第１の投入部と接触しないようになってい
る前記第３及び第４の液体金属マイクロスイッチとを含
み、前記第１の液体金属マイクロスイッチの前記第２の
投入部が、前記第３の液体金属マイクロスイッチの前記
移動極に結合されており、さらに、前記第３の液体金属
マイクロスイッチの前記移動極と前記第４の液体金属マ
イクロスイッチの前記移動極との間に結合された第１の
長さの制御されたインピーダンスの伝送線と、前記第４
の液体金属マイクロスイッチの前記移動極と前記第２の
液体金属マイクロスイッチの前記第２の投入部との間に
結合された第２の長さの制御されたインピーダンスの伝
送線とを含み、前記第１及び第２の液体金属マイクロス
イッチのうちの１つの前記移動極が、そのそれぞれの第
１の投入部を接触させたとき、前記第３及び第４の液体
金属マイクロスイッチの前記移動極が、それぞれそれら
の第１の投入部を接触させるように動作するように、前
記第１及び第２の液体金属マイクロスイッチが、前記第
３及び第４の液体金属マイクロスイッチに連結されてお
り、さらに、高周波アースと前記第３の液体金属マイク
ロスイッチの前記第１の投入部との間に結合された第１
の終端抵抗と、高周波アースと前記第４の液体金属マイ
クロスイッチの前記第１の投入部との間に結合された第
２の終端抵抗とを含む高周波リレー。
【００４１】（実施態様１０）前記高周波回路が、減衰
器であることを特徴とする、実施態様９に記載の高周波
リレー。
器であることを特徴とする、実施態様９に記載の高周波
リレー。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の技術の減衰器リレーを示す簡単化された
概略的な部分の図である。
概略的な部分の図である。
【図２Ａ】従来の技術のＳＰＤＴ液体金属マイクロスイ
ッチ（ＬＩＭＭＳ）の断面図である。本図では、便宜的
に２つのヒータは通路に対して同じ側にあるように示さ
れている。
ッチ（ＬＩＭＭＳ）の断面図である。本図では、便宜的
に２つのヒータは通路に対して同じ側にあるように示さ
れている。
【図２Ｂ】従来の技術のＳＰＤＴ液体金属マイクロスイ
ッチ（ＬＩＭＭＳ）の断面図である。本図では、便宜的
に２つのヒータは通路に対して同じ側にあるように示さ
れている。
ッチ（ＬＩＭＭＳ）の断面図である。本図では、便宜的
に２つのヒータは通路に対して同じ側にあるように示さ
れている。
【図２Ｃ】従来の技術のＳＰＤＴ液体金属マイクロスイ
ッチ（ＬＩＭＭＳ）の断面図である。本図では、便宜的
に２つのヒータは通路に対して同じ側にあるように示さ
れている。
ッチ（ＬＩＭＭＳ）の断面図である。本図では、便宜的
に２つのヒータは通路に対して同じ側にあるように示さ
れている。
【図３】動作サイクル開始直後における図２Ａのものと
同様な断面図である。
同様な断面図である。
【図４Ａ】動作サイクルの完了時における断面図であ
る。
る。
【図４Ｂ】動作サイクルの完了時における断面図であ
る。
る。
【図５】ＳＰＤＴ ＬＩＭＭＳの展開図である。図２〜
図４に対応するが、２つのヒータを本来の位置（通路の
反対側及び反対側端部）に配置した図である。
図４に対応するが、２つのヒータを本来の位置（通路の
反対側及び反対側端部）に配置した図である。
【図６】本発明の実施形態で示した改善された減衰器リ
レーの概略図である。
レーの概略図である。
【図７】本発明の別の実施形態であり、スイッチされる
共振減衰部を有するさらに改善された減衰器リレーの概
略図である。
共振減衰部を有するさらに改善された減衰器リレーの概
略図である。
【図８】図７の回路の簡単化されたマスク線図である。
【図９】本発明のさらに別の実施形態であり、さらに効
果的な共振減衰部を有するまたさらに改善された減衰器
リレーの概略図である。
果的な共振減衰部を有するまたさらに改善された減衰器
リレーの概略図である。
【図１０】図９の回路の簡単化されたマスク線図であ
る。
る。
【図１１】図９の回路の別の簡単化されたマスク線図で
あり、ＬＩＭＭＳが所定の共通のヒータ抵抗を共有する
点を除いて、図１０に示されたものと同様な基板の簡単
化されたマスク線図である。
あり、ＬＩＭＭＳが所定の共通のヒータ抵抗を共有する
点を除いて、図１０に示されたものと同様な基板の簡単
化されたマスク線図である。
１３ 基板
３６ ＳＰＤＴ ＬＩＭＭＳ
３７ ＳＰＤＴ ＬＩＭＭＳ
３８ ＲＦ回路
３９ ＲＦ回路
４５ ＳＰＤＴ ＬＩＭＭＳ
４６ ＳＰＤＴ ＬＩＭＭＳ
４７ ＲＦ回路
４８ ＬＩＭＭＳ
４９ ＬＩＭＭＳ
５０ 伝送線
５１ 終端抵抗
５２ 終端抵抗
６８ ＳＰＤＴ ＬＩＭＭＳ
６９ ＳＰＤＴ ＬＩＭＭＳ
７０ ＲＦ回路
７１ ＬＩＭＭＳ
７２ ＬＩＭＭＳ
７３ 伝送線
７４ 伝送線
７５ 終端抵抗
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０３Ｈ 7/24 Ｈ０３Ｈ 7/24
(72)発明者 ルイス・アール・ドーブ
アメリカ合衆国コロラド州モニュメント
イースト・トップ・オブ・モーア・ドライ
