JPH0421536A - 希土類元素ドープガラスの製造方法 - Google Patents
希土類元素ドープガラスの製造方法Info
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- JPH0421536A JPH0421536A JP12426790A JP12426790A JPH0421536A JP H0421536 A JPH0421536 A JP H0421536A JP 12426790 A JP12426790 A JP 12426790A JP 12426790 A JP12426790 A JP 12426790A JP H0421536 A JPH0421536 A JP H0421536A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は光フアイバ母材の製造方法に係り、特に光フア
イバレーザや、温度、放射線等のセンサへの応用が期待
される希土類元素ドープファイバの母材となる希土類元
素ドープガラスの製造方法に関するものである。
イバレーザや、温度、放射線等のセンサへの応用が期待
される希土類元素ドープファイバの母材となる希土類元
素ドープガラスの製造方法に関するものである。
[従来の技術]
希土類元素ドープファイバは、ファイバレザー、光増幅
器、温度・放射線センサ等への応用が検討されている。
器、温度・放射線センサ等への応用が検討されている。
ところで、希土類元素ドープファイバは、コアの部分に
Er、Nd、Yb等の希土類元素をドープしなければな
らない、しがしながら、ドープ材となるこれら希土類元
素の塩化物(ErC1s 、NdCl1 、YbC11
等)は常温では容易に気化しない、第8図に各種希土類
塩化物の蒸気圧特性を示す。図かられかるように、希土
類塩化物を気化させ、原料ガスとして用いるためには約
1000℃の高温を必要とする。そこで、VAD法を応
用した希土類元素ドープガラスの製造方法としては、以
下のような方法が採用されている。一つはVAD法で作
製した多孔質母材をドープ原料雰囲気内で透明ガラス化
し、母材中にドパントを添加する方法(拡散法)である
、また希土類元素塩化物がアルコールに溶は易い性質を
利用して、VAD法で作成した多孔質母材を希土類元素
塩化化合物を溶かしたアルコール溶液に浸漬し、次にア
ルコール分だけを室温にて蒸発させ、多孔質母材中に希
土類元素塩化物を沈着し、He雰囲気内で焼結させて透
明ガラス化を行う方法(含浸法)もある。
Er、Nd、Yb等の希土類元素をドープしなければな
らない、しがしながら、ドープ材となるこれら希土類元
素の塩化物(ErC1s 、NdCl1 、YbC11
等)は常温では容易に気化しない、第8図に各種希土類
塩化物の蒸気圧特性を示す。図かられかるように、希土
類塩化物を気化させ、原料ガスとして用いるためには約
1000℃の高温を必要とする。そこで、VAD法を応
用した希土類元素ドープガラスの製造方法としては、以
下のような方法が採用されている。一つはVAD法で作
製した多孔質母材をドープ原料雰囲気内で透明ガラス化
し、母材中にドパントを添加する方法(拡散法)である
、また希土類元素塩化物がアルコールに溶は易い性質を
利用して、VAD法で作成した多孔質母材を希土類元素
塩化化合物を溶かしたアルコール溶液に浸漬し、次にア
ルコール分だけを室温にて蒸発させ、多孔質母材中に希
土類元素塩化物を沈着し、He雰囲気内で焼結させて透
明ガラス化を行う方法(含浸法)もある。
[発明が解決しようとする課題]
拡散法は、希土類元素塩化物(ErC1s。
NdC1,、YbC1,等)を約1000”C以上の高
温で気化させて希土類元素カス雰囲気とし、多孔質母材
をその中で熱処理して透明ガラス化することで希土類元
素ドープ母材を得ている。しかし、希土類元素ガスの発
生量をコントロールすることが難しいため、炉内におけ
るHeカスとの分圧の再現性に問題がある。高濃度ドー
プとするためには希土類ガスの分圧を高めることが必要
だが、透明なガラス母体を得るためにはHeとの分圧比
を一定以上に上げることができない。例えば、NdCl
、の場合には、ドープ量が3000ppm以下となる分
圧比以下でないと母材の透明化が不十分となる。
温で気化させて希土類元素カス雰囲気とし、多孔質母材
をその中で熱処理して透明ガラス化することで希土類元
素ドープ母材を得ている。しかし、希土類元素ガスの発
生量をコントロールすることが難しいため、炉内におけ
るHeカスとの分圧の再現性に問題がある。高濃度ドー
プとするためには希土類ガスの分圧を高めることが必要
だが、透明なガラス母体を得るためにはHeとの分圧比
を一定以上に上げることができない。例えば、NdCl
、の場合には、ドープ量が3000ppm以下となる分
