JPS6336595A - 厚膜パタ−ンの形成方法 - Google Patents
厚膜パタ−ンの形成方法Info
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- JPS6336595A JPS6336595A JP17892286A JP17892286A JPS6336595A JP S6336595 A JPS6336595 A JP S6336595A JP 17892286 A JP17892286 A JP 17892286A JP 17892286 A JP17892286 A JP 17892286A JP S6336595 A JPS6336595 A JP S6336595A
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ガラス−セラミンク基板上に薄膜及び厚膜の２層からな
る表面パターンを形成し該基板と表面パターンの密着強
度を向上させる。
る表面パターンを形成し該基板と表面パターンの密着強
度を向上させる。
本発明は厚膜パターンの形成方法に係り、特にガラス−
セラミック基板の厚膜パターン（表面パターン）の密着
強度を向上させる厚膜パターンの形成方法に関する。
セラミック基板の厚膜パターン（表面パターン）の密着
強度を向上させる厚膜パターンの形成方法に関する。
ガラス−セラミック基板は誘電率が低く、しかも熱膨張
率がチン゛プ材質のＳｉに近い等の特性を有しているた
め、ＬＳＩの高密度実装基板として期待されている。こ
の基板を使用するためには、素子からの発熱を冷却する
ための方法が重要となる。この冷却方法の一つとして素
子をフルオロカーボンの冷却用液体に浸漬することによ
って冷却する液冷法が知られている。第２図に示すよう
にこの冷却用液体（冷媒）４は基板１上に形成された厚
膜導体パターン２にはんだ５で直接はんだ付けされた金
属性フランジ内３に収納される。素子の動作中液温はほ
ぼ大気と同程度になりフランジ５内圧力はマイナスとな
りそのためフランジ凸部はへこみ、一方フランジのはん
だ付は部、従って厚膜導体を基板から剥難しようとする
力が働く。
率がチン゛プ材質のＳｉに近い等の特性を有しているた
め、ＬＳＩの高密度実装基板として期待されている。こ
の基板を使用するためには、素子からの発熱を冷却する
ための方法が重要となる。この冷却方法の一つとして素
子をフルオロカーボンの冷却用液体に浸漬することによ
って冷却する液冷法が知られている。第２図に示すよう
にこの冷却用液体（冷媒）４は基板１上に形成された厚
膜導体パターン２にはんだ５で直接はんだ付けされた金
属性フランジ内３に収納される。素子の動作中液温はほ
ぼ大気と同程度になりフランジ５内圧力はマイナスとな
りそのためフランジ凸部はへこみ、一方フランジのはん
だ付は部、従って厚膜導体を基板から剥難しようとする
力が働く。
その場合どこか一ケ所でも密着強度が弱い部分がここに
使う厚膜Ｃｕペーストの基板に対する密着強度は０−７
ｋｇ／ａｍ２あるが、フランジの密着強度となると０．
１ ｋｇ ／ ａｍ ”に低下してしまう。なお、Ｑ、
７ｋｇ／＋ｕ２の値は２鰭×２ｍ１で評価したものであ
る。
使う厚膜Ｃｕペーストの基板に対する密着強度は０−７
ｋｇ／ａｍ２あるが、フランジの密着強度となると０．
１ ｋｇ ／ ａｍ ”に低下してしまう。なお、Ｑ、
７ｋｇ／＋ｕ２の値は２鰭×２ｍ１で評価したものであ
る。
上記問題点は本発明によれば、ガラス−セラミック基板
上の厚膜パターンの形成方法において、該ガラス−セラ
ミ・ツク基板上に下地膜として薄膜でパターンを形成し
た後、該薄膜パターン上に前記厚膜パターンを形成する
ことを特徴とする厚膜パターンの形成方法によって解決
される。
上の厚膜パターンの形成方法において、該ガラス−セラ
ミ・ツク基板上に下地膜として薄膜でパターンを形成し
た後、該薄膜パターン上に前記厚膜パターンを形成する
ことを特徴とする厚膜パターンの形成方法によって解決
される。
本発明によれば厚膜の下地層として薄膜層がガラス−セ
ラミック基板に均一に付着されているので全体の膜の密
着強度が太き（なる。さらに厚膜導体がフランジのはん
だ付は強度を大きくしているため、モジュール全体とし
ての接合部分の強度が大きくなる。
ラミック基板に均一に付着されているので全体の膜の密
着強度が太き（なる。さらに厚膜導体がフランジのはん
だ付は強度を大きくしているため、モジュール全体とし
ての接合部分の強度が大きくなる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面に基づき説明する。
粒径３〜４μｍのアルミナ粉末５０部、粒径３〜４μｍ
のはうけい酸ガラス５０部にＰＭＭＡ樹脂等有機バイン
ダー、テルピネオール等の溶剤を混合しボールミリング
を行なった。得られたスラリーでドクターブレード法に
よって０．３重富厚さのグリーンシートを作製した。こ
のグリーンシートを２０枚積層した。、次に大気雰囲気
中、１０００℃で焼成し、ガラス−セラミック基板を作
製した。スパッタ装置を用いてこの基板１表面にＴｉを
厚さ５００人にスパッタし、Ｔｉ薄膜パターン７を形成
した。さらに同様にＣｒをＴｉ薄膜パターン７に１００
０人にスパッタしＣｒ薄膜パターン８を形成した。これ
によりＴｉ −Ｃｒ １５００人の薄膜層（下地Ｎ）１
０が形成された。その後この下地層１０の上にＣｕペー
ストをスクリーン印刷し、窒素雰囲気中、９００℃で２
