JPS6335326A - 光デイスク基板の製造法 - Google Patents
光デイスク基板の製造法Info
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- JPS6335326A JPS6335326A JP17875086A JP17875086A JPS6335326A JP S6335326 A JPS6335326 A JP S6335326A JP 17875086 A JP17875086 A JP 17875086A JP 17875086 A JP17875086 A JP 17875086A JP S6335326 A JPS6335326 A JP S6335326A
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- mold clamping
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/263—Moulds with mould wall parts provided with fine grooves or impressions, e.g. for record discs
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はコンパクトディスク（ＣＤ）、ビデオディスク
（ＶＤ）、光ディスク等の光学式レコードディスクに用
いるプラスチックディスクの射出成形法に関する。
（ＶＤ）、光ディスク等の光学式レコードディスクに用
いるプラスチックディスクの射出成形法に関する。
ＣＤ、ＶＤ、光ディスク等の光学式レコードディスクは
情報信号の記録再生に光を利用しており、基板内部の複
屈折や基板の変形等が大きな問題となる。従来、基板の
製造は、ガラス基板上にフォトポリマーを用いて微細溝
を設ける、いわゆるＧ／２Ｐ法を利用した製法やプラス
チック板を加熱圧縮することにより微細溝を設けながら
成形する圧縮成形法、その他射出成形法等が試行されて
いる。中でも量産性のよさから射出成形法が中心に検討
されている。
情報信号の記録再生に光を利用しており、基板内部の複
屈折や基板の変形等が大きな問題となる。従来、基板の
製造は、ガラス基板上にフォトポリマーを用いて微細溝
を設ける、いわゆるＧ／２Ｐ法を利用した製法やプラス
チック板を加熱圧縮することにより微細溝を設けながら
成形する圧縮成形法、その他射出成形法等が試行されて
いる。中でも量産性のよさから射出成形法が中心に検討
されている。
従来の射出成形法では、ディスクのへ°心から樹脂を流
し込むため中心部と周辺部とで圧力差か生じ大きな複屈
折と変形とが生じやすかった。この問題を解消するため
樹脂を高速で型の中に流し込み、瞬間的に保圧をかける
という成形法か行なわれてきた。この方法では樹脂の充
填に要する時間は０．１−１．０秒、保圧時間は０．１
〜１．０秒程度であった。その時の型締力は樹脂圧の数
倍〜数十倍の力を加え型が絶対に開かない様に設定され
ていた。
し込むため中心部と周辺部とで圧力差か生じ大きな複屈
折と変形とが生じやすかった。この問題を解消するため
樹脂を高速で型の中に流し込み、瞬間的に保圧をかける
という成形法か行なわれてきた。この方法では樹脂の充
填に要する時間は０．１−１．０秒、保圧時間は０．１
〜１．０秒程度であった。その時の型締力は樹脂圧の数
倍〜数十倍の力を加え型が絶対に開かない様に設定され
ていた。
型の中に高速に流れ込んできた樹脂は金型壁面に激しく
衝突し、そのため強烈な内部応力を発生し基板内部の複
屈折や変形の増大を招くという結果になっていた。第６
図に光ディスク基板の従来の製法を実施中の成形機の断
面を示す。ここで型締力ｐ、は射出圧力Ｑ１より十分大
きく設定されており、高速射出された樹脂は大きな衝撃
力を受ける事になる。
衝突し、そのため強烈な内部応力を発生し基板内部の複
屈折や変形の増大を招くという結果になっていた。第６
図に光ディスク基板の従来の製法を実施中の成形機の断
面を示す。ここで型締力ｐ、は射出圧力Ｑ１より十分大
きく設定されており、高速射出された樹脂は大きな衝撃
力を受ける事になる。
本発明は、前記従来例における高速に流れ込む樹脂が金