圧比以下でないと母材の透明化が不十分となる。
含浸法は、希土類元素塩化物を溶かしたアルコール溶液
の濃度を変えることにより母材のドープ量を容易に制御
でき、また、かなりの高濃度ドブも可能である。ドープ
剤としてNdC1,を用いた場合には、2000ppm
程度までドープ可能である。しかし、多孔質母材を溶液
に浸す際、母材が壊れやすいのでかさ密度の高い母材を
作成する必要がある。さらに、多孔質母材の半径方向に
はかさ密度差が存在し、かさ密度が低い表面近傍部分に
ドーパントが集中しやすく、径方向に均一なドープがで
きないという欠点がある。
の濃度を変えることにより母材のドープ量を容易に制御
でき、また、かなりの高濃度ドブも可能である。ドープ
剤としてNdC1,を用いた場合には、2000ppm
程度までドープ可能である。しかし、多孔質母材を溶液
に浸す際、母材が壊れやすいのでかさ密度の高い母材を
作成する必要がある。さらに、多孔質母材の半径方向に
はかさ密度差が存在し、かさ密度が低い表面近傍部分に
ドーパントが集中しやすく、径方向に均一なドープがで
きないという欠点がある。
本発明の目的は、上記課題を解消し、希土類元素のビー
1量制御並びに高濃度ドープが容易にでき、且つ再現性
の良い希土類元素ドープガラスの製造方法を提供するこ
とにある。
1量制御並びに高濃度ドープが容易にでき、且つ再現性
の良い希土類元素ドープガラスの製造方法を提供するこ
とにある。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するため、本発明はVAD法により多孔
質母材を生成する際に、火炎内に上記主ガラス原料と粉
霧状の希土類元素塩化水和物とを送り込み、希土類元素
を含むガラスを生成させるものである。また、上記火炎
を発生させるためのバーナは内部が略同心円状に多層に
区画されてなる多重管構造を有し、各層毎に主ガラス原
料、粉霧状の希土類元素塩化水和物、燃焼用のH2ガス
、0□ガス、反応制御用の不活性ガス等を供給する。
質母材を生成する際に、火炎内に上記主ガラス原料と粉
霧状の希土類元素塩化水和物とを送り込み、希土類元素
を含むガラスを生成させるものである。また、上記火炎
を発生させるためのバーナは内部が略同心円状に多層に
区画されてなる多重管構造を有し、各層毎に主ガラス原
料、粉霧状の希土類元素塩化水和物、燃焼用のH2ガス
、0□ガス、反応制御用の不活性ガス等を供給する。
また、上記希土類元素塩化水和物を粉霧状にするに際し
ては、希土類元素塩化物含有水溶液を超音波加振手段に
より加振することによりこれを達成する。
ては、希土類元素塩化物含有水溶液を超音波加振手段に
より加振することによりこれを達成する。
[作用]
火炎内に主ガラス原料と粉霧状の希土類元素塩化水和物
とを送り込むことにより、火炎内において主ガラス原料
が希土類元素塩化水和物と良好に混合しつつ火炎加水分
解を起こす、これにより、ターゲット棒の先端に希土類
元素を均一にドープした多孔質母材が生成される。多孔
質母材にドブする希土類元素の濃度は、火炎内に送り込
む主ガラス原料と希土類元素塩化水和物の割合を調節す
ることにより容易に制御できるので再現性が際めて良く
、また高濃度ドープも容易である。従って、この多孔質
母材を焼結させて透明ガラス化することにより、高品質
の希土類元素ドープガラスが得られる1本希土類元素ド
ープガラスを加工し、光ファイバとすることで、高性能
の光増幅器やファイバ型レーザーを作成することが可能
であり、またその特性を左右する希土類元素ガスのfk
Wl化が容易に成し得る。
とを送り込むことにより、火炎内において主ガラス原料
が希土類元素塩化水和物と良好に混合しつつ火炎加水分
解を起こす、これにより、ターゲット棒の先端に希土類
元素を均一にドープした多孔質母材が生成される。多孔
質母材にドブする希土類元素の濃度は、火炎内に送り込
む主ガラス原料と希土類元素塩化水和物の割合を調節す
ることにより容易に制御できるので再現性が際めて良く
、また高濃度ドープも容易である。従って、この多孔質
母材を焼結させて透明ガラス化することにより、高品質
の希土類元素ドープガラスが得られる1本希土類元素ド
ープガラスを加工し、光ファイバとすることで、高性能
の光増幅器やファイバ型レーザーを作成することが可能
であり、またその特性を左右する希土類元素ガスのfk
Wl化が容易に成し得る。
多孔質母材生成用のバーナの構造を上記多重管構造とし
、各層毎に主ガラス原料、粉霧状の希土類元素塩化水和
物、燃焼用のH2ガス、0□カス、反応制御用の不活性
カス等を供給することにより、火炎内に主ガラス原料と
粉霧状の希土類元素塩化水和物とを同時供給することか
容易になる。また、希土類元素塩化水和物を粉霧状にす
るに際して、超音波加振手段を用いることにより微細な
