TWI258782B - High frequency attenuator using liquid metal micro switches - Google Patents

Description

1258782 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 5 10 本申請案之主題係關於2001年十一月27日所發出之標 題為“電氣接觸斷路器開關，積體電氣接觸斷路器開關， 以及電氣接觸開關方法”之美國專利第6,323,4伽號中所 揭示者。纟目前中請案中所描述之主題為美國專利第 6^323,447 B1號之主題之細微修改和進—步應用，且為了 簡短起見在此之背景技術之使用做為—差異點，以此將美 國專利第6,323,447 B1號之全部揭示在此特別合併為參考 文獻。 發明領域 RF步階衰減器為許多一般用途電子儀器之重要部份， 諸如頻睹分析器，網路分析器，s參數測試組，訊號產生 益'，掃目苗產生器和高頻示波器，只舉出一些。諸如那些用 15來測試無線通訊之特殊用途測試組亦為R F步階衰減器之重 要使用者。數十年前，RF步階衰減器為一人工操作之裝置 •人手-般轉動-把手…隨著在電腦控制下之自動測試系 統之來臨，以及更近年來具有其本身之内部處理器，具有 一精細測試能力功能，且具有大量儀器對儀器通訊能力之 自動測試設備之來臨’對電氣控制之衰減器之需求穩定地 成長，且持續地成長。在正確性及操作之更高頻率之性能 上的增加已在所要之衰減器之特性上加上許多要求。再者 ’可使用於微波範圍中之獨立坡度可規劃（螺線管操作的） 步階衰減器對於許多今曰之設計來說太大且太貴，在今天 1258782 疚.、—發萌読萌............................................................................................................................................................................... 步階衰減器對於許多今曰之設計來說太大且太貴，在今天 之設計中大多電路為積體的。 C先前技 發明背景 回應此情況之一先前技藝由來自Teledyne之A150系列 之起U型衰減為、繼電器為代表（wwW teiedynere丨ays c〇m. _ 12525 Daphne Avenue，Hawthorne，California，90250)。它 10 15 例很]約八分之二’長度上為十六分之七英忖，而寬度 為一刀之英吁。它們可使用至3GHz，具有一可在pi，T或 L部份得到之内部匹配之薄膜衰減器（接墊），且可得到從 IdB至20dB之多種不同之衰減。此族繼電器藉由將接墊以 一導體長度取代來提供衰減上的“步階，，。於1994年五月24 日7出且標題為“衰減器繼電器，，之美國專利第5,3 15,723號 t提出為達成此之機械配置。取代接墊之導體長度似乎並 非疋真的叉控阻抗傳輸線之一區段。 第1圖為一先前技藝步階衰減器繼電器i之一般表示， 諸如A⑼衰減器繼電器。—RF輸瑪合至—柳丁開關4 之移動桿’且從-SPDT„5之移動桿取出—灯輸出3。 以繼電器（未顯示）之螺線管來將開關4和5 一起操作，笪效 ，為7輪入2術輸出3之間不是連接-衰減器區段6就 疋¥體7。此配置並非有那麼大的缺點，其可工作至幾 =開始靈-些編率。在較高 A率上，干擾耦合 門仏、,丄 字（其約一百飛法拉）使得導體7 汗口亚聯农減器6，且Rjp雷产 即電飢會在I減器6周圍流動，其受 20 1258782 玖、發明1:明 到跨在衰減器本身之電應降之驅動。在導體7内有較小之 干擾電抗，我們將之以一十分一妒 乂 卞刀般之方式以串聯電感8和 亚勝電容9指出。在較高頻率上干擾耗合電容叫】1盘干 擾電抗8和9組合來形成一共振電路，其其會危害由衰減哭 丨1所插入之衰減。在A150之例子中此發生在約4他。 10 15 取近之發展已於具有液態移動金屬對金屬之接觸且由 一電氣脈衝操作之十分小之開M領財進行。即，它們杏 際上為個別之SPSTS«PDRM繼電器，但其可合^ 形成其他開關拓樸，諸如卿丁。（今後依照慣例我們將稱 這樣一個開關為—液態金屬微動開關或UMMS)。參考第 W圖’我們簡短地概述在—類這些褒置之後之一般概冬 。然而’我們進-步至我們最感興趣之主題，其為用以: -二基。板上使用這些繼電器之聚集來製造一高性能高頻 步階农減器之技術。 現在參考第2A圖，：t為脾心里# ★, /、為將配置於適當材料之覆蓋區塊 2内之特定元件之頂端斷面圖。覆蓋區塊2在其内具有一關 末而通運18 ’在其中有二小滴可移動的膨脹導電液態金 屬細，24)，諸如水銀。通道18相對地小，且對於水銀滴 來說像一毛細管，如此佶猓矣 此使侍表面張力在決定水銀之行為上

