JPS6335418Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は多数のダイオードについて、順方向電
圧降下，逆方向洩れ電流の高速測定を行うのに適
したダイオード特性測定回路に関する。

第１図は従来のダイオード特性測定回路例を示
し、１は供試ダイオード、２は定電流源、３は定
電圧源、４，５，６，７はリレー接点、８は電流
電圧変換回路で、リレー接点は４，６及び５，７
がそれぞれ一組となり、各組の開閉は互いに逆に
行われる。供試ダイオード１の順方向電圧降下
V_Fを測定するには、リレー接点４，６を閉じ、
５，７を開いて、定電流源２により供試ダイオー
ド１に順方向に所定電流を流させ、その時ダイオ
ード両極間に生じた順方向電圧降下V_Fを適当な
手段で測定する。また供試ダイオード１の逆方向
洩れ電流I_Rを測定するには、リレー接点５，７を
閉じ、４，６を開いて、定電圧源３により供試ダ
イオード１に逆方向に所定電圧を印加し、その時
ダイオードに流れる逆方向洩れ電流I_Rを電流電圧
変換回路８を介して比較的大きい電圧として測定
する。しかし、リレー接点には周知の如く種々の
欠点があり、特にこの回路のように低電圧，小電
流を扱い、かつ極めて多数の供試品について高速
測定を繰返し行わなければならない場合には、欠
点の影響は顕著，深刻である。固体金属接点の場
合にはまず接点面の酸化による接触不良が生じ易
く、材質を白金系にしたり、真空中あるいは不活
性気体中で動作させるようにしても余り効果はな
い。水銀スイツチを用いれば接触不良は減少する
にしても取扱に注意を要し、大形高価であり、大
形なため開閉動作の高速化の限界が低く、使用中
水銀が次第によごれて容器内壁に付着し低電圧回
路のしや断不確実となることがある。すなわちダ
イオードの如き量産品の高速測定にリレー接点を
用いることは信頼性の面から問題がある。

本考案の目的は上記の様な問題のない、ダイオ
ード量産現場における高速測定用に適したダイオ
ード特性測定回路を提供することにある。

上記目的を達成するために本考案においては、
リレー接点を用いず、回路接続制御は半導体素子
を用いて行うこととした。しかし前記従来の回路
のリレー接点を、単に、例えば市販品のいわゆる
半導体スイツチに置換するだけでは、測定値に影
響する場合があり、FETによるアナログスイツ
チなどは使用できない。そこで本考案において
は、スイツチ素子そのものの改善，半導体化では
なく、回路的にも改変し、簡単なダイオードスイ
ツチ，トランジスタ飽和スイツチ，電流モードス
イツチ等を組合せることにより全体として半導体
化を行うこととした。

第２図は本考案の実施例図である。図中、９は
半導体素子回路により出力断続可能な定電流源
（スイツチ付き定電流源とよぶ）、１０は半導体素
子回路により出力断続可能な定電圧源（スイツチ
付き定電圧源とよぶ）、１１はスイツチダイオー
ド、１２は差動増幅器で、１，８は第１図の場合
同様それぞれ供試ダイオード，電流電圧変換回路
である。第３図はスイツチ付き定電流源９の回路
例図で、１３は定電流源トランジスタ、１４はス
イツチトランジスタ、１５は定電流源抵抗、V_st1
は基準電圧、V_sw1はスイツチ電圧で、V_sw1がV_st1
より低ければ基準電圧V_st1と定電流抵抗とで定ま
る定電流I_csが供給され、V_sw1がV_st1を超えればス
イツチトランジスタ１４が導通し定電流供給はし
や断される。更に第４図はスイツチ付き定電圧源
１０の回路例図で、１６は定電圧源トランジス
タ、１７はスイツチトランジスタ、１８はバイア
ス抵抗、V_st2は基準電圧、V_sw2はスイツチ電圧
で、V_sw2が第２〜４図中の低電圧−Ｖ以下（ま
たは断）ならばスイツチトランジスタ１７は導通
せず、基準電圧V_st2にほぼ等しい定電圧V_csが供
給されるが、スイツチ電圧V_sw2が高くなりスイ
ツチトランジスタ１７が導通すれば定電圧の供給
はしや断される。スイツチ電圧V_sw1が低く定電
流I_csが供給され、一方スイツチ電圧V_sw2が高く
定電圧V_csが供給されない状態では、定電流I_csが
供試ダイオード１を順方向に通過し、その際ダイ
オード１の両極間に生じた順方向電圧降下は差動
増幅器１２を介して測定される。またスイツチ電
圧V_sw1が高くて定電流I_csが供給されず、他方ス
イツチ電圧V_sw2が低くて定電圧V_csが供給される
状態では、定電圧V_csが供試ダイオード１に逆方
向に印加され、そのためダイオード１を通つて流
れる逆方向洩れ電流は、電流電圧変換回路８を流
れ、この回路の両端間の比較的大きい電圧に変換
され測定される。スイツチダイオード１１は順方
向電流を流し、逆方向電圧をしや断する。

以上説明したように本考案によるダイオード特
性測定回路は構成が比較的簡単で、回路接続状態
の変更はスイツチトランジスタのベース電位変更
で行ない、従来の回路のリレー接点の如く直接測
定値に大きく影響する個所を開閉するのではない
から、多数の供試ダイオードについて長期間連続
して十分信頼性の高い測定を行うことができ、保
守も容易で、しかも水銀スイツチの如き物は不要
なので従来回路より原価も低減するなどの効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のダイオード特性測定回路例図、
第２図は本考案実施例図、第３図は本考案に係る
スイツチ付き定電流源の回路例図、第４図は本考
案に係るスイツチ付き定電圧源の回路例図であ
る。 １……供試ダイオード、８……電流電圧変換回
路、９……スイツチ付き定電流源、１０……スイ
ツチ付き定電圧源、１１……スイツチダイオー
ド、１２……差動増幅器、１３……定電流源トラ
ンジスタ、１４……スイツチトランジスタ、１５
……定電流源抵抗、１６……定電圧源トランジス
タ、１７……スイツチトランジスタ、１８……バ
イアス抵抗、V_st1，V_st2……基準電圧、V_sw1，
V_sw2……スイツチ電圧。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 供試ダイオード１のアノードを、スイツチダイ
   オード１１、差動増幅器１２の一方の入力端子、
   および電流電圧変換回路８に、また供試ダイオー
   ド１のカソードを、差動増幅器１２の他方の入力
   端子、半導体素子回路により出力断続可能な定電
   流源９、および半導体素子回路により出力断続可
   能な定電圧源１０に接続し、定電流源９と定電圧
   源１０の出力を交互に逆に断続させて、供試ダイ
   オード１に定電流源９により順方向に所定電流を
   流したときの順方向電圧降下V_Fを差動増幅器１
   ２を介して、また供試ダイオード１に定電圧源１
   ０により逆方向に所定電圧を印加したときの逆方
   向洩れ電流I_Rを電流電圧変換回路８を介して交互
   に測定するようにした、測定回路の接続制御に半
   導体素子を用いてリレー接点を不要にしたことを
   特徴とするダイオード特性測定回路。