松露化が達成でき、松露発生量も容易に調節できる。
、各層毎に主ガラス原料、粉霧状の希土類元素塩化水和
物、燃焼用のH2ガス、0□カス、反応制御用の不活性
カス等を供給することにより、火炎内に主ガラス原料と
粉霧状の希土類元素塩化水和物とを同時供給することか
容易になる。また、希土類元素塩化水和物を粉霧状にす
るに際して、超音波加振手段を用いることにより微細な
松露化が達成でき、松露発生量も容易に調節できる。
[実施例]
次に、本発明の一実施例について添付図面に従って説明
する。
する。
第1図において、7は軸回転しながら引き上げられる石
英製のターゲット棒であり、ターゲット棒7の下方には
バーナ5が配設されている。バーナ5は略円筒状に形成
され、上部がターゲット棒7に臨ませて開口されている
。またバーナ5は、内部が略同心円状に配設された石英
管により5層に区画されてなる多重管構造を有している
。
英製のターゲット棒であり、ターゲット棒7の下方には
バーナ5が配設されている。バーナ5は略円筒状に形成
され、上部がターゲット棒7に臨ませて開口されている
。またバーナ5は、内部が略同心円状に配設された石英
管により5層に区画されてなる多重管構造を有している
。
第1層(中心層)は、バーナ5の下端に接続された第1
石英管4に連通している。第1石英管4の下端には、超
音波加振手段1が接続されている。
石英管4に連通している。第1石英管4の下端には、超
音波加振手段1が接続されている。
超音波加振手段1は導入されたE、 r CI 3、N
dCl3等の希土類元素含有水溶液2を超音波振動で加
振して粉霧状の希土類元素塩化水和物を生成するよう構
成されている。また、第1石英管4には、超音波加振手
段1によって生成された松露3をバーナ5内に搬送する
ためのArカスを供給するキャリアカス供給バイブロか
接続されている。第2層目には、主ガラス原料カス(例
えばA1−カス)をキャリアカスと共に供給するための
第2石英管10が接続されている。尚、必要に応じて、
第1石英管4Oを通して他のGe(,1,等のガラス原
料カスを同時に供給することもある。
dCl3等の希土類元素含有水溶液2を超音波振動で加
振して粉霧状の希土類元素塩化水和物を生成するよう構
成されている。また、第1石英管4には、超音波加振手
段1によって生成された松露3をバーナ5内に搬送する
ためのArカスを供給するキャリアカス供給バイブロか
接続されている。第2層目には、主ガラス原料カス(例
えばA1−カス)をキャリアカスと共に供給するための
第2石英管10が接続されている。尚、必要に応じて、
第1石英管4Oを通して他のGe(,1,等のガラス原
料カスを同時に供給することもある。
さらに、第3層目には燃焼ガスとしてH2を供給するた
めの第3石英管11、第4層目には原料カスと燃焼ガス
との反応を制御するためのArガスを供給するための第
4石英管12、第5層目には燃焼用の02を供給するた
めの第5石英管13が接続されている。このように構成
されるバーナ5は、火炎8内に主ガラス原料と粉霧状の
希土類元素塩化水和物とを同時に送り込めるようになっ
ている。
めの第3石英管11、第4層目には原料カスと燃焼ガス
との反応を制御するためのArガスを供給するための第
4石英管12、第5層目には燃焼用の02を供給するた
めの第5石英管13が接続されている。このように構成
されるバーナ5は、火炎8内に主ガラス原料と粉霧状の
希土類元素塩化水和物とを同時に送り込めるようになっ
ている。
ます、上記バーナ5を用いてVAD法と類似の方法によ
り多孔質母材を生成する。すなわち、軸回転させながら
上方に引き上げられる石英製のタゲット棒7の先端に、
酸水素火炎9内に主ガラス原料(ガス状のハロゲン化ケ
イ素)と希土類元素含有原料〈粉霧状の希土類元素塩化
水和物)とを送り込みつつ、これをキャリアガスと共に
吹き付ける。これによりターゲット棒7の先端には、火
炎8内において熱加水分解反応、熱酸化反応によって生
成された希土類元素Er(或いはNd)を含むガラス微
粒子が堆積して軸方向に多孔質母材9が生成される。タ
ーゲット棒7は、多孔質母材9の堆積成長に合わせて徐
々に引き上げられる。
り多孔質母材を生成する。すなわち、軸回転させながら
上方に引き上げられる石英製のタゲット棒7の先端に、
酸水素火炎9内に主ガラス原料(ガス状のハロゲン化ケ
イ素)と希土類元素含有原料〈粉霧状の希土類元素塩化
水和物)とを送り込みつつ、これをキャリアガスと共に
吹き付ける。これによりターゲット棒7の先端には、火
炎8内において熱加水分解反応、熱酸化反応によって生
成された希土類元素Er(或いはNd)を含むガラス微
粒子が堆積して軸方向に多孔質母材9が生成される。タ
ーゲット棒7は、多孔質母材9の堆積成長に合わせて徐
々に引き上げられる。
このように従来の光フアイバ製造技術(VAD法)を生