才刀〉貝重要角色。一 /丨、、、益%, E 滴為長，且使跨越二延伸進入通道中 之相鄰電氣接觸短路’同時另-小滴為短，僅接觸到一電 氣接觸。亦有二腔16，17’在其内為個別的加熱“4，ΐ5 ^^_的⑼限氣厂_，2取惰性氣體 圍％ 4如C02。腔16以—小通路19_合至通道以，其於 20 1258782 位 10 "末鳊約通逗之二分之—至四分之一長度之開口之… 置上進入通道。類似的通路20同樣地將腔丨7連接至通道之 相反末知。想法為由加熱器之—使溫度上升，使得圍繞在 該加熱器之氣體膨脹’其破裂並移動長水銀滴之-部份， 強迫分離部份加入短小滴。這形成一互補實體組態（或鏡 像）口為長滴現在在通道的另一末端。這繼而將三個電 氣接觸中的二個短路在-起。在改變之後，使加熱器冷: ’但表面張力使得水銀滴在其新位置中，直到其他加熱器 加熱並驅動新的長滴之部份以另一方向返回為止。因為所 有廷些相當的小，其全部會相當快速地發生；#，在千分 之一秒的數量級。 然後，為了繼續，現在參考第2]8圖，其為第2八圖之 橫截面圖，其係通過加熱器14和15之中間所取的。在此圖 中的新元件為底部表面13，其可為一適當的陶瓷材料，諸 U如靠造具有薄膜，厚膜，或石夕晶圓元件之混合電路中常用 者。一密封黏著層25將覆蓋區塊12連結至基板13，其亦形 成月工‘16和17，通路19和20，以及通道18，所有氣體密封（ 以及水銀校樣）。層25可為一稱為CYT〇p之材料（其為 Glass Co.之商標，且可&BeUex lmernatinai &印， 2〇 WUmmgt〇n，DdaWare得到）。又可新看到的為穿孔26 - 29 ，其除了氣體密封之外，通過基板13，來提供至加熱器14 和1 5之末端之私氣連接。如此，藉由將一電壓應用於穿孔 26和27之間’可使加熱器14十分快速地變熱。其繼而使得 氣體21之區域膨脹通過通路19，且開始迫使長水銀滴23分 1258782 玖：發明說明 硪二如弟3圖中所示的。此時，1亦在加熱器14開始加熱 之前’長水銀滴23實體地i聿桩拍年〆士 、 連接亚兒氣連結接觸穿孔30和3 1 m⑽+^^式°在㈣接觸穿孔32為與小水銀 滴24形成實體和電氣制，但⑼小㈣和24之間的空隙 ，其並非與穿孔31形成電氣連接。 10 15 20 在.第4 A ® ’並觀祭用來做為長水銀滴B之二部份 間的分離已由加熱氣體21完成’以及分離的水銀之右手邊 部份(且為其之大部份)已加入了用來做為較小滴Μ者。現 在小滴24為較大滴’且滴23為較小。參考第侧，注意現 在為接觸穿孔31和32係由水銀做為橋接，且如此彼此電氣 連接，同時現在電氣分離接觸穿孔30。 上述的UMMS技術具有多個有趣的特性，其之一些我 們順便提-下。它們形成良好的閃鎖繼電器、，因為表面張 =將水銀滴簡在適當地方。它們以所有方式操作，且相 當抗電擊。其功率消耗是適度的，且其為小(在一側上小 於十分之一英叶’且可能只為千分之二十或三十英忖高) :其具有不錯的隔絕性’其為相當快，且具有最小接觸反 弹。有其中壓力電氣元件完成體積改變，而非以一加熱和 化脹氣體來做之版本。亦有曾為認為有用之特定細微改進 ’諸如在通道或通路中之凸塊或阻塞物。對於這些細微改 進有興趣者可參考專利文件，在那些領域中正在進行的工 作。參考例如合併之美國專利第6,323,447 m號。 為了總結LIMMS技術之起始點之簡短檢視，其目前為 我們所感到興趣的，現在參考第5圖。雖然操作恰與第I# 10 1258782