型に激しく衝突する際の８Ｒ軍力を、型締力を徐々に扱
くことにより緩和し、基板内部の複屈折や変形を極めて
小さいものとすることのできる光ディスク基板の製造法
を、提供することを目的とする。
型に激しく衝突する際の８Ｒ軍力を、型締力を徐々に扱
くことにより緩和し、基板内部の複屈折や変形を極めて
小さいものとすることのできる光ディスク基板の製造法
を、提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
上記の目的は以下の本発明によって達成される。すなわ
ち、射出成形により光ディスク基板を製造する方法にお
いて、型への樹脂充填中に型締力を弱めることを特徴と
する光ディスク基板の製造法である。
ち、射出成形により光ディスク基板を製造する方法にお
いて、型への樹脂充填中に型締力を弱めることを特徴と
する光ディスク基板の製造法である。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１〜第３図は本発明の一実施例の過程を順に示した図
である。各図にその模式断面が示される成形機は、可動
部Ａ、固定部Ｂ、樹脂供給部Ｃ及び制御部りから成る。
である。各図にその模式断面が示される成形機は、可動
部Ａ、固定部Ｂ、樹脂供給部Ｃ及び制御部りから成る。
可動部Ａは可動側プラテン１と可動側型２から構成され
ており、固定部Ｂは成形品の外周を形作る外周リング３
、樹脂が流れ込む湯道４が設けられた固定側型５と成形
機スタンピングプラテン６、及び成形機固定側プラテン
７を主要部として構成されている。
ており、固定部Ｂは成形品の外周を形作る外周リング３
、樹脂が流れ込む湯道４が設けられた固定側型５と成形
機スタンピングプラテン６、及び成形機固定側プラテン
７を主要部として構成されている。
樹脂供給部Ｃは、樹脂を押出すスクリュー８と、スクリ
ュー駆動用油圧シリンダ９とを主要部として構成されて
いる。ＩＯはスタンピングプラテン駆動用油圧シリンダ
、１１は成形品の厚さ検出用のマイクロメーターである
。制御部りは、スクリュー駆動用油圧シリンダ９とスタ
ンピングプラテン駆動用油圧シリンダｌＯの油圧を制御
可能となっている。
ュー駆動用油圧シリンダ９とを主要部として構成されて
いる。ＩＯはスタンピングプラテン駆動用油圧シリンダ
、１１は成形品の厚さ検出用のマイクロメーターである
。制御部りは、スクリュー駆動用油圧シリンダ９とスタ
ンピングプラテン駆動用油圧シリンダｌＯの油圧を制御
可能となっている。
第１図は樹脂射出前の状態を示す図で、成形機スタンピ
ングプラテン６により型締力Ｐ０が設定され、キャビテ
ィ１２はマイクロメータ１１により厚さｄｏとなるよう
設定される。本実施例では型締力Ｐ０は射出圧ｑ、より
十分大きく設定されており、樹脂が射出された瞬間に型
が開くことはない。一般に溶融樹脂をｏ、ｔ−ｔ、ｏ秒
の高速で射出する場合、射出圧力の立ち上り（サージ圧
）は瞬間的には設定圧力の２〜３倍になる。したがって
、射出した瞬間の型締力は射出圧力の最低２倍程度は必
要である。つまり、 ＰｏをＱｌ より十分大きく設定
しておけば型は開かない。
ングプラテン６により型締力Ｐ０が設定され、キャビテ
ィ１２はマイクロメータ１１により厚さｄｏとなるよう
設定される。本実施例では型締力Ｐ０は射出圧ｑ、より
十分大きく設定されており、樹脂が射出された瞬間に型
が開くことはない。一般に溶融樹脂をｏ、ｔ−ｔ、ｏ秒
の高速で射出する場合、射出圧力の立ち上り（サージ圧
）は瞬間的には設定圧力の２〜３倍になる。したがって
、射出した瞬間の型締力は射出圧力の最低２倍程度は必
要である。つまり、 ＰｏをＱｌ より十分大きく設定
しておけば型は開かない。
樹脂射出中にキャビティ１２が開いていくので樹脂射出
前のこの時点ではキャビテｆの厚さｄｏはキャビティの
最終的な厚さｄｌよりやや薄くなる様に設定されている
。このような設定するのは次の理由による。樹脂はキャ
ビティへの充填中に金型壁面より熱を奪われ冷却固化し
樹脂の通れる隙間が徐々に狭くなってくる。前述の如く
樹脂がキャビティ充填中にキャビティを押し広げていく
ようにしてやれば、樹脂流路が確保され、それ程高い射
出圧力を要さず、常に一定の圧力でキャビティに流れ込
むことができる。そのため樹脂には高い内部応力か発生