かして簡単に希土類元素ドープ母材が製造できる。表−
1に本実施例の多孔質母材生成工程における諸条件を示
す、かくして得られた多孔質母材9の寸法は、直径38
mm、長さ150mmであった。
かして簡単に希土類元素ドープ母材が製造できる。表−
1に本実施例の多孔質母材生成工程における諸条件を示
す、かくして得られた多孔質母材9の寸法は、直径38
mm、長さ150mmであった。
表−1
この多孔質母材9を常温で十分に乾燥させた後、炉内最
高温度1650℃の加熱炉にて透明ガラス化を行った。
高温度1650℃の加熱炉にて透明ガラス化を行った。
そのときの透明ガラス化条件を表2に示す。最終的に得
られたガラスは、直径15mm、長さ60mmの淡い桃
色をした透明な硝子であった。
られたガラスは、直径15mm、長さ60mmの淡い桃
色をした透明な硝子であった。
透明ガラス化vi得られたガラス母材のEr濃度を化学
分析法により定量測定したところ250ppmであった
。この濃度は、超音波加振手段lによって粉[3の発生
量を調節することにより制御が可能であり、第3図に示
すように松露発生量の相対値とEr濃度との関係は11
0000pp以下の範囲内ではほぼ比例関係にある。従
って、従来のVAD法を応用した拡散法と比べて希土類
元素ドープ濃度の再現性が大幅に向上し得る。
分析法により定量測定したところ250ppmであった
。この濃度は、超音波加振手段lによって粉[3の発生
量を調節することにより制御が可能であり、第3図に示
すように松露発生量の相対値とEr濃度との関係は11
0000pp以下の範囲内ではほぼ比例関係にある。従
って、従来のVAD法を応用した拡散法と比べて希土類
元素ドープ濃度の再現性が大幅に向上し得る。
かくして得られた濃度250ppmの希土類元素ドープ
ガラスロットを直径15mmに延伸した後、延伸の際に
ロッドに拡散したOH基を除去するため濃度25%のぶ
つ!i液でロッド表面を24時間エツチングして直径1
4mmのガラスロッドとした。その後、第2図に示すよ
うにガラスロッド14の外周にクラッド層となるS i
02微粒子をバーナ15によって外付し外付スート母
材16とした。得られたスート母材16は、直径100
mm、長さ200mmであった。ところで、Erドープ
ガラスの屈折率は石英の屈折率とほとんど変わらないの
で、導波路補遺を形成するためにはクラッド層の屈折率
を石英よりも小さな値にする必要かある。そこで、外付
スート母材16をふっ業界囲気内で透明ガラス化し、E
、 rを含むコアとFを含む5i02クラツドとから成
る直径45mm、長さ100mmの透明ガラス母材を得
た。この透明ガラス化工程の際の諸条件を表−3に示す
。また、第4図に外付、透明ガラス化後の表−3 この透明ガラス母材を上述の、外付、透明ガラス化工程
を繰返して全合成化し、外径125μm。
ガラスロットを直径15mmに延伸した後、延伸の際に
ロッドに拡散したOH基を除去するため濃度25%のぶ
つ!i液でロッド表面を24時間エツチングして直径1
4mmのガラスロッドとした。その後、第2図に示すよ
うにガラスロッド14の外周にクラッド層となるS i
02微粒子をバーナ15によって外付し外付スート母
材16とした。得られたスート母材16は、直径100
mm、長さ200mmであった。ところで、Erドープ
ガラスの屈折率は石英の屈折率とほとんど変わらないの
で、導波路補遺を形成するためにはクラッド層の屈折率
を石英よりも小さな値にする必要かある。そこで、外付
スート母材16をふっ業界囲気内で透明ガラス化し、E
、 rを含むコアとFを含む5i02クラツドとから成
る直径45mm、長さ100mmの透明ガラス母材を得
た。この透明ガラス化工程の際の諸条件を表−3に示す
。また、第4図に外付、透明ガラス化後の表−3 この透明ガラス母材を上述の、外付、透明ガラス化工程
を繰返して全合成化し、外径125μm。
UV被覆250μmのファイバとした。このファイバの
伝送特性は第5図に示す如くであった。第5図から判る
ように、波長が0.8μm。
伝送特性は第5図に示す如くであった。第5図から判る
ように、波長が0.8μm。
0.98μm、1.53umのときにErによる吸収損
失が見られる。また、本ファイバに波長0.98μmの
半導体レーザー光を入射させたときに生じる蛍光特性を
第6図に示す。波長が1.1μmと1.15μmの付近
に蛍光が観測されている。
失が見られる。また、本ファイバに波長0.98μmの
半導体レーザー光を入射させたときに生じる蛍光特性を
第6図に示す。波長が1.1μmと1.15μmの付近
に蛍光が観測されている。
このファイバの応用としては、波長1.15μmの付近
に蛍光を発するところから、1.15μm帯光増幅器へ
の適用が期待される。第7図に本ファイバを用いた光増
幅器の一実施例を示す。
に蛍光を発するところから、1.15μm帯光増幅器へ
の適用が期待される。第7図に本ファイバを用いた光増
幅器の一実施例を示す。
光増幅器17は、ファイバ18内に信号光を伝搬させ、
光フアイバカプラ19を用いて信号光を励起光と合成し
、反転分布状態を形成させることにより信号光を増幅さ
せ、出力側より光フアイバカプラ19で励起光を分離さ
せて光増幅を行う。
光フアイバカプラ19を用いて信号光を励起光と合成し
、反転分布状態を形成させることにより信号光を増幅さ
せ、出力側より光フアイバカプラ19で励起光を分離さ
せて光増幅を行う。
:発明の効果]
以上要するに、本発明によれば以下の如き優れた効果が
発揮できる。
発揮できる。
(1)多孔質H材にドープする希土類元素の濃度が、火
炎内に送り込む主ガラス原料と希土類元素塩化水和物の
割合を調節することにより容易に制御できるので再現性
が際めで良く、また高濃度ドープも容易である。
炎内に送り込む主ガラス原料と希土類元素塩化水和物の
割合を調節することにより容易に制御できるので再現性
が際めで良く、また高濃度ドープも容易である。
(2)本発明の方法により製造した希土類元素ドープガ
ラスを加工し、光ファイバとすることで、高性能の光増
幅器やファイバ型レーサーを作成することが可能であり
、またその特性を左右する希土類元素濃度の最適化が容
易に成し得る。
ラスを加工し、光ファイバとすることで、高性能の光増
幅器やファイバ型レーサーを作成することが可能であり
、またその特性を左右する希土類元素濃度の最適化が容
易に成し得る。
第1図は本発明の一実施例を示す図、第2図本発明によ
って得られた希土類元素ドープガラスの全台化工程を示
す図、第3図は松露発生量の相対値と希土類元素(Er
)濃度との関係を示すグラフ、第4図は本発明によって
得られた光ファイバの屈折率分布を示す図、第5図は本
発明によって得られたErドープ光ファイバの損失波長
特性を示す図、第6図は本発明によって得られたErド
ープ光ファイバの蛍光特性を示す図、第7図は本発明に
よって得られたErドーグ光ファイバを光増幅器に応用
した一実施例を示す図、第8図は各種希土類元素塩化物
の蒸気圧特性を示すグラフである。 図中、1は超音波加振手段、2は希土類元素塩化物含有
水溶液、3は松露、5はバーナ、7はタゲット棒、8は
火炎、9は多孔質母材である。 特許出願人 日立電線株式会社 代理人弁理士 絹 谷 信 雄 第 図 第 図 第 7図 紛覇を絽灯シ 第 図 第 図 tML L ”ピノ 第 図 5に、長 (nm) 5声’−4(nm) 箪 図
って得られた希土類元素ドープガラスの全台化工程を示
す図、第3図は松露発生量の相対値と希土類元素(Er
)濃度との関係を示すグラフ、第4図は本発明によって
得られた光ファイバの屈折率分布を示す図、第5図は本
発明によって得られたErドープ光ファイバの損失波長
特性を示す図、第6図は本発明によって得られたErド
ープ光ファイバの蛍光特性を示す図、第7図は本発明に
よって得られたErドーグ光ファイバを光増幅器に応用
した一実施例を示す図、第8図は各種希土類元素塩化物
の蒸気圧特性を示すグラフである。 図中、1は超音波加振手段、2は希土類元素塩化物含有
水溶液、3は松露、5はバーナ、7はタゲット棒、8は
火炎、9は多孔質母材である。 特許出願人 日立電線株式会社 代理人弁理士 絹 谷 信 雄 第 図 第 図 第 7図 紛覇を絽灯シ 第 図 第 図 tML L ”ピノ 第 図 5に、長 (nm) 5声’−4(nm) 箪 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、軸回転させながら上方に引き上げられる石英製のタ
ーゲット棒の先端に火炎と共に主ガラス原料を吹き付け
て多孔質母材を生成する際に、上記火炎内に上記主ガラ
ス原料と粉霧状の希土類元素塩化水和物とを送り込み、
希土類元素を含むガラスを生成させることを特徴とする
希土類元素ドープガラスの製造方法。 2、上記火炎を発生させるためのバーナを内部が略同心
円状に多層に区画されてなる多重管構造とし、各層ごと
に主ガラス原料、粉霧状の希土類元素塩化水和物、燃焼
用のH_2ガス並びにO_2ガス、反応制御用の不活性
ガス等を供給するようにしたことを特徴とする請求項1
記載の希土類元素ドープガラスの製造方法。 3、上記希土類元素塩化水和物を粉霧状にするに際して
、希土類元素塩化物含有水溶液を超音波加振手段により
加振してこれを粉霧状にするようにしたことを特徴とす