圖相關描述者相同，但顯示了部份之稍不同配置之分解圖 。特別注意在此配置中，加熱器（14，15)及其腔（16，丨7)每 個在通道18之相對側上。注意第5圖中之一新元件為出現 接觸電極91，92,和93。這些為薄金屬沉積，其電氣地連 5接至穿孔（分別為30，31和32)，且其作用為確保與液體金 屬滴之良好歐姆接觸。液體金屬滴並未顯示於圖形中。 若我們能利用LIMMS繼電器之小尺寸以及其他所需的 特性來提供能用至約八或十個十億赫茲之儀器等級衰減器 Ik電為的活是令人渴望的。要怎麼做呢？ 0 【明内】 發明概要 15 對於在一衰減器繼電器内由干擾耦合電容所造成之共 振之問題，以及在開關導體内取代衰減器部份之干擾共振 之問題之解決方案為確保干擾耦合電容減小至盡可能低的 值，亚確保導體為匹配於衰減器繼電器所在之系統之受控 阻抗傳輸線之部份。當衰減器部份使用時，一具有sp〇T LIMMS開關於-開關傳輸線段之任一侧上及其相關衰減器 之基板將在跨於開關之打開部份上具有明顯較低的干擾搞 合電容，該等開關及衰減器製造於基板上。這會增加由跨 於农減器之RF電壓降所㈣之共振的開始頻率。共振幅度 的減少可藉由在基板上包括—額外的spsi^spDT umms 阻尼開關對於傳輸線段之每個末端上來獲得。當衰減器部 h使用¥，㊉些阻尼開關每個將—終端電阻器連接至傳輸 線段之末端。這載入了共振器並減少了共振之振幅。可藉 20 1258782 玖、發明說明 由將尼開關及其終端電阻哭位 扣位於罪近（但最好非恰位於）傳 輸線段之中間上來獲得進一步的改進。 圖式簡單說明 之簡化示意部 第1圖為一說明先前技藝衰減器繼電器 份； 第2A-C圖為一先前技藝spDT液，態金屬微動開關 (UMMS)之不同截面圖，且其中為了方便起見，在加埶哭

顯示為位於通道之相反末端上之同時，其亦顯示為在其之 相同側上； 1〇帛3圖為類似於第2A圖之橫截面圖，在-操作循環之 開始； 弟4A-B圖為第2A_C圖之UMMS在第3圖中開始之操作 之結尾之橫截面圖； 15八第5圖為一類似於第2-4圖中所示者之spDT UMMS之

