JPS63319231A - 希土類元素含有ガラスの製造方法 - Google Patents
希土類元素含有ガラスの製造方法Info
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- JPS63319231A JPS63319231A JP15336587A JP15336587A JPS63319231A JP S63319231 A JPS63319231 A JP S63319231A JP 15336587 A JP15336587 A JP 15336587A JP 15336587 A JP15336587 A JP 15336587A JP S63319231 A JPS63319231 A JP S63319231A
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- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
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- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、希土類元素含有ガラス、特に不純物の少な
い希土類元素ドープ酸化物型ガラスを安定して供給でき
る方法に関する。
い希土類元素ドープ酸化物型ガラスを安定して供給でき
る方法に関する。
〈従来の技術〉
近年光ファイバの応用分野が広がるとともに、光ファイ
バを単に光の伝送媒体としてだけでなく、センサーとし
て利用したり、ファイバのコア中に光学的な活性物質を
添加することにより、能動的な光学素子として利用する
機運が高まっている。
バを単に光の伝送媒体としてだけでなく、センサーとし
て利用したり、ファイバのコア中に光学的な活性物質を
添加することにより、能動的な光学素子として利用する
機運が高まっている。
その一つの例としては、光ファイバのコア内に、ランタ
ン、イツトリウム、ネオジウム、エルビウム、ホルミウ
ムなどの希土類元素を添加することにより、光学的な活
性を高め、例えば光フアイバ導波路型の光増幅器を作成
したり、ファイバ型のレーザを構成したりすることが行
われている。
ン、イツトリウム、ネオジウム、エルビウム、ホルミウ
ムなどの希土類元素を添加することにより、光学的な活
性を高め、例えば光フアイバ導波路型の光増幅器を作成
したり、ファイバ型のレーザを構成したりすることが行
われている。
現在光ファイバとしては、最も低損失なのはいわゆる石
英系ガラスファイバであり、このファイバでは、二酸化
硅素を主成分としてそのコア・クラッド間の屈折率差を
生じさせる為に、ゲルマニウム、リン、ボロンなどの酸
化物、フッ素などがガラス中に添加される。その意味で
は、希土類元素添加光ファイバにおいても、石英系ガラ
スを利用することが望ましいと言える。これまでに知ら
れている方法では、第4図に示すように、いわゆるMC
VD法(内付は法)を応用したものがある。
英系ガラスファイバであり、このファイバでは、二酸化
硅素を主成分としてそのコア・クラッド間の屈折率差を
生じさせる為に、ゲルマニウム、リン、ボロンなどの酸
化物、フッ素などがガラス中に添加される。その意味で
は、希土類元素添加光ファイバにおいても、石英系ガラ
スを利用することが望ましいと言える。これまでに知ら
れている方法では、第4図に示すように、いわゆるMC
VD法(内付は法)を応用したものがある。
第4図において、100は、例えば石英ガラス管で、そ
の一端付近は拡径されて希土類元素の塩化物102例え
ばNdCl!sを収容するドーパント揮散用のチャンバ
104を備えている。106はMCVD方法において通
常用いられている酸水素バーナで、石英ガラス管100
の一端から他端に向けて矢印に示すようにトラバースさ
れるもので、前記チャンバ104側一端から供給される
5iCj!、、GeCj2 、などのガラス原料ガスと
02108とを熱酸化反応によりガラス層として石英ガ
ラス管内壁に堆積させるためのものである。また110
はチャンバ104内に収容されたNdCl!、zを揮散
させる外部固定バーナである。以上の構成においてチャ
ンバ104側一端から5iCj2n +GeCj2n
+ 02を供給し、チャンバ104内にNdCl!、を
収容しておき固定バーナ110でNdCj2sを揮散さ
せるとともにバーナ106をトラバースすることにより
石英ガラス管100の内壁にNdを含むGeO□−5i
O□ガラス112を堆積させる。なお114は予め石英
ガラス管100の内壁に形成されたタラッディング用と
してのガラス層で、例えばSiO□−P2O3−Fガラ
スを堆積させておけば前記ガラス110をコア材とする
光通信用のガラス母材とすることができる。
の一端付近は拡径されて希土類元素の塩化物102例え