る請求項1及び2記載の希土類元素ドープガラスの製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12426790A JPH0421536A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 希土類元素ドープガラスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12426790A JPH0421536A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 希土類元素ドープガラスの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0421536A true JPH0421536A (ja) | 1992-01-24 |
Family
ID=14881109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12426790A Pending JPH0421536A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 希土類元素ドープガラスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0421536A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0978486A1 (en) * | 1998-08-07 | 2000-02-09 | Corning Incorporated | Method and burner for forming silica-containing soot |
WO2000020346A1 (en) * | 1998-10-05 | 2000-04-13 | Liekki Oy | Method and device for spraying of a material |
WO2000046162A1 (en) * | 1999-02-05 | 2000-08-10 | The University Court Of The University Of Glasgow | Burner for fabricating aerosol doped waveguides |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP12426790A patent/JPH0421536A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0978486A1 (en) * | 1998-08-07 | 2000-02-09 | Corning Incorporated | Method and burner for forming silica-containing soot |
US6260385B1 (en) | 1998-08-07 | 2001-07-17 | Corning Incorporated | Method and burner for forming silica-containing soot |
WO2000020346A1 (en) * | 1998-10-05 | 2000-04-13 | Liekki Oy | Method and device for spraying of a material |
JP2002526373A (ja) * | 1998-10-05 | 2002-08-20 | リエッキ オイ | 原料を噴霧する方法および装置 |
KR100646471B1 (ko) * | 1998-10-05 | 2006-11-17 | 리에키 오와이 | 물질을 분무시키는 방법 및 장치 |
EP1752423A3 (en) * | 1998-10-05 | 2009-03-11 | Liekki OY | Method for spraying of glass particles |
WO2000046162A1 (en) * | 1999-02-05 | 2000-08-10 | The University Court Of The University Of Glasgow | Burner for fabricating aerosol doped waveguides |
GB2363637A (en) * | 1999-02-05 | 2002-01-02 | Univ Glasgow | Burner for fabricating aerosol doped waveguides |
GB2363637B (en) * | 1999-02-05 | 2003-09-24 | Univ Glasgow | Burner for fabricating aerosol doped waveguides |
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