解圖4一其中加熱态配置於二相對側上，以及在通道之 才目對末端上； 第6圖為一改進之衰減器繼電器之簡化示意部份； •第7圖為具有開關之共振阻尼之進一步改進衰減器繼 電器之簡化示意部份； >0 弟8圖為一在其上已製造之第7圖之電路之基板之簡化 圖形； 第9圖為具有一有效共振阻尼之進一步改進之衰減器 繼電器之簡化示意部份； 第10圖為在其上已製造了第9圖之電路之基板之簡化 12 1258782 圖形； · 第11圖為類似於第10圖中所說明者之基板之簡化圖形 - ，除了 LIMMS共用特^共同加熱器電阻器之外。 ^ L 万包方式】 5 較佳實施例之詳細說明 · 現在爹考第6圖，其中顯示了具有一透過一衰減器部 份38或透過真實受控阻抗傳輸線％之部份或片段搞合至一 RF輸出35之RF輸入34之步階衰減器繼電器33之簡化示意 _ 圖傳輸線& 3 9之特性阻抗z〇為與將RF訊號傳送至rf輸 10入34者相同且其kRF輸出35接收它，且雖然諸如7⑹和 100Ω之其他值必定是可能的，但一般大部份會是漏。從 RF輸入至RF輸出之路徑（透過38或透過39)係以繼電器^和 37加以廷擇’其最好為製造於—基板上LIMMS&] 關（未分離地顯示—第6圖之全部為在基板上），其亦承載衰 15減器38以及傳輸線段39。雖然衰減器38顯示為一“^，，路份 ，且容易體會到其他衰減器部份，諸如“L”和“T”可用來取 · 代pi部伤，且貫際上，亦可使用濾波機制來取代。進一 步將了解到，在並非由一機械聯結實體地結合在一起之同 時，LIMMS開關或繼電器36和37為一起一致地操作的，且 20 I作為連接至衰減ϋ38或二者皆操作來連接至傳輸線段Μ 。因此步階衰減器繼電器39之整體操作十分清楚。其不是 以傳輸線段39來忽略-切斷之衰減器部份38，就是其插a - 衰減器部份3 8來取代傳輸線。 一 現在，第6圖之技術（使用在一基板上之繼電器 · 13 1258782 疚 10 15 20 米形成於基板上之RF電路間切換）為良好的，且能__ 多應用良好地執行。然而，與來自之先前技藝 A⑽減器繼電器連結，我們注意到其並非全然沒有損宝 。問題為在衰減期間（_36和37如圖式中所示般操作）， 仍有明顯的干擾電容4〇和41，其會使用跨於衰減器部份38 上形成之電壓做為-來源，將能量搞合至傳輸線段％中。 任=干擾電容4〇和41之間之路徑之阻抗係與衰減器並聯 的。若其相當高則沒有關係。但在率聯共振上，其會相當 低，且會以一與頻率有關之方式並聯衰減器。這會損害衰 減器之操作，若其發生於感興趣之頻率範圍内則其可能是 不想要的。好消息是這些干擾電容在A15〇中減少十分多，· 仗約100fF降低至約3GfF。該減少是因為使用U讀$。再 者，無論如何，在感興趣的頻率範圍上，具有一致z〇之傳 輸線（39,且與沿著一裸導體之干擾電抗之收集相反）意指 傳輸線之共振更可預測。#共振_實發生時，預測其比在 干擾電容40和41較高且沿著一裸導體有干擾電抗時更高的 頻率亚非不合理的。如此，第6圖之電路為良好。但其相 當依賴干擾電容40和41之減少，其目前雖然因為使用 而減少’但仍存在太大的數量而|法完全忽略。另 方面，LIMMS之進一步發展可良好地產生跨於其打開接 觸上具有極小干擾電容之單元。

一句話適於傳輸線段39。其製造於一基板上，最可能 為陶究，使用已知技術，其包括但不受限於條狀線，共 面線段以及準同軸傳輸線（如標題為“積體低成本厚膜模組，， 14 1258782 ............................................................................................................................................. 且於2001年六月3日所發出之美國專利中所指導的）。 最後’將體會到雖然我們已顯示了一傳輸線段及其衰 減器部份於第6圖中，但我們亦可使用任何下列電路之 組合：二衰減器部份；-遽波器部份以及一傳輪線部份； 或二個濾波器。 10 15 20 /在參考第7圖’其為-改進之步階衰減器繼電器42 之簡化示意圖。如第6圖十之繼電器33，其亦具有—奸輪 入43和-RF輸出44,在其之間為—衰減器部份作―傳^ 線段50’其之—係由UMMS 45和46來加以選擇以成為^ 過繼電器42之路徑。如第6圖中，我們面對到近於每個 3师之干擾電容於53和54上。在此應用中我們感興趣於使 得步階衰減器繼電器42之可使用頻寬最大化。我們希望做 其他可做的事來減少共振於傳輸線段5〇中之效應。 可藉由包括LIΜ M S開關（繼電器）4 8和4 9來實現傳輸線 之共振之振幅的進-步減少（再次，當選擇衰減^做 為通過路徑時）。其如LIMMS開關45和46—般，配置為如 所π叙起刼作，且如開關45和46所示般。在所示的情況 中（¾擇部份47附近之衰減），終端電阻器R1(5i)和R2(52) 連接至傳輸線段5。之外部末端。所有四個開關 (45,46,48,49) 一致地操作，如此使得當傳輸線段％被選擇 做為^過路徑時’終端電阻器51和52未連接至傳輪線段刈 之末端。將體會到終端電阻器所做的為阻尼任何涉及傳輸 線㈣之振逢共振。終端電阻器幻㈣之較佳的歐姆值 為等於傳輪線段5G之特性阻抗ZG。其使得共振峰變寬，並 15 !258782 土曰加了共振上的阻抗，其企圖並聯衰減器部份38。結果為 對於衰減器之操作有較少干擾，如從RF輸入^至尺^^輸出 35可看到的。 將體會到，如第6圖之情況，第7圖之整個步階衰減器 5繼電器42可製造於一基板上（且最好如此）。 現在苓考第8圖，其為沈積於一基板上之材料之簡化 圖形55(未分離顯示—其處處皆是）來實現第7圖之步階衰