することがなく好ましいからである。
前のこの時点ではキャビテｆの厚さｄｏはキャビティの
最終的な厚さｄｌよりやや薄くなる様に設定されている
。このような設定するのは次の理由による。樹脂はキャ
ビティへの充填中に金型壁面より熱を奪われ冷却固化し
樹脂の通れる隙間が徐々に狭くなってくる。前述の如く
樹脂がキャビティ充填中にキャビティを押し広げていく
ようにしてやれば、樹脂流路が確保され、それ程高い射
出圧力を要さず、常に一定の圧力でキャビティに流れ込
むことができる。そのため樹脂には高い内部応力か発生
することがなく好ましいからである。
ｄｌ−ｄｏの適性値は種々の条件により異なってくる。
ただし、普通の大きさの光ディスク基板では通常Ｏ〜５
０鱗程度の範囲を目安として挙げることができる。
０鱗程度の範囲を目安として挙げることができる。
第２図は樹脂１３が射出圧Ｑ１でキャビティ１２に流入
しつつある所を示す図である。樹脂流入中スタンピング
プラテンの型締力Ｐ０は制御部りにより減圧していき
ｐ、 （ｐ、 ＜ Ｑ＋ ）となる。それにより流入
中の樹脂１３はキャビティの厚さｄｏをｄｌへと押し拡
げながら充填して行く。ｄｏからｄ、ヘキャビティ１２
を押し拡げる量は普通の大きさの光ディスク基板を製造
する場合、通常０〜１００−程度を目安とするとよい。
しつつある所を示す図である。樹脂流入中スタンピング
プラテンの型締力Ｐ０は制御部りにより減圧していき
ｐ、 （ｐ、 ＜ Ｑ＋ ）となる。それにより流入
中の樹脂１３はキャビティの厚さｄｏをｄｌへと押し拡
げながら充填して行く。ｄｏからｄ、ヘキャビティ１２
を押し拡げる量は普通の大きさの光ディスク基板を製造
する場合、通常０〜１００−程度を目安とするとよい。
ただし、 ｄ、≧ｄ２どなるまでキャビティ１２を押し
拡げる必要がある。Ｐｌは、 ｄｏからｄ１ヘキャビテ
ィ１２を押し拡げることができるように決定される。
拡げる必要がある。Ｐｌは、 ｄｏからｄ１ヘキャビテ
ィ１２を押し拡げることができるように決定される。
第３図はキャビティ１２に樹脂が完全に充填されている
状態を示す図である。制御部りは成形品を所望の厚さに
設定するためキャビティの厚さをマイクロメータ１１で
検出しながらスタンピングプラテン型締力を制御し、そ
の力をＰ、からＰ２とする。このとき充填された樹脂が
逆流しない程度の保圧力Ｑ２をかけておく。スタンピン
グプラテンの型締力Ｐ２は成形品が冷却固化完了するま
でその時々の温度、体積を検出しながら徐々に減圧制御
する。
状態を示す図である。制御部りは成形品を所望の厚さに
設定するためキャビティの厚さをマイクロメータ１１で
検出しながらスタンピングプラテン型締力を制御し、そ
の力をＰ、からＰ２とする。このとき充填された樹脂が
逆流しない程度の保圧力Ｑ２をかけておく。スタンピン
グプラテンの型締力Ｐ２は成形品が冷却固化完了するま
でその時々の温度、体積を検出しながら徐々に減圧制御
する。
以上の方法により、射出樹脂が金型に衝突する際の衝撃
力を緩和することができ、良質な光ディスク基板が製造
できる。
力を緩和することができ、良質な光ディスク基板が製造
できる。
本発明の効果を実現するためには、成形機スタンピング
プラテンの様なもので必ずしも型締力を制御しなくても
よい。第４図に示すような直圧式成形機の場合は型締油
圧シリンダ１４の圧力を前述の様にＰ０→Ｐ１→Ｐ２と
制御してもよいし、第５図のような型の中に油圧シリン
ダ１５を設けた成形機を用いて、同様にＰｏ→ＰＩ−＋
Ｐ２と作用させてもよい。
プラテンの様なもので必ずしも型締力を制御しなくても
よい。第４図に示すような直圧式成形機の場合は型締油
圧シリンダ１４の圧力を前述の様にＰ０→Ｐ１→Ｐ２と
制御してもよいし、第５図のような型の中に油圧シリン
ダ１５を設けた成形機を用いて、同様にＰｏ→ＰＩ−＋
Ｐ２と作用させてもよい。
以上説明したように溶融樹脂を充填中に型締力をＰ、
−） Ｐ、に減圧させ樹脂がキャビティをｄｏからｄｌ
に押し拡げる様にして流入させることにより、樹脂が
金型壁面に激しく衝突する際の衝撃力が緩和され、その
結果として樹脂内の内部応力が小さくなり、基板の内部
複屈折や変形を極めて小さくすることが可能となった。
−） Ｐ、に減圧させ樹脂がキャビティをｄｏからｄｌ