０分間焼成し、Ｃｕ厚膜導体パターン２、を得た。この
導体パターン２を形成した基板１に、Ｎｉ製のフランジ
３を６７４はんだ６を用い、導体部で接続する。そして
このフランジ部と導体の密着強度を測定し、その結果を
従来法と共に第１表に示す。
のはうけい酸ガラス５０部にＰＭＭＡ樹脂等有機バイン
ダー、テルピネオール等の溶剤を混合しボールミリング
を行なった。得られたスラリーでドクターブレード法に
よって０．３重富厚さのグリーンシートを作製した。こ
のグリーンシートを２０枚積層した。、次に大気雰囲気
中、１０００℃で焼成し、ガラス−セラミック基板を作
製した。スパッタ装置を用いてこの基板１表面にＴｉを
厚さ５００人にスパッタし、Ｔｉ薄膜パターン７を形成
した。さらに同様にＣｒをＴｉ薄膜パターン７に１００
０人にスパッタしＣｒ薄膜パターン８を形成した。これ
によりＴｉ −Ｃｒ １５００人の薄膜層（下地Ｎ）１
０が形成された。その後この下地層１０の上にＣｕペー
ストをスクリーン印刷し、窒素雰囲気中、９００℃で２
０分間焼成し、Ｃｕ厚膜導体パターン２、を得た。この
導体パターン２を形成した基板１に、Ｎｉ製のフランジ
３を６７４はんだ６を用い、導体部で接続する。そして
このフランジ部と導体の密着強度を測定し、その結果を
従来法と共に第１表に示す。
第１表から明らかなように本発明では従来法の６倍の強
度が得られた。
度が得られた。
本実施例では下地層としてガラス−セラミ・７り基板１
となじみの良いＴｉ及びＣｒを用いたがその他Ｓｉ、Ａ
／等を用いることができる。
となじみの良いＴｉ及びＣｒを用いたがその他Ｓｉ、Ａ
／等を用いることができる。
以上説明したように、本発明によればガラス−セラミッ
ク基板と厚膜パターンの密着強度を向上させることがで
きる。
ク基板と厚膜パターンの密着強度を向上させることがで
きる。
第１Ａ図から第１Ｄ図は本発明の一実施例を説明するた
め工程断面図であり、第２図は従来例を説明するための
断面図である。。 １・・・基板、 ２”・・・厚膜導体、 ３・・・フラ
ンジ、４・・・冷却用液体、 ５・・・は
んだ、７・・・Ｔｉ厚膜層パターン、 ８・・・Ｃｒ薄膜層パターン、 １０・・・下地層。
め工程断面図であり、第２図は従来例を説明するための
断面図である。。 １・・・基板、 ２”・・・厚膜導体、 ３・・・フラ
ンジ、４・・・冷却用液体、 ５・・・は
んだ、７・・・Ｔｉ厚膜層パターン、 ８・・・Ｃｒ薄膜層パターン、 １０・・・下地層。
Claims (1)
- １、ガラス−セラミック基板上の厚膜パターンの形成方
法において、該ガラス−セラミック基板（１）上に下地
膜として薄膜パターン（１０）を形成した後、該蒲膜パ
ターン上に前記厚膜パターン（２）を形成することを特
徴とする厚膜パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17892286A JPH0648752B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 厚膜パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17892286A JPH0648752B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 厚膜パタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6336595A true JPS6336595A (ja) | 1988-02-17 |
| JPH0648752B2 JPH0648752B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=16056991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17892286A Expired - Fee Related JPH0648752B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 厚膜パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648752B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995034608A1 (fr) * | 1994-06-10 | 1995-12-21 | Asahi Glass Company Ltd. | Substrat enduit d'un sel hydrosoluble |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP17892286A patent/JPH0648752B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995034608A1 (fr) * | 1994-06-10 | 1995-12-21 | Asahi Glass Company Ltd. | Substrat enduit d'un sel hydrosoluble |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0648752B2 (ja) | 1994-06-22 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |