JPS6333837A - コンタクト評価パタ−ン及びコンタクト抵抗の評価方法 - Google Patents
コンタクト評価パタ−ン及びコンタクト抵抗の評価方法Info
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- JPS6333837A JPS6333837A JP17692786A JP17692786A JPS6333837A JP S6333837 A JPS6333837 A JP S6333837A JP 17692786 A JP17692786 A JP 17692786A JP 17692786 A JP17692786 A JP 17692786A JP S6333837 A JPS6333837 A JP S6333837A
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は１例えば半導体装置等における異なる層間のコ
ンタクトホールを熱加速評価するためのパターン及びそ
の評価方法に関する。
ンタクトホールを熱加速評価するためのパターン及びそ
の評価方法に関する。
従来の技術
従来、半導体基板上の異なる二つの層のコンタクト部分
の熱的な劣化を調べるには次の様な方法をとっていた。
の熱的な劣化を調べるには次の様な方法をとっていた。
それは、コンタクト抵抗を測定するパターンを含むウェ
ハーをダイシングし、小片とし、パッケージングを行い
、電気炉に入れて熱加速する評価方法である。
ハーをダイシングし、小片とし、パッケージングを行い
、電気炉に入れて熱加速する評価方法である。
発明が解決しようとする問題点
従来の方法による熱加速試験では、ウェハーをダイシン
グし、パッケージングするのに、非常に時間、コストを
必要としていた。また、パッケージングする際、熱処理
を受けるなど、本来の特性とは変わったものになる可能
性があった。さらに、電気炉では一般に細かなきざみて
温度をかえることは困難であった。
グし、パッケージングするのに、非常に時間、コストを
必要としていた。また、パッケージングする際、熱処理
を受けるなど、本来の特性とは変わったものになる可能
性があった。さらに、電気炉では一般に細かなきざみて
温度をかえることは困難であった。
本発明者は５以上の様な従来のコンタクト熱加速評価の
方法の問題にかんがみて、種々検討した結果１本発明に
至ったのである。
方法の問題にかんがみて、種々検討した結果１本発明に
至ったのである。
問題点を解決するだめの手段
前述の問題点を解決するために次の方法をとる。
第１の層と第２の層からなる複数配線体をコンタクトホ
ールを介して並べる。次に前記第１層と第２層とは絶縁
された第３の層３０を１第１の層と第２の層からなる配
線体の下に設ける。そして、この第３の層に電流を流す
ことにより、発熱体とし、前記第１と第２の層に熱を加
える。
ールを介して並べる。次に前記第１層と第２層とは絶縁
された第３の層３０を１第１の層と第２の層からなる配
線体の下に設ける。そして、この第３の層に電流を流す
ことにより、発熱体とし、前記第１と第２の層に熱を加
える。
作用
本発明に係るパターンを用いることにより、ウェハーを
チップに切断し、パッケージングする必要がなく、ウェ
ハーのまま、コンタクトの劣化評価を行うことができる
。
チップに切断し、パッケージングする必要がなく、ウェ
ハーのまま、コンタクトの劣化評価を行うことができる
。
コンタクトをさせる２つの層とは絶縁された発熱体に電
流を流すことにより、発熱させるだめ電流を細かいきざ
みで調節することにより、細かい温度きざみをとること
ができる。
流を流すことにより、発熱させるだめ電流を細かいきざ
みで調節することにより、細かい温度きざみをとること
ができる。
実施例
前記第１の層と第２の層にアルミニウムの層、第３の層
に拡散層をあてはめる。
に拡散層をあてはめる。
（第１実施例）
第１図、第２図に基づいて説明する。第２図は第１図の
ニーＩ’線断面図である。第１層目のアルミニウム１０
と第２層目のアルミニウム２０をコンタクトホール４０
を介して並べ、両端にパッド１１．１２を設ける。次に
前記第１．第２のアルミニウム層とは絶縁された拡散層
３０を前記アルミニウム層からなる配線体の下に敷き、
両端にパッド３１．３２を設ける。ここで拡散層の幅は
充分広くシ、コンタクトホールの真下で細くする。
ニーＩ’線断面図である。第１層目のアルミニウム１０
と第２層目のアルミニウム２０をコンタクトホール４０
を介して並べ、両端にパッド１１．１２を設ける。次に
前記第１．第２のアルミニウム層とは絶縁された拡散層
３０を前記アルミニウム層からなる配線体の下に敷き、
両端にパッド３１．３２を設ける。ここで拡散層の幅は
充分広くシ、コンタクトホールの真下で細くする。
この拡散層の両パッド間３１．３２に電流を流すことに
より１幅の狭くなった部分で発熱し、コンタクト部分を
選択的に加熱することが可能である。
より１幅の狭くなった部分で発熱し、コンタクト部分を
選択的に加熱することが可能である。
（第２実施例）
第３図に基づいて説明する。コンタクト抵抗測定用の第
１層目のアルミニウム１ｏと第２層目の７ ／Ｉ／ミニ
ウム２０をコンタクトホール４０を介して並べ、両端に
パッド１１．１２を設ける。次に前記第１層、第２層の
アルミニウムとは電気的に絶縁された拡散層３０を両ア
ルミニウム層の下に配置し、両端にバンド３１．３２を
設ける、このパッドに電流を流すことにより、拡散層３
０は発熱し、第１の層と第２の層のアルミニウム全体に
熱を加えて、熱加速試験を行うことができる。
１層目のアルミニウム１ｏと第２層目の７ ／Ｉ／ミニ
ウム２０をコンタクトホール４０を介して並べ、両端に
パッド１１．１２を設ける。次に前記第１層、第２層の
アルミニウムとは電気的に絶縁された拡散層３０を両ア
ルミニウム層の下に配置し、両端にバンド３１．３２を
設ける、このパッドに電流を流すことにより、拡散層３
０は発熱し、第１の層と第２の層のアルミニウム全体に
熱を加えて、熱加速試験を行うことができる。
（第３実施例）
第４図に基づいて説明する。第１層、第２層目のアルミ
ニウムからなる配線体１０．２０をコンタクトホール４
０を介して接続し、その両端にバンド１１．１２を設け
る。次に前記第１．第２のアルミニウム層とは絶縁され
た拡散層３０を同じ太さで形成し、コンタクトホールの
真下を通り、両アルミニウム配線体の下はさけて配置し
、両端にパッド３１．３２を設ける。このパッド間に、
電流を流すことにより、拡散層中で発熱し、コンタクト
部分に選択的に熱を加えることができる。
ニウムからなる配線体１０．２０をコンタクトホール４
０を介して接続し、その両端にバンド１１．１２を設け
る。次に前記第１．第２のアルミニウム層とは絶縁され
た拡散層３０を同じ太さで形成し、コンタクトホールの
真下を通り、両アルミニウム配線体の下はさけて配置し
、両端にパッド３１．３２を設ける。このパッド間に、
電流を流すことにより、拡散層中で発熱し、コンタクト
部分に選択的に熱を加えることができる。
ここでは第３の層に拡散層をあてはめたが、材料として
アルミニウム、ポリシリコンでも代用できることはいう
までもない。
アルミニウム、ポリシリコンでも代用できることはいう
までもない。
発明の効果
本発明に係るパターン及び評価方法を用いることにより
、ウェハーの状態でコンタクトの部分に熱を加えること
ができ、熱加速試験を行うことができる。従って試料を
作成後、特性の変化が起こらないうちに評価することが
可能である。
、ウェハーの状態でコンタクトの部分に熱を加えること
ができ、熱加速試験を行うことができる。従って試料を
作成後、特性の変化が起こらないうちに評価することが
可能である。
このため、各種プロセスの条件、材料のちがいによるコ
ンタクト抵抗の熱加速評価に広く応用できる。
ンタクト抵抗の熱加速評価に広く応用できる。
第１図は本発明の一実施例にかかるコンタクト評価用パ
ターンを示す図１第２図は第１図のエー工′線断面図、
第３図、第４図は本発明の他の実施例のコンタクト評価
用パターンを示す図である。 １０・・・・・第１の層（第１層目のアルミニウム）１
１１．１２・・・・・パッド、２０・・・・・・第２の
層（第２層目のアルミニウム）、３ｏ・・・・・・第３
の層、３１〜３２・・・・・・パッド、４０・・・・・
コンタクトホール。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第 ３［！１
ターンを示す図１第２図は第１図のエー工′線断面図、
第３図、第４図は本発明の他の実施例のコンタクト評価
用パターンを示す図である。 １０・・・・・第１の層（第１層目のアルミニウム）１
１１．１２・・・・・パッド、２０・・・・・・第２の
層（第２層目のアルミニウム）、３ｏ・・・・・・第３
の層、３１〜３２・・・・・・パッド、４０・・・・・
コンタクトホール。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第 ３［！１
Claims (6)
- （１）コンタクトホールを介して接続された第１と第２
の層からなる配線体の下の半導体基板上に前記第１及び
第２の層とは絶縁された発熱体を設けたコンタクト評価
パターン。 - （２）第１と第２の層からなる配線体の下に、第１と第
２の層とは絶縁され、コンタクト部分の真下の部分が細
くなった発熱体を設けたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のコンタクト評価パターン。 - （３）第１と第２の層からなる配線体の下に、第１、第
２の配線体をさけ、コンタクトホールの真下のみを通る
発熱体を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のコンタクト評価パターン。 - （４）発熱体に拡散層を用いた特許請求の範囲第１項記
載のコンタクト評価パターン。 - （５）発熱体にポリシリコンを用いた特許請求の範囲第
１項記載のコンタクト評価パターン。 - （６）半導体基板上に、層間絶縁膜を介して、コンタク
ト抵抗測定用の第１と第２の層の配線を形成し、前記第
１と第２の配線は前記層間絶縁膜のコンタクトホールを
介して接続され、前記配線の下の前記基板に、前記配線
と絶縁された発熱体を形成し、前記発熱体に電流を流す
ことにより、前記配線体又はコンタクトホール部分を加
熱し、前記コンタクトホールの熱加速評価を行うことを
特徴とするコンタクト抵抗の評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17692786A JPS6333837A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | コンタクト評価パタ−ン及びコンタクト抵抗の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17692786A JPS6333837A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | コンタクト評価パタ−ン及びコンタクト抵抗の評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6333837A true JPS6333837A (ja) | 1988-02-13 |
Family
ID=16022184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17692786A Pending JPS6333837A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | コンタクト評価パタ−ン及びコンタクト抵抗の評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6333837A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109884392A (zh) * | 2017-12-06 | 2019-06-14 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 一种银铝浆交界处电阻值测试方法与测试装置 |
-
1986
- 1986-07-28 JP JP17692786A patent/JPS6333837A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109884392A (zh) * | 2017-12-06 | 2019-06-14 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 一种银铝浆交界处电阻值测试方法与测试装置 |
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