に押し拡げる様にして流入させることにより、樹脂が
金型壁面に激しく衝突する際の衝撃力が緩和され、その
結果として樹脂内の内部応力が小さくなり、基板の内部
複屈折や変形を極めて小さくすることが可能となった。
第１〜第３図に示した順に従って直径２００ ｍｍ、厚
さ１．２０１１の光ディスク基板を成形した。使用した
樹脂は音大化成（株）ポリカーボネート樹脂、使用した
成形機は住友重機２００トン射出成形機である。
さ１．２０１１の光ディスク基板を成形した。使用した
樹脂は音大化成（株）ポリカーボネート樹脂、使用した
成形機は住友重機２００トン射出成形機である。
成形条件は以下に示すとおりである。
ｔｏｏ、１秒 ｔ、 ０．３秒 し、２０〜３０秒
ＰＯ５１０にｇ７ｃｍ ２ ｄｏｌ、＋５０１１１１１１ ｈ １２７にｇ／ｃｒｎ ’ Ｑｌ １９１Ｋｇ／
ｃｍ ２ｄｌ ｌ、１２５ ｍｍ Ｐ２樹脂充填 Ｑ２ １９１Ｋｇ／ｃｍ ２完了
時１９１８ｇ７ｃｍ ２ 型開き 置部ＯＫｇ／ａｍ ２ ｄ２１．２００１１１１１１ 完成した光ディスク基板は、樹脂充填中型締力を一定に
して成形した光ディスク基板に対して複屈折が２０〜５
０ｎｍ程度改善されていた。成形条件と結果を第７図（
Ａ）、（Ｂ）に示す。
ＰＯ５１０にｇ７ｃｍ ２ ｄｏｌ、＋５０１１１１１１ ｈ １２７にｇ／ｃｒｎ ’ Ｑｌ １９１Ｋｇ／
ｃｍ ２ｄｌ ｌ、１２５ ｍｍ Ｐ２樹脂充填 Ｑ２ １９１Ｋｇ／ｃｍ ２完了
時１９１８ｇ７ｃｍ ２ 型開き 置部ＯＫｇ／ａｍ ２ ｄ２１．２００１１１１１１ 完成した光ディスク基板は、樹脂充填中型締力を一定に
して成形した光ディスク基板に対して複屈折が２０〜５
０ｎｍ程度改善されていた。成形条件と結果を第７図（
Ａ）、（Ｂ）に示す。
第１図は本発明の一実施例における樹脂射出前の状態を
示す模式断面図、第２図は該実施例において溶融樹脂が
キャビティ１２の中に流れ込んでいるときの状態及びこ
のときの型締力と射出圧の関係を示すための模式断面図
、第３図は該実施例においてキャビティが最終的な厚さ
に設定されたときの状態及びこのときの型締力と射出圧
の関係を示すための模式図である。第４図と第５図は各
々、本発明の他の実施例を示すための模式断面図、第６
図は従来法を示すための模式断面図である。第７図（Ａ
）、（Ｂ）は実施例の成形条件と結果を示す図である。 Ａ：可動部、 Ｂ：固定部、 Ｃ：樹脂充填部、 Ｄ二制御部、 １：成形機可動プラテン、 ２：可動側型、 ３：外周リング、４：湯道、
５：固定側型、６：成形機スタンピング
プラテン、 ７：成形機固定側プラテン、 ８：スクリュ、 ９：スクリュ駆動用油圧シリンダ、 １０ニスタンピングプラテン駆動用油圧シリンダ、 １にマイクロメータ、 １２：キャビティ、 １３：樹脂、 ｄｏ：射出前のキャビティの厚さ、 ｄｌ：樹脂充填中のキャビティの厚さ、ｄ２：充填完γ
時のキャビティの厚さ、Ｐｏ：射出前の型締力、 Ｐｌ：充填中の型締力、 Ｐ２：保圧・冷却中の型締力、 Ｑｌ：射出圧力、 Ｑ２：保圧力。
示す模式断面図、第２図は該実施例において溶融樹脂が
キャビティ１２の中に流れ込んでいるときの状態及びこ
のときの型締力と射出圧の関係を示すための模式断面図
、第３図は該実施例においてキャビティが最終的な厚さ
に設定されたときの状態及びこのときの型締力と射出圧
の関係を示すための模式図である。第４図と第５図は各
々、本発明の他の実施例を示すための模式断面図、第６
図は従来法を示すための模式断面図である。第７図（Ａ
）、（Ｂ）は実施例の成形条件と結果を示す図である。 Ａ：可動部、 Ｂ：固定部、 Ｃ：樹脂充填部、 Ｄ二制御部、 １：成形機可動プラテン、 ２：可動側型、 ３：外周リング、４：湯道、
５：固定側型、６：成形機スタンピング
プラテン、 ７：成形機固定側プラテン、 ８：スクリュ、 ９：スクリュ駆動用油圧シリンダ、 １０ニスタンピングプラテン駆動用油圧シリンダ、 １にマイクロメータ、 １２：キャビティ、 １３：樹脂、 ｄｏ：射出前のキャビティの厚さ、 ｄｌ：樹脂充填中のキャビティの厚さ、ｄ２：充填完γ
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Claims (1)
- １）射出成形により光ディスク基板を製造する方法にお
いて、型への樹脂充填中に型締力を弱めることを特徴と