ブ19855
(72)発明者 ジョン・アール・リンドセイ
アメリカ合衆国コロラド州イースト・コロ
ラド・スプリングス クリフ・ポイント・
サーキット5085
(72)発明者 デビット・ジェイ・ダスチャー
アメリカ合衆国コロラド州モニュメント
スコッツウッド・ドライブ1260
Ｆターム(参考） 5G041 AA20 CB07
5J026 AA03 AA16 BA04
Claims (10)
- 【請求項１】 基板と、 前記基板上に形成されておりかつその移動極が高周波入
力端子である第１の単極双投型の液体金属マイクロスイ
ッチと、 前記基板上に形成されておりかつその移動極が高周波出
力端子である第２の単極双投型の液体金属マイクロスイ
ッチとを含み、 前記第１及び第２の液体金属マイクロスイッチが、一致
して動作するように連結されており、第１の動作状態の
ときには、それぞれの液体金属マイクロスイッチが、第
１の投入部と接触し、かつ、第２の動作状態のときに
は、それぞれの液体金属マイクロスイッチの前記移動極
が、第２の投入部と接触し、さらに、 前記第１の液体金属マイクロスイッチの前記第１の投入
部と、前記第２の液体金属マイクロスイッチの前記第１
の投入部との間に結合された、前記基板上に形成された
第１の高周波回路と、 前記第１の液体金属マイクロスイッチの前記第２の投入
部と、前記第２の液体金属マイクロスイッチの前記第２
の投入部との間に結合された、前記基板上に形成された
第２の高周波回路を含む高周波リレー。 - 【請求項２】前記第１及び第２の高周波回路のうちの１
つが、減衰器であることを特徴とする、請求項１に記載
の高周波リレー。 - 【請求項３】前記第１及び第２の高周波回路のうちの１
つが、所定の長さに制御されたインピーダンスの伝送線
であることを特徴とする、請求項１に記載の高周波リレ
ー。 - 【請求項４】前記第１の高周波回路が減衰器であり、か
つ前記第２の高周波回路が所定の長さに制御されたイン
ピーダンスの伝送線であることを特徴とする、請求項１
に記載の高周波リレー。 - 【請求項５】前記第１及び第２の高周波回路両方が、減
衰器であることを特徴とする、請求項１に記載の高周波
リレー。 - 【請求項６】前記第１及び第２の高周波回路のうちの１
つが、フィルタであることを特徴とする、請求項１に記
載の高周波リレー。 - 【請求項７】 基板と、 前記基板上に形成されておりかつその移動極が高周波入
力端子である第１の単極双投型の液体金属マイクロスイ
ッチと、 前記基板上に形成されておりかつその移動極が高周波出
力端子である第２の単極双投型の液体金属マイクロスイ
ッチとを含み、 前記第１及び第２の液体金属マイクロスイッチが、一致
して動作するように連結されており、第１の動作状態の
ときには、それぞれの液体金属マイクロスイッチの移動
極が、第１の投入部と接触し、かつ、第２の動作状態の
ときには、それぞれの液体金属マイクロスイッチの前記
移動極が、第２の投入部と接触し、さらに、 前記第１の液体金属マイクロスイッチの前記第１の投入
部と、前記第２の液体金属マイクロスイッチの前記第１
の投入部との間に結合された、前記基板上に形成された
高周波回路と、 前記基板上に形成されており、かつ、移動極が前記第１
の液体金属マイクロスイッチの前記第２の投入部に結合
された第３の液体金属マイクロスイッチと、 前記基板上に形成されており、かつ、移動極が前記第２
の液体金属マイクロスイッチの前記第２の投入部に結合
された第４の液体金属マイクロスイッチとを含み、 前記第３及び第４の液体金属マイクロスイッチが、一致
して動作するように連結されており、前記第１の動作状
態のときには、それぞれの前記移動極が第１の投入部と
接触し、かつ、前記第２の動作状態のときには、それぞ
れの前記移動極が前記各第１の投入部と接触しないよう
になっており、さらに、 前記第３の液体金属マイクロスイッチの前記移動極と、
前記第４の液体金属マイクロスイッチの前記移動極との
間に結合された所定の長さの制御されたインピーダンス
の伝送線と、 高周波アースと前記第３の液体金属マイクロスイッチの
前記第１の投入部との間に結合された第１の終端抵抗
と、 高周波アースと前記第４の液体金属マイクロスイッチの
前記第１の投入部との間に結合された第２の終端抵抗と
を含む高周波リレー。 - 【請求項８】前記高周波回路が、減衰器であることを特
徴とする、請求項７に記載の高周波リレー。 - 【請求項９】基板と、 前記基板上に形成されておりかつその移動極が高周波入
力端子である第１の単極双投型の液体金属マイクロスイ
ッチと、 前記基板上に形成されておりかつその移動極が高周波出
力端子である第２の単極双投型の液体金属マイクロスイ
ッチとを含み、 前記第１及び第２の液体金属マイクロスイッチが、一致
して動作するように連結されており、第１の動作状態の
ときには、それぞれの液体金属マイクロスイッチの移動
極が、第１の投入部と接触し、かつ、第２の動作状態の
ときには、それぞれの液体金属マイクロスイッチの前記
移動極が、第２の投入部と接触し、さらに、 前記第１の液体金属マイクロスイッチの前記第１の投入