減器電路42。為此目的，類似的項目在二圖形中具有相同 的參考數字，雖然有一些額外的參考數字加至第8圖。關 10於第8圖我們-些話要說，但整體而言，佈局之特性與關 於第2-5圖中之LIMMS所說者十分一致，且恰對應於第了圖 即容易了解。

最好第8圖之整個電路55製造於一單一基板上，且最 好有I-覆蓋區塊（未顯示），其之内部通路以覆蓋區塊 Μ 12匹配於第5圖之基板13上的東西之方式來匹配於第8圖中 者。其更複雜，但更相同，除了在其覆蓋傳輸線段5〇之處 其之"電常數把如何獲得2〇計算在内（即其影響到傳輸 線5〇之“中央導體，，("），如基板之厚度和介電常數）。又， 因為元件50將是傳輸線’且一般為了良好的電氣防護，所 2〇以幾乎必然（且最好）在基板上之下側上有一地端平面。其 亦非分離顯示的，因為如同其所形成處之基板’其處處皆 疋’除了有一穿孔以供互連目的之外。 在第8圖中’小矩形斜線區域（例如63,64,97”.）為形成 與-LIMMS結構之通道中的液態金屬接觸之電極。在每個 16 1258782 玖、發明說羽 下方有-穿孔’如黑點94-96所指出的；與第5圖中之元件 30-32和91-93比較，這些項目與其對應。注意在接觸電極 63和64之間的通道60延伸來接觸電極97。圖式中的通祕 表示了水銀滴在其來回穿梭時所使用之路徑。其為在基板 5上的-區域，沒有CYT0P密封（其為了清楚起見未以任何 其他方式顯示），且亦代表了預定之位置和在覆蓋 ^對應通道之相對寬度。接觸電極(63,64,97，..)顯示為略 宽於通道60以協助正確的操作，即使在組合期間應有一些 輕微的覆蓋區塊安裝閃失。 10 15 20

第8圖之其他感興趣觀點為當其使用來取代衰減器部 份47時，其如何配置來使得對於傳輸線段5〇之干擾最7化 。即，當開關45中之接觸電極1〇〇和1〇1連接時，且開關 中之接觸電極1G2和103連接時。㈣路徑9M9，iq4孰行衰 減器47之所要的取代。部份叫99可為受控阻抗 之一部份，其最少包括導體99。又在所述的情況下（無衰 減）’開關48中之大水銀滴將連接導悲電極63和料，而非 64和97。，然小水銀滴仍與電極97接觸。為了使其實體 存在不會產生一殘端或其他不連續，接觸電極叨之形狀及 在該電極之區域中之水銀通道⑽）之形狀已配置為落在傳 輸線之幾何形狀中。在所示的範例中，其意指通祕具有 -彎曲於其中，以符合導體98和99間之方向上的改變。即 ，小滴將是傳輸線50之一部份’且非作用為一殘端中之“丁 字”末端。即’小滴為足夠小，使得其全部符合電極^彎 曲側。另-方面，當大滴在該位置中肖，其不會繞著彎曲 17 1258782 ^^Slifl ι伸，但在該情況中，其如此做是全然正確的（其須與電 極64形成接觸）。對開關49存在一類似的配置，其連接至 傳輪線50。 目W的經驗指出，在傳輸線段之中央導體之橫截面中 5因為在接觸電極97上方之小水銀滴所產生之輕微局部增加 在與此衰減器繼電器一起使用時，不會產生不利的感應不 連續，高至八至十個十億赫茲頻率。這看起來是因為水銀 滴之直徑如此小之故。高較高頻率上，可能不再繼續為如 此，且可能需要在該位置上之傳輸線之其他幾何/電氣方 1〇面的補償調整來維護一致的特性阻抗。 取後，注意兀件56和57。這些為操作開關48之加熱器 ’且描述為具有平行細線。剩餘開關之其他加熱器為類似 地指示。點58和59表示連接至加熱器之穿孔。元件叫… 為氣體通道，其連接在覆蓋區塊中之凹處至通道6〇。 15 現在參考第9圖，其為第7圖之步階衰減器繼電器之改 進版本65之簡化不意圖。在大部份方面配置為相同，除了 在第9圖中，阻尼電阻器R2(76)及其相關開關”位於靠近（ 最好不要恰位於其上）傳輸線段之中間，線段然❹隔為 部㈣和74。最好為離開中央之位置之理由為在共振時， 2〇在傳輸線之兩末端上有一最大值，而正令央上有_零值。 如此恰在正中央之終端會沒有效率，且取而代之地，需位 於有些離開中央。熟悉傳輸線共振器者會體會到傳輸線之 此内部終端具有直接阻尼比僅以载於傳輸線之末端上所得 到者來得兩的振盤模式。 18 Ϊ258782 玖、著明翻 至於第9圖之平衡，其與第7圖之應對十分清楚。輪 入43和66如RF輸出67和44般對應。衰減器部份忉和川士門 關45和68，開關46和69，以及開關48和71般對應。兩―产 和54對應於77和78。 5 第10圖為簡化的圖形79，其對應於第9圖之吝#的 電器65之電路。其使用與第8圖中所使用者相同之慣例， 且不需進一步的解釋。

