JPS6334269Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6334269Y2 JPS6334269Y2 JP1981078209U JP7820981U JPS6334269Y2 JP S6334269 Y2 JPS6334269 Y2 JP S6334269Y2 JP 1981078209 U JP1981078209 U JP 1981078209U JP 7820981 U JP7820981 U JP 7820981U JP S6334269 Y2 JPS6334269 Y2 JP S6334269Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- soldering iron
- stem
- supply section
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 51
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 18
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L2224/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体製造装置に関し、特に半導体ペ
レツトをマウントする基板に半田を供給する装置
に関する。
レツトをマウントする基板に半田を供給する装置
に関する。
半導体製造装置の一例を第１図に示すと、１は
ヒータ２を内蔵しリードフレームやステム（基
板）３をガイドして移送機構（図示せず）により
間歇的に移送するガイドレール、４はガイドレー
ル１上に定位置に配置された半田供給部で、半田
供給用コレツト５の下端面に半田片６を真空吸着
して降下し加熱状態のステム３上に半田片６を供
給する。７はガイドレール１上の定位置に配置さ
れたペレツト供給部で、ペレツト供給用コレツト
８の下端面に半導体ペレツト（以下単にペレツト
という）９を真空吸着して降下しステム３上の溶
融半田６′上にペレツト９を供給する。
ヒータ２を内蔵しリードフレームやステム（基
板）３をガイドして移送機構（図示せず）により
間歇的に移送するガイドレール、４はガイドレー
ル１上に定位置に配置された半田供給部で、半田
供給用コレツト５の下端面に半田片６を真空吸着
して降下し加熱状態のステム３上に半田片６を供
給する。７はガイドレール１上の定位置に配置さ
れたペレツト供給部で、ペレツト供給用コレツト
８の下端面に半導体ペレツト（以下単にペレツト
という）９を真空吸着して降下しステム３上の溶
融半田６′上にペレツト９を供給する。
ところで、加熱による酸化を防止するためにニ
ツケルメツキしたステムは、ニツケル自体半田馴
みが悪い上、表面に薄い酸化皮膜が形成されると
さらに半田付け性が悪化するため、ペレツト９と
ステム３の熱的接続が不完全となり熱抵抗が劣化
するという問題があつた。
ツケルメツキしたステムは、ニツケル自体半田馴
みが悪い上、表面に薄い酸化皮膜が形成されると
さらに半田付け性が悪化するため、ペレツト９と
ステム３の熱的接続が不完全となり熱抵抗が劣化
するという問題があつた。
そのため半田片６をステム３に供給後、溶融状
態の半田６′をスクラブしたり、超音波振動を印
加することによつてステム３と半田の馴みを良く
することが行われているが、溶融半田６′の表面
に形成された酸化皮膜が半田内に巻き込まれた
り、半田が飛散するという問題があつた。
態の半田６′をスクラブしたり、超音波振動を印
加することによつてステム３と半田の馴みを良く
することが行われているが、溶融半田６′の表面
に形成された酸化皮膜が半田内に巻き込まれた
り、半田が飛散するという問題があつた。
本考案は上記問題点に鑑み提案されたもので、
上記問題を解決した半導体製造装置を提供する。
上記問題を解決した半導体製造装置を提供する。
以下本考案を第２図より説明する。図において
第１図と同一符号は同一物を示し、説明を省略す
る。ここで１０はガイドレール１上の定位置で上
下動する超音波半田ゴテで、コイル１１を巻回し
た磁歪振動子１２の先端にホーン１３を固着しホ
ーン先端部（コテ先）１３ａにヒータ１４を巻回
している。また、このコテ先１３ａには側壁と下
端面に開口し、コテ先１３ａの内部を貫通した半
田供給孔１５を形成している。１６はスプール１
７に巻回された半田１８を繰出して一定長さず
つ、コテ先１３ａの半田供給孔１５に供給する繰
出しローラを示す。なお図示しないが、コイル１
１は超音波発振源に、ヒータ１４はヒータ電源に
それぞれ接続される。
第１図と同一符号は同一物を示し、説明を省略す
る。ここで１０はガイドレール１上の定位置で上
下動する超音波半田ゴテで、コイル１１を巻回し
た磁歪振動子１２の先端にホーン１３を固着しホ
ーン先端部（コテ先）１３ａにヒータ１４を巻回
している。また、このコテ先１３ａには側壁と下
端面に開口し、コテ先１３ａの内部を貫通した半
田供給孔１５を形成している。１６はスプール１
７に巻回された半田１８を繰出して一定長さず
つ、コテ先１３ａの半田供給孔１５に供給する繰
出しローラを示す。なお図示しないが、コイル１
１は超音波発振源に、ヒータ１４はヒータ電源に
それぞれ接続される。
以下この装置を第１図半導体製造装置の半田供
給部４の代りに用い、その動作を第２図乃至５図
より説明する。即ちガイドレール１上に供給され
たステム３をヒータ２によつて加熱しつつ、第３
図に示すように超音波半田ゴテ１０の下方に移送
し、位置決めする。そして第４図に示すように超
音波半田ゴテ１０を降下させコテ先１３ａをステ
ム３に密着させ超音波振動を印加する。さらに第
２図に示すように繰出しローラ１６によつて半田
１８を一定長さ繰出し、半田１８の先端部を半田
供給孔１５に挿入する。これによつて半田供給孔
１５に挿入された半田１８は溶融し、半田供給孔
１５に導かれてコテ先１３ａの下端面からステム
３上に供給される。ステム３上に溶融半田１８′
が供給されると第３図に示すように超音波半田ゴ
テ１０を上昇させ第５図に示すようにペレツト供
給部７でペレツト９を供給し、ステム３を冷却し
てペレツト９のマウントを完了する。
給部４の代りに用い、その動作を第２図乃至５図
より説明する。即ちガイドレール１上に供給され
たステム３をヒータ２によつて加熱しつつ、第３
図に示すように超音波半田ゴテ１０の下方に移送
し、位置決めする。そして第４図に示すように超
音波半田ゴテ１０を降下させコテ先１３ａをステ
ム３に密着させ超音波振動を印加する。さらに第
２図に示すように繰出しローラ１６によつて半田
１８を一定長さ繰出し、半田１８の先端部を半田
供給孔１５に挿入する。これによつて半田供給孔
１５に挿入された半田１８は溶融し、半田供給孔