ばNdCl!sを収容するドーパント揮散用のチャンバ
104を備えている。106はMCVD方法において通
常用いられている酸水素バーナで、石英ガラス管100
の一端から他端に向けて矢印に示すようにトラバースさ
れるもので、前記チャンバ104側一端から供給される
5iCj!、、GeCj2 、などのガラス原料ガスと
02108とを熱酸化反応によりガラス層として石英ガ
ラス管内壁に堆積させるためのものである。また110
はチャンバ104内に収容されたNdCl!、zを揮散
させる外部固定バーナである。以上の構成においてチャ
ンバ104側一端から5iCj2n +GeCj2n
+ 02を供給し、チャンバ104内にNdCl!、を
収容しておき固定バーナ110でNdCj2sを揮散さ
せるとともにバーナ106をトラバースすることにより
石英ガラス管100の内壁にNdを含むGeO□−5i
O□ガラス112を堆積させる。なお114は予め石英
ガラス管100の内壁に形成されたタラッディング用と
してのガラス層で、例えばSiO□−P2O3−Fガラ
スを堆積させておけば前記ガラス110をコア材とする
光通信用のガラス母材とすることができる。
〈発明が解決すべき問題点〉
しかし、このような内付は法(MCVD法〉では、得ら
れるガラスは、基本的に光フアイバ用のガラスのみであ
り、その応用分野には限りがある。
れるガラスは、基本的に光フアイバ用のガラスのみであ
り、その応用分野には限りがある。
〈問題点を解決するための手段)
この発明は、以上の観点から高周波プラズマ炎めの方法
を提供するものである。
を提供するものである。
なお、希土類原料としては、塩化物、臭化物、沃化物、
などのハロゲン化物の他、かなり沸点が高いと言われて
いる酸化物も利用することができる。また、希土類元素
としては特に制限はなく、ランタン、セリウム、ネオジ
ウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テル
ビウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテル
ビウムなどが用いられる。
などのハロゲン化物の他、かなり沸点が高いと言われて
いる酸化物も利用することができる。また、希土類元素
としては特に制限はなく、ランタン、セリウム、ネオジ
ウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テル
ビウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテル
ビウムなどが用いられる。
〈実施例〉
第1図は、この発明方法に適用される装置を示したもの
で、まずその構造について説明する、1は、NJ、Er
、Yなどの希土類元素原料粉末〜2を収容する石英ガラ
ス製のチャンバで、加振器3により振動を受けてその直
下に連通ずる石英パイプ4内にチャンバ下部のノズル5
を通して所定量づつ供給されるようになされている。石
英パイプ5は落下量制限のため最初は細く、途中から拡
径されて後述するプラズマ発生装置と接続されている。
で、まずその構造について説明する、1は、NJ、Er
、Yなどの希土類元素原料粉末〜2を収容する石英ガラ
ス製のチャンバで、加振器3により振動を受けてその直
下に連通ずる石英パイプ4内にチャンバ下部のノズル5
を通して所定量づつ供給されるようになされている。石
英パイプ5は落下量制限のため最初は細く、途中から拡
径されて後述するプラズマ発生装置と接続されている。
なお6は希土類原料粉末2を搬送するためのArキャリ
アガス供給パイプである。また7はArキャリアガスに
よって搬送された希土類元素原料粉末2を1ooo”c
程度に予熱して揮散させプラズマ炎内での反応を促進さ
せるために、石英パイプ4の拡径部を周囲から加熱する
ブレヒータである。8は、高周波プラズマ炎を発生させ
るためのプラズマ発生装置で、全体として円筒状で、上
部10と下部11とからなる石英ガラス製の本体部9と
、この下部11外周部を囲むワークコイル12と、この
ワークコイル12に高周波を印加する高周波発振器13
とから構成されている。本体部9の上部10の上端には
、石英パイプ4の拡径部と連通ずる石英製パイプ14が
下部11に向かって延びており、またプラズマ炎発生の
ためのAr、0□ガスなどのプラズマガス供給口15゜
15を備えている。なお16は供給されたプラズマガス
Ar、0□による高周波誘導プラズマ炎を示す。一方2
0は、プラズマ発生装置8の下部11の直下に連通して
設けられた円筒状の石英ガラス製反応部で、孔21を有
し、ここにプラズマ炎による熱酸化反応によってガラス
となる5iC1!、4、GeCl!、4などのガラス主
原料ガスをキャリアガスとともに供給する供給パイプ2
2が挿通されており、この供給パイプ22はプラズマ炎
の中心軸とほぼいる。23はプラズマ炎16の直下に位
置される石英ガラス製の支持体で、プラズマ炎16によ
り1850℃〜2200℃程に予め予熱され、長さ軸方
向に回転されるとともに、上下動可能に構成され寺−て
いる。24は、プラズマ炎16の熱により、揮散したN
d、Er、Yなどの希土類元素原料ガス及び主ガラス原
料ガスが熱酸化反応して生成される希土類元素を含む透
明ガラスで、円柱状のガラスプリフォーム25として支
持体23上に堆積される。このガラスプリフォーム25
は、プラズマ炎16の所定の温度部分を利用することに
よって直接ガラス化した透明ガラスのものの他にスート
状のガラスにもなし得る。
アガス供給パイプである。また7はArキャリアガスに
よって搬送された希土類元素原料粉末2を1ooo”c
程度に予熱して揮散させプラズマ炎内での反応を促進さ
せるために、石英パイプ4の拡径部を周囲から加熱する
ブレヒータである。8は、高周波プラズマ炎を発生させ
るためのプラズマ発生装置で、全体として円筒状で、上
部10と下部11とからなる石英ガラス製の本体部9と
、この下部11外周部を囲むワークコイル12と、この
ワークコイル12に高周波を印加する高周波発振器13
とから構成されている。本体部9の上部10の上端には
、石英パイプ4の拡径部と連通ずる石英製パイプ14が
下部11に向かって延びており、またプラズマ炎発生の
ためのAr、0□ガスなどのプラズマガス供給口15゜
15を備えている。なお16は供給されたプラズマガス
Ar、0□による高周波誘導プラズマ炎を示す。一方2
0は、プラズマ発生装置8の下部11の直下に連通して
設けられた円筒状の石英ガラス製反応部で、孔21を有
し、ここにプラズマ炎による熱酸化反応によってガラス
となる5iC1!、4、GeCl!、4などのガラス主
原料ガスをキャリアガスとともに供給する供給パイプ2
2が挿通されており、この供給パイプ22はプラズマ炎
の中心軸とほぼいる。23はプラズマ炎16の直下に位
置される石英ガラス製の支持体で、プラズマ炎16によ
り1850℃〜2200℃程に予め予熱され、長さ軸方
向に回転されるとともに、上下動可能に構成され寺−て
いる。24は、プラズマ炎16の熱により、揮散したN
d、Er、Yなどの希土類元素原料ガス及び主ガラス原
料ガスが熱酸化反応して生成される希土類元素を含む透
明ガラスで、円柱状のガラスプリフォーム25として支
持体23上に堆積される。このガラスプリフォーム25
は、プラズマ炎16の所定の温度部分を利用することに
よって直接ガラス化した透明ガラスのものの他にスート
状のガラスにもなし得る。
この場合はターゲット部25の上端面の温度はせいぜい
1300°C程度に維持される。
1300°C程度に維持される。
下表は、この発明による方法の一具体例としての製造条
件を示す。なお、希1−頚元素原料としてはNdCN
3を、ガラス主原料ガスとしては5if12゜を用いた
。
件を示す。なお、希1−頚元素原料としてはNdCN
3を、ガラス主原料ガスとしては5if12゜を用いた
。
ところで表中、プラズマガスとしてのArと0□とは、
両者の混合ガスを使用しその比率はArが、20〜60
%の範囲で変化させた。この比率には特に制限はないが
支持体の表面温度や堆積効率などを考慮して決定される
。
両者の混合ガスを使用しその比率はArが、20〜60
%の範囲で変化させた。この比率には特に制限はないが
支持体の表面温度や堆積効率などを考慮して決定される
。
かくして得られたプリフォームは約28胴直径の円柱状
で150ppmのNdを含む透明なSi0gガラスプリ
フォームであった。またプリフォーム表面の堆積温度は
約2000°Cであった。かくしてえられたプリフォー
ムを切り出してレーザ用ガラス、光増幅器用ガラス等の
非線形光字素に利用することができる。
で150ppmのNdを含む透明なSi0gガラスプリ
フォームであった。またプリフォーム表面の堆積温度は
約2000°Cであった。かくしてえられたプリフォー
ムを切り出してレーザ用ガラス、光増幅器用ガラス等の
非線形光字素に利用することができる。
なお本実施例では、ガラス主原料として5iCI!、4
を用いたがこれに限定されず、他のガラス原料でも良く
、また5iC14にドーパントとしてGeCj2n、p
ocz、、BCI!、3、Fなどを含ませることもでき
る。
を用いたがこれに限定されず、他のガラス原料でも良く
、また5iC14にドーパントとしてGeCj2n、p
ocz、、BCI!、3、Fなどを含ませることもでき
る。
また第2図は、かくして得られたガラスを切り出して加
工してコア材となし、タラッデイングにフッ素を添加し
たSi0gガラスを有する光ファイバの伝送損失波長特
性を示したものである。この図からNdをコアに含む石
英系光ファイバの特性は、最低損失は、波長1.15p
mで0 、9 d B / 二イイr孔貸ハ1であり、
非常に優れたものであることが判る。また第3図は、同
ファイバの螢光波長特性を示したものである。この図か