する光ディスク基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17875086A JPH07121544B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 光デイスク基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17875086A JPH07121544B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 光デイスク基板の製造法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7159282A Division JP2603056B2 (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 光ディスク基板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6335326A true JPS6335326A (ja) | 1988-02-16 |
| JPH07121544B2 JPH07121544B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=16053933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17875086A Expired - Lifetime JPH07121544B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 光デイスク基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07121544B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01264817A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-23 | Daicel Chem Ind Ltd | 光ディスク用プラスチック基板の射出成形法 |
| JPH05205323A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク基板の製造方法 |
| WO2009015441A1 (en) * | 2007-08-02 | 2009-02-05 | Poppet International Pty Ltd | Moulding tool micrometer adjustment |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP17875086A patent/JPH07121544B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01264817A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-23 | Daicel Chem Ind Ltd | 光ディスク用プラスチック基板の射出成形法 |
| JPH078514B2 (ja) * | 1988-04-18 | 1995-02-01 | ダイセル化学工業株式会社 | 光ディスク用プラスチック基板の射出成形法 |
| JPH05205323A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク基板の製造方法 |
| WO2009015441A1 (en) * | 2007-08-02 | 2009-02-05 | Poppet International Pty Ltd | Moulding tool micrometer adjustment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07121544B2 (ja) | 1995-12-25 |
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