最後，第11圖為一對第8，9，和1〇圖中所示之結構之 其他進之簡化圖形80。雖然其電路配置大部份緊密地對應 10於第9和10圖者，但第丨1圖亦使用了與第8圖連結使用者相 同之慣例。注意到開關8 1和82選擇使用衰減器7〇之路徑或 傳輸線段73和74。差異為開關83和84共用一加熱器電阻器 85，且開關86和87共用一加熱器電阻器9〇。加熱器電阻器 83和84仍為分離的，雖然原則上它們亦可以一共用電阻器 15來取代是明顯的，亦可以分離電阻器88和89來做。使此加 熱器電阻器之共用成為可能，因為在此應用中之 關結夥”來一起以一特定樣式來加以操作。 C圖式簡明】 第1圖為一說明先前技藝衰減器繼電器之簡化示意部 2〇 份； 第2A-C圖為一先前技藝spDT液態金屬微動開關 (UMMS)之不同截面W，且其中為了方便起見，在加熱器 顯示為位於通道之相反末端上之同時，其亦顯示為在其之 相同側上； 19 1258782 ........................................................................................................................................................................ 第J圖為類似於第2 A圖之橫截面圖，在一操作 開始丨 衣之 第4A-B圖為第2A-C圖之LIMMS在第3圖中開始之操作 之結尾之橫戴面圖； 5 第5圖為一類似於第2_4圖中所示者之SPD 丁 LIMMS之 刀解圖，但其中加熱器配置於二相對側上，以及在通道之 相對末端上；

第6圖為一改進之衰減器繼電器之簡化示意部份； 第7圖為具有開關之共振阻尼之進一步改進衰減器繼 1〇電器之簡化示意部份； 第8圖為一在其上已製造之第7圖之電路之基板之簡化 圖形； 第9圖為具有一有效共振阻尼之進一步改進之衰減器 繼電器之簡化示意部份；

第10圖為在其上已製造了第9圖之電路之基板之簡化 圖形； 第Π圖為類似於第10圖中所說明者之基板之簡化圖形 ，除了 LIMMS共用特定共同加熱器電阻器之外。 20 1258782 玖、發明說明 【圖式之主要元件代表符號表】 1…衰減器繼電器 2…RF輸入 3…RF輸出 4,5···開關 6…衰減器 7,8…導體 1〇，11···干擾電容 12…覆蓋區塊 13…底部表面 14，15···加熱器 16，17···腔 1 8…通道 19,20···通路 21，22…氣壓 23,24···水銀滴 26,27,28,29,30,3 1，32···穿孔 43…RF輸入 44…RF輸出

45,46."LIMMS 47…衰減器 48,49···開關 50…傳輸線段 51,52···電阻器 53,54···干擾電容 56,57···元件 58,59···穿孔 61，62···氣體通道 60…通道 66…RF輸入 67…RF輸出 68,69···開關 7 0…衰減器 71，72···開關 73,74···路徑 75,76···電阻器 63,64,91，92,93,94,95,96,97, 101，102，103···接觸電極 81，82,83,84,86,87···開關 85···加熱器電阻器 88,89···電阻器 98,99，104···路徑

21

Claims (1)