ら波長1.08μm付近に、ファイバレーザとしての動
作に適した強い螢光が観測され、この目的に十分対応し
得るものであることが判る。
工してコア材となし、タラッデイングにフッ素を添加し
たSi0gガラスを有する光ファイバの伝送損失波長特
性を示したものである。この図からNdをコアに含む石
英系光ファイバの特性は、最低損失は、波長1.15p
mで0 、9 d B / 二イイr孔貸ハ1であり、
非常に優れたものであることが判る。また第3図は、同
ファイバの螢光波長特性を示したものである。この図か
ら波長1.08μm付近に、ファイバレーザとしての動
作に適した強い螢光が観測され、この目的に十分対応し
得るものであることが判る。
〈効 果〉
この発明によると、極めて簡単な方法で希土類元素を含
むガラスプリフォームをえることができる為光学的特性
の高い、レーザ用ガラス、光増幅器用ガラス等を再現性
よく得ることができる。またこのガラスプリフォームを
コアとし、その上に他のガラス層からなるタラッデイン
グ層を施しファイバ化することによりファイバ型レーザ
とすることができる等多大の効果を奏する。
むガラスプリフォームをえることができる為光学的特性
の高い、レーザ用ガラス、光増幅器用ガラス等を再現性
よく得ることができる。またこのガラスプリフォームを
コアとし、その上に他のガラス層からなるタラッデイン
グ層を施しファイバ化することによりファイバ型レーザ
とすることができる等多大の効果を奏する。
第1図はこの発明方法に用いられる装置の説明図、第2
図はこの発明方法によって得られるガラスを用いてファ
イバとしたときの伝送損失波長特性を示すグラフ、第3
図は同ファイバの螢光波長特性を示すグラフ、第4図は
従来法を示す説明図である。 図において2・・・希土類元素原料粉末、8・・・プラ
ズマ発生装置、15・・・プラズマガス供給口、22・
・・ガラス原料ガス供給パイプ、25・・・Ndを含む
SiO□ガラスプリフォーム 代理人 弁理士 竹 内 9 第2図 第1図 第3図 0.5 0.’7 0.9 1.1 1.3
1.5第4図
図はこの発明方法によって得られるガラスを用いてファ
イバとしたときの伝送損失波長特性を示すグラフ、第3
図は同ファイバの螢光波長特性を示すグラフ、第4図は
従来法を示す説明図である。 図において2・・・希土類元素原料粉末、8・・・プラ
ズマ発生装置、15・・・プラズマガス供給口、22・
・・ガラス原料ガス供給パイプ、25・・・Ndを含む
SiO□ガラスプリフォーム 代理人 弁理士 竹 内 9 第2図 第1図 第3図 0.5 0.’7 0.9 1.1 1.3
1.5第4図
Claims (7)
- (1)高周波誘導プラズマ中に、希土類元素含有原料と
ガラス原料とを吹込み、希土類元素を含むガラスを生成
させることを特徴とする希土類元素含有ガラスの製造方
法。 - (2)希土類元素含有原料が希土類元素の単体もしくは
そのハロゲン化物、又は酸化物であることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の希土類元素含有ガラスの製
造方法。 - (3)希土類元素含有原料を予熱することにより気化さ
せて、プラズマ中に吹込むことを特徴とする特許請求の
範囲第1項又は第2項記載の希土類元素含有ガラスの製
造方法。 - (4)希土類元素含有原料をプラズマ火炎の中心軸に向
けて供給するとともに、ガラス原料をプラズマ火炎の中
心軸に所定の角度をなす方向から吹込むことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の希土類元素含有ガラスの
製造方法。 - (5)希土類元素含有ガラスがスート状又は透明ガラス
状であることを特徴とする特許請求の範囲第1〜4項記
載の希土類元素含有ガラスの製造方法。 - (6)希土類元素含有ガラスが光伝送用ガラス材である
ことを特徴とする特許請求の範囲第1〜4項記載の希土
類元素含有ガラスの製造方法。 - (7)希土類元素含有ガラスがファイバ応用光学素子材
であることを特徴とする特許請求の範囲第1〜4項記載
の希土類元素含有ガラスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15336587A JPH07115887B2 (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 希土類元素含有ガラスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15336587A JPH07115887B2 (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 希土類元素含有ガラスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63319231A true JPS63319231A (ja) | 1988-12-27 |