部と、前記第２の液体金属マイクロスイッチの前記第１
の投入部との間に結合された、前記基板上に形成された
高周波回路と、 前記基板上に形成され、かつ、一致して動作するように
連結されている第３及び第４の液体金属マイクロスイッ
チであって、前記第１の動作状態のときには、それぞれ
の液体金属マイクロスイッチの前記移動極が、第１の投
入部と接触し、かつ、前記第２の動作状態のときには、
それぞれの液体金属マイクロスイッチの前記移動極が、
第１の投入部と接触しないようになっている前記第３及
び第４の液体金属マイクロスイッチとを含み、 前記第１の液体金属マイクロスイッチの前記第２の投入
部が、前記第３の液体金属マイクロスイッチの前記移動
極に結合されており、さらに、 前記第３の液体金属マイクロスイッチの前記移動極と前
記第４の液体金属マイクロスイッチの前記移動極との間
に結合された第１の長さの制御されたインピーダンスの
伝送線と、 前記第４の液体金属マイクロスイッチの前記移動極と前
記第２の液体金属マイクロスイッチの前記第２の投入部
との間に結合された第２の長さの制御されたインピーダ
ンスの伝送線とを含み、 前記第１及び第２の液体金属マイクロスイッチのうちの
１つの前記移動極が、そのそれぞれの第１の投入部を接
触させたとき、前記第３及び第４の液体金属マイクロス
イッチの前記移動極が、それぞれそれらの第１の投入部
を接触させるように動作するように、前記第１及び第２
の液体金属マイクロスイッチが、前記第３及び第４の液
体金属マイクロスイッチに連結されており、さらに、 高周波アースと前記第３の液体金属マイクロスイッチの
前記第１の投入部との間に結合された第１の終端抵抗
と、 高周波アースと前記第４の液体金属マイクロスイッチの
前記第１の投入部との間に結合された第２の終端抵抗と
を含む高周波リレー。 - 【請求項１０】前記高周波回路が、減衰器であることを
特徴とする、請求項９に記載の高周波リレー。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US136147 | 2002-04-30 | ||
| US10/136,147 US6646527B1 (en) | 2002-04-30 | 2002-04-30 | High frequency attenuator using liquid metal micro switches |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003346629A true JP2003346629A (ja) | 2003-12-05 |
| JP2003346629A5 JP2003346629A5 (ja) | 2006-05-11 |
Family
ID=22471522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003071926A Pending JP2003346629A (ja) | 2002-04-30 | 2003-03-17 | 液体金属マイクロスイッチを利用した高周波リレー |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6646527B1 (ja) |
| JP (1) | JP2003346629A (ja) |
| DE (1) | DE10308530A1 (ja) |
| GB (1) | GB2388253B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| WO2009040990A1 (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Advantest Corporation | 減衰装置および試験装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6689976B1 (en) * | 2002-10-08 | 2004-02-10 | Agilent Technologies, Inc. | Electrically isolated liquid metal micro-switches for integrally shielded microcircuits |
| US6855898B2 (en) * | 2002-12-12 | 2005-02-15 | Agilent Technologies, Inc. | Ceramic channel plate for a switch |
| US7022926B2 (en) * | 2002-12-12 | 2006-04-04 | Agilent Technologies, Inc. | Ultrasonically milled channel plate for a switch |
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