1258782

1. 一種RF繼電器，其包含： 一基板； 一形成於基板上之第一 SPOT LIMMS，且复夕必 <移 動桿為一 RF輸入； 一形成於基板上之第二SPDT LIMMS，且其之移 動桿為一RF輸出； 10 第一和第二LIMMS組合來一致地操作，如此使得 當於一方向上操作時，每個LIMMS2移動桿接觸該 LIMMS之個別第一開關，且當於其他方向上操作時， 每個LIMMS之移動桿接觸該LIMMS之個別第二開關· 一形成於基板上，且耦合於第一 LIMMS2第一開 關和第二LIMMS之第一開關之間之第_RF電路；以及 一形成於基板上且耦合於第一 UMMS之第二開關 和第二LIMMS之第二開關之間之第二RF電路。 15 2·如申請專利範圍第i項之处繼電器，其中第一和第二 RF電路之一為一衰減器部份。 3.如申請專利範圍第1項之RF繼 豆 灯電路之一為—長度之受控阻抗傳輸線弟—和弟 4·如申睛專利範圍第1項之RF繼電器 20 ，其中第一 RF電路 長度之受控阻抗傳 為—衰減器份，且第二RF電路為一 輸線。 5·如申請專利範圍第1項之RF繼電器，其中第一 RF，路皆為衰減器部份。 ^ 6·如申請專利範圍第1項之RF繼電器，其巾第—和第 22 RF電路之一為一濾波器。 7. —種RF繼電器，其包含： 一基板； 一形成於基板上，且其移動桿為一RF輸入之第一 SPDT LIMMS ； 一形成於基板上，且其移動桿為一RF輸出之第二 SPDT LIMMS ； 第一和第二LIMMS組合一致地操作，如此使得當 於一方向上操作時，每個LIMMS之移動桿與該LIMMS 之一個別第一開關接觸，且當於其他方向上操作時， 每個LIMMS之移動桿與該LIMMS之個別第二開關接觸； 一形成於基板上，且耦合於第一 LIMMS之第一開 關和第二LIMMS之第一開關之間之RF電路； 一形成於基板上，且其之移動桿耦合至第一 LIMMS之第二開關之第三LIMMS ; 一形成於基板上，且其之移動桿耦合至第二 LIMMS之第二開關之第四LIMMS ; 第三和第四LIMMS組合來一致地操作，如此使得 當於一方向上操作時，每個之移動桿與每個之個別第 一開關接觸，且於其他方向上操作時，每個移動桿未 與每個之個別第一開關接觸； 耦合於第三LIMMS之移動桿之第四LIMMS之移動 桿之間之一長度的受控阻抗傳輸線；以及 .耦合於一 RF地端和第三LIMMS之第一開關之間的 1258782 拾、申諝專稲麗 第一終端電阻；以及 耦合於一 RF地端和第四LIMMS之第一開關之間的 第二終端電阻。 8. 如申請專利範圍第7項之RF繼電器，其中RF電路為一 5 衰減器部份。 9. 一種RF繼電器，其包含： 一基板；

一形成於基板上，且其移動桿為一RF輸入之第一 SPDT LIMMS ； 10 一形成於基板上，且其移動桿為一 RF輸出之第二 SPDT LIMMS ； 第一和第二LIMMS組合一致地操作，如此使得當 於一方向上操作時，每個LIMMS之移動桿與該LIMMS 之一個別第一開關接觸，且當於其他方向上操作時， 15 每個LIMMS之移動桿與該LIMMS之個別第二開關接觸；

一形成於基板上’且輕合於第一 LIMMS之第一開 關和第二LIMMS之第一開關之間之RF電路； 第三和第四LIMMS組合來一致地操作，如此使得 當於一方向上操作時，每個之移動桿與每個之個別第 20 一開關接觸，且於其他方向上操作時，每個移動桿未 與每個之個別第一開關接觸； 第一 LIMMS之第二開關耦合至第三LIMMS之移動 桿； 一耦合於第四LIMMS之移動桿和第二LIMMS之第 24 1258782 拾、申ί縛利 二開闕之間的弟一長度之受控阻抗傳輸婷： 一合於第四LIMMS之移動桿和第二UMMS之第二 開關之間的第二長度之受控阻抗傳輸線； 第一和第二UMMS與第三和第四UMMS_起操作 ’如此使得當第一和第二ILMMS之—的移動桿與其個 別第-開關接觸時，第三和第四UMMs之移動桿接觸 其個別第一開關； ,7TJ r日:

的第一終端電阻；以及 10 輕合™也端和第四LIMMS之第， 弟二終端電阻。 、 !〇_如申请專利範圍第9項 ^貝之RF龜電态，其中RF電路A — 衰減器部份。 辱马

25