JPH07115887B2 JPH07115887B2 (ja) | 1995-12-13 |
Family
ID=15560860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15336587A Expired - Fee Related JPH07115887B2 (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 希土類元素含有ガラスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07115887B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2714371A1 (fr) * | 1993-12-24 | 1995-06-30 | Cabloptic Sa | Procédé de recharge d'une préforme de fibre optique, dispositif pour la mise en Óoeuvre de ce procédé et fibre optique par ce procédé. |
EP1302449A2 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-16 | Alcatel | Process and apparatus for overcladding a preform for optical fibres by plasma deposition of particles |
WO2010070062A1 (de) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | J-Fiber Gmbh | Mehrdüsiger rohrförmiger plasma-abscheidebrenner zur herstellung von vorformen als halbzeuge für optische fasern |
CN104909557A (zh) * | 2015-06-11 | 2015-09-16 | 长飞光纤光缆股份有限公司 | 一种制备掺稀土光纤预制棒的mcvd装置 |
-
1987
- 1987-06-22 JP JP15336587A patent/JPH07115887B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2714371A1 (fr) * | 1993-12-24 | 1995-06-30 | Cabloptic Sa | Procédé de recharge d'une préforme de fibre optique, dispositif pour la mise en Óoeuvre de ce procédé et fibre optique par ce procédé. |
EP1302449A2 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-16 | Alcatel | Process and apparatus for overcladding a preform for optical fibres by plasma deposition of particles |
EP1302449A3 (en) * | 2001-10-12 | 2004-01-07 | Alcatel | Process and apparatus for overcladding a preform for optical fibres by plasma deposition of particles |
WO2010070062A1 (de) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | J-Fiber Gmbh | Mehrdüsiger rohrförmiger plasma-abscheidebrenner zur herstellung von vorformen als halbzeuge für optische fasern |
CN104909557A (zh) * | 2015-06-11 | 2015-09-16 | 长飞光纤光缆股份有限公司 | 一种制备掺稀土光纤预制棒的mcvd装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07115887B2 (ja) | 1995-12-13 |
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