１５に導かれてコテ先１３ａの下端面からステム
３上に供給される。ステム３上に溶融半田１８′
が供給されると第３図に示すように超音波半田ゴ
テ１０を上昇させ第５図に示すようにペレツト供
給部７でペレツト９を供給し、ステム３を冷却し
てペレツト９のマウントを完了する。
ここでステム３上への半田の供給はステム３に
超音波を印加した状態で溶融状態の半田を供給す
るようにしたから半田馴みが良好で、またコテ先
１３ａを半田を介してステム３に密着させても、
溶融半田内に発生した気泡は半田供給孔１５から
排出されるため、溶融半田１８′の飛散を防止で
き、半田拡げを良好にできる。また半田溶融時に
外気と触れないため酸化皮膜を生じにくく、ステ
ム３とペレツト９の熱的接続を良好にできる。
超音波を印加した状態で溶融状態の半田を供給す
るようにしたから半田馴みが良好で、またコテ先
１３ａを半田を介してステム３に密着させても、
溶融半田内に発生した気泡は半田供給孔１５から
排出されるため、溶融半田１８′の飛散を防止で
き、半田拡げを良好にできる。また半田溶融時に
外気と触れないため酸化皮膜を生じにくく、ステ
ム３とペレツト９の熱的接続を良好にできる。
尚、本考案は上記実施例にのみ限定されること
なく、例えば超音波半田ゴテ１０はホーンの先端
部にヒータを装着した筒状のコテ先を固着したも
のを用い、コテ先の中空部に半田を供給するよう
にしてもよい。また半田は粒状半田を用いてもよ
い。
なく、例えば超音波半田ゴテ１０はホーンの先端
部にヒータを装着した筒状のコテ先を固着したも
のを用い、コテ先の中空部に半田を供給するよう
にしてもよい。また半田は粒状半田を用いてもよ
い。
以上のように、本考案によれば、ステムと半田
の馴みが良く、半田溶融時に半田の酸化が少いた
め、ステムとペレツトの熱的接続が確実となり信
頼性の高い半導体装置を製造できる。また半田溶
融時に半田の飛散も防止できる。
の馴みが良く、半田溶融時に半田の酸化が少いた
め、ステムとペレツトの熱的接続が確実となり信
頼性の高い半導体装置を製造できる。また半田溶
融時に半田の飛散も防止できる。
第１図は半導体製造装置の一例を示す側断面
図、第２図は本考案による半導体製造装置の一例
を示す要部側断面図、第３図乃至第５図は本考案
の動作説明図である。 ３……基板、４′……半田供給部、７……半導
体ペレツト供給部、９……半導体ペレツト、１０
……超音波半田ゴテ、１３ａ……コテ先、１５…
…半田供給孔、１８……半田、１８′……溶融半
田。
図、第２図は本考案による半導体製造装置の一例
を示す要部側断面図、第３図乃至第５図は本考案
の動作説明図である。 ３……基板、４′……半田供給部、７……半導
体ペレツト供給部、９……半導体ペレツト、１０
……超音波半田ゴテ、１３ａ……コテ先、１５…
…半田供給孔、１８……半田、１８′……溶融半
田。
Claims (1)
- 加熱状態の基板上に半田を供給する半田供給部
と、基板上の溶融半田上に半導体ペレツトを供給
する半導体ペレツト供給部とを含む半導体製造装
置において、上記半田供給部は、基板上に上下動
自在に配置され、コテ先に、半田供給孔を貫通す
るとともに、下端面に開口を形成し、かつ、半田
を加熱溶融するためのヒータを設けた超音波半田
ゴテを具備したことを特徴とする半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981078209U JPS6334269Y2 (ja) | 1981-05-28 | 1981-05-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981078209U JPS6334269Y2 (ja) | 1981-05-28 | 1981-05-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57191045U JPS57191045U (ja) | 1982-12-03 |
| JPS6334269Y2 true JPS6334269Y2 (ja) | 1988-09-12 |
Family
ID=29873850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981078209U Expired JPS6334269Y2 (ja) | 1981-05-28 | 1981-05-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6334269Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0614525B2 (ja) * | 1982-12-11 | 1994-02-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
| CH706712A1 (de) * | 2012-07-05 | 2014-01-15 | Besi Switzerland Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Auftragen von Lot auf ein Substrat. |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5123759A (en) * | 1974-08-22 | 1976-02-25 | Asahi Glass Co Ltd | Ekishohyojisoshino fushihoho |
| JPS5582445A (en) * | 1978-12-18 | 1980-06-21 | Matsushita Electronics Corp | Method of bonding semiconductor substrate |
-
1981
- 1981-05-28 JP JP1981078209U patent/JPS6334269Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5123759A (en) * | 1974-08-22 | 1976-02-25 | Asahi Glass Co Ltd | Ekishohyojisoshino fushihoho |
| JPS5582445A (en) * | 1978-12-18 | 1980-06-21 | Matsushita Electronics Corp | Method of bonding semiconductor substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57191045U (ja) | 1982-12-03 |
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